本發(fā)明涉及發(fā)光二極管封裝領(lǐng)域，尤其是一種抗靜電發(fā)光二極管。

背景技術(shù)：

發(fā)光二極管簡(jiǎn)稱(chēng)為L(zhǎng)ED。由含鎵（Ga）、砷（As）、磷（P）、氮（N）等的化合物制成。當(dāng)電子與空穴復(fù)合時(shí)能輻射出可見(jiàn)光，因而可以用來(lái)制成發(fā)光二極管。在電路及儀器中作為指示燈，或者組成文字或數(shù)字顯示。砷化鎵二極管發(fā)紅光，磷化鎵二極管發(fā)綠光，碳化硅二極管發(fā)黃光，氮化鎵二極管發(fā)藍(lán)光。因化學(xué)性質(zhì)又分有機(jī)發(fā)光二極管OLED和無(wú)機(jī)發(fā)光二極管LED。

發(fā)光二極管已經(jīng)被運(yùn)用到各個(gè)顯示領(lǐng)域，但是其抗靜電能力一直制約的其應(yīng)用范圍，尤其是在干燥的秋冬季節(jié)，比較容易產(chǎn)生靜電，易是發(fā)光二極管發(fā)生損壞。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)以上問(wèn)題，本發(fā)明公開(kāi)的本發(fā)明公開(kāi)的一種抗靜電發(fā)光二極管，通過(guò)在硅膠中添加導(dǎo)電粒子，形成一層靜電屏蔽層，將外界的靜電屏蔽，以保護(hù)芯片和電路，防止被靜電損壞，提高了發(fā)光二極管的可靠性，即使在干燥的秋冬環(huán)境中使用也正常使用。

本發(fā)明公開(kāi)的一種抗靜電發(fā)光二極管，包括基板、第一電極、支架、第二電極、發(fā)光芯片、第一硅膠和第二硅膠，其特征在于：所述的第一電極包裹在基板的一端，所述的第二電極包裹在基板的另一端，所述的芯片在基板上，所述的支架在基板上，所述的第一硅膠將發(fā)光芯片包裹在內(nèi)，所述的第一硅膠在基板和第二硅膠之間，所述的第二硅膠在第一硅膠上，所述的第一硅膠和第二硅膠都在支架內(nèi)；其特征還在于：第二硅膠中含有導(dǎo)電粒子。

本發(fā)明公開(kāi)的一種抗靜電發(fā)光二極管，具有抗靜電的優(yōu)點(diǎn)。

附圖說(shuō)明

圖1位本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。

1、基板 2、第一電極 3、支架 4、第二電極 5、發(fā)光芯片 6、第一硅膠 7、第二硅膠。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式，進(jìn)一步闡明本發(fā)明，應(yīng)理解下述具體實(shí)施方式僅用于說(shuō)明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍，在閱讀了本發(fā)明之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員對(duì)發(fā)明的各種等價(jià)形式的修改均落于本申請(qǐng)所附權(quán)利要求所限定的范圍。

如圖1所示，本發(fā)明公開(kāi)了一種抗靜電發(fā)光二極管，包括基板、第一電極、支架、第二電極、發(fā)光芯片、第一硅膠和第二硅膠，其特征在于：所述的第一電極包裹在基板的一端，所述的第二電極包裹在基板的另一端，所述的芯片在基板上，所述的支架在基板上，所述的第一硅膠將發(fā)光芯片包裹在內(nèi)，所述的第一硅膠在基板和第二硅膠之間，所述的第二硅膠在第一硅膠上，所述的第一硅膠和第二硅膠都在支架內(nèi)；其特征還在于：第二硅膠中含有導(dǎo)電粒子。

作為一種優(yōu)選，所述的導(dǎo)電粒子直徑為1nm。

作為一種優(yōu)選，所述的導(dǎo)電粒子直徑為5nm。

作為一種優(yōu)選，所述的導(dǎo)電粒子直徑為20nm。

作為一種優(yōu)選，所述的第二硅膠中添加的導(dǎo)電粒子比例為0.1%。

作為一種優(yōu)選，所述的第二硅膠中添加的導(dǎo)電粒子比例為0.8%。

作為一種優(yōu)選，所述的第二硅膠中添加的導(dǎo)電粒子比例為5%。