技術(shù)編號：11925528
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體說涉及一種絕緣柵雙極型晶體管及其構(gòu)造方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的應(yīng)用越來越廣泛。在現(xiàn)有技術(shù)中，為了優(yōu)化IGBT的通態(tài)壓降與關(guān)斷損耗，降低器件的功耗，一般采用載流子存儲層(空穴阻擋層)結(jié)構(gòu)，又稱N阱(N-EnhancementLayer及CarrierStorageNLayer)。通過在P-基區(qū)下方設(shè)置一個N阱(載流子存儲層)來包圍P-基區(qū)，在該處形成一個空穴的勢壘，阻擋導(dǎo)通狀態(tài)下空穴被發(fā)射極電極的抽取，并增大了發(fā)射極電子注...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。