本發(fā)明在整體上涉及半導(dǎo)體發(fā)光元件，特別地，涉及提高了對熱的耐久性的半導(dǎo)體發(fā)光元件。

背景技術(shù)：

在此，提供關(guān)于本發(fā)明的背景技術(shù)，這些背景技術(shù)并非一定表示公知技術(shù)。

圖1是表示在美國注冊專利公報(bào)第7,262,436號公開的半導(dǎo)體發(fā)光元件的一例的圖，半導(dǎo)體發(fā)光元件包括：基板(100)、在基板(100)上生長的n型半導(dǎo)體層(300)、在n型半導(dǎo)體層(300)上生長的有源層(400)、在有源層(400)上生長的p型半導(dǎo)體層(500)、形成在p型半導(dǎo)體層(500)上而作用為反射膜的電極(901，902，903)以及形成在通過蝕刻而露出的n型半導(dǎo)體層(300)上的n側(cè)接合焊盤(800)。

將這種結(jié)構(gòu)的芯片、即電極(901，902，903)及電極(800)均形成在基板(100)的一側(cè)，電極(901，902，903)作用為反射膜的形態(tài)的芯片稱為倒裝芯片(filp chip)。電極(901，902，903)由反射率高的電極(901；例如：Ag)、用于焊接的電極(903；例如：Au)及用于防止電極(901)物質(zhì)與電極(903)物質(zhì)之間的擴(kuò)散的電極(902；例如：Ni)構(gòu)成。這樣的金屬反射膜結(jié)構(gòu)反射率高，在電流擴(kuò)散方面具備優(yōu)點(diǎn)，但缺點(diǎn)是因金屬而引起光吸收。

圖2是表示在日公開專利公報(bào)第2006-20913號公開的半導(dǎo)體發(fā)光元件的一例的圖，半導(dǎo)體發(fā)光元件包括：基板(100)、在基板(100)上生長的緩沖層(200)、在緩沖層(200)上生長的n型半導(dǎo)體層(300)、在n型半導(dǎo)體層(300)上生長的有源層(400)、在有源層(400)上生長的p型半導(dǎo)體層(500)、形成在p型半導(dǎo)體層(500)上，并具備電流擴(kuò)散功能的透光性導(dǎo)電膜(600)、形成在透光性導(dǎo)電膜(600)上的p側(cè)接合焊盤(700)及形成在通過蝕刻而露出的n型半導(dǎo)體層(300)上的n側(cè)接合焊盤(800)。并且，在透光性導(dǎo)電膜(600)上具備分布布拉格反射層(900；DBR：Distributed Bragg Reflector)和金屬反射膜(904)。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，能夠減少因金屬反射膜(904)而引起的光吸收，但與利用電極(901，902，903)的情況相比，電流擴(kuò)散相對不夠順利。

根據(jù)諸多的優(yōu)點(diǎn)，使用使半導(dǎo)體發(fā)光元件以高電流、高功率(high power)發(fā)光的方法。半導(dǎo)體發(fā)光元件的大面積化進(jìn)一步要求高電流及高功率，相反地，為了高電流、高功率驅(qū)動(dòng)，也使得半導(dǎo)體發(fā)光元件被大面積化。另外，有時(shí)也首選即便不是大面積半導(dǎo)體發(fā)光元件，但具備電源供給電路的單純化等節(jié)省費(fèi)用的優(yōu)點(diǎn)的高電流、高功率驅(qū)動(dòng)。但是，隨著這樣的高電流、高功率驅(qū)動(dòng)，提高散熱效率成為更要緊的問題。在如上述的倒裝芯片中，倒裝芯片的電極通過焊錫等的方法接合到副安裝座的金屬圖案，并且通過倒裝芯片的電極則成為主要散熱通道，而如果長時(shí)間持續(xù)不能順利地散熱的情況，則在半導(dǎo)體發(fā)光元件的性能或耐久性上出現(xiàn)問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

