專利名稱：不用觸發(fā)重置單元閾值裝置讀取相變存儲(chǔ)器的制作方法
背景技術(shù)：
本發(fā)明一般涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。
相變存儲(chǔ)裝置使用相變材料，即，可以在一般的非晶體和一般的晶體狀態(tài)之間電轉(zhuǎn)換的材料，作為電存儲(chǔ)器。一種類型的存儲(chǔ)元件利用相變材料，在一個(gè)應(yīng)用中其可以在一般的非晶體和一般的晶體局部順序之間或局部有序的穿過(guò)完全地非晶體和完全地晶體狀態(tài)之間的全部頻譜的不同可檢測(cè)狀態(tài)之間電轉(zhuǎn)換。
適合于這種應(yīng)用的一般材料包括各種硫族化物元件。相變材料的狀態(tài)也是非易失性的，不存在超溫的應(yīng)用，諸如那些為了延長(zhǎng)時(shí)間超過(guò)150℃的應(yīng)用。當(dāng)在標(biāo)識(shí)阻值的晶體、半晶體、非晶體、或半非晶體狀態(tài)設(shè)置存儲(chǔ)器時(shí)，上述的值被保留直到重新編程，即使電流源斷開。這是因?yàn)榫幊痰闹当硎静牧系南辔换蛭锢頎顟B(tài)(例如，晶體或非晶體)。
存儲(chǔ)單元能選擇地用于讀操作，例如，通過(guò)將適當(dāng)?shù)碾妷簯?yīng)用到各自的字線和適當(dāng)?shù)碾娏髅}沖應(yīng)用到各自的位線。在位線達(dá)到的電壓取決于存儲(chǔ)元件的電阻，即存儲(chǔ)在選擇的存儲(chǔ)單元中的邏輯值。
存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元中的邏輯值通過(guò)使用讀出放大器來(lái)評(píng)估以檢測(cè)在反映存儲(chǔ)器狀態(tài)的電壓和電流方面的差異。一般地，讀出放大器包括接收位線電壓，或相關(guān)電壓，和適當(dāng)?shù)膮⒖茧妷旱谋容^器，用于在一段時(shí)期之后比較存儲(chǔ)器的電平。例如，其中經(jīng)過(guò)一段時(shí)間以后位線電壓比參考電壓高，存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器狀態(tài)被稱作重置或邏輯值″0″，反之在位線電壓比參考電壓低的情況中，存儲(chǔ)的邏輯值被稱作設(shè)置或″1″。
在每個(gè)存儲(chǔ)單元中的存取元件可以是由相變材料制成的閾值開關(guān)，與串聯(lián)連接到它的存儲(chǔ)元件相類似。存取元件當(dāng)施加的橫穿過(guò)那里的電壓超過(guò)一個(gè)閾值時(shí)從高阻狀態(tài)轉(zhuǎn)換到低阻狀態(tài)(在不改變它的相位的情況下)并且當(dāng)通過(guò)那的電流下降到低于最小的保持值時(shí)恢復(fù)到高阻狀態(tài)。在低阻狀態(tài)下穿過(guò)存取元件的電壓具有基本上的恒定值(保持電壓VH)因?yàn)閯?dòng)態(tài)電阻dV/dI相對(duì)較低所以大部分的電壓降是保持電壓，VH。在這種情況下，可以方便地提供存儲(chǔ)單元的矩陣而沒(méi)有任何的晶體管，然后使用單一工藝過(guò)程。
在讀取或誤讀取期間為了保存單元狀態(tài)以及避免″讀取干擾″狀態(tài)改變，穿過(guò)存儲(chǔ)裝置區(qū)域的電壓可能被維持在小于諸如存儲(chǔ)元件的閾值電壓VTH(oum)之類的最大電壓的電平。為了避免超過(guò)這個(gè)最大允許的電壓，施加給列的電流可能小于想要用于迅速列充電的電流，增加了讀取延遲。
因此，傳統(tǒng)地，讀取相變存儲(chǔ)器的電流被限制在小于存儲(chǔ)元件的閾值電流，ITH(oum)，或限制強(qiáng)制電壓以避免施加大于其閾值電壓的穿過(guò)存儲(chǔ)元件的電壓，ITH(oum)。然而這些技術(shù)可能分別增加了不需要的讀存取時(shí)間和/或超過(guò)避免編程設(shè)置位(讀取干擾)電流的可能性。對(duì)于讀電流進(jìn)行限制的一個(gè)原因是為了防止觸發(fā)相變存儲(chǔ)元件，其可能需要刷新位以滿足期望數(shù)據(jù)保留時(shí)間。對(duì)于增加讀周期時(shí)間以及減少與寫周期相關(guān)的位持續(xù)時(shí)間來(lái)說(shuō)，并不希望有這種刷新(在讀之后重寫)。
如果通過(guò)所選存儲(chǔ)單元的電流超過(guò)閾值電流值ITH(oum)，當(dāng)穿過(guò)存儲(chǔ)元件的電壓很快從VTH恢復(fù)到VH時(shí)，由于與驅(qū)動(dòng)列電壓有關(guān)的位移電流，存儲(chǔ)元件受熱。所述位移電流可以偽造地編程使選定的位從重置到設(shè)置(讀取干擾)。
附圖的簡(jiǎn)要描述附

圖1是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電路圖；附圖2是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的參考電路；附圖3A是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例對(duì)于選擇的列不使用真實(shí)數(shù)據(jù)的電壓對(duì)時(shí)間的理論描述；附圖3B是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例不使用真實(shí)數(shù)據(jù)的進(jìn)入到選擇的列的讀和寫電流對(duì)時(shí)間的理論描述；附圖3C是根據(jù)本發(fā)明的三個(gè)實(shí)施例不使用真實(shí)數(shù)據(jù)的讀選通數(shù)據(jù)鎖存電壓對(duì)時(shí)間的理論描述；附圖4是本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的電路圖，其中通過(guò)感測(cè)在用于給列線充電的斜率方面的改變，產(chǎn)生停止讀周期的計(jì)時(shí)，因此當(dāng)隨著列充電到正的多的電壓存儲(chǔ)單元選擇元件已經(jīng)觸發(fā)時(shí)進(jìn)行檢測(cè)；附圖5A是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例對(duì)于選擇的列不使用真實(shí)數(shù)據(jù)的電壓對(duì)時(shí)間的理論描述；
附圖5B是對(duì)于附圖4A的實(shí)施例中讀電流計(jì)時(shí)的理論描述；附圖5C是SH鎖存數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)時(shí)間的理論描述；附圖6是本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的電路圖其中峰值檢測(cè)器幫助設(shè)置跟蹤的參考輸入到圖4中的比較器；以及附圖7是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的系統(tǒng)的描述。
詳細(xì)說(shuō)明參照附圖1，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，存儲(chǔ)器10可能包括以行16和列14排列的存儲(chǔ)單元陣列12。雖然舉例說(shuō)明的是相對(duì)小的陣列，但是本發(fā)明決不限于任何特定大小的陣列。雖然在這里使用術(shù)語(yǔ)″行″和″列″，但它們僅僅意為說(shuō)明性的并且沒(méi)有限制關(guān)于感測(cè)的陣列的類型和風(fēng)格。
存儲(chǔ)器10也包括許多的輔助線，可用于它的操作。尤其是，存儲(chǔ)器具有電流源電壓線，其通過(guò)包括存儲(chǔ)器的芯片分配電流源電壓，該電流源電壓取決于特殊的存儲(chǔ)裝置實(shí)施例，可能，一般地，從1到3V，例如1.8V。進(jìn)一步的電流源電壓線(諸如接地電壓線GND)分配地電壓或負(fù)電壓。
高電流源電壓線提供由集成在相同芯片上的裝置(例如未示出的電荷泵電壓升壓器)生成的相對(duì)高的電壓，或從外部提供給存儲(chǔ)器；例如4.5-5V，該電壓可能，例如，在寫入期間是有用的。
單元12可以是相變存儲(chǔ)單元。相變存儲(chǔ)單元的例子包括那些使用硫族化物的存儲(chǔ)元件12b(例如，雙向統(tǒng)一的存儲(chǔ)器或OUM)，其存儲(chǔ)一位數(shù)據(jù)以及閾值裝置12a，其可能是雙向閾值開關(guān)(OTS)。選定或閾值裝置12a可能是雙向閾值開關(guān)，其可能由硫族化物的合金構(gòu)成，其沒(méi)有從非晶體轉(zhuǎn)換到晶體相位，并且其在傳導(dǎo)率方面受到快速的電場(chǎng)生成的改變，僅僅只要通過(guò)裝置的保持電流存在在傳導(dǎo)率方面的改變就持續(xù)。
