本發(fā)明涉及集成電路裝置及其制作，且特別涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體裝置應(yīng)用于各種電子裝置，例如個(gè)人電腦、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)等各式電子儀器。半導(dǎo)體裝置的形成通常包括在半導(dǎo)體基板上依序沉積絕緣層或介電層、導(dǎo)電層及半導(dǎo)體層材料，并利用光刻圖案化各種材料層，以在基板上形成電路元件。

提升裝置表現(xiàn)的方法之一為通過縮小在給定芯片上的裝置尺寸，以提高電路的集成程度。此通過在給定芯片上微型化或縮小裝置尺寸。在進(jìn)行芯片尺寸的縮小上，容忍度扮演了重要的角色。

然而，雖然現(xiàn)有的半導(dǎo)體工藝已可達(dá)到部分應(yīng)用上的需求，但隨著元件尺寸的縮小，其表現(xiàn)仍未在所有層面上令人滿意。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

于一些實(shí)施例中，提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：一鰭結(jié)構(gòu)，形成于一基板上；一第一柵結(jié)構(gòu)，形成并跨越該鰭結(jié)構(gòu)；一第一源極/漏極結(jié)構(gòu)，形成于鄰近該第一柵結(jié)構(gòu)的該鰭結(jié)構(gòu)內(nèi)；以及一第一接觸物，形成于該第一源極/漏極結(jié)構(gòu)上，其中該第一接觸物包括延伸進(jìn)入該第一源極/漏極結(jié)構(gòu)內(nèi)的一第一延伸部。

于一些實(shí)施例中，提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：一鰭結(jié)構(gòu)，形成于一基板上；一柵結(jié)構(gòu)，形成并跨越該鰭結(jié)構(gòu)；一第一源極/漏極結(jié)構(gòu)，形成于鄰近該柵結(jié)構(gòu)的該鰭結(jié)構(gòu)內(nèi)；一接觸物，形成于該第一源極/漏極結(jié)構(gòu)上，其中該接觸物包括延伸進(jìn)入該第一源極/漏極結(jié)構(gòu)內(nèi)的一延伸部；以及一硅化物層，位于該接觸物的延伸部的數(shù)個(gè)側(cè)壁與一底面上。

于一些實(shí)施例中，提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：形成一第一鰭結(jié)構(gòu)于一基板上；形成一第一柵結(jié)構(gòu)，跨越該基板上的該鰭結(jié)構(gòu)；形成一第一源極/漏極結(jié)構(gòu)于鄰近該第一柵結(jié)構(gòu)的該第一鰭結(jié)構(gòu)內(nèi)；形成一第一凹口于該第一源極/漏極結(jié)構(gòu)內(nèi)；形成一第一硅化物層于該第一凹口的該底面與數(shù)個(gè)側(cè)壁處；以及形成一第一接觸物于該第一硅化物層上。

本發(fā)明可改善半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的表現(xiàn)。

附圖說明

圖1A至圖1Q是在一些實(shí)施例中，形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的各個(gè)階段的立體圖。

圖2是在一些實(shí)施例中的圖1Q所示的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面圖。

圖3A與圖3B是在一些實(shí)施例中，形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的各個(gè)階段的立體圖。

圖4是在一些實(shí)施例中的圖3B所示的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面圖。

圖5是在一些實(shí)施例中的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面圖。

圖6A至圖6F是在一些實(shí)施例中，形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的各個(gè)階段的立體圖。

圖7是在一些實(shí)施例中的圖6F所示的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面圖。

圖8A與圖8B是在一些實(shí)施例中的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面圖。

其中，附圖標(biāo)記說明如下：

100～半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

100a～半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

100b～半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

100c～半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

100d～半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

100e～半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

100f～半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

102～基板

104～硅鍺層

106～硅層

108～介電層

110～掩模層

112～鰭結(jié)構(gòu)

112d～第一鰭結(jié)構(gòu)

112d’～第二鰭結(jié)構(gòu)

112f～第一鰭結(jié)構(gòu)

112f’～第二鰭結(jié)構(gòu)

114～氧化硅鍺層

116～氧化物層

118～隔離結(jié)構(gòu)

120～柵極介電層

122～假柵極結(jié)構(gòu)

124～介電層

126～掩模層

128～間隔物層

130～柵極間隔物

132～鰭間隔物

134～源極/漏極結(jié)構(gòu)

134d～第一源極/漏極結(jié)構(gòu)

134d’～第二源極/漏極結(jié)構(gòu)

136～接觸蝕刻停止層

138～層間介電層

140～柵極結(jié)構(gòu)

142～柵極介電層

144～功函數(shù)金屬層

146～金屬柵極電極層

148～溝槽

148d～溝槽

150～接觸間隔物層

152a～第一蝕刻工藝

152b～第一蝕刻工藝

154a～第一接觸間隔物

154b～第二接觸間隔物

156a～第一凹口

156b～第二凹口

156d～凹口

158a～凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)

158b～凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)

158d～凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)

158d’～凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)

158f～凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)

158f’～凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)

160a～第一硅化物層

160b～第二硅化物層

160c～第三硅化物層

160d～硅化物層

162a～第一接觸物

162b～第二接觸物

162c～第三接觸物

162d～接觸物

162e～接觸物

162f～接觸物

164a～第一延伸部

164b～第二延伸部

164d～延伸部

166a～第一中央部

166b～中央部

168a～第一頂部

168b～第二頂部

635～融合部

635e～融合部

635f～融合部

858e～鰭條狀物

858f～鰭條狀物

W_1a～寬度

W_1b～寬度

W_1e～寬度

W_1f～寬度

W_2a～寬度

W_2b～寬度

W_2c～寬度

W_2d～寬度

W_2e～寬度

W_2f～寬度

W_3a～寬度

W_3b～寬度

T_1a～厚度

T_1b～厚度

T_1d～厚度

T_1e～厚度

T_2a～厚度

T_2b～厚度

T_2d～厚度

T_2e～厚度

具體實(shí)施方式

為以下的公開內(nèi)容提供許多不同的實(shí)施例或范例以實(shí)施本案的不同特征。以下的公開內(nèi)容敘述各個(gè)構(gòu)件及其排列方式的特定范例，以簡化說明。當(dāng)然，這些特定的范例并非用以限定。例如，若是本公開書敘述了一第一特征形成于一第二特征之上或上方，即表示其可能包含上述第一特征與上述第二特征是直接接觸的實(shí)施例，亦可能包含了有附加特征形成于上述第一特征與上述第二特征之間，而使上述第一特征與第二特征可能未直接接觸的實(shí)施 例。另外，以下公開書不同范例可能重復(fù)使用相同的參考符號及/或標(biāo)記。這些重復(fù)是為了簡化與清晰的目的，并非用以限定所討論的不同實(shí)施例及/或結(jié)構(gòu)之間有特定的關(guān)系。

