技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種超結(jié)半導(dǎo)體元件，其包括基板、設(shè)置于基板上的漂移層、場絕緣層、浮接電極層、隔離層及至少一晶體管結(jié)構(gòu)。漂移層內(nèi)的多個n型及p型摻雜柱交替地排列，而形成超結(jié)結(jié)構(gòu)。漂移層定義出元件區(qū)、過渡區(qū)及位于元件區(qū)外圍的終止區(qū)，過渡區(qū)位于元件區(qū)與終止區(qū)之間。場絕緣層設(shè)置于漂移層的表面上，并覆蓋終止區(qū)以及部分過渡區(qū)。浮接電極層設(shè)置于場絕緣層上，并具有一部分位于終止區(qū)內(nèi)。晶體管結(jié)構(gòu)包括由元件區(qū)延伸到過渡區(qū)的源極導(dǎo)電層，其中源極導(dǎo)電層由元件區(qū)延伸至過渡區(qū)，并通過隔離層與浮接電極層電性絕緣。本發(fā)明的超結(jié)半導(dǎo)體元件通過設(shè)置延伸到終止區(qū)內(nèi)的浮接電極層，可擴大終止區(qū)內(nèi)的電場分布范圍，從而提高超結(jié)半導(dǎo)體元件整體的擊穿電壓。

技術(shù)研發(fā)人員：郭家展;許志維;莊如旭;于世珩
受保護的技術(shù)使用者：敦南科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.25
技術(shù)公布日：2017.07.04