本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種掩模框架組件、包括該組件的沉積裝置及利用該裝置的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
：通常在顯示裝置中的有機(jī)發(fā)光顯示裝置不僅具有視角寬、對比度高的優(yōu)點(diǎn)，還具有響應(yīng)速度快的優(yōu)點(diǎn)。有機(jī)發(fā)光顯示裝置可通過注入到陽極和陰極的空穴和電子在發(fā)光層中復(fù)合而發(fā)光的原理來實(shí)現(xiàn)顏色，具有在陽極與陰極之間插入有發(fā)光層的層疊型結(jié)構(gòu)。但是，由于利用上述一個結(jié)構(gòu)難以實(shí)現(xiàn)高效率發(fā)光，因此在各個電極與發(fā)光層之間選擇性地附加插入電子注入層、電子傳輸層、空穴傳輸層和空穴注入層等中間層來使用。另外，可通過各種方法形成有機(jī)發(fā)光顯示裝置的電極和包括發(fā)光層的中間層，其中一個方法為沉積法。為了通過使用沉積方法來制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置，在基板上排列具有與所要形成的薄膜等的圖案相同的圖案的精密金屬掩模(finemetalmask，F(xiàn)MM)，并且對薄膜原材料進(jìn)行沉積來形成具有期望的圖案的薄膜。通常，高清晰度VGA掩模的圖案大小非常小。因此，應(yīng)當(dāng)基本上不存在對需要沉積的薄膜厚度帶來影響的陰影。如果要使陰影最小化，則掩模厚度應(yīng)非常薄。若減小掩模厚度并向一側(cè)拉伸掩模，則在掩模中產(chǎn)生褶皺。若在如此產(chǎn)生褶皺的狀態(tài)下，將掩模與基板對準(zhǔn)而執(zhí)行沉積，則在產(chǎn)生褶皺的掩模中會產(chǎn)生與基板不接觸的區(qū)域。由此，在非接觸區(qū)域中無法形成精密的圖案。通常，褶皺的高低程度被測定為約500μm至700μm，并且根據(jù)掩模的種類和拉伸率等有可能不同。由于產(chǎn)生褶皺的理由起因于掩模的結(jié)構(gòu)上的不穩(wěn)定，因此為了形成精密的圖案必須去除褶皺或使其最小化。特別是，若對加工成較薄的掩模進(jìn)行拉伸，則在某一瞬間產(chǎn)生褶皺并且褶皺進(jìn)一步增大，但對如此產(chǎn)生褶皺的時刻(onsetofwrinkling，褶皺產(chǎn)生)進(jìn)行準(zhǔn)確的預(yù)測并不容易。前述的
背景技術(shù)：
是發(fā)明者為了推導(dǎo)出本發(fā)明的實(shí)施例而持有的、或者在本發(fā)明的實(shí)施例的推導(dǎo)過程中掌握的技術(shù)信息，不能說是在本發(fā)明的申請之前肯定向一般公眾 公開的公知技術(shù)。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明的實(shí)施例提供一種掩模框架組件、包括該組件的沉積裝置及利用該裝置的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法。本發(fā)明的一實(shí)施例公開掩?？蚣芙M件，其特征在于，包括：框架；和多個掩模，用所述框架支撐所述多個掩模的兩端部，各掩模包括：主體部，用框架支撐所述各掩模的外圍區(qū)域；圖案部，沿各掩模的長度方向彼此相隔地配置，且包括使沉積物質(zhì)通過多個圖案孔和形成在各圖案孔之間的肋，主體部包括階梯部，所述階梯部沿圖案部的兩側(cè)面中的至少一側(cè)面延伸形成且彼此相隔地配置，并且凹陷形成于在與框架相接的方向上形成的主體部的第一表面和作為第一表面的相反側(cè)的第二表面中的至少一表面上，階梯部通過以肋的重心(centerofgravity)為基準(zhǔn)對主體部的第一表面和第二表面中的至少一表面進(jìn)行蝕刻而形成，從重心至階梯部中形成于主體部的第一表面?zhèn)鹊牡谌砻鏋橹沟暮穸群蛷闹匦闹岭A梯部中作為第三表面的相反側(cè)的第四表面為止的厚度基本上相等。本實(shí)施例可具有如下特征：肋形成有在主體部的第一表面?zhèn)鹊牡谖灞砻婧妥鳛榈谖灞砻娴南喾磦?cè)的第六表面，第五表面被形成為比第六表面的長度長。本實(shí)施例可具有如下特征：階梯部通過對主體部的第二表面進(jìn)行蝕刻而形成。