1.一種硅高頻低噪聲晶體三極管，包括底座（1），所述底座（1）的上表面固定安裝有管帽（2），所述管帽（2）內(nèi)安裝有三極管芯片（3），其特征在于：所述三極管芯片（3）的側邊引出三個電極，左邊為基極（4），中間為發(fā)射極（5），右邊為集電極（6），電極上均焊接有引腳（7），引腳（7）從管帽（2）內(nèi)伸出至底座（1）的外邊沿，所述底座（1）上對應引腳（7）的位置開設有引腳凹槽（8）；所述三極管芯片（3）與底座（1）之間連接有焊接片（9），焊接片（9）上表面涂覆有導電層（10）；所述底座（1）的底端還開設有安裝孔（11），安裝孔（11）通過螺絲固定有散熱片（12）；所述三極管芯片（3）內(nèi)部分為基區(qū)（13）、發(fā)射區(qū)（14）和集電區(qū)（15），所述基區(qū)（13）位于芯片中間，發(fā)射區(qū)（14）緊貼基區(qū)（13）上表面，集電區(qū)（15）緊貼基區(qū)（13）下表面。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種硅高頻低噪聲晶體三極管，其特征在于：所述三極管芯片（3）采用硅制成，其中所述基區(qū)（13）厚度為0.5μm，發(fā)射區(qū)（14）厚度為6μm，集電區(qū)（15）厚度為2μm。
3.根據(jù)權利要求1所述的一種硅高頻低噪聲晶體三極管，其特征在于：所述底座（1）和管帽（2）均采用鋁合金制成，底座（1）的邊緣安裝有卡扣（16），管帽（2）通過卡扣（16）連接在底座（1）上。