再者，為了方便描述附圖中一元件或特征部件與另一(復(fù)數(shù))元件或(復(fù)數(shù))特征部件的關(guān)系，可使用空間相關(guān)用語，例如“在...之下”、“下方”、“較下部”、“上方”、“較上部”及類似的用語等。除了附圖所示出的方位之外，空間相關(guān)用語用以涵蓋使用或操作中的裝置的不同方位。所述裝置也可被另外定位(例如，旋轉(zhuǎn)90度或者位于其他方位)，并對應(yīng)地解讀所使用的空間相關(guān)用語的描述。

提供了半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及制造方法的數(shù)個(gè)實(shí)施例。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可包括一柵極結(jié)構(gòu)及鄰近此柵極結(jié)構(gòu)而形成的一源極/漏極結(jié)構(gòu)。此外，于一些實(shí)施例中，于此源極/漏極結(jié)構(gòu)內(nèi)形成有一凹口，以及形成一硅化物層于此凹口的數(shù)個(gè)側(cè)壁與底面上。之后，于此源極/漏極結(jié)構(gòu)上形成有一接觸物，以及于此凹口內(nèi)形成有一延伸部，使得此硅化物層可具有一相對大的接觸區(qū)域。

圖1A至圖1Q是于一些實(shí)施例中，形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100a的各個(gè)階段的立體圖。于一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100a為一P型金氧半導(dǎo)體(PMOS)結(jié)構(gòu)。如圖1A所示，在一些實(shí)施例中，接收基板102?；?02可以是諸如硅晶片的半導(dǎo)體晶片?？蛇x地或額外地，基板102可以包括元素半導(dǎo)體材料、化合物半導(dǎo)體材料和/或合金半導(dǎo)體材料。元素半導(dǎo)體材料例如為晶體硅、多晶硅、非晶硅、鍺和/或金剛石，但并非以此為限?；衔锇雽?dǎo)體的材料例如為碳化硅、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦和/或銻化銦，但并非以此為限。合金半導(dǎo)體材料例如為硅鍺(SiGe)、鎵砷磷(GaAsP)、鋁銦砷(AlInAs)、鋁鎵砷(AlGaAs)、鎵銦砷(GaInAs)、鎵銦磷(GaInP)和/或鎵銦砷磷(GaInAsP)，但并非以此為限。

此外，基板102可以包括諸如摻雜區(qū)、層間介電層(ILD layer)、導(dǎo)電部件和/或隔離結(jié)構(gòu)。此外，基板102還可以包括被圖案化的單個(gè)或多個(gè)材料層。該材料層例如可以包括硅層、介電層和/或摻雜的多晶硅層。

如圖1B所示，在一些實(shí)施例中，在基板102上方依序形成硅鍺層104、硅層106、介電層108和掩模層110。硅鍺層104與硅層106可由外延工藝所形成。介電層108可做為硅層106和掩模層110之間的接合層。此外，介 電層108也可以用作用于蝕刻掩模層110的蝕刻停止層。在一些實(shí)施例中，介電層108是由氧化硅制造的?？赏ㄟ^使用熱氧化工藝形成介電層108，但是在一些其他實(shí)施例中，也可以使用其他沉積工藝。

可在隨后的光光刻工藝中，將掩模層110用作硬掩模。在一些實(shí)施例中，掩模層110由氮化硅制造?？梢允褂玫蛪夯瘜W(xué)氣相沉積(LPCVD)或等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)來形成掩模層110，但是在一些其他實(shí)施例中，也可以使用其他沉積工藝。

接下來，如圖1C所示，在一些實(shí)施例中，通過圖案化掩模層110、介電層108、硅層106、硅鍺層104和基板102來形成一鰭結(jié)構(gòu)112。在一些實(shí)施例中，通過形成感光層于掩模層110上并依序蝕刻掩模層110、介電層108、硅層106、硅鍺層104和基板102來形成此鰭結(jié)構(gòu)112。

如圖1D所示，在一些實(shí)施例中，在形成鰭結(jié)構(gòu)112之后，施行氧化工藝以將硅鍺層104氧化成氧化硅鍺(SiGeOx)層114。此外，在一些實(shí)施例中，形成氧化物層116以覆蓋鰭結(jié)構(gòu)112和基板102。如圖1D所示，氧化物層116形成于鰭結(jié)構(gòu)112的頂面與數(shù)個(gè)側(cè)壁上以及于基板102的頂面上。

如圖1E所示，在一些實(shí)施例中，于施行氧化工藝后，形成一隔離結(jié)構(gòu)118于基板102上，而鰭結(jié)構(gòu)112為隔離結(jié)構(gòu)118所環(huán)繞。此外，移除了介電層108與掩模層110。

隔離結(jié)構(gòu)118可通過沉積一絕緣層于基板102上以及凹陷此絕緣層而形成。在一些實(shí)施例中，隔離結(jié)構(gòu)118由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氟摻雜的硅酸鹽玻璃(FSG)或其他低介電常數(shù)介電材料制造。在一些實(shí)施例中，隔離結(jié)構(gòu)118由相同于形成氧化物層116的氧化物所制成，且因此氧化物層116可視為隔離結(jié)構(gòu)118的一部而并未顯示于下示圖內(nèi)。

如圖1F所示，在一些實(shí)施例中，接著形成一柵極介電層120于基板102上以覆蓋鰭結(jié)構(gòu)112與隔離結(jié)構(gòu)118。于一些實(shí)施例中，柵極介電層120由高介電常數(shù)介電材料所制成，例如金屬氧化物、金屬氮化物、金屬硅化物、過渡金屬氧化物、過渡金屬氮化物、過渡金屬硅化物、或金屬的氮氧化物。高介電常數(shù)介電材料的實(shí)例可以包括但不限于氧化鉿(HfO₂)、氧化鉿硅(HfSiO)、氮氧化鉿硅(HfSiON)、氧化鉿鉭(HfTaO)、氧化鉿鈦(HfTiO)、氧化鉿鋯(HfZrO)、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬硅酸鹽、過渡金屬氧 化物、過渡金屬氮化物、過渡金屬硅酸鹽、金屬的氮氧化物、金屬鋁酸鹽、硅酸鋯、鋁酸鋯、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鋯、氧化鈦、氧化鋁、二氧化鉿-氧化鋁(HfO₂-Al₂O₃)合金或其他可應(yīng)用材料。