本實(shí)施例可具有如下特征：當(dāng)設(shè)肋的第五表面的長度為a，肋的第六表面的長度為b，肋的厚度為t時，由這些參數(shù)的函數(shù)表示的從重心至第五表面為止的第一厚度t1由[數(shù)學(xué)式1]表示，從階梯部的第三表面至第四表面為止的厚度被形成為第一厚度的兩倍。本實(shí)施例可具有如下特征：階梯部通過對主體部的第一表面和第二表面進(jìn)行蝕刻而形成。本實(shí)施例可具有如下特征：當(dāng)設(shè)肋的第五表面的長度為a，肋的第六表面的長度為b，肋的厚度為t時，由這些參數(shù)的函數(shù)表示的第二厚度t2由[數(shù)學(xué)式2]表示，從階梯部的第三表面至第四表面為止的厚度被形成為第二厚度。本發(fā)明的另一實(shí)施例公開沉積裝置，其特征在于，包括：沉積源；掩?？蚣芙M件，被配置于基板中面對沉積源的一表面；和磁板，被配置于基板中作為所述一表面的相 反側(cè)的另一表面，并利用磁力使掩模框架組件緊貼于基板，掩?？蚣芙M件包括：框架；和多個掩模，用所述框架支撐所述多個掩模的兩端部，各掩模包括：主體部，用框架支撐所述主體部的外圍區(qū)域；和圖案部，沿各掩模的長度方向彼此相隔地配置，且包括使沉積物質(zhì)通過的多個圖案孔和形成在各圖案孔之間的肋，主體部包括階梯部，所述階梯部沿圖案部的兩側(cè)面中的至少一側(cè)面延伸形成且彼此相隔地配置，并且凹陷形成于在與框架相接的方向上形成的主體部的第一表面和作為第一表面的相反側(cè)的第二表面中的至少一表面上，階梯部通過以肋的重心(centerofgravity)為基準(zhǔn)對主體部的第一表面和第二表面中的至少一表面進(jìn)行蝕刻而形成，從重心至階梯部中形成于主體部的第一表面?zhèn)鹊牡谌砻鏋橹沟暮穸群蛷闹匦闹岭A梯部中作為第三表面的相反側(cè)的第四表面為止的厚度基本上相等。在本實(shí)施例中，可進(jìn)一步包括位于基板與磁板之間且對基板進(jìn)行加壓的加壓板。本實(shí)施例可具有如下特征：肋形成有在主體部的第一表面?zhèn)鹊牡谖灞砻婧妥鳛榈谖灞砻娴南喾磦?cè)的第六表面，第五表面被形成為比第六表面的長度長。本實(shí)施例可具有如下特征：階梯部通過對主體部的第二表面進(jìn)行蝕刻而形成。本實(shí)施例可具有如下特征：當(dāng)設(shè)肋的第五表面的長度為a，肋的第六表面的長度為b，肋的厚度為t時，由這些參數(shù)的函數(shù)表示的從重心至第五表面為止的第一厚度t1由[數(shù)學(xué)式1]表示，從階梯部的第三表面至第四表面為止的厚度被形成為第一厚度的兩倍。本實(shí)施例可具有如下特征：階梯部通過對主體部的第一表面和第二表面進(jìn)行蝕刻而形成。本實(shí)施例可具有如下特征：當(dāng)設(shè)肋的第五表面的長度為a，肋的第六表面的長度為b，肋的厚度為t時，由這些參數(shù)的函數(shù)表示的第二厚度t2由[數(shù)學(xué)式2]表示，從階梯部的第三表面至第四表面為止的厚度被形成為第二厚度。從下面的附圖、權(quán)利要求書及發(fā)明的詳細(xì)說明中應(yīng)能明確理解除前述內(nèi)容以外的其他方面、特征及優(yōu)點(diǎn)。根據(jù)如上構(gòu)成的本發(fā)明的一實(shí)施例，可實(shí)現(xiàn)能夠最大限度地減小在拉伸掩模時所產(chǎn)生的掩模變形的掩?？蚣芙M件、包括該組件的沉積裝置及利用該裝置的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法。當(dāng)然并不是通過這種效果限定本發(fā)明的范圍。附圖說明圖1是表示本發(fā)明的一實(shí)施例的掩模框架組件的立體圖。圖2是沿圖1的Ⅰ-Ⅰ線剖開來表示的剖視圖。圖3a是放大表示圖2的A部分的放大剖視圖。圖3b是放大表示圖2的B部分的放大剖視圖。圖4是表示圖1所示的掩模的一變形例的立體圖。圖5是沿圖4的Ⅱ-Ⅱ線剖開來表示的剖視圖。圖6是放大表示圖5的C部分的放大剖視圖。圖7a是表示在圖1的主體部上形成階梯部之前的狀態(tài)的剖視圖。圖7b是表示圖1的階梯部的第一表面?zhèn)缺皇┮园胛g刻(halfetching)的狀態(tài)的剖視圖。圖7c是表示圖1的階梯部的第二表面?zhèn)缺皇┮园胛g刻(halfetching)的狀態(tài)的剖視圖。圖7d是表示圖1的階梯部的剖視圖。