技術(shù)課題

對此，將在“具體實(shí)施例”的后面段落中敘述。

課題解決手段

在此，提供本發(fā)明的整體概要，其并非限定本發(fā)明的框架。

根據(jù)本發(fā)明的一方式，提供一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，包括：發(fā)光部，其具備：第一半導(dǎo)體層，其具有第一導(dǎo)電性；第二半導(dǎo)體層，其具有與第一導(dǎo)電性不同的第二導(dǎo)電性；及有源層，其介于第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層之間，利用電子與空穴的再結(jié)合而生成光；絕緣層，其形成于發(fā)光部的一側(cè)；及第一電極及第二電極，該第一電極及第二電極分別與第一半導(dǎo)體層及第二半導(dǎo)體層電氣地連通，并相對于發(fā)光部形成于相同的方向上，在該第一電極及第二電極中的至少一個(gè)以絕緣層為基準(zhǔn)設(shè)于發(fā)光部的相反側(cè)，在第一電極與第二電極之間的絕緣層側(cè)發(fā)光部形成有至少一個(gè)槽。

發(fā)明效果

對此，將在“具體實(shí)施方式”的后面段落中進(jìn)行敘述。

附圖說明

圖1是表示在美國注冊專利公報(bào)第7,262,436號公開的半導(dǎo)體發(fā)光元件的一例的圖。

圖2是表示在日本公開專利公報(bào)第2006-20913號公開的半導(dǎo)體發(fā)光元件的一例。

圖3是用于說明本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件的一例的圖。

圖4是用于說明本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的一例的圖。

圖5是用于說明本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件的另一例的圖。

圖6是用于說明本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件的又另一例的圖。

圖7是用于說明本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件的又另一例的圖。

圖8是用于說明本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件的又另一例的圖。

圖9是用于說明本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件的又另一例的圖。

圖10是用于說明本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件的又另一例的圖。

圖11是用于說明本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件的使用例的圖。

具體實(shí)施方式

下面，參照附圖，對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。

圖3是用于說明本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件的一例的圖，半導(dǎo)體發(fā)光元件包括：發(fā)光部(30，40，50，60)、絕緣層(91)、第一電極(80)及第二電極(70)。發(fā)光部(30，40，50，60)包括多個(gè)半導(dǎo)體層(30，40，50)，多個(gè)半導(dǎo)體層(30，40，50)具備：第一半導(dǎo)體層(30)，其具有第一導(dǎo)電性；第二半導(dǎo)體層(50)，其具有與第一導(dǎo)電性不同的第二導(dǎo)電性；及有源層(40)，其介于第一半導(dǎo)體層(30)與第二半導(dǎo)體層(50)之間，通過電子和空穴的再結(jié)合而生成光。絕緣層(91)設(shè)于發(fā)光部(30，40，50，60)的一側(cè)。第一電極(80)及第二電極(70)分別與第一半導(dǎo)體層(30)及第二半導(dǎo)體層(50)電氣地連通，相對于發(fā)光部(30，40，50，60)設(shè)于相同的方向上。第一電極(80)和第二電極(70)中的至少一個(gè)以絕緣層(91)為基準(zhǔn)而設(shè)于多個(gè)半導(dǎo)體層(30，40，50)的相反側(cè)。在第一電極(80)與第二電極(70)之間的絕緣層(91)側(cè)發(fā)光部(30，40，50，60)形成有至少一個(gè)槽(35)。

在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體發(fā)光元件為倒裝芯片(flip chip)，第一電極(80)及第二電極(70)以絕緣層(91)為基準(zhǔn)位于多個(gè)半導(dǎo)體層(30，40，50)的相反側(cè)，該半導(dǎo)體發(fā)光元件具備：第一導(dǎo)電部(81)，其貫通絕緣層(91)，將第一電極(80)與通過蝕刻而露出的第一半導(dǎo)體層(30)電氣地連通；第二導(dǎo)電部(81)，其貫通絕緣層(91)，并與第二半導(dǎo)體層(50)電氣地連通。為了將來自有源層(40)的光反射到基板(10)側(cè)，發(fā)光部(30，40，50，60)在多個(gè)半導(dǎo)體層(30，40，50)與絕緣層(91)之間具備反射層或者由絕緣層(91)反射光。在本實(shí)施例中，絕緣層(91)作為絕緣性反射膜而反射光。絕緣性反射膜包括分布布拉格反射層(DBR：Distributed Bragg Reflector)。

