技術(shù)特征：

1.一種基于激光直寫工藝的量子結(jié)構(gòu)的定位生長方法，其特征在于，包括應(yīng)用激光直寫工藝在光刻膠層上刻寫刻蝕結(jié)構(gòu)圖形步驟，該步驟具體包括：首先控制激光直寫的曝光光斑沿光刻膠層的第一方向刻寫，形成一行的曝光光斑；然后控制激光直寫的曝光光斑沿光刻膠層的第二方向逐行刻寫，最終在光刻膠層上形成M行×N列的曝光光斑；

其中，所述曝光光斑的直徑為D，所述曝光光斑沿第一方向和第二方向的步進(jìn)均為d，并且

其中，在進(jìn)行第i行至第i+m-1行的第j列至第j+n-1列的刻寫時，關(guān)閉曝光光斑的功率形成未曝光區(qū)域，所述未曝光區(qū)域形成所述刻蝕結(jié)構(gòu)圖形，所述刻蝕結(jié)構(gòu)圖形沿行方向上的長度為L1，沿列方向上的長度為L2，并且，L1＝(m+1)×d-D，L2＝(n+1)×d-D；

其中，M、N為正整數(shù)，i＝1、2、3、…、M-1或M，j＝1、2、3、…、N-1或N，m＝1、2、3、…、M-1或M，n＝1、2、3、…、N-1或N；并且，m和n的取值至少使得L1或L2的值小于曝光光斑的直徑D。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于激光直寫工藝的量子結(jié)構(gòu)的定位生長方法，其特征在于，m和n的取值使得L1和L2的值均小于曝光光斑的直徑D。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于激光直寫工藝的量子結(jié)構(gòu)的定位生長方法，其特征在于，m和n的取值相等，使得L1＝L2。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的基于激光直寫工藝的量子結(jié)構(gòu)的定位生長方法，其特征在于，該方法包括步驟：

提供一襯底并在該襯底上依次形成一緩沖層和一光刻膠層；

應(yīng)用激光直寫工藝在所述光刻膠層上刻寫刻蝕結(jié)構(gòu)圖形；

應(yīng)用反應(yīng)離子刻蝕或負(fù)性顯影工藝在所述光刻膠層上形成刻蝕結(jié)構(gòu)圖形；

應(yīng)用反應(yīng)離子刻蝕工藝將所述刻蝕結(jié)構(gòu)圖形轉(zhuǎn)移到所述緩沖層上，在所述緩沖層上形成定位生長區(qū)域；

在所述定位生長區(qū)域中生長量子結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于激光直寫工藝的量子結(jié)構(gòu)的定位生長方法，其特征在于，所述曝光光斑的直徑D的范圍是220～280nm，所述步進(jìn)d的范圍 是70～80nm，m和/或n的取值范圍是3～5。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于激光直寫工藝的量子結(jié)構(gòu)的定位生長方法，其特征在于，所述量子結(jié)構(gòu)為量子點或量子線；其中，該方法還包括去除所述光刻膠層的步驟，具體地：若所述量子結(jié)構(gòu)為量子點，則在所述緩沖層上形成定位生長區(qū)域之后，首先去除所述光刻膠層，然后在所述定位生長區(qū)域中生長量子點；若所述量子結(jié)構(gòu)為量子線，則在所述緩沖層上形成定位生長區(qū)域之后，首先在所述定位生長區(qū)域中生長量子線，然后再去除所述光刻膠層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于激光直寫工藝的量子結(jié)構(gòu)的定位生長方法，其特征在于，應(yīng)用反應(yīng)離子刻蝕工藝將所述刻蝕結(jié)構(gòu)圖形轉(zhuǎn)移到所述緩沖層上時，刻蝕深度為10～100nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于激光直寫工藝的量子結(jié)構(gòu)的定位生長方法，其特征在于，通過真空退火工藝去除所述光刻膠層，真空退火溫度范圍是300～500℃，退火時間是10～30分鐘，真空度<10^-1Pa。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于激光直寫工藝的量子結(jié)構(gòu)的定位生長方法，其特征在于，所述襯底的材料為砷化鎵、磷化銦或銻化鎵，所述緩沖層的材料與所述襯底的材料相同，所述光刻膠層的材料為鍺銻碲、鍺銻錫碲、鍺銻鉍碲或碲化銻。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基于激光直寫工藝的量子結(jié)構(gòu)的定位生長方法，其特征在于，所述緩沖層的厚度為200～500nm，所述光刻膠層的厚度為50～200nm。