圖7e表示圖4的階梯部的剖視圖。圖8是概略地表示包括本發(fā)明實(shí)施例的掩?？蚣芙M件的沉積裝置的示意圖。圖9是表示利用圖8所示的沉積裝置來制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的圖。具體實(shí)施方式本發(fā)明可進(jìn)行多種改變，可具有多種實(shí)施例，在附圖中示意地表示特定實(shí)施例，并在以下具體實(shí)施方式中進(jìn)行詳細(xì)的說明。參照附圖的同時參照詳細(xì)地后述的實(shí)施例，將會明確本發(fā)明的效果及特征，以及實(shí)現(xiàn)這些的方法。但是，本發(fā)明并不限定于以下所公開的實(shí)施例，而是能夠以多種方式實(shí)現(xiàn)。在下面的實(shí)施例中，第一、第二等用語并不是限定的含義，而是作為將一個結(jié)構(gòu)部件與其他結(jié)構(gòu)部件區(qū)別的目的來使用的。關(guān)于單數(shù)形式的表述，如果在文章中的含義不是明確地表示其他含義，則該單數(shù)形式的表述也包括復(fù)數(shù)形式的含義。此外，“包括”或“具有”等用語意味著說明書所記載的特征或結(jié)構(gòu)要素的存在，并不是用來事先排除一個以上的其他特征或結(jié)構(gòu)要素附加的可能性。此外，在附圖中為了方便說明而可夸大或縮小結(jié)構(gòu)要素的尺寸。例如，為了方便說明，任意表示圖中所示的各結(jié)構(gòu)的尺寸及厚度，因此本發(fā)明并不一定局限于圖示的內(nèi)容。此外，在某種實(shí)施例可另行實(shí)現(xiàn)的情況下，還可以與所說明的順序不同地實(shí)現(xiàn) 特定的工藝順序。例如，連續(xù)說明的兩個工序基本上可同時實(shí)現(xiàn)，并且還可以以與所說明的順序相反的順序進(jìn)行。下面，參照附圖，對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明，當(dāng)參照附圖進(jìn)行說明時，相同或相應(yīng)的結(jié)構(gòu)要素使用相同的附圖標(biāo)記，并省略對該結(jié)構(gòu)要素的重復(fù)說明。圖1是表示本發(fā)明的一實(shí)施例的掩?？蚣芙M件10的立體圖，圖2是沿圖1的Ⅰ-Ⅰ線剖開來表示的剖視圖。參照圖1和圖2，則掩?？蚣芙M件10包括框架100和掩模200?？蚣?00包括：第一支撐部101和第二支撐部102，沿x軸方向彼此相隔地配置且被配置成彼此平行；以及第三支撐部103和第四支撐部104，沿y軸方向彼此相隔地配置且被配置成彼此平行。所述第一支撐部101和第二支撐部102與所述第三支撐部103和第四支撐部104彼此連接而形成掩模框架組件10的外圍框架，圖1中示出所述框架100被形成為在中央處具有一個四邊形形狀的開口部105，但本發(fā)明的實(shí)施例并不限定于此，例如可以形成為圓形、橢圓形和多邊形等多種形狀。此外，框架100可由金屬或合成樹脂等來制造。另外，第三支撐部103和第四支撐部104沿平行于各掩模200的方向設(shè)置，優(yōu)選由具有彈力的材料形成，但并不限定于此。由于多個掩模200在被拉伸的狀態(tài)下被支撐于框架100上，因此框架100必須具有足夠的剛性。此外，只要框架100為在后續(xù)沉積工序中需沉積沉積物質(zhì)的基板(參照圖8的500)與掩模200彼此緊貼時不引起干涉的結(jié)構(gòu)，則并不限定于某一結(jié)構(gòu)。掩模200為被分割成多個的桿形掩模，包括：主體部210，通過框架100支撐所述主體部210的外圍區(qū)域；圖案部220，沿各掩模200的長度方向彼此相隔地配置，且包括使沉積物質(zhì)通過的多個圖案孔221和形成在各圖案孔221之間的肋222，所述掩模200的兩端部可被焊接到框架100上。這種掩模200為帶磁性的薄板(thinfilm)，可由鎳或鎳合金形成。優(yōu)選可由容易形成微細(xì)圖案且表面粗糙度優(yōu)異的鎳-鈷合金形成。此外，掩模200可通過蝕刻法來制造，利用光刻膠(photoresist)在薄板上形成具有與各圖案孔221相同的圖案的光刻膠層，或在薄板上貼附具有圖案孔221的圖案的薄膜之后對薄板進(jìn)行蝕刻而制造。此外，掩模200也可通過電鑄法(electroforming)來形成。