至少一個(gè)槽(35)通過去除多個(gè)半導(dǎo)體層(30，40，50)的一部分而形成或者不去除多個(gè)半導(dǎo)體層(30，40，50)，而去除發(fā)光部(30，40，50，60)的其他部分而形成。在本實(shí)施例中，形成多個(gè)槽(35)，各槽(35)具備渠(trench)、凹穴(recess)、溝(groove)等的形狀，槽(35)不僅包括未向多個(gè)半導(dǎo)體層(30，40，50)的側(cè)表面方向開口的情況，而且還包括向多個(gè)半導(dǎo)體層(30，40，50)的側(cè)表面方向開口(open)的情況。優(yōu)選為，發(fā)光部(30，40，50，60)在多個(gè)半導(dǎo)體層(30，40，50)與絕緣層(91)之間具備電流擴(kuò)散導(dǎo)電膜(60；例如：ITO、Ni/Au等)，槽(35)通過去除電流擴(kuò)散導(dǎo)電膜(60)、第二半導(dǎo)體層(50)及有源層(40)一部分而形成。在電流擴(kuò)散導(dǎo)電膜(60)被省略的情況下，槽(35)通過去除第二半導(dǎo)體層(50)及有源層(40)的一部分而形成。

在有源層(40)中，在利用電子與空穴的再結(jié)合而生成光的同時(shí)還產(chǎn)生熱，而將這樣的熱順利地散熱至關(guān)重要。第一電極(80)及第二電極(70)與形成于副安裝座(1100)的金屬圖案(1080，1070)接合而被使用(參照圖11)，因此基于傳熱的散熱主要通過第一電極(80)及第二電極(70)而實(shí)現(xiàn)。此時(shí)，第一電極(80)與第二電極(70)的間隙與副安裝座(1100)隔開，在所述間隙內(nèi)通常具有空氣。因此，第一電極(80)與第二電極(70)的間隙的散熱效率低于第一電極(80)及第二電極(70)。另外，即便在第一電極(80)與第二電極(70)之間具備絕緣物質(zhì)，但在一般情況下，絕緣物質(zhì)比第一電極(80)及第二電極(70)傳熱性差。

在半導(dǎo)體發(fā)光元件以高電流和/或高功率(high-power)動(dòng)作的情況下，散熱的問題變大，在第一電極(80)與第二電極(70)之間的散熱問題在防止由長期使用導(dǎo)致的耐久性或因熱引起的性能下降時(shí)非常重要。另外，如上所述，半導(dǎo)體發(fā)光元件通過SMT方式安裝到副安裝座(1100)上，而第一電極(80)和第二電極(70)因形成于副安裝座(1100)的金屬圖案(1080，1070)和排列的誤差、焊錫等接合物質(zhì)的使用等，在縮小第一電極(80)與第二電極(70)之間的間隔或增大第一電極(80)及第二電極(70)面積時(shí)受到限制，第一電極(80)與第二電極(70)之間的間隔反而是逐漸增加的趨勢。

在本實(shí)施例中，如上所述，在發(fā)光部(30，40，50，60)形成多個(gè)槽(35)，從而在第一電極(80)與第二電極(70)之間減少熱的產(chǎn)生，由此抑制或防止因熱引起的所述耐久性下降或性能下降的問題。各個(gè)槽(35)可以以島(island)狀彼此隔開而形成，并可以形成為點(diǎn)(dot)狀，或者形成為長條的渠狀或變形為各種形狀。另外，還可以在第一電極(80)與第二電極(70)之間以一定的密度分布多個(gè)槽(35)，也可以使特定位置(例如：中央)的密度比其他位置更加密集。與此不同地，還可以考慮減少槽(35)的數(shù)量，而增大槽(35)的橫向及豎向尺寸的實(shí)施例。

在本實(shí)施例中，為了形成這樣的槽(35)而去除第二半導(dǎo)體層(50)及有源層(40)的一部分，因此在第一電極(80)與第二電極(70)之間與之相應(yīng)地減少熱的產(chǎn)生，由此在第一電極(80)與第二電極(70)之間將發(fā)光部(30，40，50，60)的溫度保持為適當(dāng)溫度時(shí)，與沒有槽(35)的情況相比，更為有利。

