1.制備下述一種機(jī)械結(jié)構(gòu)的震動(dòng)傳感有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括如下步驟：
1)在襯底上制備柵電極；
2)在所述步驟1)得到的電極上涂光刻膠進(jìn)行光刻，形成保護(hù)層；
3)在所述步驟2)的保護(hù)層上通過化學(xué)汽相淀積的方法制備二氧化硅絕緣層；
4)將所述步驟3)得到的帶有保護(hù)層、絕緣層的襯底進(jìn)行去光刻膠處理，保護(hù)層被去除，形成中空結(jié)構(gòu)；
5)在所述步驟3)得到的去光刻膠過后的絕緣層上制備有機(jī)半導(dǎo)體層；
6)制備源電極和漏電極，得到所述一種機(jī)械結(jié)構(gòu)的震動(dòng)傳感有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管；
所述一種機(jī)械結(jié)構(gòu)的震動(dòng)傳感有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括襯底(6)、位于所述襯底之上的柵電極(5)和位于所述柵電極之上的絕緣層(4)；所述一種機(jī)械結(jié)構(gòu)的震動(dòng)傳感有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管還包括位于所述絕緣層之上的有機(jī)半導(dǎo)體層(3)以及位于所述有機(jī)半導(dǎo)體層之上的源電極(1)、漏電極(2)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟1)中，構(gòu)成襯底的材料為硅，構(gòu)成柵電極的材料為金屬金；
所述步驟3)中，構(gòu)成絕緣層的材料為二氧化硅；
所述步驟5)中，構(gòu)成有機(jī)半導(dǎo)體層的材料為并五苯；
所述步驟6)中，構(gòu)成源電極和漏電極的材料為金屬金。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟1)中，柵電極的制備方法為電子束蒸發(fā)；
所述步驟3)中，所述絕緣層的制備方法為低壓化學(xué)汽相淀積；
所述步驟5)中，有機(jī)半導(dǎo)體層的制備方法為通過真空熱蒸鍍的方法；
所述步驟6)中，源電極和漏電極的制備方法為電子束蒸發(fā)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的方法，其特征在于：
所述步驟1)中，電子束蒸發(fā)的氣壓為6×10-3帕斯卡，蒸發(fā)速率為1埃/秒；
所述步驟2)中，先將光刻膠旋涂與柵電極表面，旋涂速度為1500轉(zhuǎn)/分，旋涂時(shí)間為60秒，顯影液選取0.6％氫氧化鉀溶液，顯影時(shí)間為40秒；
所述步驟3)中，低壓化學(xué)汽相淀積采用的反應(yīng)氣體為二氯硅烷和氨氣，氣壓為40帕斯卡，工作溫度為600攝氏度；
所述步驟5)中，真空熱蒸鍍時(shí)，真空度為6×10-4帕斯卡以下，蒸鍍速率為0.25埃/秒，蒸鍍過程中襯底溫度保持在60度；
所述步驟6)中，電子束蒸發(fā)的氣壓為6×10-3帕斯卡，蒸發(fā)速率為1埃/秒。