雖然在附圖中沒有表示，但這種掩模200也可以形成為一個大部件，在這種情況下可加劇由自重引起的下垂現(xiàn)象，因此如附圖所示分割成多個桿形掩模來制造。而且，為了方便說明，在圖1中分解一個掩模200來示出，但在實(shí)際制造結(jié)束之后可通過完 全覆蓋開口部105的方式配置多個掩模200。如上所述，在各掩模200中形成有主體部210和圖案部220，在焊接前的狀態(tài)下在掩模200的兩端還設(shè)置有夾緊部(未圖示)。另外，焊接方法一般具有激光焊接、電阻加熱焊接等多種方法，除此之外，可使用如電鑄法(electroforming)和化學(xué)鍍(electrolessplating)等方法。當(dāng)將掩模200焊接到框架100上時，在沿掩模200的長度方向(圖1的x軸方向)拉直該掩模200而使其拉伸之后進(jìn)行焊接，在如此拉拽掩模200時為了將其保持而設(shè)置在掩模200的兩端部的部位可為所述夾緊部。這種夾緊部在焊接結(jié)束之后被切斷。由于主體部210中沒有圖案孔221，因此該主體部為不會產(chǎn)生沉積的區(qū)域。雖然主體部210并不是為沉積作出直接貢獻(xiàn)的區(qū)域，但是實(shí)質(zhì)上發(fā)揮維持掩模200的剛性的作用。即，由于在圖案部220形成有多個圖案孔221，因此剛性相對較弱。因此，為了確保掩模200不易下垂或彎曲的程度的剛性，主體部210被形成為比圖案部220厚。圖案部220為形成有多個圖案孔221的區(qū)域，在沉積工序中沉積物質(zhì)通過該圖案孔21并在緊貼于掩模200的基板(參照圖8的500)上形成薄膜層?？裳匮谀?00的長度方向彼此相隔地配置圖案部220，在形成于圖案部220的多個圖案孔221之間形成有肋222。如上所述，當(dāng)主體部210和圖案部220的厚度被形成為不同厚度時，在主體部210與圖案部220的邊界面上可形成有規(guī)定高度的階梯。對這種階梯來說，為了將框架100和掩模200焊接而拉伸掩模200時，應(yīng)力集中在具有該階梯的部位，從而該階梯可成為產(chǎn)生褶皺的脆弱部。為了補(bǔ)償及防止在拉伸這種掩模200時所產(chǎn)生的掩模200的變形，在主體部210設(shè)置有具有規(guī)定深度的凹陷形狀的階梯部211。這種階梯部211沿圖案部220的兩側(cè)面中的至少一側(cè)面延伸形成且被配置成彼此相隔。圖2表示在與框架100相接的方向上形成的主體部210的第一表面210a和作為第一表面210a的相反側(cè)的第二表面210b中的第二表面210b上形成有階梯部211的情況，但是并不限定于此，可以在第一表面210a和第二表面210b中的至少一表面上形成有階梯部211。下面，參照圖3a和圖3b，對階梯部211進(jìn)行詳細(xì)說明。圖3a是放大表示圖2的A部分的放大剖視圖，圖3b是放大表示圖2的B部分的放大剖視圖。首先參照圖3a，階梯部211可具備按規(guī)定深度對主體部210的第二表面210b進(jìn)行蝕刻而形成的第一凹槽211B。在此，第一凹槽211B的深度可定義如下。參照圖3b，肋222可被形成為平行四邊形形狀。肋222可形成有在主體部210的第一表面210a側(cè)的第五表面222a和作為第五表面222a的相反側(cè)的第六表面222b，此時肋222的第五表面222a可被形成為比第六表面222b長(a＞b)。在此，符號a表示第五表面222a的長度，符號b表示第六表面222b的長度，符號t表示肋222的厚度。此外，符號ta和tb分別表示從肋222的重心G至肋222的第五表面222a為止的厚度ta和從肋222的重心G至肋222的第六表面222b為止的厚度tb。因此，肋的厚度t為將ta和tb相加后的值。在此，設(shè)從肋222的重心G至第五表面222a為止的厚度ta為第一厚度t1，則能夠以如下數(shù)學(xué)式1求出第一厚度t1。[數(shù)學(xué)式1]t1=(2a+b)t3(a+b)]]>再次參照圖3a，從主體部210的第一表面210a起具有第一厚度t1的位置為階梯部211的中心軸OA。而且，執(zhí)行蝕刻工序直至從該中心軸OA朝向主體部210的第二表面210b方向離第一厚度t1左右的位置處。那么，主體部210的第二表面210b與階梯部211的第四表面211b之間的空間為第一凹槽211B的深度。而且，未進(jìn)行蝕刻的主體部210的第一表面210a為階梯部211的第三表面211a。