本發(fā)明屬于電子技術(shù)領(lǐng)域，涉及靜電釋放(ESD：Electro-Static discharge)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)，具體涉及一種橫向可控硅整流器SCR(Silicon ControlledRectifier簡(jiǎn)稱SCR)。

背景技術(shù)：

靜電放電(Electro-Static Discharg，簡(jiǎn)稱ESD)是指處于不同靜電勢(shì)能的兩物體間的電流流動(dòng)，一般來講ESD多指快速電流流動(dòng)。在人們?nèi)粘Ｉ钪校珽SD現(xiàn)象隨處可見。對(duì)于集成電路來說，從生產(chǎn)到運(yùn)輸，系統(tǒng)集成以及用戶使用，所有過程都有可能在集成電路的引腳上產(chǎn)生靜電放電現(xiàn)象。ESD過程中產(chǎn)生的瞬間大電流，高功率可以對(duì)半導(dǎo)體器件產(chǎn)生一系列熱損傷，這將燒毀半導(dǎo)體和金屬互連線；而在ESD過程中產(chǎn)生的強(qiáng)電場(chǎng)，則會(huì)對(duì)非導(dǎo)電性薄膜產(chǎn)生破壞，通常表現(xiàn)為MOS管柵氧化層的擊穿；此外，有些芯片所受到的ESD損傷是潛伏的，通常無法在測(cè)試階段發(fā)現(xiàn)，最終會(huì)造成產(chǎn)品壽命的縮短。在過去三十年的研究中發(fā)現(xiàn)，37％的芯片失效是由ESD事件引起的，因此，ESD保護(hù)器件的設(shè)計(jì)及應(yīng)用極其重要。

要實(shí)現(xiàn)一個(gè)特定半導(dǎo)體工藝上的ESD保護(hù)器件的設(shè)計(jì)和優(yōu)化，首先要確定該工藝的ES D設(shè)計(jì)窗口。ESD設(shè)計(jì)窗口就是ESD器件的安全工作區(qū)域；ESD設(shè)計(jì)窗口由兩個(gè)邊界確定，窗口的下限為1.1*VDD(VDD為芯片I/O口或電源管腳的工作電壓)，保護(hù)器件的箝位電壓要高于此邊界電壓以避免閂鎖效應(yīng)的發(fā)生；設(shè)計(jì)窗口的上限為芯片內(nèi)部核心電路能正常承受而不損壞的最大電壓，保護(hù)器件要在該邊界電壓值之前觸發(fā)，一般來講這個(gè)邊界電壓值為0.9*BVox(BVox是柵氧化層的擊穿電壓)；設(shè)計(jì)窗口上下限的乘積因子1.1和0.9表示為避免噪聲影響各留出的10％的安全余量。

如圖1所示為一個(gè)SCR器件的ESD設(shè)計(jì)窗口，圖中，Vt1和It1是SCR器件的觸發(fā)電壓和觸發(fā)電流，Vh和Ih是SCR器件的維持電壓和維持電流，Vt2和It2是SCR器件的二次擊穿電壓和二次擊穿電流；從圖中可以看出，SCR器件的觸發(fā)電壓、維持電壓和二次擊穿電壓一定要在該ESD設(shè)計(jì)窗口的范圍之內(nèi)，即1.1*VDD～0.9*BVox之間。

隨著集成電路工藝的不斷進(jìn)步，特征尺寸不斷縮小，金屬互連線的變窄勢(shì)必會(huì)引起互聯(lián)線上的電阻的增大，這將使得基于電源嵌位的ESD防護(hù)策略不再適用。此時(shí)，在進(jìn)行全芯片ESD防護(hù)網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)時(shí)，更多的是采用基于雙向ESD器件的防護(hù)策略?；赟CR的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)因其具有極高的效率并可以提供很高的ESD保護(hù)水平已成為ESD保護(hù)方案中的重要選擇，但其觸發(fā)電壓高及維持電壓低是制約其發(fā)展應(yīng)用的重要因素。

