技術(shù)特征：

1.一種淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：

提供襯底，利用一掩膜版在所述襯底中形成第一淺溝槽；

在所述第一淺溝槽中形成一填充層，充滿所述第一淺溝槽；

利用所述掩膜版在所述填充層中形成開口，暴露出所述第一淺溝槽的底壁，通過調(diào)節(jié)曝光參數(shù)使得所述開口的關(guān)鍵尺寸小于所述第一淺溝槽的關(guān)鍵尺寸；

刻蝕暴露出的所述第一淺溝槽的底壁，形成第二淺溝槽；

去除所述填充層，所述第一淺溝槽和第二淺溝槽共同形成淺溝槽；

在所述淺溝槽中形成隔離材料層。

2.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一淺溝槽的關(guān)鍵尺寸為200nm-300nm，深度為側(cè)壁傾角為80°-83°。

3.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第二淺溝槽的深度為

4.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述填充層的材料為底部抗反射涂層。

5.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述開口的關(guān)鍵尺寸比所述第一淺溝槽的關(guān)鍵尺寸小30nm-50nm。

6.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，采用干法刻蝕工藝刻蝕暴露出的第一淺溝槽的底壁，形成第二淺溝槽。

7.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一淺溝槽的側(cè)壁及底壁上形成有第一襯氧化層，在形成開口后，形成第二淺溝槽前，將底壁上的第一襯氧化層去除；在去除所述填充層時，將側(cè)壁上的襯氧化層去除。

8.如權(quán)利要求7所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在形成淺溝槽之后，在所述淺溝槽中形成隔離材料層之前，還包括：在所述淺溝槽的側(cè)壁和底部上形成第二襯氧化層。

9.利用如權(quán)利要求1-8中任意一項所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法制得的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，包括：位于襯底中的第一隔離部分和第二隔離部分，所述 第一隔離部分位于第二隔離部分上，所述第一隔離部分的關(guān)鍵尺寸大于第二隔離部分的關(guān)鍵尺寸。

10.一種CMOS圖像傳感器，包括：多個像素，相鄰像素之間由如權(quán)利要求9所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)隔離。