技術(shù)編號(hào)：11956140
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。在此說(shuō)明的實(shí)施方式整體涉及半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù)現(xiàn)存的半導(dǎo)體裝置是在柵電極下具備場(chǎng)板電極的場(chǎng)板構(gòu)造的MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor：金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)等。通過(guò)設(shè)置場(chǎng)電極，MOSFET的漂移區(qū)內(nèi)的電場(chǎng)強(qiáng)度衰減。由此，MOSFET的漏極、源極間的破壞耐壓性(以下，僅稱作耐壓)提高。此外，伴隨著耐壓的提高，能夠?qū)⑵茀^(qū)的載流子濃度設(shè)定得高，并能夠使MOSFET的導(dǎo)通電阻降低。即，通過(guò)場(chǎng)板構(gòu)造的MOSFET，MOSFET的...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。