技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種絕緣柵雙極型晶體管構(gòu)造方法，所述方法包括以下步驟：采用P型擴散工藝在所述襯底上構(gòu)造P型擴散區(qū)，使得所述P型擴散區(qū)的結(jié)深大于/等于所述晶體管的溝槽的深度；制作溝槽柵結(jié)構(gòu)；制作N+源極區(qū)；刻蝕發(fā)射極金屬接觸窗口；利用高能離子注入使得特定深度的所述P型擴散區(qū)反型從而在所述P型擴散區(qū)內(nèi)部構(gòu)造N阱層，所述N阱層將所述P型擴散區(qū)分成上下兩個相互隔離的部分，其中，上部分為P-基區(qū)，下部分為P阱層；執(zhí)行后續(xù)工藝完成所述晶體管的構(gòu)造。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的方法大大簡化了工藝流程，從而降低了總體工藝成本以及工藝難度。同時，本發(fā)明的方法各個步驟均可以采用現(xiàn)有工藝技術(shù)完成，不需要增加新的工藝設(shè)備。

技術(shù)研發(fā)人員：劉國友;覃榮震;黃建偉;張泉;朱利恒;戴小平
受保護的技術(shù)使用者：株洲南車時代電氣股份有限公司
文檔號碼：201510760586
技術(shù)研發(fā)日：2015.11.10
技術(shù)公布日：2017.05.17