1.一種半導(dǎo)體裝置用接合線，具有Cu合金芯材和形成于所述Cu合金芯材的表面的Pd被覆層，其特征在于，
所述接合線含有選自As、Te、Sn、Sb、Bi、Se中的至少1種以上的元素，相對(duì)于線整體，所述元素的濃度合計(jì)為0.1～100質(zhì)量ppm，Sn≤10質(zhì)量ppm、Sb≤10質(zhì)量ppm、Bi≤1質(zhì)量ppm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置用接合線，其特征在于，相對(duì)于線整體，選自As、Te、Sn、Sb、Bi、Se中的至少1種以上的元素的濃度合計(jì)為1～100質(zhì)量ppm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置用接合線，其特征在于，所述Pd被覆層的厚度為0.015～0.150μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置用接合線，其特征在于，在所述Pd被覆層上還具有包含Au和Pd的合金表皮層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置用接合線，其特征在于，所述包含Au和Pd的合金表皮層的厚度為0.0005～0.050μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～5的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置用接合線，其特征在于，所述接合線還含有選自Ni、Zn、Rh、In、Ir、Pt、Ga、Ge中的至少1種以上的元素，相對(duì)于線整體，所述元素的濃度分別為0.011～1.2質(zhì)量％。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～6的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置用接合線，其特征在于，所述Cu合金芯材含有Pd，所述Cu合金芯材中所含的Pd的濃度為0.05～1.2質(zhì)量％。
8.根據(jù)權(quán)利要求1～7的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置用接合線，其特征在于，所述接合線還含有選自B、P、Mg、Ca、La中的至少1種以上的元素，相對(duì)于線整體，所述元素的濃度分別為1～100質(zhì)量ppm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1～8的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置用接合線，其特征在于，在測(cè)定所述接合線表面的晶體取向而得到的測(cè)定結(jié)果中，相對(duì)于所述接合線長(zhǎng)度方向角度差為15度以下的晶體取向＜111＞的存在比率以面積 率計(jì)為30～100％。
10.根據(jù)權(quán)利要求1～9的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置用接合線，其特征在于，在所述接合線的最表面存在Cu。