技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種非對稱電壓放電管及其制造方法。該制造方法包括：氧化、光刻、離子注入、硼擴(kuò)散、磷擴(kuò)散、臺面腐蝕、玻璃鈍化、金屬蒸發(fā)、電參數(shù)測試、封裝等工序。其中，在離子注入工序中，分別由半導(dǎo)體晶片的正反面向半導(dǎo)體晶片內(nèi)注入不同劑量的離子源，并將離子源推深至預(yù)定深度。本發(fā)明一種非對稱電壓放電管及其制造方法通過在半導(dǎo)體晶片的正反面分別注入不同劑量的離子源，使得經(jīng)過硼擴(kuò)散后的半導(dǎo)體晶片PN結(jié)附近的雜質(zhì)濃度不一致，從而使得半導(dǎo)體晶片正反面的擊穿電壓不一致，可以應(yīng)用于輸入輸出端口浪涌電壓不一致的芯片防護(hù)。

技術(shù)研發(fā)人員：李春花
受保護(hù)的技術(shù)使用者：青島祥智電子技術(shù)有限公司
文檔號碼：201510907854
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.09
技術(shù)公布日：2017.06.16