如圖1G所示，在一些實(shí)施例中，接著形成橫跨鰭結(jié)構(gòu)112且延伸于隔離結(jié)構(gòu)118上的一假柵極結(jié)構(gòu)122。在一些實(shí)施例中，假柵極結(jié)構(gòu)122由多晶硅所形成。在一些實(shí)施例中，介電層124與掩模層126位于假柵極結(jié)構(gòu)122上。形成介電材料124與掩模層126的材料與方法可相似于形成柵極介電層108與掩模層110的材料與方法，而不于在此重復(fù)描述。

如圖1H所示，在一些實(shí)施例中，接著移除未為假柵極結(jié)構(gòu)112所覆蓋的柵極介電層120的數(shù)個(gè)部分。如圖1I所示，在一些實(shí)施例中，接著形成一間隔物層128于基板102上以覆蓋假柵極結(jié)構(gòu)122、鰭結(jié)構(gòu)112、與隔離結(jié)構(gòu)118。于一些實(shí)施例中，間隔物層128由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅或其他可應(yīng)用介電材料所制成。間隔物層128可包括單膜層或多膜層。

如圖1J所示，在一些實(shí)施例中，于形成間隔物層128后，可施行一蝕刻工藝以形成柵極間隔物130于假柵極結(jié)構(gòu)122的數(shù)個(gè)側(cè)壁上以及形成鰭間隔物132于鰭結(jié)構(gòu)112的數(shù)個(gè)側(cè)壁上。蝕刻工藝可為一濕蝕刻工藝。

如圖1J所示，在一些實(shí)施例中，于形成柵極間隔物130與鰭間隔物132后，凹陷未為假柵極結(jié)構(gòu)122所覆蓋的鰭結(jié)構(gòu)112的數(shù)個(gè)部分。即，于鰭間隔物132之間形成數(shù)個(gè)凹口。于一些實(shí)施例中，是凹陷鰭結(jié)構(gòu)112的數(shù)個(gè)部分直至露出硅鍺氧化物層114為止。

如圖1K所示，在一些實(shí)施例中，于鰭結(jié)構(gòu)112內(nèi)形成數(shù)個(gè)凹口后，于此些凹口內(nèi)形成源極/漏極結(jié)構(gòu)134。于一些實(shí)施例中，源極/漏極結(jié)構(gòu)134是通過一外延工藝而成長應(yīng)變材料于此些凹口內(nèi)所形成。此外，此應(yīng)變材料的晶格常數(shù)可不同于基板102的晶格常數(shù)。在一些實(shí)施例中，源極/漏極結(jié)構(gòu)134由鍺(Ge)、硅鍺(SiGe)、砷化銦(InAs)、砷化銦鎵(InGaAs)、銦銻(InSb)、砷化鎵(GaAs)、鎵銻(GaSb)、磷化銦鋁(InAlP)、磷化銦(InP)、或相似物。于一些實(shí)施例中，源極/漏極結(jié)構(gòu)134包括了濃度約50％至約100％的鍺。于一些實(shí)施例中，源極/漏極結(jié)構(gòu)134包括了濃度約5x10²⁰原子/立方厘米至約2x10²¹原子/立方厘米的硼的摻質(zhì)。

如圖1L所示，在一些實(shí)施例中，于形成源極/漏極結(jié)構(gòu)134之后，形成 一接觸蝕刻停止層136于基板102上，以及形成一層間介電層138于接觸蝕刻停止層136上。

在一些實(shí)施例中，接觸蝕刻停止層136由氮化硅、氮氧化硅、及/或其他可應(yīng)用材料所制成。接觸蝕刻停止層136可由等離子體加強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積、低壓化學(xué)氣相沉積、原子層沉積、或其他適當(dāng)工藝所形成。層間介電層138可包括由多重介電材料所制成的多重膜層，例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、及/或其他可應(yīng)用的低介電常數(shù)介電材料。層間介電層138可由化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、原子層沉積、旋轉(zhuǎn)涂布或其他適當(dāng)工藝所形成。

如圖1L所示，在一些實(shí)施例中，于形成接觸蝕刻停止層136與層間介電層138后，施行一研磨工藝直到露出假柵極結(jié)構(gòu)122的頂面。在一些實(shí)施例中，施行一化學(xué)機(jī)械研磨工藝。

如圖1M所示，在一些實(shí)施例中，于施行研磨工藝之后，通過一柵極結(jié)構(gòu)140以替換假柵極結(jié)構(gòu)122。可通過移除柵極介電層120與假柵極結(jié)構(gòu)122以形成一溝槽以及于溝槽內(nèi)形成柵極結(jié)構(gòu)140而形成柵極結(jié)構(gòu)140。值得注意的是，雖然于圖1M內(nèi)移除了柵極介電層120，但于其他實(shí)施例中亦可能沒有移除之。

在一些實(shí)施例中，柵極結(jié)構(gòu)140包括柵極介電層142、功函數(shù)金屬層144和金屬柵極電極層146。在一些實(shí)施例中，柵極介電層142由高介電常數(shù)介電材料形成，例如金屬氧化物、金屬氮化物、金屬硅化物、過渡金屬氧化物、過渡金屬氮化物、過渡金屬硅化物、或金屬的氮氧化物。高介電常數(shù)介電材料的實(shí)例可以包括但不限于氧化鉿(HfO₂)、氧化鉿硅(HfSiO)、氮氧化鉿硅(HfSiON)、氧化鉿鉭(HfTaO)、氧化鉿鈦(HfTiO)、氧化鉿鋯(HfZrO)、氧化鋯、氧化鈦、氧化鋁或二氧化鉿-氧化鋁(HfO₂-Al₂O₃)合金。

在一些實(shí)施例中，功函數(shù)金屬層144形成于柵極介電層142上。功函數(shù)金屬層144可經(jīng)過設(shè)計(jì)而具有適當(dāng)?shù)墓瘮?shù)。例如，如欲用于PMOS裝置的p型功函金屬(P型金屬)，則可以使用TiN、WN或W。另一方面，如欲用于NMOS裝置的N型功函金屬(N型金屬)，則可以使用TiAl、TiAlN或TaCN。