如圖2所示為基本雙向SCR器件結(jié)構(gòu)及等效電路，該雙向SCR器件是由第一個(gè)寄生的n pn晶體管Q2、一個(gè)寄生的pnp晶體管Q1和第二個(gè)寄生npn晶體管Q3構(gòu)成；其中，n型重?fù)诫s區(qū)132、p型阱區(qū)130、n型重?fù)诫s埋層170構(gòu)成第一個(gè)寄生npn晶體管Q2；n型重?fù)诫s區(qū)151、p型阱區(qū)150、n型重?fù)诫s埋層170構(gòu)成第二個(gè)寄生npn晶體管Q3；p型重?fù)诫s區(qū)131、p型阱區(qū)130、n型重?fù)诫s埋層170(n型阱區(qū)140)、p型阱區(qū)150、p型重?fù)诫s區(qū)152構(gòu)成寄生的pnp晶體管Q1；R1為p型阱區(qū)130電阻，R2為p型阱區(qū)150電阻；n型阱區(qū)120、n型重?fù)诫s埋層170、n型阱區(qū)160共同構(gòu)成隔離區(qū)，將雙向SCR與p型襯底相隔離。當(dāng)給PAD1施加一個(gè)正脈沖時(shí)(PAD2接地)，第二個(gè)寄生npn管的集電結(jié)反偏，即由n型重?fù)诫s埋層170和p型阱區(qū)150構(gòu)成的pn結(jié)反偏；當(dāng)反偏電壓大于該pn結(jié)的雪崩擊穿電壓，該pn結(jié)產(chǎn)生大量的電子-空穴對(duì)，電子經(jīng)n型重?fù)诫s埋層170、p型阱區(qū)130、p型重?fù)诫s區(qū)131到達(dá)PAD1，寄生pnp管開啟；與此同時(shí)，雪崩產(chǎn)生的空穴經(jīng)p型阱區(qū)150、p型重?fù)诫s區(qū)152到達(dá)PAD2，空穴電流在p型阱區(qū)150的電阻R2上產(chǎn)生壓降，最終導(dǎo)致由p型阱區(qū)150和n型重?fù)诫s區(qū)151構(gòu)成的pn結(jié)正偏，此時(shí)第二個(gè)寄生的npn管開啟；之后，pnp管的集電極電流為第二個(gè)npn管提供基極電流，且第二個(gè)npn管的集電極電流為pnp管提供基極電流，在寄生pnp管與第二個(gè)npn管之間產(chǎn)生正反饋機(jī)制，SCR導(dǎo)通。當(dāng)給PAD2施加正脈沖(PA D1接地)時(shí)，此時(shí)第一個(gè)npn管和寄生pnp管會(huì)產(chǎn)生正反饋機(jī)制，觸發(fā)SCR的導(dǎo)通。由于該雙向SCR完全對(duì)稱的器件結(jié)構(gòu)，將會(huì)使正反向模式下的I-V特性完全對(duì)稱。

隨著集成電路工藝的不斷進(jìn)步，MOS器件的柵氧化層進(jìn)一步減薄，會(huì)使柵氧擊穿電壓B Vox不斷下降，傳統(tǒng)依靠pn結(jié)雪崩擊穿觸發(fā)的雙向SCR器件的觸發(fā)電壓已遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于保護(hù)電路的柵氧擊穿電壓，SCR起不到電壓箝位的作用，無法實(shí)現(xiàn)有效的ESD保護(hù)。同時(shí)，IC電路的工作電壓VDD也隨著工藝的進(jìn)步不斷降低，這將減小雙向SCR器件發(fā)生latch-up的幾率。因而，在先進(jìn)工藝下，降低雙向SCR器件的觸發(fā)電壓是ESD保護(hù)器件的重要發(fā)展方向。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供了一種新型的基于埋層觸發(fā)的低觸發(fā)電壓雙向SCR器件結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)與已有的雙向SCR結(jié)構(gòu)相比，具有非常低的觸發(fā)電壓，與此同時(shí)，還可通過調(diào)整觸發(fā)二極管器件的數(shù)目來進(jìn)一步調(diào)整其觸發(fā)電壓，使其廣泛適用于先進(jìn)工藝下不同工作電壓的IC電路。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為：

一種基于埋層觸發(fā)的低觸發(fā)電壓雙向SCR器件，包括1個(gè)主器件、主器件左側(cè)的n個(gè)觸發(fā)器件和主器件右側(cè)的m個(gè)觸發(fā)器件構(gòu)成，其中，n≥1、m≥1；