在一個(gè)實(shí)施例中，用于感測(cè)存儲(chǔ)設(shè)備12b的相變材料可能適合于非易失性存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。相變材料可能是具有電氣性質(zhì)的材料(例如，電阻)，其通過(guò)能量，例如熱，光，電壓電勢(shì)，或電流的應(yīng)用可能被改變。
相變材料的例子可以包括硫族化物材料。硫族化物材料可以是包括來(lái)自于化學(xué)元素周期表的第VI列的至少一個(gè)元素的材料或可以是包括一個(gè)或多個(gè)硫族元素的材料，例如，碲，硫，或硒的任何元素。硫族化物材料可以是用于存儲(chǔ)信息的非易失性存儲(chǔ)器材料，甚至在電流源斷開之后該信息仍被保留。
在一個(gè)實(shí)施例中，相變材料可以是來(lái)自于碲-鍺-銻(TexGeySbz)材料或GeSbTe合金，例如2，2，5的種類的硫族化物元件成分，盡管本發(fā)明的范圍不僅僅局限于這些材料。
在一個(gè)實(shí)施例中，如果存儲(chǔ)器材料是非易失性的，相變材料，存儲(chǔ)器材料可以通過(guò)將電信號(hào)應(yīng)用于存儲(chǔ)器材料中而被編程為至少兩個(gè)存儲(chǔ)器狀態(tài)的一個(gè)。電信號(hào)可以在實(shí)質(zhì)上地結(jié)晶狀態(tài)和實(shí)質(zhì)上地非晶形狀態(tài)之間改變存儲(chǔ)器材料的相位，其中在實(shí)質(zhì)上地非晶形狀態(tài)中存儲(chǔ)器材料的電阻大于在實(shí)質(zhì)上地結(jié)晶狀態(tài)中存儲(chǔ)器材料的電阻。因此，在這個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)器材料可以適合于改變?yōu)樵谝浑娮柚捣秶鷥?nèi)的許多電阻值中特定的一個(gè)以提供信息的數(shù)字或模擬存儲(chǔ)。
可以通過(guò)將電壓電勢(shì)或強(qiáng)制電流施加到所選的線14，16中或在選定的線14，16以外，來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)存儲(chǔ)器材料編程以改變材料的狀態(tài)或相位，從而產(chǎn)生穿過(guò)存儲(chǔ)器材料的電壓電勢(shì)。電流可以響應(yīng)于外加電壓電勢(shì)和強(qiáng)制電流流過(guò)存儲(chǔ)器材料的一部分，并且可以導(dǎo)致加熱存儲(chǔ)器材料。
這個(gè)受控加熱和隨后的受控冷卻可以改變存儲(chǔ)器狀態(tài)或存儲(chǔ)器材料的相位。在列到行電壓差上寫入脈沖的緩慢的下降沿幫助結(jié)晶位成為″設(shè)置″狀態(tài)。在施加寫電流或電壓之后在穿過(guò)存儲(chǔ)單元的列到行電壓差迅速地減少，這就較好地保證了非晶體化(amorphizing)所述位成為″重置″狀態(tài)。
改變存儲(chǔ)器材料的相位或狀態(tài)可以改變存儲(chǔ)器材料的電氣特性。例如，材料的電阻可以通過(guò)改變存儲(chǔ)器材料的相位來(lái)改變?；蛘咚械幕蛘咭徊糠窒嘧兇鎯?chǔ)器材料可以在寫入脈沖期間改變(即在寫入操作期間僅僅接近于或者頂部或者底部電極的傳感器12b的一部分/區(qū)域可以被改變相位)。在一個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)器材料經(jīng)歷相變的主要部分是接近于較小的，更加有阻力的低電極的區(qū)域。存儲(chǔ)器材料也可能被叫做可編程的電阻性(resistive)材料或僅僅可編程的電阻(resistance)材料。
在一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)將低電壓施加給低壓線路(例如，行16)和強(qiáng)制電流到高壓線路(例如，列14)中，可以穿過(guò)存儲(chǔ)器材料施加電壓脈沖，以便在選定元件12a(在圖1中的)被激活或觸發(fā)成為低阻抗?fàn)顟B(tài)之后電壓進(jìn)展到穿過(guò)存儲(chǔ)元件12b。響應(yīng)于所施加的電壓電勢(shì)流過(guò)存儲(chǔ)器材料的電流可能導(dǎo)致加熱存儲(chǔ)器材料。這個(gè)加熱以及后來(lái)的冷卻可能改變存儲(chǔ)器狀態(tài)或材料的相位。
在″重置″狀態(tài)中，存儲(chǔ)器材料可能是非晶體或半非晶體狀態(tài)。在″設(shè)置″狀態(tài)中，存儲(chǔ)器材料可能是晶體或半晶體狀態(tài)。處于非晶體或半非晶體狀態(tài)的存儲(chǔ)器材料的電阻可能大于處于晶體或半晶體狀態(tài)的材料的電阻。非晶體和晶體狀態(tài)分別與重置和設(shè)置的結(jié)合是慣例。也可以采用其它慣例，諸如稱重置位為邏輯″0″而設(shè)置位為邏輯″1″。
由于電流，存儲(chǔ)器材料可能被加熱到比較高的溫度，隨后諸如通過(guò)使用圖1中的驟冷晶體管46以非?？斓乃俾时焕鋮s，從而非晶體化存儲(chǔ)器材料和″重置″存儲(chǔ)器材料。使用小電流或緩慢的下降沿加熱體積(volume)或存儲(chǔ)器材料到相對(duì)低的結(jié)晶溫度可以使所述存儲(chǔ)器材料結(jié)晶和″設(shè)置″所述存儲(chǔ)器材料。
通過(guò)改變穿過(guò)大量的存儲(chǔ)器材料的電流量和持續(xù)時(shí)間，或通過(guò)修整從列到行的編程電流或電壓差脈沖的下降沿的邊緣比率(其可能影響選定的存儲(chǔ)元件的冷卻淬火率)，能夠獲得存儲(chǔ)器材料的各種電阻用于存儲(chǔ)信息。例如，可能大于100毫微秒的緩慢的下降沿將趨向于幫助設(shè)置一位，反之可能小于10毫微秒下降時(shí)間的下降沿比率將趨向于重置一位。
保存在存儲(chǔ)器材料中的信息可以通過(guò)測(cè)量存儲(chǔ)器材料的電阻讀取。舉例來(lái)說(shuō)，讀電流可以利用相對(duì)的線14，16被提供給存儲(chǔ)器材料并且可以使用例如讀出放大器42比較產(chǎn)生的穿過(guò)存儲(chǔ)器材料的讀取電壓和參考電壓。
閾值裝置12a具有動(dòng)態(tài)電阻減少到dV/dI的保持電壓VH。閾值裝置12a具有閾值電壓VTH，如果超過(guò)了該電壓，則導(dǎo)致電壓急速返回到近似VH。隨著電流的增大，電壓隨著該非常小的電流不斷增大，直到在VTH處超過(guò)了閾值電流ITH。從那里，電壓急速返回到大約VH然后電壓隨著增長(zhǎng)的電流沿著dV/dI斜率增長(zhǎng)，dV/dI斜率的i-v特性電壓軸截距是VH。
存儲(chǔ)元件12b可以被設(shè)置，在這種情況下它具有低閾值電壓或0V閾值電壓和低電阻，或被重置，在這種情況下它具有高閾值電壓和高電阻。對(duì)于設(shè)置位，電流隨著電壓增長(zhǎng)直到大約VH，其中動(dòng)態(tài)電阻進(jìn)一步地減少到dV/dI。i-v電流電壓軸的截距是VH。
重置存儲(chǔ)元件12b隨著穿過(guò)元件12b增大的電壓增長(zhǎng)的比設(shè)置位少得多，直到電壓接近于VTH。然后電流可能隨著增加的電壓更快速地增加，直到在VTH超過(guò)ITH，并且裝置阻抗快速地減少到與它的Vh串聯(lián)的dV/dI。如果此后電流被增加，那么設(shè)置和重置位具有幾乎相同的i-v特性。
作為一個(gè)非限制性的例子，存儲(chǔ)元件12b可能具有0.5伏特的VH，1.1伏特的VTH和大約10微安的ITH。作為一個(gè)非限制性的例子，閾值元件12a可能具有1.0伏特的VH，2.5伏特的VTH(和1.5伏特的快速返回電壓Vsnap)和大約10微安的ITH。
在附圖1和4中解碼器18接收地址信號(hào)以使用唯一地與每一個(gè)用于單元選定的列有關(guān)的晶體管20選定想要的列。平行于設(shè)置寫電流源24和讀電流源26的重置寫電流源22被耦合到節(jié)點(diǎn)66?？梢栽谶x定的列(14a或14b或14c，用由“開”選定晶體管20a或20b或20c確定的存儲(chǔ)單元列選定)上設(shè)置讀電流以產(chǎn)生迅速的增長(zhǎng)時(shí)間。根據(jù)響應(yīng)于來(lái)自諸如處理器之類的外部存儲(chǔ)器用戶的尋址命令的需要，電流源耦合到選定的列14。一組晶體管46a或46b或46c可能位于列14的底部以便能夠通過(guò)保證在列14上迅速的寫入電流脈沖下降沿寫入淬火(quenching)和取消選定。通過(guò)從選定(低的)到高的取消選定電壓同時(shí)轉(zhuǎn)換行，也幫助迅速的淬火。
