1.一種半導(dǎo)體功率器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體功率器件結(jié)構(gòu)包括：
源極、源金屬、柵金屬、漏極、漏極金屬、源極體區(qū)、多晶硅、金屬場板、N型重?fù)诫s區(qū)、氧Trench層、N型漂移區(qū)、埋氧層、P型襯底；
所述P型襯底在所述半導(dǎo)體功率器件結(jié)構(gòu)的底層，所述埋氧層在所述P型襯底之上，所述N型漂移區(qū)在所述埋氧層之上，所述N型重?fù)诫s區(qū)在所述N型漂移區(qū)之上，所述氧Trench層在所述N型重?fù)诫s區(qū)之上，所述金屬場板為多層長度不等的縱向場板，在所述N型漂移區(qū)靠近所述氧Trench層的表面注入一層重?fù)诫sn型層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體功率器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多層長度不等的縱向場板為三層長度不等的縱向場板。