技術(shù)總結(jié)
一種CMOS圖像傳感器及其形成方法，其中所述CMOS圖像傳感器CMOS圖像傳感器由底層信號(hào)處理層、中間電容層、圖像傳感器層構(gòu)成堆疊的結(jié)構(gòu)，由于信號(hào)處理電路和電容制作在不同于圖像傳感單元所在的襯底上，因而第三襯底上圖像傳感單元的感光區(qū)面積可以做得更大，在保證CMOS圖像傳感器集成度較高的同時(shí)，提高了填充因子的大??；并且中間電容層中的電容的第一電極材料層呈倒“V”型或“U”型，使得單位面積內(nèi)的第一電極材料層的面積增大，提高了形成的電容的電容值的大小，有利于減小CMOS圖像傳感器工作時(shí)產(chǎn)生的熱噪音；并且第一到第四金屬互連結(jié)構(gòu)還用于阻擋外部的光線向下傳輸而產(chǎn)生影響，影響電容和信號(hào)處理電路的性能。

技術(shù)研發(fā)人員：黃河;克里夫·德勞利;高關(guān)且;包德君
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司
文檔號(hào)碼：201510916698
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.10
技術(shù)公布日：2017.06.20