1.一種顯示裝置，其特征在于，包括：
第一基板；
第二基板，相對于所述第一基板；
像素陣列，配置于所述第一基板與所述第二基板之間，所述像素陣列包括多個子像素單元；以及
光電轉換陣列，配置于所述像素陣列與所述第二基板之間，來自每一所述子像素單元的一初始光經過所述光電轉換陣列轉換成電能以及顯示光，所述電能被儲存而所述顯示光穿出所述第二基板以顯示畫面，且相鄰兩個子像素單元呈現的所述顯示光具有不同波長，其中所述光電轉換陣列包括多個光電轉換胞，每一所述光電轉換胞的面積遮蓋兩個相鄰的子像素單元并部分重疊另一個光電轉換胞的面積，而遮蓋同一個子像素單元的不同光電轉換胞具有不同的吸收波長。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述多個子像素單元包括多個第一子像素單元、多個第二子像素單元與多個第三子像素單元，所述多個光電轉換胞包括多個第一光電轉換胞、多個第二光電轉換胞與多個第三光電轉換胞，每一所述第一光電轉換胞、每一所述第二光電轉換胞以及每一所述第三光電轉換胞分別具有不同的吸收波長；每一所述第一子像素單元被相重疊的其中一個第二光電轉換胞以及其中一個第三光電轉換胞遮蓋且被所述多個第一光電轉換胞暴露，使得來自每一所述第一子像素單元的所述初始光所轉換成的所述顯示光具有第一顏色；每一所述第二子像素單元被相重疊的其中一個第一光電轉換胞以及其中一個第三光電轉換胞遮蓋且被所述多個第二光電轉換胞暴露，使得自每一所述第二子像素單元的所述初始光所轉換成的所述顯示光具有第二顏色；每一所述第三子像素單元被相重疊的其中一個第一光電轉換胞以及其中一個第二光電轉換胞遮蓋且被所述多個第三光電轉換胞暴露，使得自每一所述第三子像素單元的所述初始光所轉換成的所述顯示光具有第三顏色。
3.根據權利要求2所述的顯示裝置，其特征在于，每一所述第一光電轉換胞的吸收波長范圍大于620納米。
4.根據權利要求2所述的顯示裝置，其特征在于，每一所述第二光電 轉換胞的吸收波長范圍為500納米到620納米。
5.根據權利要求2所述的顯示裝置，其特征在于，每一所述第三光電轉換胞的吸收波長范圍等于或小于500納米。
6.根據權利要求2所述的顯示裝置，其特征在于，所述多個第一光電轉換胞相較于所述多個第二光電轉換胞與所述多個第三光電轉換胞接近所述像素陣列，且所述多個第一光電轉換胞的吸收波長相較于所述多個第二光電轉換胞與所述多個第三光電轉換胞的吸收波長更長。
7.根據權利要求2所述的顯示裝置，其特征在于，每一所述第一光電轉換胞重疊于其中一個第二光電轉換胞以及其中一個第三光電轉換胞而定義出遮光區(qū)，相鄰兩個第一光電轉換胞之間的區(qū)域、相鄰兩個第二光電轉換胞之間的區(qū)域與相鄰兩個第三光電轉換胞之間的區(qū)域分別定義出透光區(qū)。
8.根據權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，每一所述子像素單元包括有源元件以及與所述有源元件電性連接的顯示單元。
9.根據權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述顯示單元為有機發(fā)光二極管。
10.根據權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，還包括：
儲電單元，電性連接于所述多個光電轉換胞以儲存所述電能；以及
驅動單元，電性連接于所述儲電單元與所述像素陣列之間，所述驅動單元運用所述電能而驅動所述多個子像素單元。
11.根據權利要求10所述的顯示裝置，其特征在于，還包括電能調整單元，電性連接于所述多個光電轉換胞與所述儲電單元之間，所述電能調整單元接收具有不同吸收波長的所述多個光電轉換胞所提供的所述電能，并在調整所述電能后將所述電能傳遞至所述儲電單元儲存。
12.根據權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，還包括多個絕緣層，配置于遮蓋同一所述子像素單元的不同光電轉換胞之間。
13.根據權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，還包括彩色濾光陣列，配置于所述第二基板與所述光電轉換陣列之間。
14.根據權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，每一所述光電轉換胞包括依序堆疊的第一電極、光電轉換結構以及第二電極。
15.根據權利要求14所述的顯示裝置，其特征在于，所述光電轉換結 構包括吸收體與發(fā)射體。
16.根據權利要求15所述的顯示裝置，其特征在于，遮蓋同一所述子像素單元的不同光電轉換胞的吸收體具有不同吸收波長。
17.根據權利要求15所述的顯示裝置，其特征在于，所述吸收體的材料包括CuInSe、CuInGa(1-x)Se2、CuInGaSeS或上述至少二者的堆疊層，且x小于1。
18.根據權利要求15所述的顯示裝置，其特征在于，所述發(fā)射體的材料包括硫化鎘、硫化鎘鋅、n型化合物半導體材料或其組合。