所述觸發(fā)器件為二極管器件，包括第二種導(dǎo)電類型硅襯底，硅襯底上形成第一種導(dǎo)電類型阱區(qū)，阱區(qū)內(nèi)設(shè)有第一種導(dǎo)電類型重?fù)诫s區(qū)和第二種導(dǎo)電類型重?fù)诫s區(qū)；相鄰近觸發(fā)器件之間串聯(lián)；

所述主器件為對(duì)稱結(jié)構(gòu)，包括第二種導(dǎo)電類型硅襯底；所述硅襯底上形成第一種導(dǎo)電類型重?fù)诫s埋層；所述埋層上形成從左向右依次鄰接的第一種導(dǎo)電類型阱區(qū)A、第二種導(dǎo)電類型阱區(qū)A、第一種導(dǎo)電類型阱區(qū)B、第二種導(dǎo)電類型阱區(qū)B和第一種導(dǎo)電類型阱區(qū)C；所述第一種導(dǎo)電類型阱區(qū)A和第一種導(dǎo)電類型阱區(qū)C內(nèi)均設(shè)有第一種導(dǎo)電類型重?fù)诫s區(qū)，且分別與最近鄰的觸發(fā)器件內(nèi)第二種導(dǎo)電類型重?fù)诫s區(qū)相連；所述第二種導(dǎo)電類型阱區(qū)A內(nèi)設(shè)有與PAD1相連的第二種導(dǎo)電類型重?fù)诫s區(qū)和第一種導(dǎo)電類型重?fù)诫s區(qū)，以及與第n個(gè)觸發(fā)器件內(nèi)第一種導(dǎo)電類型重?fù)诫s區(qū)相連的另一個(gè)第二種導(dǎo)電類型重?fù)诫s區(qū)；所述第二種導(dǎo)電類型阱區(qū)B內(nèi)設(shè)有與PAD2相連的第一種導(dǎo)電類型重?fù)诫s區(qū)和第二種導(dǎo)電類型重?fù)诫s區(qū)，以及與第m個(gè)觸發(fā)器件內(nèi)第一種導(dǎo)電類型重?fù)诫s區(qū)相連的另一個(gè)第二種導(dǎo)電類型重?fù)诫s區(qū)。

本發(fā)明的發(fā)明效果在于：

本發(fā)明提供基于埋層觸發(fā)的低觸發(fā)電壓雙向SCR器件，其主器件通過在基本雙向SCR結(jié)構(gòu)中的第一種導(dǎo)電類型阱區(qū)A和第一種導(dǎo)電類型阱區(qū)C內(nèi)分別設(shè)置一個(gè)第一種導(dǎo)電類型重?fù)诫s區(qū)，將基本雙向SCR中僅起隔離作用的封閉的第一種導(dǎo)電類型重?fù)诫s埋層與兩側(cè)外部觸發(fā)二極管串相連，構(gòu)成了“埋層+二極管串”的低電壓觸發(fā)通道，其中第一種導(dǎo)電類型重?fù)诫s埋層在雙向SCR器件正反向狀態(tài)下為公用觸發(fā)通道，從而實(shí)現(xiàn)具有超低觸發(fā)電壓的雙向SC R器件，對(duì)芯片進(jìn)行有效的靜電防護(hù)；同時(shí)，調(diào)節(jié)兩側(cè)觸發(fā)器件數(shù)目，能夠使本發(fā)明雙向SC R器件觸發(fā)電壓可調(diào)，并且根據(jù)具體需求的不同，器件的正反向I-V特性可設(shè)置為對(duì)稱或不對(duì)稱兩種模式(n、m相同或不同)。另外，第一種導(dǎo)電類型重?fù)诫s埋層在雙向SCR器件正反向狀態(tài)下為公用觸發(fā)通道，充分利用了雙向SCR器件結(jié)構(gòu)中第一種導(dǎo)電類型重?fù)诫s埋層與第二種導(dǎo)電類型阱區(qū)構(gòu)成的pn結(jié)，該pn結(jié)作為雙向SCR器件內(nèi)部寄生pnp管的發(fā)射結(jié)，能夠?qū)崿F(xiàn)快速開啟寄生pnp管，進(jìn)而快速開啟SCR器件的功效，提高了器件的開啟速度。

