1.一種半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底上具有偽柵電極、覆蓋所述偽柵電極側(cè)壁的層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層的頂部表面與所述偽柵電極的頂部表面齊平；
采用選擇性原子層沉積工藝形成覆蓋所述層間介質(zhì)層頂部表面的犧牲層；
以所述犧牲層為掩膜去除偽柵電極，形成開(kāi)口；
在所述犧牲層表面和所述開(kāi)口中形成金屬柵電極；
平坦化所述金屬柵電極和犧牲層，使所述金屬柵電極的頂部表面和層間介質(zhì)層的頂部表面齊平。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述犧牲層的厚度為20?！?00埃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述犧牲層的材料為氮化鉭或氮化鈷。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述選擇性原子層沉積工藝的步驟包括：
對(duì)層間介質(zhì)層和偽柵電極進(jìn)行氫自由基處理；
氫自由基處理后，將前軀物引入反應(yīng)腔室進(jìn)行反應(yīng)，在層間介質(zhì)層上形成犧牲層，所述犧牲層暴露出偽柵電極的頂部表面；
去除反應(yīng)后的副產(chǎn)物。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述氫自由基處理的參數(shù)為：采用的氣體為甲烷或氫氣，處理時(shí)間5秒～40秒，處理溫度為50攝氏度～400攝氏度。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，當(dāng)所述犧牲層的材料為氮化鉭時(shí)，所述前軀物反應(yīng)的參數(shù)為：采用的前軀物為NH3和Ta(NMe2)5，溫度為100攝氏度～300攝氏度,腔室壓強(qiáng)為1torr～10torr。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，當(dāng)所述犧牲層的材料為氮化鈷時(shí)，所述前軀物反應(yīng)的參數(shù)為：采用的反應(yīng)前軀物為 C7H5CoO2和NH3，溫度為100攝氏度～300攝氏度,腔室壓強(qiáng)為1torr～10torr。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，平坦化所述金屬柵電極和犧牲層的工藝為化學(xué)機(jī)械研磨工藝。
9.一種半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底具有第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述基底的第一區(qū)域具有第一偽柵電極，所述基底的第二區(qū)域具有第二偽柵電極，所述基底上具有覆蓋第一偽柵電極側(cè)壁和第二偽柵電極側(cè)壁的層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層的頂部表面與所述第一偽柵電極和第二偽柵電極的頂部表面齊平；
采用選擇性原子層沉積工藝形成覆蓋所述層間介質(zhì)層頂部表面的第一犧牲層；
形成所述第一犧牲層后，去除第一偽柵電極，形成第一開(kāi)口；
在所述第一犧牲層表面和第一開(kāi)口中形成第一金屬柵電極；
平坦化第一金屬柵電極和第一犧牲層，使第一金屬柵電極的頂部表面與所述層間介質(zhì)層的頂部表面齊平；
平坦化第一金屬柵電極和第一犧牲層后，采用選擇性原子層沉積工藝形成覆蓋所述層間介質(zhì)層頂部表面的第二犧牲層；
形成所述第二犧牲層后，去除第二偽柵電極，形成第二開(kāi)口；
在所述第二犧牲層表面和第二開(kāi)口中形成第二金屬柵電極；
平坦化第二金屬柵電極和第二犧牲層，使第二金屬柵電極的頂部表面與所述層間介質(zhì)層的頂部表面齊平。