另外，槽(35)可防止因由熱產(chǎn)生的應(yīng)力而損傷半導(dǎo)體發(fā)光元件。例如，槽(35)還能夠起到在多個(gè)半導(dǎo)體層(30，40，50)和/或電流擴(kuò)散導(dǎo)電膜(60)膨脹或收縮時(shí)變形的緩沖作用，由此具備抑制由熱膨脹系數(shù)的差而引起裂痕或開裂等的效果。另外，槽(35)增加多個(gè)半導(dǎo)體層(30，40，50)的表面面積而有助于提高散熱效率。另外，槽(35)作用為形成于多個(gè)半導(dǎo)體層(30，40，50)的內(nèi)部的散射部，由此還有利于提高光提取效率。

對于圖3中未說明的符號，在下面的內(nèi)容中進(jìn)行說明。

下面，以三族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件為例進(jìn)行說明。

圖4是用于說明本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的一例的圖，首先，如圖4a所示，在基板(10)上形成多個(gè)半導(dǎo)體層(30，40，50)。作為基板(10)主要使用藍(lán)寶石、SiC、Si、GaN等，基板(10)最終被去除。多個(gè)半導(dǎo)體層(30，40，50)包括：形成在基板(10)上的緩沖層(未圖示)；具備第一導(dǎo)電性的第一半導(dǎo)體層(30；例如：摻雜有Si的GaN)；具備與第一導(dǎo)電性不同的第二導(dǎo)電性的第二半導(dǎo)體層(50；例如：摻雜有Mg的GaN)；及介于第一半導(dǎo)體層(30)與第二半導(dǎo)體層(50)之間，通過電子和空穴的再結(jié)合而生成光的有源層(40；例如：InGaN/(In)GaN多量子阱結(jié)構(gòu))。第一半導(dǎo)體層(30)和第二半導(dǎo)體層(50)的位置可更換，在三族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件中主要由GaN構(gòu)成。多個(gè)半導(dǎo)體層(30，40，50)分別構(gòu)成為多層，可省略緩沖層。

之后，優(yōu)選為在第二半導(dǎo)體層(50)上形成電流擴(kuò)散導(dǎo)電膜(60)。在p型GaN的情況下，電流擴(kuò)散能力下降，在由GaN構(gòu)成p型半導(dǎo)體層(50)的情況下，大部分需要接受電流擴(kuò)散導(dǎo)電膜(60)的幫助。例如，ITO、Ni/Au這樣的物質(zhì)用作電流擴(kuò)散導(dǎo)電膜(60)。

接著，去除電流擴(kuò)散導(dǎo)電膜(60)及多個(gè)半導(dǎo)體層(30，40，50)而形成槽(35)。另外，為了隔離(isolation)成單個(gè)元件，對多個(gè)半導(dǎo)體層(30，40，50)的外廓邊緣也進(jìn)行臺面蝕刻，為了與第一導(dǎo)電部(81)連接，第一半導(dǎo)電層的一部分被露出而形成接觸部。這樣的槽(35)、邊緣蝕刻及接觸部的形成優(yōu)選為同時(shí)形成。與此不同地，也可以在形成電流擴(kuò)散導(dǎo)電膜(60)之前去除多個(gè)半導(dǎo)體層(30，40，50)，并避開槽(35)而形成電流擴(kuò)散導(dǎo)電膜(60)。槽(35)的深度可以與所述接觸部相同，也可以調(diào)節(jié)臺面蝕刻，例如，使形成邊緣或接觸部和槽(35)的部分的蝕刻掩模不同，從而使槽(35)的深度與所述接觸部或邊緣的蝕刻深度不同。

當(dāng)然，與本實(shí)施例不同地，也可以考慮為了形成槽(35)而不蝕刻有源層(40)，而僅蝕刻到第二半導(dǎo)體層(50)為止，或者僅蝕刻到電流擴(kuò)散導(dǎo)電膜(60)為止。