晶體管28，38，和39是選定列14的開/關(guān)開關(guān)，其選定由電流源22，24或26產(chǎn)生的想要的電流，這取決于是否想要的功能分別地將寫入位到它的重置狀態(tài)，或?qū)懭朐O(shè)置狀態(tài)，或讀取選定的位。門電路36或者通過(guò)使能寫入Din門電路禁止讀取，或者導(dǎo)通晶體管36以使能讀電流源26。除非使能用于寫入，否則門電路25和26關(guān)斷寫入電流源，22和24。門電路36受使能電路34控制。輸入/輸出(I/O)控制32耦合到數(shù)據(jù)輸入(Din)電路30，其被耦合以通過(guò)選定電流源22或者24選定寫入0或者寫入1，一個(gè)具有比另一個(gè)較少的寫入電流來(lái)寫入1(并且結(jié)晶)，所述另一個(gè)重置選定的位到0(非晶體的)。數(shù)據(jù)輸入電路30通過(guò)門電路36由34寫入使能。
可替換的，隨著通過(guò)修整下降沿為慢(大于100毫微秒)或快(小于10毫微秒)確定寫入產(chǎn)生的數(shù)據(jù)，可以使用單一寫電流源在必要的重置電流上設(shè)置電流。對(duì)于附加的多位存儲(chǔ)，可以對(duì)附加的寫入電流源增加適合想要的電平的振幅(僅僅用由緩慢的下降沿驅(qū)動(dòng)想要的最低的電阻狀態(tài))。
讀出放大器42，在一個(gè)實(shí)施例中是比較器的形式，從選定的列，例如列14c中，接收一個(gè)輸入，被讀取。讀出放大器42可以可選擇地包括預(yù)充電電路來(lái)預(yù)充電節(jié)點(diǎn)66和列14a，b或c的選定的列到預(yù)充電的電壓。在一個(gè)實(shí)施例中讀出放大器42和參考電壓產(chǎn)生器40可以在每一列14上提供，但是如所示的，可以被跨接在列線陣列上共享以最小化相關(guān)的布局區(qū)域。用于讀出放大器42和數(shù)據(jù)輸出鎖存器44的芯片內(nèi)計(jì)時(shí)器49可以提供輸出使能(OE)信號(hào)作為可選項(xiàng)，其至少指示何時(shí)輸出能被驅(qū)動(dòng)，盡管通常OE也由處理器提供以啟動(dòng)輸出驅(qū)動(dòng)器到低阻抗?fàn)顟B(tài)(一旦數(shù)據(jù)從讀周期中準(zhǔn)備就緒)來(lái)避免例如在Din和Dout是相同的引腳的情況下到和來(lái)自于處理器的總線沖突情況下。
在讀取周期，由讀信號(hào)的等價(jià)物(例如寫入變高)啟動(dòng)之后進(jìn)入鎖存器44的選通脈沖和來(lái)自于鎖存器44的輸出信號(hào)由讀(R)選通脈沖控制，其通常仍由處理器提供?？商鎿Q地，當(dāng)沒(méi)有選擇寫入時(shí)(保持高的)，可以在芯片內(nèi)通過(guò)感測(cè)地址的變化來(lái)啟動(dòng)取出。
參考產(chǎn)生器40，在附圖2中所示出的，產(chǎn)生參考電壓VREF，其可以高于由設(shè)置位驅(qū)動(dòng)的列電壓而低于由重置位驅(qū)動(dòng)的列電壓。參考產(chǎn)生器40可以包括耦合到節(jié)點(diǎn)66’的電流源26’。也耦合到節(jié)點(diǎn)66’的是代表性的參考閾值設(shè)備12a’和典型的列14電容Ccolumn。
參考閾值設(shè)備12a’和它的電容可能是參考列(未示出)上的一個(gè)單元。電流源26’可以產(chǎn)生大約等于由電流源26產(chǎn)生的讀電流的電流。然后，節(jié)點(diǎn)66’將隨大約和選定的列14相同的計(jì)時(shí)而增長(zhǎng)。在存儲(chǔ)器陣列中下降的選定的行的電壓可能大約與地電壓相同，因此參考電路40可以被鉤到地上?？商鎿Q地，電路40可以由較好的近似于所選單元的低電壓的電路驅(qū)動(dòng)，考慮到電壓下降，行選定下降，等。
電路40在節(jié)點(diǎn)66’上產(chǎn)生上升的波形直到裝置12a’觸發(fā)并急速返回到低電壓。參考閾值裝置12a’具有大約和陣列單元的閾值裝置12相同的閾值電壓。這樣，裝置12a’當(dāng)感測(cè)的單元12被設(shè)置時(shí)，以和閾值裝置12a前后幾乎相同，或更短的時(shí)間進(jìn)行閾值處理。這個(gè)電壓的峰值可以由峰值檢測(cè)器和升壓器17感測(cè)并且存為可以由足夠的電壓向上調(diào)整的參考以考慮閾值裝置12a穿過(guò)單元12的陣列的變化和計(jì)時(shí)差異。
作為一個(gè)非限制性的例子，通過(guò)把在66′上達(dá)到的峰值電壓增加大約存儲(chǔ)元件12b的一般閾值電壓的一半或大約400毫伏，可以向上調(diào)整峰值電壓；結(jié)果為VREF。一旦峰值檢測(cè)器17感測(cè)到節(jié)點(diǎn)66′上的電壓由于OTS12a′閾值處理(或如有時(shí)描述的觸發(fā))而正在減少，調(diào)整的峰值電壓就會(huì)作為VREF而被輸出。
電壓VREF，用作一個(gè)到比較器42的輸入，如附圖1所示，然后和選定的列的列電壓比較，該電壓從存儲(chǔ)器陣列節(jié)點(diǎn)66中施加作為比較器42的另一個(gè)輸入。在一個(gè)實(shí)施例中，如果節(jié)點(diǎn)66從未達(dá)到VREF，則檢測(cè)設(shè)置位并且切斷讀電流。否則，如果選定的存儲(chǔ)器陣列列超出VREF，就檢測(cè)重置位。提供檢測(cè)的狀態(tài)給鎖存器44并且可用為一個(gè)輸出。
通常，在重置狀態(tài)中，單元12的最小組合閾值電壓被超出之前停止讀電流。就重置單元來(lái)說(shuō)，組合閾值電壓大約等于閾值裝置12a和重置存儲(chǔ)元件12b的閾值電壓的總和。就讀重置單元來(lái)說(shuō)，在一些實(shí)施例中選定裝置12a沒(méi)有定閾值。如果裝置12a或12b的閾值電流，Ith(oum)和Ith(ots)，在讀周期期間大致相同并且沒(méi)有被超出，則當(dāng)所選單元被重置時(shí)，兩者都不能以比它們的組合閾值電壓小的多的電壓接通。
設(shè)置單元具有大約0V的閾值電壓，因此串聯(lián)組合將以比重置單元低的電壓接通，對(duì)于每一個(gè)情況一旦選擇裝置12a接通，驅(qū)動(dòng)列較低(如果閾值電流大約相等，對(duì)于設(shè)置位，列剛一超出Vth(ots)列就轉(zhuǎn)換低；并且對(duì)于重置位依據(jù)選擇裝置和重置存儲(chǔ)單元的組合在大約Vth(ots)+Vth(oum)導(dǎo)通，列轉(zhuǎn)換低)。結(jié)果在節(jié)點(diǎn)66′轉(zhuǎn)換較低之后，比較器42通過(guò)確定所述單元是否在延遲時(shí)間內(nèi)超過(guò)了VREF能夠感測(cè)該單元是否接通。如果列達(dá)到參考電壓VREF，單元就被重置，否則位被設(shè)置，由此確定所選單元12的狀態(tài)。通過(guò)類似的方法，增加VREF可以產(chǎn)生來(lái)感測(cè)被放入單元中的附加電阻電平和相對(duì)于VREF的產(chǎn)生的列電平。
由此，在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)存儲(chǔ)元件12b被重置時(shí)，所選單元12的狀態(tài)在沒(méi)有對(duì)單元的選擇元件12a進(jìn)行閾值處理的情況下被確定。由于通過(guò)重置單元的閾值處理產(chǎn)生的位移電流可能發(fā)生讀取干擾。因?yàn)樵诒景l(fā)明的一些實(shí)施例中可能不進(jìn)行重置單元的這種閾值處理，所以能夠降低讀取干擾。當(dāng)讀設(shè)置單元時(shí)閾值裝置12a確實(shí)要進(jìn)行閾值處理，不過(guò)讀設(shè)置單元時(shí)讀取干擾的可能性被降低了。只要通過(guò)單元的電容性電流以所述降低的脈沖寬度被維持在小于Isafe(大約Ireset的50％)的水準(zhǔn)上，一組低電阻可以在選擇元件的位移電流閾值處理到低電壓期間被加強(qiáng)而不是降低。位移電流可能通過(guò)減少列電容(諸如每列具有少數(shù)位)減少和/或諸如通過(guò)調(diào)整電阻系數(shù)增加電極電阻來(lái)增加內(nèi)部單元電阻)。
有益地，因?yàn)檫@個(gè)電流被施加給設(shè)置位的時(shí)間大于過(guò)渡時(shí)間，所以通過(guò)用小于安全電流Isafe的電流一致限制施加給所選單元的電壓進(jìn)行讀取(該位移電流由選擇裝置的觸發(fā)生成)，。安全電流被定義為小于開始增加任何設(shè)置位的電阻的電流。在讀期間增加設(shè)置位的電阻可能導(dǎo)致讀取干擾(重置設(shè)置位)。換句話說(shuō)，強(qiáng)制穿過(guò)所選單元的電壓被保持的足夠低以避免將干擾設(shè)置單元的電流。
