技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法。此半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括形成于一基板上的一鰭結(jié)構(gòu)及形成并跨越該鰭結(jié)構(gòu)的一第一柵結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括了形成于鄰近該第一柵結(jié)構(gòu)的該鰭結(jié)構(gòu)內(nèi)的一第一源極/漏極結(jié)構(gòu)及形成于該第一源極/漏極結(jié)構(gòu)上的一第一接觸物。此外，第一接觸物包括了延伸進(jìn)入該第一源極/漏極結(jié)構(gòu)內(nèi)的一第一延伸部。本發(fā)明可改善半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的表現(xiàn)。

技術(shù)研發(fā)人員：江國誠;蔡慶威;梁英強(qiáng)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
文檔號碼：201510860763
技術(shù)研發(fā)日：2015.11.30
技術(shù)公布日：2017.03.01