1.一種配置成將選擇性可變能量的離子束提供給工件的離子注入系統(tǒng)，包括：
離子源，其配置成將摻雜物材料離子化以生成離子束；
質(zhì)量分析器，其位于所述離子源的下游，配置成提供經(jīng)質(zhì)量解析的離子束；
減速/加速級，其位于所述質(zhì)量分析器的下游，配置成接收所述經(jīng)質(zhì)量解析的離子束以產(chǎn)生選擇性可變能量的離子束；
終端站，位于所述減速/加速級的下游，其中所述終端站包括工件支撐件，其配置成選擇性將所述工件定位至所述選擇性可變能量的離子束之前，以便由此進(jìn)行離子注入；
掃描裝置，其配置成相對于彼此來掃描所述離子束及所述工件支撐件中的一或多個(gè)；
一個(gè)或多個(gè)電源，其可操作地耦接至所述離子源、所述質(zhì)量分析器以及所述減速/加速級中的一個(gè)或多個(gè)；以及
控制器，其耦接至所述一個(gè)或多個(gè)電源且配置成在所述離子束和/或工件支撐件的掃描同時(shí)選擇性改變至少一個(gè)供應(yīng)至所述減速/加速級的變壓電壓，其中所述至少一個(gè)供應(yīng)至所述減速/加速級的變壓電壓的選擇性改變至少部分基于離子束相對于工件的位置而定，以將選擇性可變能量的離子束提供給所述工件。
2.如權(quán)利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，進(jìn)一步包括：
能量過濾器，用于偏轉(zhuǎn)具有所需能量的離子，以將具有所需能量的離子束界定成傳遞至所述終端站；
其中，所述控制器進(jìn)一步設(shè)置且配置成在掃描所述離子束和/或工件支撐件的同時(shí)選擇性改變分別供應(yīng)至所述能量過濾器的一個(gè)或多個(gè)電壓，以便所述一個(gè)或多個(gè)電壓的選擇性改變至少部分基于所述離子束的能量而定。
3.如權(quán)利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述至少一個(gè)偏壓電壓的選擇性改變與所述離子束及/或工件支撐件的掃描同步地選擇性改變引向置于所述工件支撐件上的所述工件的所述離子束的能量。
4.如權(quán)利要求3所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述至少一個(gè)偏壓電壓的選擇性改變基于所述離子束沿掃描路徑的位置而定。
5.如權(quán)利要求3所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述至少一個(gè)偏壓電壓的選擇性改變進(jìn)一步基于由操作者以及所述工件的表征中的一個(gè)所提供的一個(gè)或多個(gè)預(yù)定特性而定。
6.如權(quán)利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述掃描裝置包括靜電式和/或磁性式掃描器，其配置成沿至少一個(gè)第一掃描軸分別靜電式和/或磁性式掃描所述離子束。
7.如權(quán)利要求6所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述掃描裝置進(jìn)一步包括機(jī)械式掃描系統(tǒng)，其配置成沿不平行于所述第一掃描軸的第二掃描軸機(jī)械式掃描所述工件支撐件。
8.如權(quán)利要求7所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述第一掃描軸正交于所述第二掃描軸。
9.如權(quán)利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述掃描裝置包括機(jī)械式掃描系統(tǒng)，其配置成沿第一掃描軸以及基本上正交于所述第一掃描軸的第二掃描軸機(jī)械式掃描所述工件支撐件。
10.如權(quán)利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述一個(gè)或多個(gè)分別供應(yīng)至所述減速/加速級的電壓的選擇性改變基于來自所述掃描系統(tǒng)且指示所述離子束相對于所述工件的位置的反饋而定。
11.如權(quán)利要求2所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述一個(gè)或多個(gè)分別供應(yīng)至所述能量過濾器的電壓的選擇性改變基于來自所述掃描系統(tǒng)且指示所述離子束相對于所述工件的位置的反饋而定。
12.如權(quán)利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述至少一個(gè)分別供應(yīng)至所述減速/加速級的偏壓電壓的選擇性改變是預(yù)定的。
13.如權(quán)利要求2所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述一個(gè)或多個(gè)分別供應(yīng)至所述能量過濾器的電壓的選擇性改變是預(yù)定的。