優(yōu)選地，在工廠對(duì)所有的位進(jìn)行掃描并將參考電壓(VREF)“編程”到芯片中，因此相對(duì)較好地集中了參考電壓，以便優(yōu)化由于使用、溫度的損耗在位方面的變化以及在閾值處理和保持電壓方面的電壓變化。優(yōu)選地，對(duì)于在芯片上多于一塊的大尺寸存儲(chǔ)器或者甚至對(duì)于較大塊中的塊片段，逐塊地調(diào)整參考電壓，。參考可能是溫度和補(bǔ)償?shù)捷^好地跟蹤單元邊緣的電壓。
在用于物理單元的多位方案中，能夠以類似的方式創(chuàng)建多個(gè)參考電壓。使用對(duì)那些本領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員顯而易見的方法寫入變化電阻電平到給定的單元可能允許每單元多于一位，盡管在這里描述的方法是用于每單元一位。例如，VREF1，和附加的VREF2以及VREF3可能被創(chuàng)建并且適當(dāng)?shù)卣{(diào)整以允許感測(cè)四個(gè)不同的電阻范圍——由此在一個(gè)物理單元中中存儲(chǔ)兩個(gè)或多個(gè)邏輯位。通過(guò)這種方法，或多或少地在物理存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)和感測(cè)電平或位，包括通過(guò)使用諸如利用二分法檢索之類的反饋/重寫。
參照附圖3A，根據(jù)一個(gè)假設(shè)的實(shí)施例列電壓電平隨著時(shí)間的過(guò)去被示出用于選定的列和行。在備用設(shè)備中或當(dāng)取消選定時(shí)，列電壓近似等于V/2，其中V與裝置12a和12b的閾值電壓有關(guān)，并且可能使用為那些本領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員所熟知的方法通過(guò)修整沖模對(duì)沖模地(die to die)調(diào)整?？梢允褂闷渌哂休^好地電壓邊緣的偏移方案但是增加了備用設(shè)備泄漏，諸如當(dāng)塊是活動(dòng)的取消選定列為1/3V以及行為2/3V(否則設(shè)置兩者為0伏)，或電壓在這些電壓和V/2之間。
在選擇單元用于讀或?qū)懫陂g，選擇的列電壓變高并且選擇的行電壓變低。當(dāng)取消選定時(shí)，行16具有最初的諸如V/2之類的高壓，其剛一選定就迅速地下降到穩(wěn)定的低選擇電壓，該電壓可能根據(jù)列驅(qū)動(dòng)器的大小以及列電流的數(shù)量接近于零。被取消選定的列14具有相對(duì)低的取消選定電壓，例如V/2，其可能在列被選定時(shí)增加。一旦選定，所選定的列電壓就會(huì)增加，如附圖3A所示。附圖3B示出選定的列電流如何逐步升高用于讀，強(qiáng)制附圖3A中選定的列電壓在列電流被施加之后上升，如附圖3B所示。
讀列電流，例如50ua，可能大于閾值裝置12a和設(shè)置存儲(chǔ)元件12b的閾值電流(閾值電流可能實(shí)質(zhì)上相等)，因?yàn)?，在附圖3A中示出的實(shí)施例中，在穿過(guò)存儲(chǔ)元件12b的電壓超出重置存儲(chǔ)元件12b的閾值電壓之前列充電被停止。
選定的列電壓向著選擇裝置12a的VTH升高。如果存儲(chǔ)元件被設(shè)置，只要選擇裝置12a定了閾值，在附圖3A中電壓就開始在點(diǎn)″a″處下降，正如在附圖3A中指出的″設(shè)置位″。在一個(gè)實(shí)施例中，剛一感測(cè)到列電壓的緩慢下降或負(fù)斜率，設(shè)置位就可以被鎖存在″a″。R-strobe信號(hào)，對(duì)于這個(gè)實(shí)施例，在附圖3c中的″a″示出。同樣地，在一個(gè)實(shí)施例中，正如在附圖3B中″a″處指出的，由于單元的閾值裝置12a觸發(fā)，讀電流可以在選定的設(shè)置被感測(cè)之后切斷。
在超出了附圖2中的閾值元件12a′的閾值電壓之后，重置位顯示出增加列電壓。當(dāng)列電壓達(dá)到VREF時(shí)，在附圖3C中重置位可以被鎖存在″b″。然后，在一個(gè)實(shí)施例中，列電流可以被切斷，正如在附圖3B中的″b″指出的。
在另一個(gè)實(shí)施例中，在列沒(méi)有超出VREF的情況下，當(dāng)超時(shí)被超出時(shí)(附圖3A“c”處所示)設(shè)置位可以被鎖存(如在附圖3C中的″c″指出的)。如附圖3B中的″c″處所示，讀電流可以被切斷。
如果想要讀改寫(RMW)操作，可以繼續(xù)驅(qū)動(dòng)列上的寫入電流，如在完成讀周期后在附圖3A和3B中指出的。通過(guò)增加電流到″寫重置″電流電平，例如1ma，然后在短時(shí)間例如10毫秒之后，突然地在時(shí)間間隔(迅速的下降沿小于10毫微秒)之后下降所述電流，如在附圖3A和3B中所示出的那樣，可以寫入重置位?；蛘?，設(shè)置位或中間電阻或Vth可以通過(guò)施加小于Ireset但是大于Isafe的電流寫入。中間電平可以通過(guò)確認(rèn)產(chǎn)生的讀電平是適當(dāng)?shù)幕蛲ㄟ^(guò)另外的寫入周期再調(diào)整來(lái)調(diào)整。
計(jì)時(shí)器49能夠當(dāng)讀取周期被請(qǐng)求并且列開始變高時(shí)在周期開始時(shí)開始?；蛘撸心軌蛲ㄟ^(guò)列充電速率傳感器超時(shí)。不管怎樣，設(shè)置位實(shí)質(zhì)上地改變列充電速率，發(fā)信號(hào)以鎖存位，如在附圖3C中的″a″處進(jìn)行設(shè)置那樣(以提供給輸出I/O)，或者列達(dá)到VREF，發(fā)信號(hào)以鎖存位，如在附圖3C中″b″處進(jìn)行重置那樣。因此，(1)如果讀期間在列上達(dá)到了VREF或者(2)如果設(shè)置位的特征被檢測(cè)，列電流可以通過(guò)比較VREF和停止讀電流在存儲(chǔ)元件12b觸發(fā)之前被關(guān)斷。
VREF是足夠低的電壓設(shè)置以避免加太多的閾值電壓穿過(guò)重置存儲(chǔ)元件12b。停止等于或低于VREF的列電壓阻止重置存儲(chǔ)元件12b進(jìn)行閾值處理和進(jìn)入dV/dI區(qū)域，其能夠迫使周期地刷新位。這種刷新包括在讀它之后重寫位，以維持它的高電阻狀態(tài)。這種刷新添加了讀周期時(shí)間并且減少了持續(xù)時(shí)間。
在一個(gè)實(shí)施例中，在沒(méi)有反饋或感測(cè)列電壓的情況下可以使用固定的計(jì)時(shí)，其中列有時(shí)間超出參考電壓并且兩者被輸入到比較器，在時(shí)間延遲之后輸出被鎖存。如果列由于正被設(shè)置而減慢，則該列低于VREF，否則高于它。盡管它是最簡(jiǎn)單的，這個(gè)方法可能在位線電容中遭受列到列的變化和在選擇裝置12a的閾值中從位到位的變化。如果變化是相當(dāng)多的，時(shí)間延遲可能太快因此列還沒(méi)有超出VTH(ots)，這就暗示了誤讀，因?yàn)榻Y(jié)果沒(méi)有充分地受存儲(chǔ)單元電阻狀態(tài)的影響?；蛘撸瑫r(shí)間延遲可能太慢，如果位被重置允許列電壓超出VTH(ots)和VTH(oum)兩者。由此，當(dāng)單元處于重置狀態(tài)時(shí)，一些反饋對(duì)于感測(cè)單元和阻止列超出VTH(oum)是合乎需要的。
為了更好的邊緣，在一些實(shí)施例中可能使用附圖4和5的電路，其可能創(chuàng)建更精確的超時(shí)(timeout)。在附圖4中，使用比率檢測(cè)比較器SD1(98A)和SD2(98B)(不在附圖1里)檢測(cè)充電列線的比率。設(shè)置位導(dǎo)致充電率改變以便比率變化可能被檢測(cè)以及超時(shí)更精確地開始以感測(cè)設(shè)置位沒(méi)有允許列超出VREF?？商鎿Q地，檢測(cè)比率變化可能允許在沒(méi)有超時(shí)的情況下鎖存一個(gè)用于設(shè)置狀態(tài)，同時(shí)如果比率變化足夠多單元狀態(tài)鎖存為設(shè)置。如果這個(gè)在超時(shí)發(fā)生之前沒(méi)有發(fā)生，則位被重置。或者，如果列首先超出VREF，位同樣地被確定為將被重置。
如附圖5A所示，由所選設(shè)置位驅(qū)動(dòng)的列可能導(dǎo)致比率檢測(cè)器輸出到低于0V，例如，或者低于一些適當(dāng)?shù)卣{(diào)整的參考電壓，其是比較器SD298B的另一個(gè)輸入。如果比率改變足以下降到低于比較器SD1的另一個(gè)輸入，閾值裝置12a已經(jīng)觸發(fā)并且單元狀態(tài)可能被確定為設(shè)置?；蛘撸?jì)時(shí)器能夠被啟動(dòng)以看看位從那時(shí)以后是否立即下降到Vd2的輸入，設(shè)置較低并且位確定為設(shè)置或相反在短暫的超時(shí)之后位可能被確定為重置。