附圖說明

圖1為ESD設(shè)計(jì)窗口。

圖2為基本雙向SCR器件結(jié)構(gòu)示意圖及等效電路圖。

圖3為實(shí)施例1基于埋層觸發(fā)的低觸發(fā)電壓雙向SCR器件結(jié)構(gòu)示意圖及等效電路圖。

圖4為實(shí)施例2基于埋層觸發(fā)的低觸發(fā)電壓雙向SCR器件結(jié)構(gòu)示意圖及等效電路圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。

實(shí)施例1

本實(shí)施例提供一種基于埋層觸發(fā)的低觸發(fā)電壓雙向SCR器件，其結(jié)構(gòu)示意圖和等效電路圖如圖3所示，包括1個(gè)主器件、主器件左側(cè)的n個(gè)觸發(fā)器件和主器件右側(cè)的m個(gè)觸發(fā)器件構(gòu)成，其中，n≥1、m≥1；

所述主器件為對(duì)稱結(jié)構(gòu)，包括p型硅襯底110；所述硅襯底110上形成n型重?fù)诫s埋層170；所述埋層170上形成從左向右依次鄰接的n型阱區(qū)120、p型阱區(qū)130、n型阱區(qū)140、p型阱區(qū)150和n型阱區(qū)160；所述n型阱區(qū)120和n型阱區(qū)160內(nèi)分別設(shè)有n型重?fù)诫s區(qū)121、161；所述p型阱區(qū)130內(nèi)從左往右依次設(shè)有p型重?fù)诫s區(qū)131、n型重?fù)诫s區(qū)132、p型重?fù)诫s區(qū)133，p型重?fù)诫s區(qū)131和n型重?fù)诫s區(qū)132均與PAD1相連；所述p型阱區(qū)150內(nèi)從左往右依次設(shè)有p型重?fù)诫s區(qū)153、n型重?fù)诫s區(qū)151、p型重?fù)诫s區(qū)152，n型重?fù)诫s區(qū)151和p型重?fù)诫s區(qū)152均與PAD2相連；

所述主器件左側(cè)第一個(gè)觸發(fā)器件為二極管器件；其結(jié)構(gòu)包括p型硅襯底110；襯底110上形成n型阱區(qū)200；n型阱區(qū)200內(nèi)設(shè)有一個(gè)n型重?fù)诫s區(qū)201和一個(gè)p型重?fù)诫s區(qū)202；

所述主器件左側(cè)第二個(gè)觸發(fā)器件為二極管器件；其結(jié)構(gòu)包括p型硅襯底110；襯底110上形成n型阱區(qū)190；n型阱區(qū)190內(nèi)設(shè)有一個(gè)n型重?fù)诫s區(qū)191和一個(gè)p型重?fù)诫s區(qū)192；

所述主器件左側(cè)第n個(gè)觸發(fā)器件為二極管器件；其結(jié)構(gòu)包括p型硅襯底110；襯底110上形成n型阱區(qū)180；n型阱區(qū)180內(nèi)設(shè)有一個(gè)n型重?fù)诫s區(qū)181和一個(gè)p型重?fù)诫s區(qū)182；

所述主器件右側(cè)第一個(gè)觸發(fā)器件為二極管器件；其結(jié)構(gòu)包括p型硅襯底110；襯底110上形成n型阱區(qū)210；n型阱區(qū)210內(nèi)設(shè)有一個(gè)p型重?fù)诫s區(qū)211和一個(gè)n型重?fù)诫s區(qū)212；

所述主器件右側(cè)第二個(gè)觸發(fā)器件為二極管器件；其結(jié)構(gòu)包括p型硅襯底110；襯底110上形成n型阱區(qū)220；n型阱區(qū)220內(nèi)設(shè)有一個(gè)p型重?fù)诫s區(qū)221和一個(gè)n型重?fù)诫s區(qū)222；

所述主器件右側(cè)第m個(gè)觸發(fā)器件為二極管器件；其結(jié)構(gòu)包括p型硅襯底110；襯底110上形成n型阱區(qū)230；n型阱區(qū)230內(nèi)設(shè)有一個(gè)p型重?fù)诫s區(qū)231和一個(gè)n型重?fù)诫s區(qū)232；

