技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種基于激光直寫工藝的量子結(jié)構(gòu)的定位生長方法，包括應(yīng)用激光直寫工藝刻寫刻蝕結(jié)構(gòu)圖形步驟：首先控制激光直寫的曝光光斑沿光刻膠層的第一方向刻寫，形成一行的曝光光斑，然后再逐行刻寫，最終在光刻膠層上形成M行×N列的曝光光斑，其中，曝光光斑的直徑為D，曝光光斑的步進(jìn)均為d，并且；其中，在進(jìn)行第i行至第i+m-1行的第j列至第j+n-1列的刻寫時，關(guān)閉曝光光斑的功率形成未曝光區(qū)域，未曝光區(qū)域形成刻蝕結(jié)構(gòu)圖形，刻蝕結(jié)構(gòu)圖形沿行方向上的長度為L1，沿列方向上的長度為L2，并且，L1＝(m+1)×d-D，L2＝(n+1)×d-D，m和n的取值至少使得L1或L2的值小于曝光光斑的直徑D。

技術(shù)研發(fā)人員：黃榮;張子旸;李智;黃源清;張寶順
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
文檔號碼：201510486343
技術(shù)研發(fā)日：2015.08.10
技術(shù)公布日：2017.02.22