附圖4的電路可能用來(lái)減少VHots的靈敏度并且改善計(jì)時(shí)精度和讀取速度(與固定的超時(shí)相比)，因此在一些實(shí)施例中在讀取期間改善讀取延遲和電壓邊緣。這里，選定的讀出列輸出C通過(guò)運(yùn)算放大器530被緩沖，因此節(jié)點(diǎn)D能夠通過(guò)區(qū)分串聯(lián)的Cd和Rd組合來(lái)驅(qū)動(dòng)輸入到兩個(gè)比較器SD1與SD2中。本領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員對(duì)于感測(cè)在充電所述列的速率方面的變化將發(fā)現(xiàn)其它可替換的方法和改進(jìn)，就像在比率微分器中使用的。
讀出放大器和計(jì)時(shí)電路525可能包括運(yùn)算放大器530，其根據(jù)來(lái)自于選定的線14c的電壓提供輸出電壓，正如附圖4中C處指示的。如D處所示出的，運(yùn)算放大器530的輸出可以被反饋到它的輸入，在某種意義上因此530的輸出追蹤它的輸入。運(yùn)算放大器的輸出也被耦合到電容器Cd和電阻器Rd。同時(shí)地，電容器和電阻器產(chǎn)生差分的輸出Vd。因此，電壓Vd基本上是來(lái)自于選擇的列線14c的充電電壓C的變化率的導(dǎo)數(shù)。
讀出放大器和計(jì)時(shí)電路525也可能包括具有接收差分的列線電壓Vd的終端的比較器SD1。比較器SD1也從可調(diào)電壓源，540中接收電壓Vd1。比較器SD1的輸出端提供輸出SWC比較可調(diào)電壓Vd1和電壓Vd。這個(gè)信號(hào)然后可能被提供給計(jì)時(shí)電路545。計(jì)時(shí)電路545可以通過(guò)來(lái)自于比較器SD2的讀使能信號(hào)READ_EN使能并且通過(guò)信號(hào)SWC或通過(guò)內(nèi)部超時(shí)停止。
向比較器SD2的輸入也被耦合到節(jié)點(diǎn)Vd。比較器SD2被耦合到電壓電源550，其提供可調(diào)電壓電平Vd2。比較器SD2提供指示在電壓Vd和來(lái)自于源550的可變電壓Vd2之間的比較的輸出。源540和550可以是芯片內(nèi)的并且使用帶隙方法生成來(lái)使用為那些本領(lǐng)域中的那些普通技術(shù)人員所熟知的方法適當(dāng)?shù)匮a(bǔ)償溫度和電源變化。
電壓電源540的電壓Vd1可以選定的擇為低于由導(dǎo)數(shù)電壓Vd達(dá)到的最大值。電壓電源550的電壓Vd2可以選定的擇為適當(dāng)?shù)氐陀谠?40的電壓，并且可能接近于0伏。
比較器SD2的輸出SAout可以被耦合到鎖存器555，其當(dāng)由來(lái)自于計(jì)時(shí)電路545的Read_EN(讀)選通信號(hào)通過(guò)線SH使能時(shí)存儲(chǔ)輸出信號(hào)。計(jì)時(shí)電路545根據(jù)從比較器SD1，SD2，和42的輸出提供選通信號(hào)SH到鎖存器555。例如，位可以被重置和0可以被鎖存(和讀電流被停止)如果或者列電壓超過(guò)VREF，或者SD1的輸出轉(zhuǎn)換因?yàn)樽兓蕦?dǎo)致Vd超過(guò)Vd1然后下降到低于它，但是在短暫的超時(shí)，例如大約10-20毫微秒之后Vd沒(méi)有下降到低于Vd2(因此位被作為重置位鎖存)。
SD1的輸出轉(zhuǎn)換為高并且然后為低因?yàn)樗俾蕦?dǎo)數(shù)電壓Vd超過(guò)Vd1然后下降到低于它(其對(duì)于設(shè)置和重置位兩者都會(huì)發(fā)生)。然后SD2可以轉(zhuǎn)換因?yàn)閂d也下降到低于Vd2。
位被作為設(shè)置位“1”鎖存(并且讀電流停止)如果在超時(shí)之后列沒(méi)有超過(guò)VREF，或者如果SD2的輸出轉(zhuǎn)換因?yàn)閂d超過(guò)Vd1然后下降到低于Vd2因?yàn)樵诹谐潆姷谋嚷市甭史矫孀銐虻淖兓?并且然后放電)因?yàn)槲槐辉O(shè)置。
參照附圖5A，在讀操作期間，短暫的列線電壓首先從未選定的電壓增長(zhǎng)，時(shí)間t2，向穩(wěn)定狀態(tài)(選定的列)Vfinal，取決于存儲(chǔ)在選定的存儲(chǔ)元件12b中的邏輯值。
在轉(zhuǎn)換時(shí)間，t1，如果位被設(shè)置閾值裝置12a定閾值(觸發(fā))，快速的從VTH(ots)減少電壓到VH(ots)橫穿過(guò)它。然后一些或所有的電壓橫穿過(guò)存儲(chǔ)元件12b，在短暫的逐漸消失之后大約IreadxRset。在一種情況下其中設(shè)置位被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)元件12b中，線14c電壓大量地變慢甚至開始朝較低地穩(wěn)定狀態(tài)電壓下降。
在一種情況下其中重置位被存儲(chǔ)，線電壓，依賴于位的電阻也依賴于選擇裝置12a’的快速返回電壓Vsnap，朝設(shè)置位的值之上的值適當(dāng)?shù)卦鲩L(zhǎng)，并且可能當(dāng)列超過(guò)VREF時(shí)停止。否則，當(dāng)Vth(ots)+Vth(oum)被超過(guò)時(shí)單元將觸發(fā)，或者如果Ith(ots)大約不等于Ith(oum)較少的電壓。
導(dǎo)出的電壓Vd對(duì)應(yīng)于線電壓的傾斜度。相應(yīng)的，在時(shí)間t2，當(dāng)開始讀出時(shí)，導(dǎo)出的電壓Vd開始從零增長(zhǎng)并且迅速地使在峰值電壓變得水平直到時(shí)間t1當(dāng)裝置12a觸發(fā)。
當(dāng)存儲(chǔ)元件12b存儲(chǔ)設(shè)置位，在t1之后導(dǎo)出地電壓Vd迅速減少，并且可能甚至變成負(fù)的。當(dāng)選定的12b存儲(chǔ)元件被設(shè)置(低電阻)，在選定的列行上的電壓迅速的減少接近穩(wěn)定狀態(tài)值因?yàn)镽C低的多，并且因此導(dǎo)出的電壓達(dá)到0伏作為穩(wěn)定的狀態(tài)值被建立。這樣，Vd可以首先超過(guò)Vd1和Vd2，然后在穩(wěn)定到0伏之前下降到低于兩者，直到當(dāng)讀周期結(jié)束時(shí)讀電流被關(guān)斷。
在一種情況下其中存儲(chǔ)元件12b存儲(chǔ)重置位，在t1之后，其中設(shè)置位將放慢或減少所述列，在選擇和存儲(chǔ)元件兩者的合成電壓Vth被超過(guò)之前(最好超過(guò)VREF)，由于選擇裝置沒(méi)有觸發(fā)，所以導(dǎo)出的電壓Vd(重置)不會(huì)減少。
導(dǎo)出的電壓Vd首先超過(guò)然后降低到低于來(lái)自于源540的第一電壓Vd1(附圖5A)，但是僅僅對(duì)于設(shè)置位。從比較器SD1中的輸出以低值開始，并且在讀電流開始之后轉(zhuǎn)變?yōu)楦哌壿嬛?。然后，?dāng)對(duì)于設(shè)置位閾值元件12a已經(jīng)觸發(fā)時(shí)比較器SD1轉(zhuǎn)變?yōu)榈瓦壿嬛怠?br> 當(dāng)導(dǎo)出的電壓Vd降低到低于電壓電源550的電壓Vd2，在設(shè)置位的情況下，比較器SD2的輸出信號(hào)再一次轉(zhuǎn)回到高邏輯值。然后，計(jì)時(shí)塊從比較器SD2中接收朝正向變化的轉(zhuǎn)換控制信號(hào)。因此，計(jì)時(shí)電路545要求計(jì)時(shí)信號(hào)SH并且使能鎖存器555以存儲(chǔ)來(lái)自于比較器SD2的輸出信號(hào)的值作為設(shè)置位，如果其現(xiàn)在為高的話。
換句話說(shuō)，在預(yù)先決定的超時(shí)期間之后，(諸如10毫微秒)從t2開始，在讀周期開始之后，如果比較器SD2的輸出信號(hào)仍然為低邏輯0值，計(jì)時(shí)塊545使能鎖存器555并且重置位被鎖存。從鎖存器555鎖存的值對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)在選定的存儲(chǔ)元件12b中的邏輯值，并且由于該位沒(méi)有被設(shè)置而作為0輸入?；蛘吡锌赡艹^(guò)VREF，其中也將觸發(fā)鎖存零并且通過(guò)停止列電流結(jié)束讀周期。
