1.一種非對稱電壓放電管的制造方法，包括氧化、光刻、離子注入、硼擴散、磷擴散、臺面腐蝕、玻璃鈍化、金屬蒸發(fā)、電參數(shù)測試、封裝工序，其特征在于，在離子注入工序中，分別由半導體晶片的正反面向半導體晶片內注入不同劑量的離子源，并將離子源推深至預定深度；所述半導體晶片正面注入離子源的能量為60KeV～100KeV、劑量為4.5E14～5.5E14cm-2，由半導體晶片反面注入離子源的能量為60KeV～100KeV、劑量為4E14～5E14cm-2；所述離子源包括：磷離子源或砷離子源。
2.如權利要求1所述的非對稱電壓放電管的制造方法，其特征在于，所述將注入半導體晶片正反面的離子源推深至預定深度的步驟采用高溫推深，且其推深溫度的范圍為：1200℃～1280℃。
3.如權利要求1所述的非對稱電壓放電管的制造方法，其特征在于，所述硼擴散工序的步驟具體為：在半導體晶片的正反面分別注入硼離子源；高溫推深至預定深度，進行硼擴散工序。
4.如權利要求1所述的非對稱電壓放電管的制造方法，其特征在于，所述進行硼擴散工序的溫度為1200℃～1280℃，工作時間為12H～36H。
5.一種非對稱電壓放電管，其特征在于，所述非對稱電壓放電管由權利要求1至4中任意一項所述的非對稱電壓放電管的制造方法制成。