1.一種平面型VDMOS的制作方法，其特征在于，包括：
提供襯底，在外延層的表面上生長(zhǎng)一層薄氧化層；
通過光刻和刻蝕工藝定義環(huán)區(qū)，刻蝕的深度小于所述薄氧化層的厚度，并在所述環(huán)區(qū)表面的薄氧化層下方做離子注入；
高溫完成所述環(huán)區(qū)的離子驅(qū)入，形成位于所述環(huán)區(qū)下方的所述外延層表面內(nèi)的第一區(qū)域且所述第一區(qū)域延伸至未被刻蝕的所述薄氧化層的下方，并在所述薄氧化層的表面上繼續(xù)生長(zhǎng)氧化層，形成厚氧化層，所述環(huán)區(qū)與非環(huán)區(qū)之間形成臺(tái)階狀結(jié)構(gòu)；
通過光刻工藝定義有源區(qū)，并將所述有源區(qū)內(nèi)的所述厚氧化層刻蝕掉，以露出所述外延層的表面；
在所述有源區(qū)的表面上生長(zhǎng)柵氧化層，并在所述柵氧化層上形成多晶硅柵極；
在所述多晶硅柵極的阻擋下，通過自對(duì)準(zhǔn)注入和驅(qū)入形成所述平面型VDMOS器件的體區(qū)，通過光刻工藝定義源區(qū)，并完成所述源區(qū)的離子注入和驅(qū)入，所述體區(qū)包圍所述源區(qū)，所述體區(qū)和所述源區(qū)的部分區(qū)域延伸至所述多晶硅柵極的下方，所述體區(qū)的深度小于所述第一區(qū)域的深度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平面型VDMOS的制作方法，其特征在于，所述提供襯底，在外延層的表面上生長(zhǎng)一層薄氧化層，包括：
在生長(zhǎng)時(shí)間為30～60分鐘，生長(zhǎng)溫度為900～1100度的條件下，生長(zhǎng)厚度為1000～2000埃的薄氧化層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平面型VDMOS的制作方法，其特征在于，所述通過光刻和刻蝕工藝定義環(huán)區(qū)，并在所述環(huán)區(qū)表面的薄氧化層下方做離子注入，包括：
在光刻膠的阻擋下定義所述環(huán)區(qū)的位置，并通過刻蝕工藝對(duì)所述環(huán)區(qū)表面的薄氧化層進(jìn)行刻蝕，保留厚度為200～800埃的所述薄氧化層；
在所述環(huán)區(qū)表面的薄氧化層下方做硼離子注入，所述硼離子注入的劑量為1×1012～5×1015ions/cm2，能量為50～100Kev。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的平面型VDMOS的制作方法，其特征在于，所述高溫完成所述環(huán)區(qū)的離子驅(qū)入，并在所述薄氧化層的表面上繼續(xù)生長(zhǎng)氧 化層，形成厚氧化層，包括：
在持續(xù)時(shí)間為250～600分鐘，溫度為1050～1200度的高溫條件下，在所述薄氧化層的表面上繼續(xù)生長(zhǎng)氧化層，最終形成厚度大于10000埃的厚氧化層，并完成驅(qū)入形成所述第一區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平面型VDMOS的制作方法，其特征在于，所述在所述有源區(qū)的表面上生長(zhǎng)柵氧化層，并在所述柵氧化層上形成多晶硅柵極包括：
在所述有源區(qū)的硅表面上氧化一層?xùn)叛趸瘜樱?/p>
在所述柵氧化層的表面上通過淀積的方式形成多晶硅層；
通過光刻工藝對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行刻蝕，形成所述多晶硅柵極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平面型VDMOS的制作方法，其特征在于，所述在所述多晶硅柵極的阻擋下，通過自對(duì)準(zhǔn)注入和驅(qū)入形成所述平面型VDMOS器件的體區(qū)，通過光刻工藝定義源區(qū)，并完成所述源區(qū)的離子注入和驅(qū)入之后，還包括：
淀積介質(zhì)層，所述介質(zhì)層覆蓋所述平面型VDMOS器件的表面結(jié)構(gòu)；
通過刻蝕工藝對(duì)所述介質(zhì)層進(jìn)行溝槽刻蝕，形成溝槽。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
根據(jù)預(yù)設(shè)的工藝，淀積金屬層和背面金屬層。