檢測(cè)對(duì)于設(shè)置位閾值元件12a的轉(zhuǎn)換可能適當(dāng)?shù)叵拗屏俗x電流脈沖的讀時(shí)間，延遲，和持續(xù)時(shí)間。尤其是，在一些實(shí)施例中，列14c電壓可以在達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)之前被感測(cè)，這就改善了速度并且允許使用大于ITH(oum)的電流。在一些實(shí)施例中，使用振幅基本上等于或者大于存儲(chǔ)元件12b的閾值電流的電流脈沖可以改善讀延遲。在一些實(shí)施例中，可以限制脈沖的持續(xù)時(shí)間，以便于通過(guò)避免多于VTH的電壓被施加于重置位來(lái)減少存儲(chǔ)元件12b的虛假的編程。
如附圖5A所示，重置位的列節(jié)點(diǎn)C變高直到它超過(guò)VREF(除非通過(guò)超時(shí)很快停止)。然后，列讀電流可以被關(guān)斷并且周期停止，導(dǎo)致列電壓停留在常數(shù)直到它被預(yù)充電到取消選定的電壓。對(duì)于設(shè)置位，節(jié)點(diǎn)D(附圖4)根據(jù)選擇裝置急速返回電壓的數(shù)值停止或者下降并且IR(Iread x Rset)在設(shè)備12a觸發(fā)之后落入存儲(chǔ)元件12b。
用于設(shè)置位的Vd(設(shè)置)下降到低于Vd1并且可以下降到低于Vd2(乃至變成負(fù)的)并且因此在12a定了閾值之后斷開比較器SD1和SD2。這個(gè)比較器輸出Vd1可以最佳地用來(lái)開始″超時(shí)″數(shù)據(jù)選通，其使用計(jì)時(shí)電路545代替其它超時(shí)方法或者電壓感測(cè)VREF，并且因此與固定的超時(shí)方法相比，啟動(dòng)鎖存器555以檢測(cè)設(shè)置。因此，在列超過(guò)閾值設(shè)備12a的閾值電壓之后不久數(shù)據(jù)被鎖存，沒(méi)有等待看看電壓C是否超過(guò)了VREF(或沒(méi)有超過(guò))。到比較器42中的參考電壓，VREF，如果被超過(guò)，位被讀取的信號(hào)被重置。如果在適當(dāng)?shù)某瑫r(shí)之后列沒(méi)有超過(guò)VREF，則位被設(shè)置。
通過(guò)在比率檢測(cè)器輸出電壓Vd上使用峰值檢測(cè)器，可以進(jìn)一步改善附圖4和5的實(shí)施例。峰值檢測(cè)器允許在讀取位期間相對(duì)于峰值變化率來(lái)比較列變化率，以發(fā)現(xiàn)列變化率相對(duì)于峰值Vd已經(jīng)減少了多少，這對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是顯而易見的。
作為非限制性的例子，在附圖6中比較器SD1和SD2被替換，并且它們的輸入改為驅(qū)動(dòng)源跟隨器64到比較器98c和98d中，所述比較器檢測(cè)(跟隨)選定的列節(jié)點(diǎn)充電率，Vd。同樣，另一個(gè)源跟隨器62產(chǎn)生了同樣轉(zhuǎn)換的峰值變化率電壓。該電壓可以通過(guò)統(tǒng)一的增益運(yùn)算放大器60來(lái)緩沖，并由產(chǎn)生低電壓B和C的電阻或電容分壓器進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換。值相對(duì)較高的電阻器R4與電容C1并聯(lián)，以便重置讀周期之間的節(jié)點(diǎn)。電阻可能被設(shè)置具有大約200毫微秒的R4C1延遲。
在附圖6中，在C1上檢測(cè)峰值。電壓D和E由晶體管62和64驅(qū)動(dòng)?？梢栽黾宇~外的N溝道晶體管(未示出)以在讀周期的末尾驅(qū)動(dòng)這些晶體管中的每一個(gè)的源級(jí)到地線，以重置節(jié)點(diǎn)直到下次的讀周期。
源跟隨器62的輸出通過(guò)運(yùn)算放大器60緩沖，其依次驅(qū)動(dòng)電阻分壓器R1，R2，和R3，分別地創(chuàng)建低電壓B和C。R1，R2，或R3可以使用例如激光熔合修補(bǔ)方法修整。中間節(jié)點(diǎn)B和C動(dòng)態(tài)地調(diào)整到比較器98c和98d的參考輸入，其用Vd的峰值跟蹤，在E和A反映。在附圖4中比較器98c和98d執(zhí)行和SD1和SD2類似的功能。然而，在其它實(shí)施例中的參考直流電壓540和550被分別地替換為動(dòng)態(tài)地調(diào)整參考電平B和C。例如，B和C可以被改為送往SD1和SD2(而不是Vd1和Vd2)，用于在附圖4的實(shí)施例中的操作。
ry附圖4中固定電壓Vd1和Vd2的比較，在附圖6的實(shí)施例中，變化率與在讀周期期間的電壓相比。最初，列以最快的速率正向充電，因?yàn)橹钡竭x擇裝置12a觸發(fā)，所選單元的電阻是最高的并且泄漏到單元中的是最少的，穿過(guò)該單元的電壓更少。利用最高的電阻，大部分讀電流充電電容并且在列上建立最快可能的變化率。在其余的讀周期期間，在運(yùn)算放大器60的輸入上，節(jié)點(diǎn)E，檢測(cè)、轉(zhuǎn)化、并存儲(chǔ)峰值變化率，在緩沖節(jié)點(diǎn)A也類似。R4C1能夠在電壓方向相對(duì)快地被提高。然而，R4C1與讀周期的活動(dòng)的部分相比足夠大以至于E慢慢地下降，慢到足以在達(dá)到峰值之后的其余的讀周期期間，所建立的峰值在電壓方向下降得非常少。
如果位被設(shè)置，在選擇裝置12a觸發(fā)之后D將下降到低于電壓B和C兩者，因?yàn)樵谘b置12a觸發(fā)前后在電阻方面的變化對(duì)于設(shè)置位將大于重置位。隨著通過(guò)檢測(cè)和存儲(chǔ)它更精確的設(shè)置峰值變化率，電平B和C兩者能夠被設(shè)置接近于峰值的變化率，可是由于在相對(duì)于峰值速率設(shè)置電平中提高了精確度，其一定小于峰值變化率。如果變化率降到VB之下，計(jì)時(shí)器可以被更精確地啟動(dòng)(相對(duì)于從讀周期的啟動(dòng)開始的計(jì)時(shí)器)。
節(jié)點(diǎn)D來(lái)回地跟蹤所選列線，轉(zhuǎn)化Vgs。感測(cè)列充電速率的減慢可用于超時(shí)列以鎖存數(shù)據(jù)和結(jié)束讀周期。例如，如果節(jié)點(diǎn)D輸入到比較器98c和98d首先上升然后降到電壓B和C兩者之下，當(dāng)節(jié)點(diǎn)低于C時(shí)位被設(shè)置并且周期可能結(jié)束。
同樣地，在節(jié)點(diǎn)D超出然后降到B下之后，超時(shí)可以被啟動(dòng)。在此后的短周期中，例如10毫微秒，周期可能結(jié)束。如果列沒(méi)有超出VREF或D降到Vc之下，位被設(shè)置。否則，位被重置。后面的方法有助于確保不超出VREF，并且本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以用該方法消除VREF。
首選地，在選擇裝置12a中增加的急速返回電壓可以相對(duì)于IreadxRset以導(dǎo)致對(duì)于設(shè)置位在列變化率方面的更多的變化。選定元件12a和存儲(chǔ)元件12b的閾值電壓可能被增加以補(bǔ)償在Vth(ots)中更多的變化和在結(jié)合的總的，Vth(ots)+Vth(oum)中更多的變化，例如通過(guò)在處理中增加裝置的厚度。
因此，附圖6的電路可以作為峰值檢測(cè)器以便更精確地啟動(dòng)對(duì)附圖4的電路的計(jì)時(shí)。并且，該電路可以用來(lái)確定單元狀態(tài)被設(shè)置。列電壓沒(méi)有通過(guò)限制列電壓到VREF或利用超時(shí)放置多于VTH的電壓穿過(guò)存儲(chǔ)器感測(cè)材料12b，例如當(dāng)在高電阻狀態(tài)中它被重置。
通過(guò)利用附圖4中的電路感測(cè)從運(yùn)算放大器60的速率檢測(cè)器輸出電壓的峰值的大幅下降，附圖6的峰值感測(cè)器能夠進(jìn)一步改進(jìn)速率變化的感測(cè)。當(dāng)選擇裝置閾值被超出時(shí)下降，發(fā)生因此選擇裝置12a從Vth橫穿它向低電壓VH轉(zhuǎn)換，或者至少當(dāng)12a閾值處理為″開″時(shí)裝置12a和12b的電阻的串聯(lián)組合下降。
任何下降相對(duì)于峰值更準(zhǔn)確地被檢測(cè)(而不是絕對(duì)的基于受VH，dV/d1，等等變化的影響)。如果沒(méi)有在所選列的充電啟動(dòng)(t2)之后的超時(shí)內(nèi)很快地或者在選擇裝置轉(zhuǎn)換(t1)之后立即(例如在幾毫微秒之后)地發(fā)生斜率大幅度變化，則數(shù)據(jù)可以被鎖存位重置，否則鎖存為設(shè)置。
