1.一種提高射頻芯片隔離度的封裝方法，包括封裝基板或者封裝外殼，金屬導(dǎo)線和待封裝芯片；其特征在于：所述待封裝芯片的引腳通過(guò)金屬導(dǎo)線連接到所對(duì)應(yīng)的封裝基板節(jié)點(diǎn)或封裝外殼的引腳上；
所述待封裝芯片引腳中的任意兩個(gè)相鄰引腳：第一引腳和第二引腳；第一引腳通過(guò)第一金屬導(dǎo)線連接到封裝基板的第一節(jié)點(diǎn)上或者封裝外殼第一引腳上，第二引腳通過(guò)第二金屬導(dǎo)線連接到封裝基板的第二節(jié)點(diǎn)上或者封裝外殼第二引腳上；并且，
所述第一引腳和第二引腳之間插入第三引腳和第四引腳，第三引腳、第四引腳分別通過(guò)第三金屬導(dǎo)線、第四金屬導(dǎo)線與片外地線引腳相連；所述片外地線引腳位于封裝基板的節(jié)點(diǎn)或者封裝外殼引腳上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高射頻芯片隔離度的封裝方法，其特征在于：所述第三引腳與第四C2引腳在待封裝芯片中通過(guò)金屬互連線連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高射頻芯片隔離度的封裝方法，其特征在于：所述第三金屬導(dǎo)線空間高度高于第四金屬導(dǎo)線，或者第三金屬導(dǎo)線空間高度低于第四金屬導(dǎo)線，從而形成一個(gè)閉合地環(huán)。