1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征為，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：
絕緣層，其具有相對(duì)的第一表面與第二表面；
線路層，其形成于該絕緣層的第一表面上；以及
金屬層，其形成于該絕緣層的第二表面上，并具有至少一凹槽。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征為，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括至少一半導(dǎo)體芯片，其設(shè)置于該線路層上并電性連接至該線路層。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征為，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括封裝膠體，其形成于該絕緣層的該第一表面上，用以包覆該半導(dǎo)體芯片及該線路層。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征為，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括絕緣保護(hù)層，其形成于該線路層上。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征為，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括金屬保護(hù)層，其形成于部分該線路層上。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征為，該絕緣層的材質(zhì)為樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺或ABF(Ajinomoto Build-up Film)的介電材料。
7.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征為，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：
絕緣層，其具有相對(duì)的第一表面、第二表面以及貫穿該第一與第二表面的開口；
第一線路層，其形成于該絕緣層的第一表面上，且部分該第一線路層外露于該開口；
第二線路層，其形成于該絕緣層的第二表面上；以及
絕緣保護(hù)層，其形成于該第一線路層及該第二線路層上，其中， 該第一線路層上的該絕緣保護(hù)層具有開孔，以外露出部分該第一線路層，且該第二線路層上的該絕緣保護(hù)層具有開孔，以外露出該絕緣層的開口。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征為，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括導(dǎo)電層，其形成于外露出該絕緣保護(hù)層開孔的該第一線路層上。
9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征為，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括金屬保護(hù)層，其形成于外露出該絕緣保護(hù)層開孔的該第一線路層上。
10.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征為，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括電極墊，其形成在外露于該開口的部分該第一線路層上。
11.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征為，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括至少一半導(dǎo)體芯片，其設(shè)置于該絕緣保護(hù)層上并電性連接至該第一線路層。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征為，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括封裝膠體，其形成于該絕緣層的該第一表面上，以包覆該半導(dǎo)體芯片。
13.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征為，該絕緣層的材質(zhì)為樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺或ABF(Ajinomoto Build-up Film)的介電材料。
14.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該制法包括：
提供一基板，該基板具有相對(duì)的第一表面與第二表面的絕緣層，且該第一表面及第二表面上分別形成有第一金屬層及第二金屬層；
圖案化該第一金屬層以形成第一線路層；
移除該第二金屬層，以露出該絕緣層的第二表面；以及
于該絕緣層中形成貫穿該第一表面與該第二表面的開口，以外露出部分該第一線路層。
15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該制法還包括于該第一線路層上接置至少一半導(dǎo)體芯片，并使該半導(dǎo)體芯片電性連接至該第一線路層。
16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該制法還包括于該絕緣層的第一表面上形成包覆該半導(dǎo)體芯片及該第一線路層的封裝膠體。
17.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該制法還包括形成焊球于外露出該開口的部分該第一線路層上，且令該焊球電性連接外露于該開口的部分該第一線路層。
18.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該制法還包括在該第一線路層上形成絕緣保護(hù)層。
19.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該制法還包括于部分該第一線路層上形成金屬保護(hù)層。
20.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該制法還包括于該第二金屬層形成至少一凹槽。
21.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該絕緣層的材質(zhì)為樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺或ABF(Ajinomoto Build-up Film)的介電材料。
22.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該制法包括：
提供一基板，該基板具有相對(duì)的第一表面與第二表面的絕緣層，且該第一表面及第二表面上分別形成有第一金屬層及第二金屬層；
圖案化該第一金屬層與該第二金屬層以分別形成第一線路層與第二線路層；以及
于該絕緣層中形成貫穿該第一表面與該第二表面的開口，以外露出部分該第一線路層。
23.如權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該制法還包括形成焊球于外露出該開口的部分該第一線路層上，且令該焊球電性連接外露于該開口的部分該第一線路層。
24.如權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該制法還包括在該第一線路層上接置至少一半導(dǎo)體芯片，并使該半導(dǎo)體芯片電性連接至該第一線路層。
25.如權(quán)利要求24所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該制法還包括于該絕緣層的第一表面上形成包覆該半導(dǎo)體芯片及該第一線路層的封裝膠體。
26.如權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該制法還包括于該第一線路層與該第二線路層上形成絕緣保護(hù)層。
27.如權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該制法還包括于部分該第一線路層上形成金屬保護(hù)層。
28.如權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該制法還包括于外露出該開口的該第一線路層上形成電極墊。
29.如權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，于形成該第一及第二線路層后，還包括：
在該第一線路層上與該第二線路層上分別形成第一絕緣保護(hù)層及第二絕緣保護(hù)層，且該第一絕緣保護(hù)層具有開孔，以外露出部分該第一線路層；
形成貫穿該絕緣層的第一表面與第二表面及該第二絕緣保護(hù)層的該開口，以外露出部分該第一線路層；
于該第一絕緣保護(hù)層及第二絕緣保護(hù)層上與該開口中形成阻層，其中，該阻層對(duì)應(yīng)于該第一絕緣保護(hù)層的開孔形成有開孔，以外露出部分該第一線路層；
于未覆蓋有該第一絕緣保護(hù)層與該阻層的部分該第一線路層上形成金屬保護(hù)層；以及
移除該阻層。
30.如權(quán)利要求29所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，于形成該阻層步驟之前，還包括于該第一絕緣保護(hù)層上及該第一絕緣保護(hù)層的開孔中先形成導(dǎo)電層，接著形成該阻層，其中，該阻層對(duì)應(yīng)于該第一絕緣保護(hù)層的開孔形成有開孔，以外露出部分該導(dǎo)電層，并于外露的該導(dǎo)電層上形成該金屬保護(hù)層，之后移除該阻層及其所覆蓋的導(dǎo)電層。
31.如權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該絕緣層的材質(zhì)為樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺或ABF(Ajinomoto Build-up Film)的介電材料。