若如上所述對主體部210的第二表面210b進(jìn)行蝕刻而形成第一凹槽211B，則從肋222的重心G至階梯部211中形成于主體部210的第一表面210a側(cè)的第三表面211a為止的厚度和從肋222的重心G至作為第三表面211a的相反側(cè)的第四表面211b為止的厚度基本上與第一厚度t1相等。若如此以階梯部211的中心軸OA為基準(zhǔn)具有對稱的第一厚度t1的方式形成階梯部211，則肋222的重心G和階梯部211的中心軸OA可形成在基本上相同的高度上。將階梯部211和形成于階梯部211的第一凹部211B的厚度及深度如上定義的理由是為了通過將主體部210和圖案部220的重心配置為最大限度地相近來最大限度地減小拉伸掩模200時產(chǎn)生的掩模200的變形。詳細(xì)地，由于圖案部220由作為空的空間的圖案孔221和作為在圖案孔221之間形成的掩模200的主體的肋222構(gòu)成，因此圖案部220的重心不會位于肋222的中心面。代替此，如上所述，一般只有形成為平行四邊形形狀的肋222才被利用于計(jì)算圖案部220的重心，因此如圖3b所示，圖案部220的重心與肋222的重心G位于基本上相同的位置。另外，對沒有圖案孔221的主體部來說，其重心位于主體部210的中心軸上。如 上所述，一般在未形成凹部211B的情況下主體部210的重心為主體部210的中間位置，當(dāng)考慮肋222的重心G形成在更加靠近作為相對較長的表面的第五表面222a側(cè)這一點(diǎn)時，主體部210的重心位于比肋222的重心G高的部位。因此，為了將主體部210和肋222的重心配置成最大限度地鄰接，可使用通過對主體部210的第二表面210b進(jìn)行蝕刻來降低主體部210的重心的方法。因此，若為了使階梯部211的中心軸OA鄰接于肋222的重心G所處的軸而使用對主體部210的第二表面210b進(jìn)行蝕刻的方法，則能夠防止拉伸掩模200時產(chǎn)生的掩模200的變形。這種效果已通過實(shí)驗(yàn)證明，在后面詳述具體數(shù)值。圖4是表示圖1所示掩模的一變形例的立體圖，圖5是沿圖4的Ⅱ-Ⅱ線剖開來表示的剖視圖。參照圖4和圖5，在掩模300可形成有主體部310和圖案部320。主體部310可包括通過對主體部的第一表面310a和第二表面310b進(jìn)行蝕刻而形成的階梯部311。而且，在階梯部311可形成有第一凹槽311A和第二凹槽311B，詳細(xì)地，槽311A可形成在階梯部311的第三表面311a側(cè)，第二凹槽311B可形成在階梯部311的第四表面311b側(cè)。下面，圖4和圖5所示的掩模300呈現(xiàn)出與本發(fā)明一實(shí)施例的掩?？蚣芙M件10的掩模200相對應(yīng)的結(jié)構(gòu)和功能，因此在此省略或簡述具體說明。接下來，參照圖6，對階梯部311進(jìn)行詳細(xì)說明。圖6是放大表示圖5的C部分的放大剖視圖。參照圖6，階梯部311可具備：第二凹槽311A，按規(guī)定深度對主體部210的第一表面310a進(jìn)行蝕刻而形成；和第三凹槽311B，按規(guī)定深度對主體部210的第二表面310b進(jìn)行蝕刻而形成。在此，第二凹槽311A和第三凹槽311B的深度(Ta和Tb)可定義如下。在階梯部311中，以中心軸OB為基準(zhǔn)從階梯部的第三表面311a至第四表面311b為止的厚度可被形成為第二厚度t2。在此，階梯部311的中心軸OB位于與圖3b所示的肋222的重心G相同的高度上。另外，第二厚度t2為將圖案部320的總體積除以圖案部320的總面積后的值，可參照圖3b通過如下所示的數(shù)學(xué)式2求出第二厚度t2。[數(shù)學(xué)式2]t2=(a+b)t2b]]>如上所述，符號a表示圖案部320的第五表面322a的長度，符號b表示圖案部320的第六表面322b的長度，符號t表示肋322的厚度。因此，第二凹槽311A的深度Ta為從階梯部311的中心軸OB至主體部310的第一表面311a為止的厚度ta與第二厚度t2的一半長度之間的差值，第三凹槽311B的深度Tb為從階梯部311的中心軸OB至階梯部310的第二表面310b為止的厚度tb與第二厚度t2的一半長度之間的差值。若如此通過對主體部310的第一表面310a和第二表面310b進(jìn)行蝕刻而形成第二凹槽311A和第三凹槽311B，則階梯部311的厚度可被形成為第二厚度t2。接下來，通過實(shí)驗(yàn)對掩模200、300進(jìn)行變形的結(jié)果值如下。