在一些實(shí)施例中，金屬柵極電極層146形成于功函數(shù)金屬層144上方。 在一些實(shí)施例中，金屬柵極電極層146由諸如鋁、銅、鎢、鈦、鉭或其他適用的材料的導(dǎo)電材料形成?？梢酝ㄟ^任何適用的工藝形成任何合適厚度的柵極介電層142、功函數(shù)金屬層144和金屬柵極電極層146。

應(yīng)注意的是，可在柵極介電層142、功函數(shù)金屬層144和金屬柵極電極層146之上和/或之下形成額外的層，諸如襯層、介面層、晶種層、接合層、阻擋層等。此外，柵極介電層142、功函數(shù)金屬層144和金屬柵極電極層146皆可包括由多種材料所形成的一個(gè)以上膜層。

如圖1N所示，在一些實(shí)施例中，于形成柵極結(jié)構(gòu)140后，于層間介電層138內(nèi)形成數(shù)個(gè)溝槽148。在一些實(shí)施例中，溝槽148由蝕刻層間介電層138的一部以形成位于源極/漏極結(jié)構(gòu)134上及穿過接觸蝕刻停止層136的一溝槽所形成。于一些實(shí)施例中，亦移除了源極/漏極結(jié)構(gòu)134的頂部，使得溝槽148延伸進(jìn)入了源極/漏極結(jié)構(gòu)134內(nèi)。

如圖1O所示，在一些實(shí)施例中，于形成溝槽148后，形成接觸間隔物層150于溝槽148的數(shù)個(gè)側(cè)壁與頂面上。在一些實(shí)施例中，接觸間隔物層150由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、或其他可應(yīng)用介電材料所制成。于一些實(shí)施例中，接觸間隔物層150的厚度介于約2納米至約5納米的范圍內(nèi)。當(dāng)接觸間隔物層150不夠厚時(shí)，便會于后續(xù)蝕刻中被完全移除。另一方面，當(dāng)接觸間隔物層150太厚時(shí)，可能使得很難于其內(nèi)形成一接觸物(于下文中將詳述此問題)。

如圖1P所示，在一些實(shí)施例中，于形成接觸間隔物層150后，可施行一第一蝕刻工藝152a。在一些實(shí)施例中，第一蝕刻工藝152a為一干蝕刻工藝。于第一蝕刻工藝152a中，蝕刻接觸間隔物層150以形成第一接觸間隔物154a，以及蝕刻源極/漏極結(jié)構(gòu)134以于凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158a內(nèi)形成第一凹口156a，如圖1P所示。

如圖1Q所示，在一些實(shí)施例中，于凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158a內(nèi)形成第一凹口156a后，形成一第一硅化物層160a于第一凹口156a上。第一硅化物層160a可通過形成一金屬層于凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158a上、通過施行一回火工藝以反應(yīng)此金屬層與凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158a、以及移除未反應(yīng)的金屬層而形成。

如圖1Q所示，第一硅化物層160a形成于為溝槽148與第一凹口156a 所露出的凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158a的頂部之上。在一些實(shí)施例中，第一硅化物層160a具有一步階狀形狀。在一些實(shí)施例中，第一硅化物層160a形成于第一凹口156a的數(shù)個(gè)側(cè)壁與底面上。此外，在一些實(shí)施例中，第一硅化物層160a亦形成于溝槽148的一底面上(例如大體水平于第一接觸間隔物154a的底面的凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158a的此部分)以形成具有步階狀形狀的一結(jié)構(gòu)的頂部。

如圖1Q所示，于形成第一硅化物層160a后，形成一第一接觸物162a于凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158a之上。于一些實(shí)施例中，第一接觸物162a包括了鋁(Al)、銅(Cu)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、氮化鈦(TiN)、氮化鉭(TaN)、硅化鎳(NiSi)、硅化鈷(CoSi)、碳化鉭(TaC)、氮化硅鉭(TaSiN)、碳氮化鉭(TaCN)、鈦鋁(TiAl)、氮化鈦鋁(TiAlN)、其他適用的導(dǎo)電材料或它們的組合。在一些實(shí)施例中，第一接觸物162a包括氮化鈦層和形成在氮化鈦層上方的鎢。

此外，第一接觸物162a還可以包括襯層和/或阻擋層。例如，可以在接觸插塞溝槽的底部和側(cè)壁上形成襯層(圖中未顯示)。襯層可以由氮化硅形成，但是也可以可選地使用任何其他適用的電介質(zhì)?？梢允褂玫入x子體加強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝形成襯層，但是也可以可選地使用諸如物理氣相沉積或熱工藝的其他適用的工藝。阻擋層(圖中未顯示)可以形成在襯層(若存在)上方并且可以覆蓋開口的側(cè)壁和底部?？梢允褂弥T如化學(xué)氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、等離子體加強(qiáng)型CVD(PECVD)、等離子體加強(qiáng)型的物理氣相沉積(PEPVD)、原子層沉積(ALD)或任何其他適用的沉積工藝的工藝來形成阻擋層。阻擋層可以由氮化鉭形成，但是也可以使用諸如鉭、鈦、氮化鈦等的其他材料。

圖2是在一些實(shí)施例中，通過以上描述的圖1Q中所示的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100a的剖面圖。如前所述，柵極結(jié)構(gòu)140形成于基板102上且橫跨了鰭結(jié)構(gòu)112。源極/漏極結(jié)構(gòu)134形成于鰭結(jié)構(gòu)112內(nèi)且位于鄰近柵極結(jié)構(gòu)140處。接著，如圖1N所示，形成溝槽148于層間介電層138內(nèi)。此外，于形成溝槽148的工藝中移除源極/漏極結(jié)構(gòu)134的一部，使得溝槽148的一部延伸進(jìn)入源極/漏極結(jié)構(gòu)134內(nèi)。在一些實(shí)施例中，延伸進(jìn)入源極/漏極結(jié)構(gòu)134內(nèi)的溝槽148的部分具有介于約3納米至約15納米的一厚度。

于形成溝槽148后，通過形成接觸間隔物層150以及接著施行第一蝕刻工藝152a以形成第一接觸間隔物154a與第一凹口156a。第一接觸間隔物154a的形成避免了柵極結(jié)構(gòu)140的毀損以及于第一蝕刻工藝152a中不會移除太多的源極/漏極結(jié)構(gòu)134。如圖1P所示，第一接觸間隔物154a的底面大體水平于溝槽148的底面。如此，于一些實(shí)施例中，第一接觸間隔物154a的一部亦延伸進(jìn)入凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158a內(nèi)。

接著，形成第一硅化物層160a于第一凹口156a的頂面與側(cè)壁處。此外，第一硅化物層160a的一部延伸至大體水平于第一接觸間隔物154a的底面的凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158a的表面上。于一些實(shí)施例中，第一硅化物層160a具有階梯狀外形的一輪廓。