在一些實(shí)施例中，通過(guò)利用峰值檢測(cè)器，在選擇裝置12a的電阻中變化或位線電容中的變化可以被較好地調(diào)節(jié)。也就是說(shuō)，最初充電列的速率被逐位地自調(diào)整。由此，通過(guò)分壓器來(lái)感測(cè)并存儲(chǔ)在C1上的峰值電壓的減少，以產(chǎn)生附圖6中的電壓B和C，其等同于附圖4中使用的540和550。當(dāng)選擇裝置導(dǎo)通時(shí)使用動(dòng)態(tài)的電壓可以在感測(cè)中改善邊緣，并且由此在用降低讀訪問(wèn)延遲的電勢(shì)通過(guò)不必超時(shí)感測(cè)設(shè)置位來(lái)對(duì)位進(jìn)行設(shè)置時(shí)，更好地確保了檢測(cè)。
為了通過(guò)列電壓充電到非常高的電壓進(jìn)一步地確保VTH(oum)沒(méi)有被超出，其可以取重置12b存儲(chǔ)器的閾值，可以感測(cè)列上的電壓。如果達(dá)到大于箝位VREF的電壓，則讀電流可以被停止并且單元狀態(tài)鎖存為重置。當(dāng)使用附圖4和附圖6的實(shí)施例時(shí)這是對(duì)選通鎖存器可替換的時(shí)間而不是僅僅等待超時(shí)。同樣，這能夠進(jìn)一步地保證在停止周期中如果位被重置，而不是僅僅從啟動(dòng)讀周期開始等待超時(shí)。
在一些實(shí)施例中，可以在不需要在存儲(chǔ)元件12b的閾值電壓方面類似的增長(zhǎng)的情況下利用相變存儲(chǔ)器選擇元件12a的較大的急速返回電壓。低或沒(méi)有急速返回閾值裝置可以要求較薄的硫族化物薄膜厚度，特別處理的電極，和，或許，用于每個(gè)選擇裝置若干的串聯(lián)閾值裝置以便提供有效的保持或類似值的閾值電壓并且導(dǎo)致比傳統(tǒng)的完全的急速返回閾值裝置更大的斷開狀態(tài)泄漏。
在一些實(shí)施例中，可以使用存儲(chǔ)元件陣列，所述存儲(chǔ)元件陣列具有下述選擇裝置，其急速返回電壓大于或等于存儲(chǔ)元件的最小閾值電壓。在一些實(shí)施例中，選擇裝置12b可能具有閾值電壓，所述閾值電壓比它的保持電壓大多于存儲(chǔ)元件12a的閾值電壓加最小的存儲(chǔ)元件閾值電壓一半。
通過(guò)沒(méi)有定選擇裝置的閾值除非存儲(chǔ)元件被設(shè)置，在重置狀態(tài)中在沒(méi)有存儲(chǔ)元件的讀出干擾的風(fēng)險(xiǎn)的情況下，選擇裝置的急速返回電壓能夠大于存儲(chǔ)元件的閾值電壓。沒(méi)有定選擇元件閾值除非存儲(chǔ)元件被設(shè)置，允許使用單個(gè)，厚的，選擇ots裝置以實(shí)現(xiàn)對(duì)于選擇裝置必要的閾值電壓。
在一個(gè)實(shí)施例中，用于選擇裝置的閾值電壓可能大約3伏。厚的閾值裝置，具有大的閾值電壓和大的急速返回電壓，可能具有比兩個(gè)串聯(lián)的具有相同的總的閾值電壓的選擇裝置低的泄漏。
在一些實(shí)施例中，低的選擇裝置斷開狀態(tài)泄漏電流更能實(shí)現(xiàn)用于給定的硫族化物合金。代替通過(guò)在存儲(chǔ)元件中找到兩個(gè)電阻電平的差異檢測(cè)單元狀態(tài)，讀出放大器可以改為區(qū)別存儲(chǔ)單元狀態(tài)之間的結(jié)合的單元閾值電壓差異。在這里描述的實(shí)施例中，當(dāng)它在讀出期間被重置時(shí)，在選擇裝置的Vth和Vh之間的差異(Vsnapback)在沒(méi)有定存儲(chǔ)元件閾值的情況下可能超出存儲(chǔ)元件的Vth。允許在選擇裝置中較大的Vsnapback可以改善相同的陣列中未經(jīng)過(guò)選擇的單元的選擇裝置斷開狀態(tài)泄漏，并通過(guò)允許更多的急速返回電壓放寬選擇裝置特征的必要條件并且，因此，當(dāng)選擇裝置處于取消選定和未定閾值狀態(tài)時(shí)提供較低的泄漏。
另外，區(qū)別結(jié)合的單元電壓可以通過(guò)允許它的閾值電壓小于選擇裝置的急速返回電壓放寬存儲(chǔ)元件的必要條件。同樣，借助于完全的急速返回選擇裝置，在相同的行或列上橫穿未經(jīng)過(guò)選擇的位的偏壓作為選擇的位能夠被減少，從而減少斷路狀態(tài)的漏泄電流，因?yàn)楫?dāng)強(qiáng)制測(cè)量泄漏的電壓具有較低的閾值裝置的閾值電壓的百分比時(shí)寫入電壓較小因此泄漏較小。
同樣，在一些實(shí)施例中，由于選擇裝置的急速返回存在重置位的讀出干擾的較小的危險(xiǎn)。在讀出期間可能存在干擾設(shè)置位的增長(zhǎng)的風(fēng)險(xiǎn)，但是這可能通過(guò)在列電容中適當(dāng)?shù)臏p少和/或在串聯(lián)組合的閾值裝置和存儲(chǔ)元件中增長(zhǎng)的內(nèi)電阻補(bǔ)償。
選擇裝置急速返回不能干擾重置位，因?yàn)楫?dāng)存儲(chǔ)元件被重置時(shí)選擇裝置不接通(閾值)。人們比較注意存儲(chǔ)元件的設(shè)計(jì)，以保證設(shè)置位不會(huì)受到閾值裝置急速返回的干擾。然而，這比較容易實(shí)現(xiàn)，因?yàn)樾枰嗟碾娏鞑拍芨蓴_設(shè)置位，并且除非超出安全電流，否則過(guò)了很多讀周期后也不累積所述效應(yīng)。
在一些實(shí)施例中，由于使用電壓檢測(cè)代替電阻檢測(cè)用于讀出單元狀態(tài)，可以對(duì)存儲(chǔ)元件的設(shè)置重置電阻窗口要求較低。
當(dāng)選擇裝置定閾值時(shí)選擇裝置的閾值電流可以被設(shè)計(jì)為大約等于存儲(chǔ)元件的閾值電流，因此選擇裝置和存儲(chǔ)元件兩者閾值在或接近于合并的總的閾值電壓。
在超出了所述選擇裝置的閾值電壓并且所述選擇裝置定閾值時(shí)，其選擇裝置定閾值，此時(shí)，穿過(guò)存儲(chǔ)元件產(chǎn)生的外加電壓可能幾乎等于存儲(chǔ)元件的閾值電壓。同樣地，當(dāng)存儲(chǔ)元件的閾值電壓被超出并且存儲(chǔ)元件定閾值時(shí)，穿過(guò)選擇裝置的外加電壓可能是高比例的選擇裝置的閾值電壓(如果在閾值裝置之前重置存儲(chǔ)元件定閾值，當(dāng)列電壓穿過(guò)所述單元而被增加時(shí))。只要選定元件或者存儲(chǔ)元件定閾值，穿過(guò)閾值元件的電壓減少。因?yàn)樵诹猩系碾妷翰荒芗纯套兓?，穿過(guò)另一個(gè)元件的電壓增長(zhǎng)促使它到同樣的閾值(如果仍未定閾值)。因此，閾值裝置的閾值電流可以被調(diào)節(jié)為近似相等存儲(chǔ)元件的閾值電流以便兩者閾值均為它們各自的閾值電壓高的百分比(當(dāng)存儲(chǔ)元件被重置時(shí))。
轉(zhuǎn)向附圖7，描述了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例系統(tǒng)500的一部分。系統(tǒng)500可以被用于無(wú)線電設(shè)備例如，例如，個(gè)人數(shù)字助理(PDA)，具有無(wú)線能力的膝上型或便攜式計(jì)算機(jī)，網(wǎng)絡(luò)圖形輸入板，無(wú)線電話，傳呼機(jī)，即時(shí)信息存儲(chǔ)裝置，數(shù)字音樂(lè)播放程序，數(shù)字?jǐn)z象機(jī)，或其它可以適合于無(wú)線傳送和/或接收信息的裝置。系統(tǒng)500可以被用于下列任何系統(tǒng)無(wú)線局域網(wǎng)(WLAN)系統(tǒng)，無(wú)線個(gè)人的區(qū)域網(wǎng)(WPAN)系統(tǒng)，或蜂窩網(wǎng)絡(luò)，盡管本發(fā)明的范圍沒(méi)有局限于在這方面。
系統(tǒng)500可以包括控制器510，輸入/輸出(I/O)裝置520(例如鍵盤，顯示器)，存儲(chǔ)器530，無(wú)線接口540，數(shù)字?jǐn)z象機(jī)550，和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)560并且彼此經(jīng)由總線550耦合。在一個(gè)實(shí)施例中電池580可以提供電源到系統(tǒng)500。應(yīng)當(dāng)注意本發(fā)明的范圍不局限于具有任何或所有這些元件的實(shí)施例。