圖7a是表示在圖1的主體部210上形成階梯部211之前的狀態(tài)的剖視圖，圖7b是表示圖1的階梯部211的第一表面211a側(cè)被施以半蝕刻(halfetching)的狀態(tài)的剖視圖，圖7c是表示圖1的階梯部211的第二表面211b側(cè)被施以半蝕刻(halfetching)的狀態(tài)的剖視圖，圖7d是表示圖1的階梯部211的剖視圖，圖7e表示圖4的階梯部311的剖視圖。在此，圖7a至圖7e所示的上表面和下表面分別表示圖1至圖6的第一表面211a、311a和第二表面211b、311b。而且，下面的表1是表示沿包括圖7a至圖7e的階梯部11a、11b、11c、11d、11e的掩?？蚣芙M件(未圖示)的長度方向施加拉伸力時，掩模(未圖示)在遠(yuǎn)離基板(參照圖8的500)的方向上的變化量tmax和掩模在面對基板的方向上的變化量tmin及這兩個變化量之差的表。在此，表示各變化量之差越大則掩模變形越大，表1的各數(shù)值單位為mm。<表1>tmaxtmintmax-tmin參考模型0.1058-0.12510.2309上表面H/E模型1.20E-02-5.95E-030.017986下表面H/E模型3.43E-03-6.76E-030.010189實(shí)施例12.91E-03-6.48E-030.009389實(shí)施例22.43E-03-5.27E-030.007705參照表1和圖7a，對未形成階梯部11a、11b、11c、11d、11e的掩?？蚣芙M件來說，在遠(yuǎn)離基板的方向上的變化量tmax和在面對基板的方向上的變化量tmin之差為0.2309mm。而且，對圖7b所示的上表面被施以半蝕刻(halfetching)的情況來說，其變化量之差為約0.018mm。此外，對圖7c所示的下表面被施以半蝕刻的情況來說，其變化量之差為約0.01mm。若對圖7b和圖7c進(jìn)行比較，則可確認(rèn)相比針對面對基板的上表面，針對位于遠(yuǎn)離基板的方向的下表面利用半蝕刻來加工階梯部的方法進(jìn)一步減 少掩模變形。接下來，圖7d所示的階梯部11d是適用通過利用上述數(shù)學(xué)式1來形成本發(fā)明的一實(shí)施例的階梯部211的方法的一示例。此外，圖7e所示的階梯部11e是適用通過利用上述數(shù)學(xué)式2來形成本發(fā)明的另一實(shí)施例的階梯部311的方法的另一示例?？梢源_認(rèn)，在掩模上形成圖7d和圖7e所示的階梯部11d、11e，則與圖7a至圖7c所示的方法相比能夠進(jìn)一步減少掩模變形(分別為約0.0094mm、約0.0077mm)。進(jìn)而可確認(rèn)，最有效的方法是如圖7e所示那樣利用數(shù)學(xué)式2來對階梯部11e的上表面和下表面均進(jìn)行蝕刻，此時最能減少掩模變形。如此，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的掩模框架組件10、20，能夠最大限度地減少當(dāng)焊接框架100和掩模200、300時由掩模200、300的拉伸引起的掩模200的變形，進(jìn)而能夠提高顯示面板(未圖示)上沉積的沉積物質(zhì)的精度，從而獲得如提高顯示裝置(未圖示)的收率及減少次品等效果。圖8是概略地表示包括本發(fā)明實(shí)施例的掩模框架組件的沉積裝置的示意圖。參照圖8，沉積裝置20可包括：沉積源400，在腔室50內(nèi)向基板500側(cè)放射沉積物質(zhì)；掩?？蚣芙M件10，被配置于基板500中面對沉積源400的一表面上；和磁板600，被配置于基板500中作為所述一表面的相反面的另一表面?zhèn)?，并利用磁力使掩?？蚣芙M件10緊貼于基板500。此外，沉積裝置20可進(jìn)一步包括設(shè)置于基板500與磁板600之間且利用自重來對基板500進(jìn)行加壓的加壓板700。這種加壓板700發(fā)揮如下作用：在磁板600向基板500側(cè)移動而對掩?？蚣芙M件10施加磁力之前，提高基板500和掩?？蚣芙M件10的緊貼力。另外，圖8中示出本發(fā)明的一實(shí)施例的掩?？蚣芙M件10設(shè)置于沉積源400與基板500之間，但是并不限定于此，當(dāng)然本發(fā)明的另一實(shí)施例的掩模框架組件10也可以包括在沉積裝置20中。圖9是表示利用圖8所示的沉積裝置20來制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的圖。