1.一種驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，包括：
半導(dǎo)體層，具有溝道區(qū)、源極區(qū)以及漏極區(qū)；
源極，與所述源極區(qū)接觸；
漏極，與所述漏極區(qū)接觸；
柵極，
以及絕緣層，用于絕緣所述柵極與所述半導(dǎo)體層；
其特征在于，所述半導(dǎo)體層的溝道區(qū)中設(shè)有用于阻礙載流子遷移的通孔；所述通孔貫穿所述半導(dǎo)體層；
或，所述半導(dǎo)體層的溝道區(qū)的外邊緣設(shè)有用于阻礙載流子遷移的凹凸結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，其特征在于，所述通孔為圓孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，其特征在于，所述通孔的直徑占所述溝道區(qū)寬度的三分之一到二分之一。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，其特征在于，所述通孔的個(gè)數(shù)至少為3個(gè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，其特征在于，所述通孔均勻分布在所述溝道區(qū)中。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，其特征在于，所述半導(dǎo)體層的外邊緣呈鋸齒狀。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，其特征在于，所述半導(dǎo)體層的外邊緣呈波浪狀。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，其特征在于，所述半導(dǎo)體層為低溫多晶硅層。
9.一種像素電路，包括有機(jī)發(fā)光單元、開(kāi)關(guān)薄膜晶體管、驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管、以及存儲(chǔ)電容，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管為權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。
10.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權(quán)利要求9所述的像素電路。