一種ic封裝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及電子元器件封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種塑封后可省去電鍍工藝的IC封裝。
【背景技術(shù)】
[0002]目前IC封裝普遍采用的工藝是:磨片一劃片一裝片一鍵合一塑封一電鍍一激光打印一切筋一測試一包裝，引腳部位裸銅，塑封完后需再鍍錫，這種方法生成的IC封裝存在以下缺點:(I)封裝生產(chǎn)周期較長；(2 )成本過高，封裝后再電鍍價格較高；(3 )鍍錫過程中容易混料，即是不同功能的IC混在一起，從而導(dǎo)致產(chǎn)品不能使用。并且，這種IC封裝引腳不夠光滑，不夠耐磨，產(chǎn)品顏色一致性不是太好，不美觀。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]本實用新型所要解決的技術(shù)問題在于針對上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題而設(shè)計的一種IC封裝，在經(jīng)過前述裝片工藝鍵步驟后成型的的銅引線框架上依次鍍上鎳層、鈀層和金層。這種結(jié)構(gòu)產(chǎn)品的引腳更光滑，更耐磨，產(chǎn)品顏色一致性更好，深受國內(nèi)外客戶喜愛。
[0004]本實用新型所要求解決的技術(shù)問題可以通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn):
[0005]一種IC封裝，包括引線封裝，所述引線封裝從內(nèi)到外依次覆蓋鎳層、鈀層和金層。
[0006]所述鎳層厚度為0.2-0.35微米。
[0007]所述鈀層厚度為0.2-0.35微米。
[0008]所述金層厚度為0.03-0.06微米。
[0009]由于采用了如上技術(shù)方案，本實用新型具有如下特點:
[0010]產(chǎn)品的弓I腳更光滑，更耐磨，產(chǎn)品顏色一致性更好，深受國內(nèi)外客戶喜愛。
【附圖說明】
[0011]圖1為本實用新型部分結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0012]為了使本實用新型實現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體圖示，進一步闡述本實用新型。
[0013]如圖1所示，本實用新型包括引線封裝1.經(jīng)過磨片、劃片和裝片工藝后得到引線封裝I，接著在整個引線框架I全部先鍍上0.2-0.35微米鎳層2，再鍍上一層0.2-0.35微米耙層，最后鍍上一層0.03-0.06微米金層，之后再塑封、激光打印、切筋、測試，得到合格的IC封裝。這種結(jié)構(gòu)產(chǎn)品的引腳更光滑，更耐磨，產(chǎn)品顏色一致性更好，深受國內(nèi)外客戶喜愛。在封裝過程中需要采取以下措施保護鍍層:一是在鍵合時降低壓板的高度，使上壓板剛好貼近下壓板，不能太緊；二是在鍵合在上壓板開窗處逐個貼高溫膠布，；三是在塑封時降低塑封合模壓力，從135平方厘米/千克降到90平方厘米/千克；四是在塑封時降低轉(zhuǎn)進速度，從6毫米/秒降到3毫米/秒。
[0014]以上顯示和描述了本實用新型的基本原理、主要特征和本實用新型的優(yōu)點。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實用新型不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本實用新型的原理，在不脫離本實用新型精神和范圍的前提下本實用新型還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本實用新型范圍內(nèi)。本實用新型要求保護范圍由所附的權(quán)利要求書及其等同物界定。
【主權(quán)項】
1.一種IC封裝，包括引線框架，其特征在于，所述引線框架從內(nèi)到外依次覆蓋鎳層、鈀層和金層。
2.如權(quán)利要求1所述的一種IC封裝，其特征在于，所述鎳層厚度為0.2-0.35微米。
3.如權(quán)利要求1所述的一種IC封裝，其特征在于，所述鈀層厚度為0.2-0.35微米。
4.如權(quán)利要求1所述的一種IC封裝，其特征在于，所述金層厚度為0.03-0.06微米。
【專利摘要】本實用新型公開了一種IC封裝，將經(jīng)過磨片、劃片以及裝片后的引線框架從內(nèi)到外依次鍍上鎳層、鈀層和金層，之后再鍵合、塑封、激光打印、切筋并測試最終得到合格的IC封裝。使用這種方法后產(chǎn)品的引腳更光滑，更耐磨，產(chǎn)品顏色一致性更好，深受國內(nèi)外客戶喜愛。
【IPC分類】H01L23-495
【公開號】CN204315567
【申請?zhí)枴緾N201520036569
【發(fā)明人】廖紅偉, 朱輝兵
【申請人】武漢芯茂半導(dǎo)體科技有限公司
【公開日】2015年5月6日
【申請日】2015年1月20日