參照圖8和圖9，探討通過包括掩模框架組件10的沉積裝置20制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置則如下所述。參照圖9，有機(jī)發(fā)光顯示裝置800可包括基板810和顯示部(未圖示)。此外，有機(jī)發(fā)光顯示裝置800可包括形成于所述顯示部的上部的薄膜封裝層E或封裝基板(未圖示)。此時，所述封裝基板與常規(guī)顯示裝置中所使用的基板相同或相似，因此省略詳細(xì)說明。此外，為了方便說明，下面以有機(jī)發(fā)光顯示裝置800包括薄膜封裝層E的情況為主進(jìn)行詳細(xì)說明。在基板810上可形成有所述顯示部。此時，所述顯示部具有薄膜晶體管(TFT)，并以覆蓋這些晶體管的方式形成有鈍化膜870，在該鈍化膜870上可形成有有機(jī)發(fā)光元件880。此時，基板810可使用玻璃材質(zhì)，但并不一定限定于此，也可以使用塑料材料，還可以適用如SUS、Ti等金屬材料。此外，基板810可使用聚酰亞胺(PI，Polyimide)。為了方便說明，下面以基板810由玻璃材質(zhì)形成的情況為主進(jìn)行詳細(xì)說明。在基板810的上表面進(jìn)一步形成有由有機(jī)化合物和/或無機(jī)化合物組成的緩沖層820，可由SiOx(x≥1)，SiNx(x≥1)形成。在該緩沖層820上形成以規(guī)定圖案排列的有源層830之后，使用柵極絕緣層840填埋有源層830。有源層830具有源區(qū)831和漏區(qū)833，并且在其之間進(jìn)一步包括溝道區(qū)832。這種有源層830可被形成為含有多種物質(zhì)。例如，有源層830可含有如非晶硅或結(jié)晶硅的無機(jī)半導(dǎo)體物質(zhì)。作為另一例，有源層830可含有氧化物半導(dǎo)體。此外，作為另一例，有源層830可含有有機(jī)半導(dǎo)體物質(zhì)。但是，為了方便說明，下面以有源層830由非晶硅形成的情況為主進(jìn)行詳細(xì)說明。這種有源層830可通過如下方式形成：在緩沖層820上形成非晶硅膜之后，對其進(jìn)行結(jié)晶化而將其形成為多晶硅膜，并且對該多晶硅膜進(jìn)行構(gòu)圖。根據(jù)驅(qū)動TFT(未圖示)和開關(guān)TFT(未圖示)等TFT的種類，使用雜質(zhì)來摻雜所述有源層830的源區(qū)831和漏區(qū)833。在柵極絕緣層840的上表面形成有與有源層830對應(yīng)的柵極電極350和填埋該柵極電極850的層間絕緣層860。而且，在層間絕緣層860和柵極絕緣層840形成接觸孔H1之后，在層間絕緣層860上形成源極電極871和漏極電極872，并使所述源極電極871和漏極電極872分別接觸到源區(qū)831和漏區(qū)833。在如此形成的所述薄膜晶體管的上部形成有鈍化膜870，在該鈍化膜870的上部形成有有機(jī)發(fā)光元件(OLED)的像素電極881。該像素電極881通過在鈍化膜870上形成的通孔H2而接觸到TFT的漏極電極872。所述鈍化膜870可被形成為有機(jī)物和/或無機(jī)物的單層或雙層以上的結(jié)構(gòu)，可通過與下部膜的彎曲無關(guān)地使上表面平坦的方式形成為平坦化膜，與此相反，還可通過沿位于下部的膜的曲折而曲折的方式形成。并且，優(yōu)選由透明絕緣體形成該鈍化膜870以使之能夠達(dá)到共振效果。在鈍化膜870上形成像素電極881之后，以覆蓋該像素電極881和鈍化膜870的方式使用有機(jī)物和/或無機(jī)物形成像素限定膜890，并且進(jìn)行開口以使像素電極881露 出。并且，至少在所述像素電極881上形成有中間層882和相對電極883。像素電極881發(fā)揮陽極功能，相對電極883發(fā)揮陰極功能，當(dāng)然這些像素電極881和相對電極883的極性相反也無妨。像素電極881和相對電極883通過所述中間層882而彼此絕緣，并且對中間層882施加彼此不同極性的電壓以在有機(jī)發(fā)光層中實(shí)現(xiàn)發(fā)光。中間層882可具備有機(jī)發(fā)光層。作為選擇性的另一例，中間層882具備有機(jī)發(fā)光層(organicemissionlayer)，除此之外，可進(jìn)一步具備空穴注入層(HIL：holeinjectionlayer)、空穴傳輸層(holetransportlayer)、電子傳輸層(electrontransportlayer)和電子注入層(electroninjectionlayer)中的至少一個層。