技術(shù)編號：11836136
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體芯片制造領域，尤其涉及一種平面型VDMOS的制作方法。背景技術(shù)縱向雙擴散場效應晶體管(VDMOS)是目前最常用的功率晶體管之一，其作為一種電壓控制型器件，通過柵極電壓信號控制溝道形成，從而控制源極和漏極電流導通。VDMOS兼具雙極晶體管和普通MOS器件的優(yōu)點，廣泛應用于開關電源領域。傳統(tǒng)的平面型VDMOS制作方法如下所示：步驟一、在外延層上初始氧化一層厚氧化層，厚氧化層的厚度一般大于10000埃，氧化溫度在1050～1200度之間，氧化時間在250～400分鐘之間；步驟二、用光刻...
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