接著，形成第一接觸物162a于位于凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158a上的第一硅化物160a上，而第一接觸物162a包括形成于第一凹口156a內(nèi)的一延伸部164a。此外，第一接觸物162a還包括形成于延伸進(jìn)入凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158a內(nèi)的溝槽148的該部內(nèi)的一第一中央部166a以及位于第一中央部168a上的第一頂部168a。如圖1P所示，第一凹口156a的寬度小于溝槽148的寬度，且因此延伸部164a的寬度小于中央部166a的寬度。如此，第一接觸物162a具有步階狀形狀。

如圖2所示，第一接觸物162a的第一延伸部164a具有一寬度W_1a，而第一接觸物162a的第一中央部166a具有一寬度W_2a。在一些實(shí)施例中，第一中央部166a的寬度W_2a大于第一延伸部164a的寬度W_1a。此外，在一些實(shí)施例中，第一接觸物162a的頂部168a的寬度大體等于中央部的寬度W_2a。

在一些實(shí)施例中，第一延伸部164a的寬度W_1a介于約5納米至約19納米的一范圍。在一些實(shí)施例中，第一中央部166a的寬度W_2a介于約6納米至約20納米。在一些實(shí)施例中，寬度W_1a與W_2a的差介于約1納米至約8納米的范圍。

于一些實(shí)施例中，第一接觸物162a的第一延伸部164a具有一厚度T_1a介于約13納米至約45納米的一范圍。于一些實(shí)施例中，第一接觸物162a的第一中央部166a具有一厚度T_2a介于約3納米至約15納米的一范圍。于一些實(shí)施例中，厚度T_1a與T_2a的差介于約10納米制約30納米的一范圍內(nèi)。

再者，如圖2所示，凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158a的一部位于第一接觸物 162a的第一延伸部164a之旁。在一些實(shí)施例中，位于第一延伸部164a底面旁的凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158a的此部具有介于約2納米至約10納米的一范圍的一寬度W_3a。如前所述，第一接觸間隔物154a形成以保護(hù)源極/漏極結(jié)構(gòu)134的數(shù)個(gè)部分，使得可較佳地控制所形成的凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158a的尺寸。

此外，第一硅化物層160a位于第一接觸物162a的第一延伸部164a的數(shù)個(gè)側(cè)壁與底面處。由于第一硅化物層160a具有步階狀外形的輪廓，其與凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158a及第一接觸物162a之間可具有相對大的接觸面積。如此，可改善半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100a的表現(xiàn)。

值得注意的是，雖然于圖2內(nèi)的第一接觸物162已分成第一頂部168a、第一中央部166a、與第一延伸部164a，此些部分僅作為提供本發(fā)明的概念的較佳理解之用，而實(shí)際上其間并沒有真正的接面。

圖3A與圖3B是在一些實(shí)施例中，形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100b的各個(gè)階段的立體圖。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100b相似于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100a，但是半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100b為一N型金氧半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)且其接觸物的延伸部具有較大厚度。形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100b的方法與材料可相似于或相同于如圖1A-圖1Q所示的形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100a的材料與方法，而在此不再重復(fù)描述之。

可施行如圖1A-圖1Q所示工藝。如圖3A所示，在一些實(shí)施例中，施行一第二蝕刻工藝152b。于第二蝕刻工藝152b中，蝕刻接觸間隔物層150(未顯示于圖3A中，請參照第圖)以形成第二接觸物154b，以及蝕刻源極/漏極結(jié)構(gòu)134以于凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158b內(nèi)形成一第二凹口156b，如圖3A所示。在一些實(shí)施例中，源極/漏極結(jié)構(gòu)134包括了濃度約5x10²⁰原子/立方厘米至約2x10²¹原子/立方厘米的磷摻質(zhì)。

在一些實(shí)施例中，第二蝕刻工藝152b為一干蝕刻工藝。第二蝕刻工藝152b可相似于第一蝕刻工藝152a，但相較于第一蝕刻工藝152a，第二蝕刻工藝152b可施行一較長時(shí)間。如此，在一些實(shí)施例中，第二凹口156b的深度大于第一凹口156a的深度。在一些實(shí)施例中，第二凹口156b的深度約為第一凹口156a的深度的兩倍。

由于相較于第一蝕刻工藝152a，第二蝕刻工藝152b可施行一較長時(shí)間，于第二蝕刻工藝152b所蝕刻的接觸間隔物層150的量可多于第一蝕刻工藝 154中所蝕刻的接觸間隔物150的量。因此，于一些實(shí)施例中。所形成的第一接觸間隔物154a厚于第二接觸間隔物154b。于一些實(shí)施例中，第一接觸間隔物154a的厚度約為第二接觸間隔物154b的厚度的兩倍。

如圖3B所示，在一些實(shí)施例中，于凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158b內(nèi)形成第二凹口156b之后，形成第二硅化物層160b于第二凹口156b之上。用于形成第二硅化物層160b的方法與材料可相似于前述的用于形成第一硅化物層160a而不在此重復(fù)描述。

如圖3B所示，在一些實(shí)施例中，于形成第二硅化物層160b后，形成第二接觸物162b于第二凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158b之上。用于形成第二接觸物162b的方法與材料可相似于前述的用于形成第一接觸物162a而不在此重復(fù)描述。

圖4是在一些實(shí)施例中的圖3B所示的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100b的剖面圖。如圖4所示，形成第二接觸物162b于凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158b上，而第二接觸物162b包括了形成于第二凹口156b內(nèi)的第二延伸部164b。此外，第二接觸物162b還包括延伸進(jìn)入凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158b的溝槽148的該部內(nèi)的一第二中央部166b以及位于第二中央部166b之上的第二頂部168b。

在一些實(shí)施例中，第二接觸物162b的第二延伸部164b具有介于約23納米至65納米的范圍的厚度T_1b。在一些實(shí)施例中，第二接觸物162b的第二中央部166b具有介于約3納米至約15納米的范圍的厚度T_2b，在一些實(shí)施例中，介于厚度T_1b與厚度T_2b之間的差介于約20納米至約50納米的一范圍。

于一些實(shí)施例中，第二接觸物162b的第二延伸部164b具有介于約5納米至約19納米的范圍的寬度W_1b。于一些實(shí)施例中，第二接觸物162b的第二中央部166b具有介于約6納米至約20納米的范圍內(nèi)的寬度W_2b。于一些實(shí)施例中，介于寬度W_1b與寬度W_2b之間的差介于約1納米至約8納米的一范圍間。于一些實(shí)施例中，第二接觸物162b的頂部168b的寬度大體等于第二中央部166b的寬度W_2b。