所述主器件的n型阱區(qū)120內(nèi)的n型重?fù)诫s區(qū)121與左側(cè)第一個(gè)觸發(fā)器件的n型阱區(qū)200內(nèi)的p型重?fù)诫s區(qū)202相連；左側(cè)第一個(gè)觸發(fā)器件的n型阱區(qū)200內(nèi)的n型重?fù)诫s區(qū)201與左側(cè)第二個(gè)觸發(fā)器件的n型阱區(qū)190內(nèi)的p型重?fù)诫s區(qū)192相連，后續(xù)觸發(fā)器件間連接以此類推，即左側(cè)相鄰近觸發(fā)器件間串聯(lián)；左側(cè)第n個(gè)觸發(fā)器件的n型阱區(qū)180內(nèi)的n型重?fù)诫s區(qū)181與主器件的p型阱區(qū)130內(nèi)的p型重?fù)诫s區(qū)133相連；

所述主器件的n型阱區(qū)160內(nèi)的n型重?fù)诫s區(qū)161與右側(cè)第一個(gè)觸發(fā)器件的n型阱區(qū)210內(nèi)的p型重?fù)诫s區(qū)211相連；右側(cè)第一個(gè)觸發(fā)器件的n型阱區(qū)210內(nèi)的n型重?fù)诫s區(qū)212與右側(cè)第二個(gè)觸發(fā)器件的n型阱區(qū)220內(nèi)的p型重?fù)诫s區(qū)221相連，后續(xù)觸發(fā)器件間連接以此類推，即右側(cè)相鄰近觸發(fā)器件間串聯(lián)；右側(cè)第n個(gè)觸發(fā)器件的n型阱區(qū)230內(nèi)的n型重?fù)诫s區(qū)232與主器件的p型阱區(qū)150內(nèi)的p型重?fù)诫s區(qū)153相連。

另外，需要說明的是主器件兩側(cè)的觸發(fā)二極管器件個(gè)數(shù)一般情況下相等，即n＝m,可得到完全對(duì)稱的I-V特性，實(shí)際應(yīng)用中可根據(jù)具體ESD設(shè)計(jì)窗口設(shè)置為不同的值。

本實(shí)施例提供雙向SCR通過創(chuàng)新性的在基本雙向SCR結(jié)構(gòu)中的n型阱區(qū)120和160中分別添加了一個(gè)n型重?fù)诫s區(qū)121和161，將基本雙向SCR中封閉的n型重?fù)诫s埋層170(在基本雙向SCR中該埋層僅起隔離的作用)與外部觸發(fā)二極管串相連，從而構(gòu)成了埋層+二極管串的低電壓觸發(fā)通道；其中埋層在器件正反向狀態(tài)下均為觸發(fā)通道，因而為公用觸發(fā)通道。該雙向SCR器件在正向工作模式下的觸發(fā)通路包含一個(gè)雙向SCR內(nèi)部的pn結(jié)(即P130與N170形成的PN結(jié))、n型埋層170及n型阱區(qū)160、m個(gè)觸發(fā)二極管器件和p型阱區(qū)150；反向工作模式下的觸發(fā)通路包含一個(gè)雙向SCR內(nèi)部的pn結(jié)(即P150與N170形成的PN結(jié))、n型埋層170及n型阱區(qū)120、n個(gè)觸發(fā)二極管器件和P型阱區(qū)130；其觸發(fā)電壓為觸發(fā)通路上所有二極管壓降之和，即：

Vt1_forward≈(m+1)×0.7V

Vt1_backward≈(n+1)×0.7V

當(dāng)對(duì)PAD1施加一個(gè)正向的ESD脈沖時(shí)(PAD2接地)，當(dāng)PAD1端所加電壓高于[(m+1)×0.7]V時(shí)，電流會(huì)從與PAD1相連的p型重?fù)诫s區(qū)131流入器件，經(jīng)p型阱區(qū)130與n型重?fù)诫s埋層170構(gòu)成的正偏pn結(jié)流入n型重?fù)诫s埋層170，隨后經(jīng)右側(cè)的n型阱區(qū)160及其內(nèi)的n型重?fù)诫s區(qū)161流入右側(cè)的觸發(fā)二極管串中，經(jīng)第m個(gè)二極管的n型重?fù)诫s區(qū)232流回至雙向SCR器件PAD2所在的p型阱區(qū)150內(nèi)，并最終經(jīng)過p型阱區(qū)150及與PAD2相連的p型重?fù)诫s區(qū)151流至PAD2。由前所述，此時(shí)該路徑上的電壓降為[(m+1)×0.7]V，遠(yuǎn)低于基本雙向SCR器件中p型阱區(qū)150與n型重?fù)诫s埋層170形成的PN結(jié)的反向雪崩電壓(如前所述，在基本雙向SCR器件中器件利用此PN結(jié)的雪崩擊穿電壓進(jìn)行觸發(fā)導(dǎo)通)，因此此時(shí)器件利用埋層+二極管串作為初始觸發(fā)通道，不再依賴于PN結(jié)的雪崩擊穿，因此實(shí)現(xiàn)了降低器件觸發(fā)電壓的效果。并且根據(jù)具體需求的不同，可以調(diào)整二極管串?dāng)?shù)目m的值，實(shí)現(xiàn)了觸發(fā)電壓的可調(diào)。

