本發(fā)明涉及照明領(lǐng)域，特別是涉及一種耐高壓且熱阻低的利用COB技術(shù)封裝的LED光源。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有技術(shù)中，LED光源的MCPCB基板一般是由普通鋁構(gòu)成的鋁基層，各器件的安裝結(jié)構(gòu)從下到上依次是鋁基層、絕緣層、覆銅層和白油阻焊層。在芯片的封裝方式上，有正裝芯片方式和倒裝芯片方式，采用正裝芯片方式時(shí)，芯片的耐壓性能雖然可以得到提高，但其散熱性能較差。而倒裝芯片方式雖然散熱性能較好但而壓性能又不足。

如，現(xiàn)有技術(shù)在MCPCB基板上采用正裝芯片方式貼裝時(shí)，其受限于基板中的絕緣層，再加上藍(lán)寶石芯片材料本身和固晶膠的導(dǎo)熱系數(shù)小，使器件的熱阻較高，整個(gè)器件的導(dǎo)熱性很差，很難做到大于10瓦以上的高功率COB器件或高功率密度COB器件。

而倒裝芯片方式為達(dá)到器件大于2000V的耐壓要求，絕緣層必須達(dá)到一定的厚度，常規(guī)在75um–150um內(nèi)，這樣的厚度導(dǎo)致了鋁基層的導(dǎo)熱系數(shù)小且導(dǎo)熱性差(器件的熱阻大)，直接影響LED光源壽命和使用范圍。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是要提供一種可同時(shí)提高COB結(jié)構(gòu)的LED光源的導(dǎo)熱性和耐壓性的結(jié)構(gòu)。

特別地，本發(fā)明提供一種低熱阻LED光源，包括：

基板，由依次排列的鋁基層、絕緣層、導(dǎo)電層和阻焊層構(gòu)成；所述鋁基層的上下表面采用陽極氧化的方式形成有氧化層；

LED，包括兩個(gè)分別接正負(fù)極的引腳，所述引腳穿過所述阻焊層后與所述導(dǎo)電層焊接。

進(jìn)一步地，所述鋁基層的氧化層厚度為5-20um。

進(jìn)一步地，所述絕緣層的厚度為5-60um。

進(jìn)一步地，所述鋁基層的兩面同時(shí)進(jìn)行陽極氧化處理，且兩面的氧化層的厚度分別為5-20um。

進(jìn)一步地，所述導(dǎo)電層為銅基層且厚度為35-70um。

進(jìn)一步地，所述鋁基層和所述絕緣層的耐壓大于2000v。

進(jìn)一步地，所述LED的襯底為藍(lán)寶石襯底。

進(jìn)一步地，所述低熱阻LED光源采用COB封裝。

本發(fā)明的LED光源采用MCPCB基板+倒裝芯片安裝的LED結(jié)構(gòu)，整體熱阻降低，并且是無金線封裝，可靠性明顯提升，在維持更大功率和更高功率密度的同時(shí)，還可維持高耐壓的性能。

附圖說明

圖1是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的LED光源基板結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的LED光源結(jié)構(gòu)示意圖；

圖中：10-基板、11-鋁基層、111-氧化層、12-絕緣層、13-導(dǎo)電層、14-阻焊層、20-LED、21-引腳。

具體實(shí)施方式

如圖1、2所示，本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的低熱阻LED光源一般性地包括由依次排列的鋁基層11、絕緣層12、導(dǎo)電層13和阻焊層14構(gòu)成的基板10和發(fā)光的LED20。該鋁基層11的上下表面采用陽極氧化的方式形成有氧化層111，該LED20包括兩個(gè)分別接正負(fù)極的引腳21，其引腳21穿過阻焊層14后與導(dǎo)電層13焊接。

本實(shí)施例的基板10為MCPCB基板，其中的鋁基層11采用經(jīng)過表面陽極氧化(Al₂O₃)處理的鋁材，該Al₂O₃是絕緣材料且導(dǎo)熱系數(shù)可以達(dá)到30w/m.k。在本實(shí)施例中，鋁基層11的氧化層111厚度可以為5-20um，因此，在MCPCB基板是同等材質(zhì)的情況下，絕緣層12的厚度在原基礎(chǔ)上可以減小到5-60um，由此構(gòu)成的MCPCB基板的鋁基層會(huì)大幅降低熱阻，同時(shí)還可以保持LED光源中的MCPCB基板大于2000v的耐高壓能力，即絕緣層12的耐壓加上陽極氧化鋁材的耐壓大于2000v，使LED光源的壽命和使用范圍更廣泛。

LED20采用倒裝芯片安裝方式，其引腳21的PN結(jié)靠近芯片焊盤的正負(fù)極，芯片工作時(shí)產(chǎn)生的熱可直接導(dǎo)到MCPCB基板的導(dǎo)電層13焊盤上，因此，可以降低LED光源的熱阻，維持大于2000V的耐高壓能力，提高了功率及功 率密度范圍和可靠性。

本實(shí)施例的中鋁基層11兩面都進(jìn)行陽極氧化處理，以分別在上下表面形成厚度為5-20um的氧化層111。使得原來75-150um的絕緣層12縮減至5-60um。而采用銅基質(zhì)的導(dǎo)電層13厚度為35-70um。LED的襯底可以采用藍(lán)寶石襯底，各LED通過COB封裝方式形成一個(gè)LED光源。

至此，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)認(rèn)識到，雖然本文已詳盡示出和描述了本發(fā)明的多個(gè)示例性實(shí)施例，但是，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的情況下，仍可根據(jù)本發(fā)明公開的內(nèi)容直接確定或推導(dǎo)出符合本發(fā)明原理的許多其他變型或修改。因此，本發(fā)明的范圍應(yīng)被理解和認(rèn)定為覆蓋了所有這些其他變型或修改。