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半導(dǎo)體封裝的制作方法

文檔序號(hào):11955801閱讀:來源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

1.一種半導(dǎo)體封裝,其特征在于,包括:

一半導(dǎo)體芯片,具有一主動(dòng)面,其中至少一接墊設(shè)置在所述半導(dǎo)體芯片的所述主動(dòng)面上;

一成型模料,覆蓋住所述半導(dǎo)體芯片的除了所述主動(dòng)面的其他部分,其中所述成型模料具有與所述半導(dǎo)體芯片的所述主動(dòng)面等高的一上表面;

一重布線層,直接位于所述成型模料的所述上表面與所述半導(dǎo)體芯片的所述主動(dòng)面上;以及

一翹曲控制切痕,切入所述成型模料中,并且靠近所述半導(dǎo)體芯片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝,其特征在于,所述接墊包括一輸入/輸出接墊。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝,其特征在于,所述重布線層將所述接墊重新設(shè)布至一位于所述半導(dǎo)體芯片邊緣外的扇出接墊。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝,其特征在于,所述重布線層包括至少一介電層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝,其特征在于,所述介電層填入所述翹曲控制切痕中。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝,其特征在于,所述翹曲控制切痕切入所述成型模料的所述上表面。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝,其特征在于,所述翹曲控制切痕切入所述成型模料相對(duì)于所述上表面的一下表面。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝,其特征在于,所述翹曲控制切痕并未使所述半導(dǎo)體芯片暴露出來。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝,其特征在于,所述翹曲控制切痕為沿著其切割路徑的一連續(xù)切痕。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝,其特征在于,所述翹曲控制切痕為沿著其切割路徑的一不連續(xù)切痕。

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