再者，如圖4所示，凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158b的一部位于第二接觸物162b的第二延伸部164b旁。在一些實(shí)施例中，位于第二延伸部164b的底面旁的此凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158b的此部具有介于約2納米至約10納米的一 寬度W_3b。如前所述，第二接觸間隔物154b形成以保護(hù)源極/漏極結(jié)構(gòu)134的數(shù)個(gè)部分，使得可較佳地控制所得到的凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158b的尺寸。

值得注意的是，雖然半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100a與100b顯示于不同附圖中，但其可形成于同一半導(dǎo)體裝置內(nèi)。例如，如圖1Q所示的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100a可位于一半導(dǎo)體裝置內(nèi)的一PMOS區(qū)內(nèi)，而如圖3B所示的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100b可位于一半導(dǎo)體裝置內(nèi)的一NMOS區(qū)內(nèi)。

在一些實(shí)施例中，施行圖1A-圖1O的工藝以形成兩個(gè)區(qū)域，例如為一NMOS區(qū)與一PMOS區(qū)。接著，于PMOS區(qū)內(nèi)施行第一蝕刻工藝152a以形成第一凹口156a，同時(shí)間則形成有一阻劑層于NMOS區(qū)上以于第一蝕刻工藝152a時(shí)保護(hù)NMOS區(qū)。接著，于NMOS區(qū)施行第二蝕刻工藝152b以形成第二凹口156b，同時(shí)間則形成有一阻劑層于PMOS區(qū)上以于第二蝕刻工藝152b時(shí)保護(hù)PMOS區(qū)。如圖1Q與圖3B所示，在一些實(shí)施例中，于形成第一凹口156a與第二凹口156b之后，分別于凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158a及凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158b上形成第一接觸物162a與第二接觸物162b。

如前所述，形成第一硅化物層160a與第二硅化物層160b于第一凹口156a與第二凹口156b的底面與側(cè)壁上。因此，第一硅化物層160a與第二硅化物層160b分別具有步階狀外形，且包括大體垂直部分以及大體水平部分。因此，第一延伸部164a與第二延伸部164b可大體為第一硅化物層160a與第二硅化物層160b所環(huán)繞。如此，與第一接觸物162a與第二接觸物162b接觸的第一硅化物層160a與第二硅化物層160b的表面為相對大的，而因此可降低半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100a與100b的電阻值。

然而，對于如半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100b的一PMOS結(jié)構(gòu)而言，接觸物的延伸部可不能太厚，否則于源極/漏極結(jié)構(gòu)內(nèi)的應(yīng)變可能太小。因此，于一些實(shí)施例中，可施行相較于第二蝕刻工藝152b為較短時(shí)間的第一蝕刻工藝152a，使得第一凹口156a的深度小于第二凹口156b的深度。如此，第一延伸部164a的厚度T_1a小于第二延伸部164b的厚度T_1b。于前述實(shí)施例中，如圖1Q所示的柵極結(jié)構(gòu)150為一PMOS柵極結(jié)構(gòu)，而如圖3B所示的柵極結(jié)構(gòu)150為一NMOS柵極結(jié)構(gòu)。

圖5是在一些實(shí)施例中的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100c的剖面圖。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100c可相同于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100a與100b，除了于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100c內(nèi)并未形成有硅 鍺氧化物層114。此即為，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100c亦包括形成于基板102上的鰭結(jié)構(gòu)112，以及柵極結(jié)構(gòu)(未顯示)形成跨越鰭結(jié)構(gòu)112。此外，凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158c形成于鰭結(jié)構(gòu)112內(nèi)，以及一第三接觸物162c形成于凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158c上。再者，第三接觸物162c具有第三延伸部134c，其為第三硅化物層160c所環(huán)繞。

圖6A至圖6F是在一些實(shí)施例中，形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100d的各個(gè)階段的立體圖。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100d相似于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100a或100b，除了柵極結(jié)構(gòu)形成并跨越了兩個(gè)鰭結(jié)構(gòu)。用于形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100d的部分方法與材料可相似或相同于前述的形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100a或100b的方法與材料而不在此重復(fù)描述。

如圖6A所示，于基板102上形成第一鰭結(jié)構(gòu)112d與第二鰭結(jié)構(gòu)112d’，而于一些實(shí)施例中，第一鰭結(jié)構(gòu)112d與第二鰭結(jié)構(gòu)112d’包括了硅鍺氧化物層114。于一些實(shí)施例中，介于第一鰭結(jié)構(gòu)112d與第二鰭結(jié)構(gòu)112d’之間的距離介于約20納米至約40納米的范圍內(nèi)。隔離結(jié)構(gòu)118形成于基板102上且環(huán)繞了第一鰭結(jié)構(gòu)112d與第二鰭結(jié)構(gòu)112d’。

此外，假柵極結(jié)構(gòu)122形成并跨越第一鰭結(jié)構(gòu)112d與第二鰭結(jié)構(gòu)112d’，以及延伸于隔離結(jié)構(gòu)118上。在一些實(shí)施例中，柵極介電層120位于假柵極結(jié)構(gòu)122之下，而介電層124與掩模層110形成于假柵極結(jié)構(gòu)122之上。

如圖6B所示，在一些實(shí)施例中，形成柵極間隔物130與鰭間隔物132，以及于第一鰭結(jié)構(gòu)112d與第二鰭結(jié)構(gòu)112d內(nèi)形成第一源極/漏極結(jié)構(gòu)134d與第二源極/漏極結(jié)構(gòu)134d’。第一源極/漏極結(jié)構(gòu)134d與第二源極/漏極結(jié)構(gòu)134d’的形成可相似于前述的源極/漏極結(jié)構(gòu)134的形成。舉例來說，第一源極/漏極結(jié)構(gòu)134d與第二源極/漏極結(jié)構(gòu)134d’可通過凹陷第一鰭結(jié)構(gòu)112d與第二鰭結(jié)構(gòu)112d’以形成凹口以及成長應(yīng)變材料于凹口內(nèi)而形成。然而，于成長應(yīng)變材料的工藝中，形成于第一鰭結(jié)構(gòu)112內(nèi)的應(yīng)變材料與形成于第二鰭結(jié)構(gòu)112d’內(nèi)的應(yīng)變材料可融合在一起。因此，所得到的第一源極/漏極結(jié)構(gòu)134d與第二源極/漏極結(jié)構(gòu)134d’可融合形成一相連結(jié)結(jié)構(gòu)。如圖6B所示，在一些實(shí)施例中，第一源極/漏極結(jié)構(gòu)134d與第二源極/漏極結(jié)構(gòu)134d’具有一融合部635。第一源極/漏極結(jié)構(gòu)134d與第二源極/漏極結(jié)構(gòu)134d’的融合部635提供了于后續(xù)工藝中形成一接觸物時(shí)的一較大裕度(于下文中描述)。