接著，參照圖4b，在形成槽(35)之后，與第一導(dǎo)電部(81)對應(yīng)地在露出第一半導(dǎo)體層(30)的接觸部上形成第一接觸電極(82)，與第二導(dǎo)電部(81)對應(yīng)地在電流擴(kuò)散導(dǎo)電膜(60)上形成第二接觸電極(72)?？墒÷越佑|電極(82，72)，但為了減少接觸電阻并實(shí)現(xiàn)電連接的穩(wěn)定性，優(yōu)選具備該接觸電極(82，72)。之后，以覆蓋發(fā)光部(30，40，50，60)的方式形成絕緣層(91)。優(yōu)選為，絕緣層(91)以覆蓋蝕刻多個(gè)半導(dǎo)體層(30，40，50)的區(qū)域、電流擴(kuò)散導(dǎo)電膜(60)及接觸電極(82，72)的方式形成。因此，槽(35)也可被絕緣層(91)覆蓋，在槽(35)內(nèi)也可形成絕緣層(91)。

在本實(shí)施例中，絕緣層(91)為絕緣性反射膜，將來自有源層(40)的光反射到基板(10)側(cè)。為了減少由金屬反射膜引起的光吸收，絕緣層(91)由絕緣性物質(zhì)形成，雖可形成為單層，但優(yōu)選形成為多次(91a，91b，91c)結(jié)構(gòu)。作為構(gòu)成多次(91a，91b，91c)的物質(zhì)，可使用電介質(zhì)(例如：SiOx、TiOx等)，作為多層結(jié)構(gòu)的一例，絕緣層(91)可包括分布布拉格反射層(DBR；Distributed Bragg Reflector)。

接著，參照圖4c，通過干蝕刻等的方法在絕緣層(91)形成開口而露出接觸電極(82，72)的一部分，并形成與第一接觸電極(82)及第二接觸電極(72)分別接觸的第一導(dǎo)電部(81)及第二導(dǎo)電部(81)。關(guān)于第一電極(80)及第二電極(70)，通過層疊、電鍍等的方法，在絕緣層(91)上形成反射率高的Al、Ag這樣的金屬，并以分別與第一導(dǎo)電部(81)及第二導(dǎo)電部(81)連接的方式形成。第一電極(80)及第二電極(70)與導(dǎo)電部(81，71)一起形成。為了實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的電接觸，可使用Cr、Ti、Ni或它們的合金來形成第一電極(80)及第二電極(70)，對于其材質(zhì)不作特別限定。第一電極(80)及第二電極(70)通過焊錫、導(dǎo)電性焊膏、共晶焊等方法與副安裝座(1100)的金屬圖案(1080，1070)接合。在第一電極(80)及第二電極(70)之間形成有上述的槽(35)，因減少了散熱，溫度保持在適當(dāng)?shù)姆秶?/p>

圖5是用于說明本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件的另一例的圖，槽(35)僅形成于高電流擴(kuò)散導(dǎo)電膜(60)而未蝕刻多個(gè)半導(dǎo)體層(30，40，50)。在多個(gè)半導(dǎo)體層(30，40，50)上形成電流擴(kuò)散導(dǎo)電膜(60)之后，對電流擴(kuò)散導(dǎo)電膜(60)進(jìn)行蝕刻而形成多個(gè)槽(35)，或者也可以在形成電流擴(kuò)散導(dǎo)電膜(60)的同時(shí)形成槽(35)。由于電流擴(kuò)散導(dǎo)電膜(60)擴(kuò)散電流，因此在形成有槽(35)的區(qū)域，從電流擴(kuò)散導(dǎo)電膜(60)向下方流動(dòng)的電流比其他部分少，由此減少與槽(35)對應(yīng)的部分的散熱。另外，根據(jù)槽(35)而增大與絕緣層(91)的接觸面積，從而提高散熱效率。

