技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，該器件包括：半導(dǎo)體襯底，半導(dǎo)體襯底內(nèi)具有相鄰的NFET區(qū)域和PFET區(qū)域，半導(dǎo)體襯底包括基底、位于基底上的埋氧層以及形成于埋氧層上的跨越NFET區(qū)域和PFET區(qū)域的鰭片；形成于NFET區(qū)域內(nèi)的無(wú)結(jié)NFET和形成于PFET區(qū)域內(nèi)的反型模式PFET，無(wú)結(jié)NFET具有完全金屬硅化物源極和漏極，反型模式PFET的P型淺摻雜漏極摻雜區(qū)域與無(wú)結(jié)NFET的漏極相連。無(wú)結(jié)NFET通過(guò)完全金屬硅化物技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)電流不僅在表面?zhèn)鲗?dǎo)還可以在體內(nèi)傳導(dǎo)的傳導(dǎo)機(jī)制，其在溝道區(qū)完全耗盡時(shí)關(guān)閉。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件具有優(yōu)異的性能，可以使得在非理想界面下GeFinFET器件發(fā)生強(qiáng)的電子反轉(zhuǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：肖德元
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
文檔號(hào)碼：201510232427
技術(shù)研發(fā)日：2015.05.08
技術(shù)公布日：2016.12.07