本實用新型涉及晶體三極管技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種硅高頻低噪聲晶體三極管。

背景技術(shù)：

三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號，也用作無觸點開關(guān)。晶體三極管，是半導(dǎo)體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。其中硅高頻低噪聲三極管是通信系統(tǒng)接收端的關(guān)鍵電子器件，在軍用、民用電子設(shè)備中有著廣泛的應(yīng)用，其典型應(yīng)用主要在通訊、雷達（含導(dǎo)航）和電子對抗等領(lǐng)域。由于晶體管內(nèi)大量帶電微粒(載流子)的無規(guī)則運動會產(chǎn)生噪聲干擾，晶體管的噪聲決定了晶體管所能放大的微弱信號的下限，若噪聲越大，接收信號靈敏度越低，嚴重影響了設(shè)備正常工作。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對以上問題，本實用新型提供了一種硅高頻低噪聲晶體三極管，結(jié)構(gòu)簡單，噪聲低功耗小，且散熱性能好，能夠?qū)崿F(xiàn)大功率工作，可以有效解決背景技術(shù)中的問題。

為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供如下技術(shù)方案：一種硅高頻低噪聲晶體三極管，包括底座，所述底座的上表面固定安裝有管帽，所述管帽內(nèi)安裝有三極管芯片，所述三極管芯片的側(cè)邊引出三個電極，左邊為基極，中間為發(fā)射極，右邊為集電極，電極上均焊接有引腳，引腳從管帽內(nèi)伸出至底座的外邊沿，所述底座上對應(yīng)引腳的位置開設(shè)有引腳凹槽；所述三極管芯片與底座之間連接有焊接片，焊接片上表面涂覆有導(dǎo)電層；所述底座的底端還開設(shè)有安裝孔，安裝孔通過螺絲固定有散熱片；所述三極管芯片內(nèi)部分為基區(qū)、發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，所述基區(qū)位于芯片中間，發(fā)射區(qū)緊貼基區(qū)上表面，集電區(qū)緊貼基區(qū)下表面。

作為本實用新型一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述三極管芯片采用硅制成，其中所述基區(qū)厚度為0.5μm，發(fā)射區(qū)厚度為6μm，集電區(qū)厚度為2μm。

作為本實用新型一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述底座和管帽均采用鋁合金制成，底座的邊緣安裝有卡扣，管帽通過卡扣連接在底座上。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的有益效果是：該硅高頻低噪聲晶體三極管，通過設(shè)置超薄基區(qū)，提高了功率增益；設(shè)置發(fā)射區(qū)厚度為集電區(qū)厚度的三倍，實現(xiàn)了淺擴散，大大降低了管子噪聲；設(shè)置散熱片，提高管子散熱性能；設(shè)置卡扣，是管帽安裝拆卸更加方便，從而實現(xiàn)了循環(huán)利用；本實用新型結(jié)構(gòu)簡單，工作頻率高，噪聲干擾小，提高了管子的靈敏度，降低了生產(chǎn)成本。

附圖說明

圖1為本實用新型結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實用新型剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：1-底座；2-管帽；3-三極管芯片；4-基極；5-發(fā)射極；6-集電極；7-引腳；8-引腳凹槽；9-焊接片；10-導(dǎo)電層；11-安裝孔；12-散熱片；13-基區(qū)；14-發(fā)射區(qū)；15-集電區(qū)；16-卡扣。

具體實施方式

下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。

實施例：

請參閱圖1和圖2，本實用新型提供一種技術(shù)方案：一種硅高頻低噪聲晶體三極管，包括底座1，所述底座1的上表面固定安裝有管帽2，所述管帽2內(nèi)安裝有三極管芯片3，所述三極管芯片3的側(cè)邊引出三個電極，左邊為基極4，中間為發(fā)射極5，右邊為集電極6，電極上均焊接有引腳7，引腳7從管帽2內(nèi)伸出至底座1的外邊沿，所述底座1上對應(yīng)引腳7的位置開設(shè)有引腳凹槽8；所述三極管芯片3與底座1之間連接有焊接片9，焊接片9上表面涂覆有導(dǎo)電層10；所述底座1的底端還開設(shè)有安裝孔11，安裝孔11通過螺絲固定有散熱片12；所述三極管芯片3內(nèi)部分為基區(qū)13、發(fā)射區(qū)14和集電區(qū)15，所述基區(qū)13位于芯片中間，發(fā)射區(qū)14緊貼基區(qū)13上表面，集電區(qū)15緊貼基區(qū)13下表面；所述三極管芯片3采用硅制成，其中所述基區(qū)13厚度為0.5μm，發(fā)射區(qū)14厚度為6μm，集電區(qū)15厚度為2μm；所述底座1和管帽2均采用鋁合金制成，底座1的邊緣安裝有卡扣16，管帽2通過卡扣16連接在底座1上。

本實用新型的工作原理：所述底座1用于安裝芯片承載散熱裝置，采用鋁合金制作減輕重量還降低了銅耗，所述管帽2用于將內(nèi)部芯片與外界隔開，保護芯片延長使用壽命；所述三極管芯片3的基區(qū)13設(shè)計成超薄基區(qū)，提高雜質(zhì)濃度梯度，加快載流子的輸運過程，提高產(chǎn)品的特征頻率和功率增益，所述發(fā)射區(qū)14厚度設(shè)計為集電區(qū)15厚度的三倍，有利于實現(xiàn)淺擴散，從而降低管子噪聲；所述引腳7將基極4、發(fā)射極5、集電極6從芯片內(nèi)部引出，便于進行焊接安裝，所述引腳凹槽8用于固定引腳7；所述焊接片9將三極管芯片3焊接在底座1上，并通過導(dǎo)電層10加強電氣連接；所述安裝孔11通過螺絲能夠方便地安裝和拆卸散熱片12，所述散熱片12能夠?qū)⑷龢O管在大電流工作時及時散熱，保證管子的正常特性；所述卡扣16將管帽2直接扣接在底座1上，可以方便打開更換芯片，實現(xiàn)循環(huán)利用。

該硅高頻低噪聲晶體三極管，通過設(shè)置超薄基區(qū)13，提高了功率增益；設(shè)置發(fā)射區(qū)14厚度為集電區(qū)15厚度的三倍，實現(xiàn)了淺擴散，大大降低了管子噪聲；設(shè)置散熱片12，提高管子散熱性能；設(shè)置卡扣16，是管帽安裝拆卸更加方便，從而實現(xiàn)了循環(huán)利用；本實用新型結(jié)構(gòu)簡單，工作頻率高，噪聲干擾小，提高了管子的靈敏度，降低了生產(chǎn)成本。

以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。