技術(shù)編號：11836154
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明實施例涉及半導(dǎo)體器件制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種溝槽型VDMOS制造方法。背景技術(shù)溝槽型垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(簡稱：溝槽型VDMOS)是通過源離子和體離子注入后形成縱向擴(kuò)散距離差形成溝道，并廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源和同步整流領(lǐng)域。相比平面型VDMOS，溝槽型VDMOS由于消除了JFET區(qū)，所以其內(nèi)阻非常小。但是由于溝槽型VDMOS中溝槽底部的拐角處曲率半徑小，使溝槽型VDMOS的擊穿電壓較低?，F(xiàn)有技術(shù)中，為了提高溝槽型VDMOS的擊穿電壓，主要采取在金屬接觸孔的區(qū)域注入P型離子的方法。...
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