1.一種整流器，其特征在于，包括：
襯底，所述襯底包括相對的第一表面和第二表面；
位于所述襯底第一表面上的外延層；
位于所述外延層上的若干第一溝槽；
位于所述第一溝槽內的第一溝槽柵和第二溝槽柵；
位于所述外延層表面的離子注入?yún)^(qū)，所述離子注入?yún)^(qū)和襯底的導電類型相反；
位于所述外延層上的與所述離子注入?yún)^(qū)、第一溝槽柵和第二溝槽柵均歐姆連接的第一電極；
位于所述襯底第二表面上的第二電極。
2.如權利要求1所述的整流器，其特征在于，所述第一溝槽內設置有絕緣氧化層，所述絕緣氧化層內設置有第一導電多晶硅，所述第一導電多晶硅和所述絕緣氧化層配合形成所述第一溝槽柵。
3.如權利要求2所述的整流器，其特征在于，所述第一溝槽包括側壁面，位于所述側壁面和第一導電多晶硅之間的絕緣氧化層內還設置有第二導電多晶硅，所述第二導電多晶硅與絕緣氧化層配合形成所述第二溝槽柵。
4.如權利要求3所述的整流器，其特征在于，所述第一溝槽柵的寬度大于所述第二溝槽柵的寬度。
5.如權利要求3所述的整流器，其特征在于，所述第一溝槽柵的深度大于所述第二溝槽柵的深度。
6.如權利要求3所述的整流器，其特征在于，所述第一導電多晶硅與所述第一溝槽的側壁面的間距在900～5000埃。
7.如權利要求3所述的整流器，其特征在于，所述第二導電多晶硅與所述第一溝槽的側壁面的間距在10～1000埃。
8.一種整流器的制造方法，其特征在于，包括：
提供襯底，所述襯底包括相對的第一表面和第二表面；
在所述襯底的第一表面上生長一外延層；
在所述外延層上形成若干第一溝槽；
形成第一溝槽柵和第二溝槽柵；
在外延層表面形成離子注入?yún)^(qū)，離子注入?yún)^(qū)和襯底的導電類型相反；
正面金屬化，在所述外延層上形成與所述離子注入?yún)^(qū)、第一溝槽柵和第二溝槽柵均歐姆連接的第一電極；
背面金屬化，在所述襯底第二表面上形成第二電極。
9.如權利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述第一溝槽柵的寬度大于所述第二溝槽柵的寬度。
10.如權利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述第一溝槽柵的深度大于所述第二溝槽柵的深度。
11.如權利要求8所述的制造方法，其特征在于，在所述外延層上形成若干第一溝槽，具體包括：
在外延層上生長第一氧化層；
在第一氧化層上形成一層帶預設圖形的第一光刻膠；
以第一光刻膠為掩蔽層，刻蝕第一氧化層和外延層，形成若干第一溝槽。
12.如權利要11所述的制造方法，其特征在于，形成第一溝槽柵和第二溝槽柵，具體包括：
在所述第一溝槽內生長第二氧化層；
在所述第二氧化層上生長第一導電多晶硅，形成第一溝槽柵；
在所述第一導電多晶硅上生長第三氧化層；
在所述第三氧化層上形成一層帶預設圖形的第二光刻膠；
以第二光刻膠為掩蔽層，去除未被光刻膠保護的第三氧化層、第一導電多晶硅和第二氧化層，并去除光刻膠；
對位于第一溝槽內的第二氧化層進行回刻，得到位于第一導電多晶硅和第 一溝槽的側壁面之間的第二溝槽；
在所述第二溝槽內生長第四氧化層；
在所述第四氧化層上淀積第二導電多晶硅，形成第二溝槽柵。
13.如權利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述第一導電多晶硅與所述第一溝槽的側壁面的間距在900～5000埃。
14.如權利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述第二導電多晶硅與所述第一溝槽的側壁面的間距在10～1000埃。