技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種溝槽型VDMOS制造方法。該方法包括：在N型外延層中的中間區(qū)域形成第一溝槽；采用選擇性外延生長(zhǎng)工藝在第一溝槽中形成P型離子區(qū)；在N型外延層中P型離子區(qū)兩側(cè)的部分區(qū)域分別形成第二溝槽；在N型外延層的上表面及第二溝槽內(nèi)表面形成柵氧化層；在第二溝槽中的柵氧化層上沉積多晶硅層；形成溝槽型VDMOS的體區(qū)，源區(qū)，介電層及金屬層。有效提高了溝槽型VDMOS的擊穿電壓，同時(shí)使P型離子區(qū)不再橫向擴(kuò)散，保證了溝槽型VDMOS的閾值電壓不變，使沉積多晶硅層的溝槽之間的間距不變，進(jìn)而維持了元胞密度，保證了溝槽型VDMOS的驅(qū)動(dòng)能力。

技術(shù)研發(fā)人員：聞?wù)h;邱海亮;馬萬里;趙文魁
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司
文檔號(hào)碼：201510205792
技術(shù)研發(fā)日：2015.04.27
技術(shù)公布日：2016.11.23