控制器510可以包含，例如一個(gè)或多個(gè)微處理器，數(shù)字信號(hào)處理器，微控制器，等等。存儲(chǔ)器530可能用來(lái)存儲(chǔ)被傳輸?shù)交蛴上到y(tǒng)500傳輸?shù)男畔?。存?chǔ)器530可能也選定性地用來(lái)存儲(chǔ)由控制器510在系統(tǒng)500的操作期間執(zhí)行的指令，以及可能用來(lái)存儲(chǔ)用戶數(shù)據(jù)。指令可以被存為數(shù)字信息和用戶數(shù)據(jù)，正如在這里公開的，可以保存在存儲(chǔ)器的一個(gè)部分中作為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)并且在另一個(gè)部分中作為模擬存儲(chǔ)器。作為另一個(gè)例子，曾經(jīng)給定部分可以被照此標(biāo)注并且存儲(chǔ)數(shù)字信息，然后新近的可以被重新標(biāo)注并且重新配置存儲(chǔ)模擬信息。存儲(chǔ)器530可以由一個(gè)或多個(gè)不同類型的存儲(chǔ)器提供。例如，存儲(chǔ)器530可以包含易失性存儲(chǔ)器(任何類型的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)，非易失性存儲(chǔ)器例如閃速存儲(chǔ)器，和/或在附圖1，4或6中舉例說(shuō)明的存儲(chǔ)器10。
輸入輸出裝置520可能用來(lái)產(chǎn)生消息。系統(tǒng)500可以使用無(wú)線接口540來(lái)用無(wú)線電頻率(RF)信號(hào)發(fā)送與接收消息到和從無(wú)線電通信網(wǎng)絡(luò)中。無(wú)線接口540的例子可能包括天線，或無(wú)線電收發(fā)機(jī)，例如偶極天線，盡管本發(fā)明的范圍不限制在這方面。同時(shí)，輸入輸出裝置520可能傳遞反映什么被存為或者數(shù)字輸出(如果數(shù)字信息被存儲(chǔ))，或者可能是模擬信息(如果模擬信息被存儲(chǔ))的電壓。
當(dāng)以無(wú)線應(yīng)用的例子被提供在上面時(shí)，本發(fā)明的實(shí)施例也可能同時(shí)用于非無(wú)線應(yīng)用。
當(dāng)本發(fā)明已經(jīng)描述了關(guān)于有限數(shù)目的實(shí)施例時(shí)，那些本領(lǐng)域中的技術(shù)人員將理解從其中的許多的修改和變化。意圖是附加的權(quán)利要求覆蓋所有的這種修改和變化作為落入本發(fā)明的實(shí)際的精神和范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種方法，包含讀取包括相變存儲(chǔ)元件和沒(méi)有改變相位的硫族化物選擇裝置的存儲(chǔ)單元，僅僅通過(guò)當(dāng)所述存儲(chǔ)元件被設(shè)置時(shí)閾值處理所述選擇裝置和當(dāng)所述存儲(chǔ)元件被重置時(shí)不閾值處理所述選擇裝置。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，包括使用參考電平讀取所述元件。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，包括當(dāng)設(shè)置單元被檢測(cè)時(shí)減少讀電流早于當(dāng)檢測(cè)重置單元時(shí)。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，包括在重置存儲(chǔ)元件閾值之前減少讀電流。
5.如權(quán)利要求2所述的方法，包括感測(cè)在選擇的地址線上的電平是否達(dá)到或超出參考電平。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，包括形成具有選擇裝置的存儲(chǔ)元件陣列，該選擇裝置具有閾值電壓，并且使用其急速返回電壓大于或等于存儲(chǔ)元件的最小閾值電壓的選擇裝置。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，包括使用閾值電壓大于存儲(chǔ)元件閾值電壓最小值的選擇裝置。
8.如權(quán)利要求6所述的方法，包括確定所選地址線電壓的變化率。
9.如權(quán)利要求6所述的方法，包括檢測(cè)所選地址線電壓的峰值速率的變化。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，包括防止單元暴露在足以干擾設(shè)置單元的電流面前。
11.一種存儲(chǔ)器，包含相變存儲(chǔ)單元陣列，包括耦合到所述單元的地址線，并且所述單元包括耦合到?jīng)]有改變相位的選擇裝置的存儲(chǔ)元件；以及感測(cè)所述地址線的讀出放大器，所述讀出放大器在沒(méi)有閾值處理重置單元的選擇裝置的情況下感測(cè)所述地址線。
12.如權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)器，其中所述單元包括與相變存儲(chǔ)元件串聯(lián)的、不可編程的硫族化物選擇裝置。
13.如權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)器，包括耦合到所述地址線的充電率檢測(cè)器。
14.如權(quán)利要求13所述的存儲(chǔ)器，其中所述速率檢測(cè)器啟動(dòng)所選計(jì)時(shí)器。
15.如權(quán)利要求13所述的存儲(chǔ)器，其中在速率方面的變化用來(lái)確定存儲(chǔ)單元狀態(tài)。
16.如權(quán)利要求14所述的存儲(chǔ)器，其中參考信號(hào)發(fā)生器存儲(chǔ)參考電平，它在從所述線中讀取期間是充電所述所選地址線的峰值速率。
17.如權(quán)利要求15所述的存儲(chǔ)器，其中所述發(fā)生器輸出轉(zhuǎn)化的參考水平用于與所選地址線的變化率比較。
18.如權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)器，其中所述讀出放大器感測(cè)在所選地址線上的電平是否達(dá)到或超出參考電平。
19.如權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)器，包括具有參考選擇裝置的參考電路和耦合到所述選擇裝置的電流源。
20.如權(quán)利要求19所述的存儲(chǔ)器，包括耦合到所述參考選擇裝置的峰值檢測(cè)器和升壓器以形成比觸發(fā)設(shè)置單元的電壓高但是比觸發(fā)重置單元的電壓低的參考電壓。
21.一種系統(tǒng)包含處理器；耦合到所述處理器的電池；和存儲(chǔ)器，包括相變存儲(chǔ)單元陣列，它具有耦合到所述單元的地址線，所述單元包括硫族化物存儲(chǔ)元件和不改變相位的硫族化物選定裝置，所述存儲(chǔ)器包括電路以在沒(méi)有閾值處理所述選定裝置的情況下當(dāng)重置時(shí)感測(cè)所述單元的狀態(tài)。
22.如權(quán)利要求21所述的系統(tǒng)，其中所述單元包括串聯(lián)連接到硫族化物存儲(chǔ)元件的、不可編程的硫族化物選定裝置。
23.如權(quán)利要求21所述的系統(tǒng)，其中所述存儲(chǔ)器包括耦合到所述地址線的參考電路。
24.如權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，其中所述參考電路存儲(chǔ)從所述線中派生的充電電平的參考峰值速率。
25.如權(quán)利要求24所述的系統(tǒng)，其中所述參考電路減少來(lái)自于所述線的信號(hào)的電平。
26.如權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，其中所述參考電路包括參考選擇裝置。
27.如權(quán)利要求21所述的系統(tǒng)，包括照相機(jī)。
28.如權(quán)利要求21所述的系統(tǒng)，包括照相機(jī)，其中信息存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器上，其中單元狀態(tài)通過(guò)速率檢測(cè)器確定。
29.如權(quán)利要求28所述的系統(tǒng)，包括峰值檢測(cè)器。
30.如權(quán)利要求29所述的系統(tǒng)，包括從峰值檢測(cè)器轉(zhuǎn)化的電平用于與速率檢測(cè)器輸出進(jìn)行比較。
全文摘要
可以讀取相變存儲(chǔ)器以便減少讀取干擾的可能性。在下述情況下可能會(huì)發(fā)生讀取干擾，例如當(dāng)重置裝置被升到一個(gè)電壓，該電壓導(dǎo)致它的閾值裝置觸發(fā)時(shí)。觸發(fā)閾值裝置產(chǎn)生位移電流，該位移電流可能轉(zhuǎn)換重置裝置到設(shè)置裝置。通過(guò)保證重置單元從不達(dá)到將導(dǎo)致觸發(fā)閾值裝置的電壓，能夠降低讀取干擾。
文檔編號(hào)G11C16/06GK1881469SQ20061009985
公開日2006年12月20日 申請(qǐng)日期2006年4月14日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月14日
發(fā)明者S·A·科斯泰雷弗, T·勞里, W·丘巴泰耶, W·D·帕金森 申請(qǐng)人:奧沃尼克斯股份有限公司