14.如權(quán)利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述一個(gè)或多個(gè)分別供應(yīng)至所述電極柱以及所述能量過濾器中的一個(gè)或多個(gè)的電壓的選擇性改變基于設(shè)置在所述工件支撐件上的工件的映射而定。
15.如權(quán)利要求14所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述工件的所述映射包括材料層厚度跨所述工件的表面的映射。
16.如權(quán)利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述一個(gè)或多個(gè)供應(yīng)至所述減速/加速級以及所述能量過濾器的電壓的選擇性改變進(jìn)一步至少部分基于一個(gè)或多個(gè)與設(shè)置在所述工件支撐件上的工件相關(guān)的特征的位置而定。
17.如權(quán)利要求15所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述一個(gè)或多個(gè)特征包括形成在所述工件上的層、在所述工件上的晶粒模式、所述工件的邊緣、所述工件的中心、以及所述工件上的預(yù)定義區(qū)域中的一個(gè)或多個(gè)。
18.如權(quán)利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述電極柱系包括離子束加速器以及離子束減速器中的一個(gè)或多個(gè)。
19.如權(quán)利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，其進(jìn)一步包括：
檢測器，其配置成檢測設(shè)置在所述工件支撐件上的工件的一個(gè)或多個(gè)屬性，其中，所述一個(gè)或多個(gè)分別供應(yīng)至所述電極柱以及所述能量過濾器中的一個(gè)或多個(gè)的電壓的選擇性改變進(jìn)一步基于來自檢測器器的反饋而定。
20.如權(quán)利要求19所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述檢測器配置成檢測所述工件的厚度、設(shè)置在所述工件上的層的厚度、在所述工件上的晶粒模式、所述工件的邊緣、所述工件的中心以及在所述工件上的預(yù)定義的區(qū)域中的一個(gè)或多個(gè)。
21.如權(quán)利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述工件支撐件包括：
電機(jī)，其配置成以離散步階繞軸來旋轉(zhuǎn)所述支撐件，所述軸與垂直于且交叉在所述工件支撐件上所容納的所述工件的表面的軸相符，所述控制器配置成控制所述電機(jī)；以及
劑量測量裝置，用于測量注入所述工件中的離子的劑量，所述控制器可操作成從所述劑量測量裝置接收劑量信息信號(hào)，并且將控制信號(hào)發(fā)送至所述電機(jī)以用于進(jìn)一步提供所述工件支撐件的步階旋轉(zhuǎn)。
22.如權(quán)利要求21所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述電機(jī)包括步進(jìn)電機(jī)。
23.如權(quán)利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述至少一個(gè)供應(yīng)至所述減速/加速級的偏壓電壓的選擇性改變迭代，由此界定鏈?zhǔn)阶⑷?，并進(jìn)一步至少部分基于由操作者以及所述工件的表征中的一個(gè)所提供的一個(gè)或多個(gè)預(yù)定特征而定。
24.如權(quán)利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述至少一個(gè)供應(yīng)至所述減速/加速級的偏壓電壓的選擇性改變大致連續(xù)。
25.一種用于離子注入的方法，該方法包括：
將離子束引向工件；
相對于彼此掃描所述離子束以及所述工件中的一個(gè)或多個(gè)；以及
與所述離子束及工件中的一個(gè)或多個(gè)的掃描同時(shí)以連續(xù)方式選擇性改變所述離子束的能量，離子注入到所述工件中所產(chǎn)生的深度沿所述工件的表面而改變。
26.如權(quán)利要求25所述的方法，其中，改變所述離子束的能量的步驟包括改變供應(yīng)至用于將離子束能量施予至所述離子束的電極柱的電壓。
27.如權(quán)利要求26所述的方法，其中，改變供應(yīng)至所述電極柱的電壓控制在將所述離子注入到所述工件內(nèi)之前與所述點(diǎn)狀離子束相關(guān)的最終能量。
28.如權(quán)利要求26所述的方法，其中，所述電極柱系包括離子束加速器以及離子束減速器中的一個(gè)或多個(gè)。
29.如權(quán)利要求26所述的方法，其中，改變所述離子束的能量進(jìn)一步包括改變供應(yīng)至集成于所述電極柱內(nèi)的能量過濾器的電壓。