此時(shí)由于p型阱區(qū)130與n型重?fù)诫s埋層170構(gòu)成的pn結(jié)正偏，雙向SCR器件內(nèi)寄生的pnp管Q1導(dǎo)通，此后，隨著正向?qū)娏鞯闹饾u增大，由于p型阱區(qū)150阱電阻的存在，使得其電勢(shì)不斷升高，當(dāng)p型阱區(qū)150電勢(shì)高于n型重?fù)诫s區(qū)152 0.7V時(shí)，此時(shí)p型阱區(qū)150與n型重?fù)诫s區(qū)151構(gòu)成的pn結(jié)正偏，此時(shí)，雙向SCR器件內(nèi)寄生的npn管Q3觸發(fā)導(dǎo)通；此后，寄生的npn管Q3與寄生的pnp管Q1構(gòu)成正反饋機(jī)制，促使SCR器件的導(dǎo)通。導(dǎo)通后電流的主路徑為：PAD1→p型重?fù)诫s131→p型阱區(qū)130→n型埋層170或n型阱區(qū)140→p型阱區(qū)150→n型重?fù)诫s區(qū)151→PAD2；

當(dāng)對(duì)PAD2施加一個(gè)正向的ESD脈沖時(shí)(PAD1此時(shí)接地)，由于完全對(duì)稱的器件結(jié)構(gòu)，雙向SCR觸發(fā)機(jī)理完全一致，此不贅述，SCR導(dǎo)通后電流的主路徑與上述電流主路徑對(duì)稱。

綜上，本實(shí)施例提供雙向SCR器件工作于正反向狀態(tài)時(shí)均可實(shí)現(xiàn)基于埋層觸發(fā)的超低電壓觸發(fā)，并且根據(jù)不同的應(yīng)用需求，可通過調(diào)整正反路徑上的二極管數(shù)目m和n以達(dá)到觸發(fā)電壓的可調(diào)的效果。

實(shí)施例2

本實(shí)施例提供一種基于埋層觸發(fā)的低觸發(fā)電壓雙向SCR器件，其結(jié)構(gòu)示意圖和等效電路圖如圖4所示，包括1個(gè)主器件、主器件左側(cè)的n個(gè)觸發(fā)器件和主器件右側(cè)的m個(gè)觸發(fā)器件構(gòu)成，其中，n≥1、m≥1；其中主器件兩側(cè)觸發(fā)器件結(jié)構(gòu)及器件間連接關(guān)系與實(shí)施例1相同，此處不再贅述，其區(qū)別在于：所述主器件的p型阱區(qū)130內(nèi)從左往右依次設(shè)有p型重?fù)诫s區(qū)133、p型重?fù)诫s區(qū)131、n型重?fù)诫s區(qū)132，p型重?fù)诫s區(qū)131和n型重?fù)诫s區(qū)132均與PAD1相連；所述p型阱區(qū)150內(nèi)從左往右依次設(shè)有n型重?fù)诫s區(qū)151、p型重?fù)诫s區(qū)152、p型重?fù)诫s區(qū)153，n型重?fù)诫s區(qū)151和p型重?fù)诫s區(qū)152均與PAD2相連。其工作原理及效果與實(shí)施例1相同。

以上所述，僅用于說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，盡管參照較佳實(shí)例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的宗旨和范圍，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。本說明書中所公開的任一特征，除非特別敘述，均可被其他等效或具有類似目的的替代特征加以替換；所公開的所有特征、或所有方法或過程中的步驟，除了互相排斥的特征和/或步驟以外，均可以任何方式組合。