1.一種半導(dǎo)體裝置，具備：
第1導(dǎo)電型的第1半導(dǎo)體區(qū)；
第2導(dǎo)電型的第2半導(dǎo)體區(qū)，選擇性地設(shè)于上述第1半導(dǎo)體區(qū)之上；
第1導(dǎo)電型的第3半導(dǎo)體區(qū)，選擇性地設(shè)于上述第2半導(dǎo)體區(qū)之上；
第1電極，與上述第1半導(dǎo)體區(qū)電連接；
第2電極，設(shè)于上述第3半導(dǎo)體區(qū)之上，與上述第3半導(dǎo)體區(qū)電連接；
第3電極，在相對(duì)于從上述第1電極朝向上述第2電極的第1方向交叉的第2方向上延伸；
第4電極，相對(duì)于上述第3電極設(shè)于上述第1電極一側(cè)，在上述第2方向上延伸；以及
第1絕緣膜，設(shè)于上述第3電極與上述第1半導(dǎo)體區(qū)、上述第2半導(dǎo)體區(qū)、上述第3半導(dǎo)體區(qū)之間，以及上述第4電極與上述第1半導(dǎo)體區(qū)之間，在上述第4電極與上述第1半導(dǎo)體區(qū)之間具有第1絕緣區(qū)和第2絕緣區(qū)，上述第1絕緣區(qū)的上述第4電極與上述第1半導(dǎo)體區(qū)之間的第1寬度與上述第2絕緣區(qū)的上述第4電極與上述第1半導(dǎo)體區(qū)之間的第2寬度不同，上述第1絕緣區(qū)和上述第2絕緣區(qū)在上述第2方向上排列。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
上述第1寬度比上述第2寬度大。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
在上述第2方向X上，上述第1絕緣區(qū)和上述第2絕緣區(qū)交替排列。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
在上述第2方向上，上述第1絕緣區(qū)的長(zhǎng)度與上述第2絕緣區(qū)的長(zhǎng)度不同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
在上述第2方向上，上述第1絕緣區(qū)的長(zhǎng)度比上述第2絕緣區(qū)的長(zhǎng)度長(zhǎng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
在上述第2方向上，上述第1絕緣區(qū)的長(zhǎng)度與上述第2絕緣區(qū)的長(zhǎng)度相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
上述第2絕緣區(qū)的膜厚與上述第2半導(dǎo)體區(qū)和上述第3電極之間的上述第1絕緣膜的膜厚相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
上述第2絕緣區(qū)的膜厚與上述第2半導(dǎo)體區(qū)和上述第3電極之間的上述第1絕緣膜的膜厚不同。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
上述第2絕緣區(qū)的膜厚比上述第2半導(dǎo)體區(qū)與上述第3電極之間的上述第1絕緣膜的膜厚厚。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
上述第1絕緣區(qū)具有上述第4電極與上述第1半導(dǎo)體區(qū)之間的厚度不同的第1部分和第2部分。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
上述第1部分和上述第2部分在上述第1方向上排列。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
上述第1部分和上述第2部分在上述第1方向上交替排列。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
上述第2絕緣區(qū)具有上述第4電極與上述第1半導(dǎo)體區(qū)之間的厚度不同的第3部分和第4部分。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
上述第3部分和上述第4部分在上述第1方向上排列。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
上述第3部分和上述第4部分在上述第1方向上交替排列。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
與上述第1絕緣區(qū)相接的上述第1半導(dǎo)體區(qū)的載流子濃度和與上述第2絕緣區(qū)相接的上述第1半導(dǎo)體區(qū)的載流子濃度相同。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
上述第3電極連接于上述第4電極。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
上述第3電極不與上述第4電極連接。