另外，一個單位像素(P)由多個子像素(R、G、B)構(gòu)成，且多個子像素(R、G、B)可發(fā)出多種顏色的光。例如，多個子像素(R、G、B)可具備分別發(fā)出紅色、綠色和藍(lán)色的光的子像素(R、G、B)，并且可具備發(fā)出紅色、綠色、藍(lán)色和白色的光的子像素(未標(biāo)記)。另外，如上所述的薄膜封裝層E可包括多個無機(jī)層或可包括無機(jī)層和有機(jī)層。薄膜封裝層E的所述有機(jī)層由高分子形成，優(yōu)選地，可以是由聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、聚碳酸酯、環(huán)氧、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的任一種形成的單膜或?qū)訅耗?。更?yōu)選地，所述有機(jī)層可由聚丙烯酸酯形成，具體來講，可包括單體組合物經(jīng)高分子化的物質(zhì)，該單體組合物包括二丙烯酸酯類單體和三丙烯酸酯類單體。所述單體組合物中可進(jìn)一步包括單丙烯酸酯類單體。此外，所述單體組合物中可進(jìn)一步包括如TPO(2,4,6-三甲基苯甲?；?二苯基氧化膦)的公知的光敏引發(fā)劑，但并不限定于此。薄膜封裝層E的所述無機(jī)層可以是包括金屬氧化物或金屬氮化物的單膜或?qū)訅耗?。具體來講，所述無機(jī)層可包括SiNX、Al2O3、SiO2和TiO2中的任一種。薄膜封裝層E中向外部露出的最上層可由無機(jī)層形成，以防止有機(jī)發(fā)光元件被濕透。薄膜封裝層E可包括至少一個夾層結(jié)構(gòu)，該夾層結(jié)構(gòu)在至少兩個無機(jī)層之間插入有至少一個有機(jī)層。作為另一例，薄膜封裝層E可包括至少一個夾層結(jié)構(gòu)，該夾層結(jié)構(gòu)在至少兩個有機(jī)層之間插入有至少一個無機(jī)層。作為又一例，薄膜封裝層E還可包括在至少兩個無機(jī)層之間插入有至少一個有機(jī)層的夾層結(jié)構(gòu)和在至少兩個有機(jī)層之間插入有至少一個無機(jī)層的夾層結(jié)構(gòu)。薄膜封裝層E從有機(jī)發(fā)光元件(OLED)的上部起依次可包括第一無機(jī)層、第一 有機(jī)層和第二無機(jī)層。作為另一例，薄膜封裝層E從有機(jī)發(fā)光元件(OLED)的上部起依次可包括第一無機(jī)層、第一有機(jī)層、第二無機(jī)層、第二有機(jī)層和第三無機(jī)層。作為又一例，薄膜封裝層E從有機(jī)發(fā)光元件(OLED)的上部起依次可包括第一無機(jī)層、第一有機(jī)層、第二無機(jī)層、第二有機(jī)層、第三無機(jī)層、第三有機(jī)層和第四無機(jī)層。在有機(jī)發(fā)光元件(OLED)與第一無機(jī)層之間可進(jìn)一步包括包含LiF的鹵化金屬層。所述鹵化金屬層能夠防止當(dāng)以濺射法形成第一無機(jī)層時損害所述有機(jī)發(fā)光元件(OLED)的現(xiàn)象。可以使第一有機(jī)層的面積比第二無機(jī)層窄，并且還可以使所述第二有機(jī)層的面積比第三無機(jī)層窄。如上所述，本發(fā)明參照附圖中圖示的一實(shí)施例進(jìn)行了說明，但這只不過是示例，本發(fā)明所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
的技術(shù)人員應(yīng)能理解，基于上述實(shí)施例可進(jìn)行各種變形并實(shí)施其他等同的實(shí)施例。因此，本發(fā)明真正的技術(shù)保護(hù)范圍應(yīng)由所附的權(quán)利要求書的技術(shù)思想來確定。附圖標(biāo)記說明10：掩?？蚣芙M件210、310：主體部20：沉積裝置211、311：階梯部50：腔室220、320：圖案部100：框架221、321：圖案孔101：第一支撐部222、322：肋102：第二支撐部400：沉積源103：第三支撐部500：基板104：第四支撐部600：磁板105：開口部700：加壓板200、300：掩模當(dāng)前第1頁1 2 3