圖6是用于說明本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件的又另一例的圖，作為沿著A-A線而取得的剖面的例子，可例舉圖3及圖5。第一電極(80)和第二電極(70)以使邊緣彼此相對并隔著間隔的方式從絕緣層(91)上隔開。點(diǎn)(dot)狀的多個(gè)槽(35)形成于第一電極(80)與第二電極(70)之間的發(fā)光部(30，40，50，60)，并被絕緣層(91)覆蓋。多個(gè)第一導(dǎo)電部(81)及第二導(dǎo)電部(81)分別形成于第一電極(80)和第二電極(70)的下方。在本實(shí)施例中，多個(gè)槽(35)僅形成于第一電極(80)與第二電極(70)之間，但在特定位置處存在因熱點(diǎn)或散熱引起的問題的情況下，也可考慮在第一電極(80)及第二電極(70)下方的發(fā)光部(30，40，50，60)形成槽(35)。

圖7是用于說明本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件的又另一例的圖，在圖7a所示的例中，在第一電極(80)與第二電極(70)之間連續(xù)去除一定長度的第二半導(dǎo)體層(50)及有源層(40)而形成槽(35)。在形成多個(gè)半導(dǎo)體層(30，40，50)并形成槽(35)之后，避開槽(35)而形成電流擴(kuò)散導(dǎo)電膜(60)。在該情況下，絕緣層(91)以延伸到槽(35)為止的方式形成。與本實(shí)施例不同，也可以在槽(35)形成絕緣體，并以覆蓋絕緣體及多個(gè)半導(dǎo)體層(30，40，50)的方式形成電流擴(kuò)散導(dǎo)電膜(60)。

在圖7b所示的例中，槽(35)僅形成于電流擴(kuò)散導(dǎo)電膜(60)。在多個(gè)半導(dǎo)體層(30，40，50)上形成電流擴(kuò)散導(dǎo)電膜(60)之后，對電流擴(kuò)散導(dǎo)電膜(60)進(jìn)行蝕刻而形成多個(gè)槽(35)，或者在形成電流擴(kuò)散導(dǎo)電膜(60)的同時(shí)形成槽(35)。

圖8是用于說明本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件的又另一例的圖，作為沿著B-B線取得的剖面的例子，可例舉圖7a及圖7b。多個(gè)槽(35)不是點(diǎn)狀，而是形成為從第一電極(80)朝向第二電極(70)的渠狀。如圖6及圖8所示，可將槽(35)的形狀變形為各種類型。

圖9是用于說明本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件的又另一例的圖，在圖9a及圖9b所示的例子中，電流擴(kuò)散導(dǎo)電膜(60)作為金屬反射膜(60)而反射來自有源層(40)的光。在圖9a所示的例子中，去除電流擴(kuò)散導(dǎo)電膜(60)、第二半導(dǎo)體層(50)、有源層(40)而形成槽(35)，在圖9b所示的例子中，僅去除電流擴(kuò)散導(dǎo)電膜(60)而形成槽(35)。絕緣層(91)不特意具備用于實(shí)現(xiàn)反射功能的結(jié)構(gòu)，可以形成為單層，并且比上述的絕緣層(91)厚度薄。例如，金屬反射膜(60)既可形成為由Al、Ag等構(gòu)成的單層，也可形成為包括反射層、與絕緣層(91)相接的上層、反射層與上層之間的阻擋層(例如：Ni等)的多層結(jié)構(gòu)。

在本實(shí)施例中，絕緣層(91)以覆蓋全部發(fā)光部(30，40，50，60)的方式形成，但也可以與本實(shí)施例不同地形成為如下：從絕緣層露出金屬反射膜的一部分，第二電極與露出的金屬反射膜直接相接，第一電極形成在絕緣層上。

另外，在電流擴(kuò)散導(dǎo)電膜(60)為金屬反射膜(60)的情況下，可以考慮由絕緣性反射膜(例如：DBR)形成絕緣層(91)的實(shí)施例。

圖10是用于說明本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件的又另一例的圖，在形成多個(gè)半導(dǎo)體層(30，40，50)，并蝕刻第二半導(dǎo)體層(50)及有源層(40)而形成槽(35)之后，通過層疊等方法而在槽(35)內(nèi)填充絕緣體(41)。之后，在第二半導(dǎo)體層(50)及絕緣體(41)上形成金屬反射膜(60)。之后，形成絕緣層(91)、第一電極(80)、及第二電極(70)。金屬反射膜(60)以覆蓋槽(35)的方式形成而反射光，第一電極(80)與第二電極(70)之間的槽(35)減少散熱。

