1.一種瞬態(tài)抑制二極管的制造方法，其特征在于，包括：
在襯底上生長第一氧化層；
在所述第一氧化層和所述襯底上刻蝕多個(gè)深溝槽；
在多個(gè)深溝槽中的每個(gè)所述深溝槽中生長第二氧化層；
在所述第一氧化層和所述第二氧化層上生長多晶硅層；
刻蝕掉所述第一氧化層上的全部多晶硅層和所述第二氧化層上的部分多晶硅層；
在所述第二氧化層上的剩余多晶硅層上生長第三氧化層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的瞬態(tài)抑制二極管的制造方法，其特征在于，還包括：
在所述剩余多晶硅層上生長所述第三氧化層后，進(jìn)行離子注入和/或擴(kuò)散，以形成P型區(qū)域或N型區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的瞬態(tài)抑制二極管的制造方法，其特征在于，
在進(jìn)行離子注入或擴(kuò)散后，在所述第一氧化層，和所述P型區(qū)域或N型區(qū)域的表面制備金屬層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的瞬態(tài)抑制二極管的制造方法，其特征在于，
在制備所述金屬層后，刻蝕掉所述第一氧化層上的部分金屬層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的瞬態(tài)抑制二極管的制造方法，其特征在于，所述襯底為P型襯底或N型襯底。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的瞬態(tài)抑制二極管的制造方法，其特征在于，所述第一氧化層、所述第二氧化層和所述第三氧化層均為氧化硅層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的瞬態(tài)抑制二極管的制造方法，其特征在于，所述溝槽采用干法刻蝕或濕法刻蝕形成；以及
采用干法刻蝕去除所述第一氧化層上的全部多晶硅層和所述第二氧化層上的部分多晶硅層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的瞬態(tài)抑制二極管的制造方法，其特征在于，
在刻蝕掉所述部分多晶硅層后，控制所述剩余多晶硅層的上表面低于所述第一氧化層的下表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的瞬態(tài)抑制二極管的制造方法，其特征在于，
在刻蝕多個(gè)所述深溝槽時(shí)，控制任意兩個(gè)相鄰的所述深溝槽的間距小于或等于10μm。
10.一種瞬態(tài)抑制二極管，其特征在于，所述瞬態(tài)抑制二極管由如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的瞬態(tài)抑制二極管的制造方法制作而成。