30.如權(quán)利要求29所述的方法，其中，所述能量過濾器區(qū)分所述離子束的所需能量，并且以該所需能量將所述離子束引向所述工件。
31.如權(quán)利要求25所述的方法，該方法進(jìn)一步包括：提供所述工件的表面的所需能量映射，其中，改變所述離子束的能量基于該所需能量映射而定。
32.如權(quán)利要求25所述的方法，該方法進(jìn)一步包括：提供與相對于彼此掃描所述點(diǎn)狀離子束以及工件中的一個(gè)或多個(gè)相關(guān)的位置反饋，其中，所述選擇性改變所述離子束的能量包括基于所述位置反饋來選擇性改變所述一個(gè)或多個(gè)供應(yīng)至電極柱以及能量過濾器中的一個(gè)或多個(gè)的電壓。
33.如權(quán)利要求25所述的方法，其中，與所述射束的能量的選擇性改變相關(guān)的改變離子進(jìn)入所述工件的注入深度基于所述能量改變來分別弱化或強(qiáng)化一個(gè)或多個(gè)與所述工件的表面相關(guān)的層。
34.如權(quán)利要求33所述的方法，其中，所述一個(gè)或多個(gè)層系包括氧化層。
35.如權(quán)利要求34所述的方法，該方法進(jìn)一步包括：在所述工件的表面上執(zhí)行化學(xué)機(jī)械拋光或蝕刻，其中，將所述氧化層平坦化。
36.如權(quán)利要求25所述的方法，其中，所述選擇性改變所述離子束的能量包括以預(yù)定方式選擇性改變一個(gè)或多個(gè)分別供應(yīng)至電極柱以及能量過濾器中的一個(gè)或多個(gè)的電壓。
37.如權(quán)利要求36所述的方法，其中，所述一個(gè)或多個(gè)分別供應(yīng)至所述電極柱以及所述能量過濾器中的一個(gè)或多個(gè)的電壓的選擇性改變基于所述工件的映射而定。
38.如權(quán)利要求37所述的方法，其中，所述工件的所述映射包括氧化或材料層厚度跨所述工件的表面的映射。
39.如權(quán)利要求38所述的方法，該方法進(jìn)一步包括：在所述工件的表面上執(zhí)行化學(xué)機(jī)械拋光或蝕刻，由此使所述工件的表面平坦化。
40.如權(quán)利要求25所述的方法，其中，選擇性改變所述點(diǎn)狀離子束的能量至少部分基于一個(gè)或多個(gè)與所述工件相關(guān)的特征的位置而定。
41.如權(quán)利要求40所述的方法，其中，所述一個(gè)或多個(gè)特征包括形成在所述工件上的層、在所述工件上的晶粒模式、所述工件的邊緣、所述工件的中心、以及所述工件上的預(yù)定義區(qū)域中的一個(gè)或多個(gè)。
42.如權(quán)利要求41所述的方法，進(jìn)一步包括：檢測所述工件的一個(gè)或多個(gè)屬性，其中，選擇性改變所述離子束的能量進(jìn)一步基于來自所述檢測器的反饋而定。
43.如權(quán)利要求42所述的方法，其中，所述工件的一個(gè)或多個(gè)屬性包括所述工件的厚度、設(shè)置在所述工件上的層的厚度、在所述工件上的晶粒模式、所述工件的邊緣、所述工件的中心以及在所述工件上的預(yù)定義的區(qū)域中的一個(gè)或多個(gè)。
44.如權(quán)利要求25所述的方法，其中，相對于彼此地掃描所述離子束以及工件中的一個(gè)或多個(gè)包括沿一個(gè)或多個(gè)軸而靜電式和/或磁性式掃描所述離子束。
45.如權(quán)利要求25所述的方法，其中，相對于彼此地掃描所述離子束以及工件中的一個(gè)或多個(gè)包括沿一個(gè)或多個(gè)軸而機(jī)械式掃描所述工件。
46.如權(quán)利要求45所述的方法，其中，相對于彼此地掃描所述離子束以及工件中的一個(gè)或多個(gè)包括沿第一軸而靜電式/(或是磁性式)掃描所述點(diǎn)狀離子束并沿第二軸機(jī)械式掃描所述工件。
47.如權(quán)利要求25所述的方法，該方法包括：
以離散步階繞與垂直且交叉所述工件的所述表面的軸相符的軸來旋轉(zhuǎn)所述工件；
測量注入到所述工件中的離子的劑量；以及
至少部分基于注入到所述工件中的離子的所述劑量的測量來控制所述工件的旋轉(zhuǎn)。
48.一種用于將離子注入工件中的方法，該方法包括：
提供點(diǎn)狀離子束；
對所述點(diǎn)狀離子束加以質(zhì)量分析；
相對于彼此地掃描所述聚點(diǎn)離子束與所述工件中的一個(gè)或多個(gè)；以及
以連續(xù)方式與掃描同時(shí)地改變所述點(diǎn)狀離子束的能量，離子到所述工件中的注入深度隨所述離子束相對所述工件的位置的函數(shù)跨所述工件的表面而改變。
49.如權(quán)利要求48所述的方法，其中，改變所述點(diǎn)狀離子束的能量包括改變供應(yīng)至電極柱以及能量過濾器中的一個(gè)或多個(gè)的電壓。
50.如權(quán)利要求48所述的方法，該方法進(jìn)一步包括：
與掃描同時(shí)地改變所述點(diǎn)狀離子束的劑量，注入到所述工件中的離子量隨所述離子束相對于所述工件的位置的函數(shù)跨所述工件的表面而改變。