圖11是用于說明本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件的使用例的圖，在副安裝座(1100)的金屬圖案(1080，1070)接合半導(dǎo)體發(fā)光元件的第一電極(80)及第二電極(70)。來自有源層(40)的光的一部分在絕緣層(91)反射或在金屬反射膜(60)反射而朝向基板(10)側(cè)。第一電極(80)與第二電極(70)之間即便不與副安裝座(1100)相接，但因槽(35)而減少散熱，因此溫度被保持在適當(dāng)水平。

下面，對本發(fā)明的各種實(shí)施方式進(jìn)行說明。

(1)半導(dǎo)體發(fā)光元件的特征在于，包括：發(fā)光部，其具備：第一半導(dǎo)體層，其具有第一導(dǎo)電性；第二半導(dǎo)體層，其具有與第一導(dǎo)電性不同的第二導(dǎo)電性；及有源層，其介于第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層之間，利用電子與空穴的再結(jié)合而生成光；絕緣層，其形成于發(fā)光部的一側(cè)；及第一電極及第二電極，該第一電極及第二電極分別與第一半導(dǎo)體層及第二半導(dǎo)體層電氣地連通，并相對于發(fā)光部形成于相同的方向上，在該第一電極和第二電極中的至少一個(gè)以絕緣層為基準(zhǔn)設(shè)于發(fā)光部的相反側(cè)，在第一電極與第二電極之間的絕緣層側(cè)發(fā)光部形成有至少一個(gè)槽。

(2)半導(dǎo)體發(fā)光元件的特征在于，半導(dǎo)體發(fā)光元件為倒裝芯片(flip chip)，第一電極及第二電極以絕緣層為基準(zhǔn)形成于多個(gè)半導(dǎo)體層的相反側(cè)，所述半導(dǎo)體發(fā)光元件包括：第一導(dǎo)電部，其貫通絕緣層，將第一電極和通過蝕刻而露出的第一半導(dǎo)體層電氣地連通；及第二導(dǎo)電部，其貫通絕緣層，與第二半導(dǎo)體層電氣地連通。

(3)半導(dǎo)體發(fā)光元件的特征在于，至少一個(gè)槽通過去除第二半導(dǎo)體層及有源層的一部分而形成。

(4)半導(dǎo)體發(fā)光元件的特征在于，發(fā)光部在第二半導(dǎo)體層與絕緣層之間包括電流擴(kuò)散導(dǎo)電膜，至少一個(gè)槽通過去除電流擴(kuò)散導(dǎo)電膜的一部分而形成。

(5)半導(dǎo)體發(fā)光元件的特征在于，絕緣層為絕緣性反射膜。

(6)半導(dǎo)體發(fā)光元件的特征在于，發(fā)光部在多個(gè)半導(dǎo)體層與絕緣層之間包括電流擴(kuò)散導(dǎo)電膜，至少一個(gè)槽通過去除電流擴(kuò)散導(dǎo)電膜、第二半導(dǎo)體層及有源層的一部分而形成。

(7)半導(dǎo)體發(fā)光元件的特征在于，電流擴(kuò)散導(dǎo)電膜為金屬反射膜。

(8)半導(dǎo)體發(fā)光元件的特征在于，至少一個(gè)槽以島(island)狀在第一電極與第二電極之間形成有多個(gè)。

(9)半導(dǎo)體發(fā)光元件的特征在于，絕緣性反射膜包括分布布拉格反射層。

(10)半導(dǎo)體發(fā)光元件的特征在于，發(fā)光部包括：填充至少一個(gè)槽的絕緣體；金屬反射膜，其覆蓋第二半導(dǎo)體層及絕緣體，形成于第二半導(dǎo)體層與絕緣層之間。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光元件，能夠抑制在倒裝芯片類型的半導(dǎo)體發(fā)光元件中因熱而導(dǎo)致的耐久性及性能的下降。

根據(jù)本發(fā)明的又另一半導(dǎo)體發(fā)光元件，在倒裝芯片類型的半導(dǎo)體發(fā)光元件中，代替金屬反射膜而使用絕緣性反射膜，由此減少由金屬反射膜引起的光的吸收。