如圖6C所示，在一些實(shí)施例中，于形成第一源極/漏極結(jié)構(gòu)134d與第二源極/漏極結(jié)構(gòu)134d’后，形成接觸蝕刻停止層136于基板102上，以及形成層間介電層138于接觸蝕刻停止層136上。在一些實(shí)施例中，如前所述，凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)134d與凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)134d’的數(shù)個(gè)部分會融合在一起。因此，當(dāng)形成接觸蝕刻停止層136與層間介電層138時(shí)，可形成以覆蓋凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)134d與凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)134d’，但沒有形成在位于融合部635之下的區(qū)域。此即為，于凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)134d與凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)134d’的融合部635之下會形成有一孔洞。

在一些實(shí)施例中，于形成接觸蝕刻停止層136與層間介電層138后，采用包括了柵極介電層142、功函數(shù)金屬層144與柵極電極層146的柵極結(jié)構(gòu)140替換了假柵極結(jié)構(gòu)122。

如圖6D所示，于一些實(shí)施例中，于層間介電層138內(nèi)形成溝槽148d。于一些實(shí)施例中，溝槽148d由蝕刻層間介電層138的一部而形成位于第一源極/漏極結(jié)構(gòu)134d與第二源極/漏極結(jié)構(gòu)134d’的融合部635上方的溝槽。于一些實(shí)施例中，亦移除了第一源極/漏極結(jié)構(gòu)134d與第二源極/漏極結(jié)構(gòu)134d’的融合部635的一部，使得溝槽148d延伸進(jìn)入了第一源極/漏極結(jié)構(gòu)134d與第二源極/漏極結(jié)構(gòu)134d’的融合部635內(nèi)。

如前所述，由于第一源極/漏極結(jié)構(gòu)134d與第二源極/漏極結(jié)構(gòu)134d’具有融合部635，于第一源極/漏極結(jié)構(gòu)134d與第二源極/漏極結(jié)構(gòu)134d’上形成一接觸物的對準(zhǔn)情形便可具有較大的制造裕度。因此，可降低對準(zhǔn)失誤的風(fēng)險(xiǎn)。此外，并不需要形成接觸物于每一源極/漏極結(jié)構(gòu)上，而因此可簡化工藝。

如圖6E所示，在一些實(shí)施例中，于形成溝槽148d后，形成接觸間隔物154d于溝槽148d的側(cè)壁上，以及形成一凹口156d于凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158d’內(nèi)。此外，在一些實(shí)施例中，凹口156d位于融合部635之上。

如圖6F所示，在一些實(shí)施例中，形成一硅化物層160d與一接觸物162d于凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158d的融合部635上。硅化物層160d與接觸物162d可通過相似或相同于形成第一硅化物層160a與第一接觸物162a的方法所形成而不再此重復(fù)描述。

圖7是在一些實(shí)施例中的圖6F所示的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100d的剖面圖。在一 些實(shí)施例中，相似于前述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100a，接觸間隔物154d的底面大體水平于溝槽148d的底面。如此，接觸間隔物154d的一部亦延伸進(jìn)入了凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158d及凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158d’之內(nèi)。此外，接觸物162d包括了延伸部164d、形成于延伸進(jìn)入凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158d與凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158d’內(nèi)的溝槽148d內(nèi)的該部內(nèi)的一中央部166d，以及位于中央部166d上的一頂部168d。

在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100d為一PMOS結(jié)構(gòu)。在此些實(shí)施例中，延伸部164d的厚度T_1d與中央部166d的厚度T_2d相似或相同于前述的第一中央部164d的厚度T_1a與中央部166a的厚度T_2a。此外，在一些實(shí)施例中，延伸部164d的寬度W_1d及中央部166d(或頂部168d)的寬度W_2d可相似或相同于前述的第一延伸部164a的寬度W_1a與中央部166a的寬度W_2a。

于一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100d為一NMOS結(jié)構(gòu)。于此些實(shí)施例中，延伸部164d的厚度T1d與中央部166的厚度T2d相似或相同于前述的第二延伸部164b的厚度T1b與第二中央部166b的厚度T2b。此外，于一些實(shí)施例中，延伸部164d的寬度W1d與中央部166d(或頂部168d)的寬度W2d相似或相同于前述的第二延伸部164b的寬度W1b與第二中央部166b的寬度W2b

如圖7所示，于凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158d與凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158d’內(nèi)的中央部166d與第一接觸物162d的延伸部164a形成了具有步階狀外形的結(jié)構(gòu)。此外，設(shè)置于步階狀結(jié)構(gòu)上的硅化物層160d可具有相對大的接觸區(qū)，而因此可改善表現(xiàn)。

圖8A與圖8B是在一些實(shí)施例中的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100e與100f的剖面圖。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100e與100f相似于前述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100d，除了于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100e與100f內(nèi)的源極/漏極結(jié)構(gòu)包括了鰭條狀物及形成環(huán)繞鰭條狀物的應(yīng)變材料。形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100e與100f的方法與材料可相似或相同于前述的方法與材料而不在此重復(fù)描述。

于一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100e為一PMOS結(jié)構(gòu)，而半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100f為一NMOS結(jié)構(gòu)。在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100e包括形成于基板上的一第一鰭結(jié)構(gòu)112e與一第二鰭結(jié)構(gòu)112e’。凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158e與凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158e’分別地形成于第一鰭結(jié)構(gòu)112e與第二鰭結(jié)構(gòu)112e’ 上。于一些實(shí)施例中，凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158e與凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158e’包括了鰭條狀物858e作為中央部以及形成于鰭條狀物858e上的應(yīng)變材料。如圖8A所示，鰭條狀物858e完全地為應(yīng)變材料所覆蓋。于一些實(shí)施例中，形成環(huán)繞了鰭條狀物858e的應(yīng)變材料包括了硅鍺，而于應(yīng)變材料中的鍺的濃度約介于約20％至約50％的一范圍。

此外，在一些實(shí)施例中，凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158e與凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158e’具有位于其間的融合部635e。接觸物162e形成凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158e及凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158e’的融合部635e上。

于一些實(shí)施例中，延伸部164e的厚度T_1e與中央部166e的厚度T_2e相似或相同于前述的延伸部164a的厚度T_1a與中央部166a的厚度T_2a。此外，在一些實(shí)施例中，延伸部164e的寬度W_1e與中央部166e(頂部168e的)的寬度W_2e相似或相同于前述的第一延伸部的寬度W_1a與第一中央部166a的寬度W_2a。

相似地，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100f包括形成于基板102上的一第一鰭結(jié)構(gòu)112f與一第二鰭結(jié)構(gòu)112f’。凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158f與凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158f’分別地形成于第一鰭結(jié)構(gòu)112f與第二鰭結(jié)構(gòu)112f’上。于一些實(shí)施例中，凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158f與凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158f’包括了作為中央部的鰭條狀物858f以及形成于鰭條狀物858f上的應(yīng)變材料。如圖8B所示，鰭條狀物858f完全地為應(yīng)變材料所覆蓋。

此外，于一些實(shí)施例中，凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158f與凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158f’具有位于其間的融合部635f。于一些實(shí)施例中，接觸物162f形成凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158f及凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)158f’的融合部635f上。接觸物162f包括了一延伸部164f、一中央部166f、與一頂部168f。

于一些實(shí)施例中，延伸部164f的厚度T_1f與中央部166f的厚度T_2f相似或相同于前述的延伸部164a的厚度T_1a與中央部166a的厚度T_2a。此外，于一些實(shí)施例中，延伸部164f的寬度W_1f與中央部166f(頂部168f的)的寬度W_2f相似或相同于前述的第一延伸部164a的寬度W_1a與第一中央部166a的寬度W_2a。

如圖8A與圖8B所示，于PMOS結(jié)構(gòu)內(nèi)的延伸部164e較于NMOS結(jié)構(gòu)內(nèi)的延伸部164f來的薄。于一些實(shí)施例中，延伸部164e并不會延伸至低 于鰭條狀物858e的一位置，同時(shí)延伸部164f的一部會延伸至低于鰭條狀物858f的一位置。

如前所述，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(例如半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100a至100f)包括具有形成于凹陷的源極/漏極結(jié)構(gòu)(例如158a至158f)的一延伸部(例如164a至164f)的一接觸物。此外，此延伸部為一硅化物層(例如160a至160f)所環(huán)繞。此硅化物層可具有一步階狀外形，使得硅化物層與接觸物可具有相對大的接觸表面，而因此可改善半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的表現(xiàn)。

值得注意的是，如上所述的“一”，“一個(gè)”，和“該”等單數(shù)形式可以包括復(fù)數(shù)對象，除非上下文另有明確說明。此外，于一些實(shí)施例中，當(dāng)在本文中使用“約”字時(shí)，其是指該精準(zhǔn)呈現(xiàn)的數(shù)值的±10％的意思。

提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法。此半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括形成于一基板上的一鰭結(jié)構(gòu)及形成并跨越該鰭結(jié)構(gòu)的一柵結(jié)構(gòu)。一源極/漏極結(jié)構(gòu)形成于鄰近該柵結(jié)構(gòu)的該鰭結(jié)構(gòu)內(nèi)。一接觸物形成于該源極/漏極結(jié)構(gòu)之上，而一延伸部延伸進(jìn)入該源極/漏極結(jié)構(gòu)內(nèi)。一硅化物層，位于該第一接觸物的該延伸部與該源極/漏極結(jié)構(gòu)之間，該接觸物的該延伸部為該硅化物層所環(huán)繞。因此，介于硅化物層與接觸物之間的接觸面積為相對地大，且因此改善了半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的表現(xiàn)。

于一些實(shí)施例中，提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。此半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括一鰭結(jié)構(gòu)，形成于一基板上，以及一第一柵結(jié)構(gòu)，形成并跨越該鰭結(jié)構(gòu)。此半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括一第一源極/漏極結(jié)構(gòu)，形成于鄰近該第一柵結(jié)構(gòu)的該鰭結(jié)構(gòu)內(nèi)，以及一第一接觸物，形成于該第一源極/漏極結(jié)構(gòu)上。此外，該第一接觸物還包括延伸進(jìn)入該第一源極/漏極結(jié)構(gòu)內(nèi)的一第一延伸部。

于一些實(shí)施例中，提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。此半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括一鰭結(jié)構(gòu)，形成于一基板上，以及一柵結(jié)構(gòu)，形成并跨越該鰭結(jié)構(gòu)。此半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括一第一源極/漏極結(jié)構(gòu)，形成于鄰近該柵結(jié)構(gòu)的該鰭結(jié)構(gòu)內(nèi)，以及一接觸物，形成于該第一源極/漏極結(jié)構(gòu)上。此外，該接觸物包括延伸進(jìn)入該第一源極/漏極結(jié)構(gòu)內(nèi)的一延伸部。該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括一硅化物層，位于該接觸物的延伸部的數(shù)個(gè)側(cè)壁與一底面上。

于一些實(shí)施例中，提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法。該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法包括形成一第一鰭結(jié)構(gòu)于一基板上，以及形成一第一柵結(jié)構(gòu)，跨越 該基板上的該鰭結(jié)構(gòu)。該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法還包括形成一第一源極/漏極結(jié)構(gòu)于鄰近該第一柵結(jié)構(gòu)的該第一鰭結(jié)構(gòu)內(nèi)，以及形成一第一凹口于該第一源極/漏極結(jié)構(gòu)內(nèi)。該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法還包括形成一第一硅化物層于該第一凹口的該底面與數(shù)個(gè)側(cè)壁處，以及形成一第一接觸物于該第一硅化物層上。

前述內(nèi)文概述了許多實(shí)施例的特征，使本技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者可以從各個(gè)方面更佳地了解本公開。本技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者應(yīng)可理解，且可輕易地以本公開為基礎(chǔ)來設(shè)計(jì)或修飾其他工藝及結(jié)構(gòu)，并以此達(dá)到相同的目的及/或達(dá)到與在此介紹的實(shí)施例等相同的優(yōu)點(diǎn)。本技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者也應(yīng)了解這些相等的結(jié)構(gòu)并未背離本公開的發(fā)明精神與范圍。在不背離本公開的發(fā)明精神與范圍的前提下，可對本公開進(jìn)行各種改變、置換或修改。

雖然本發(fā)明已以數(shù)個(gè)較佳實(shí)施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作任意的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。