1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底中形成有金屬插塞；
在所述基底上形成銅金屬層；
在所述金屬插塞上的銅金屬層表面上形成硬掩膜層；
以所述硬掩膜層為掩膜，采用無鹵素的氣體團(tuán)簇離子束刻蝕工藝去除部分厚度的銅金屬層；
繼續(xù)以所述硬掩膜層為掩膜，采用中性粒子束刻蝕工藝去除剩余的銅金屬層，在硬掩膜層底部形成與金屬插塞連接的銅金屬線。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述無鹵素的氣體團(tuán)簇離子束刻蝕工藝采用的氣體包括氧氣和乙酸氣體。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述無鹵素的氣體團(tuán)簇離子束刻蝕工藝的腔室溫度小于60℃，乙酸氣體的壓力為5.0E-4Pa～1.0E-02Pa，電壓為1KV～10KV，團(tuán)簇離子束劑量為1E16～1E17ions/cm2。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述銅金屬層的厚度為500～1000埃。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述無鹵素的氣體團(tuán)簇離子束刻蝕時(shí)去除的銅金屬層的厚度為300～800埃。
6.如權(quán)利要求1或3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，中性粒子束刻蝕工藝采用的氣體包括氧氣和乙醇?xì)怏w。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述中性粒子束刻蝕時(shí)的溫度小于-30℃。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述銅金屬線的寬度，從頂部向底部逐漸增大。
9.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底中形成有金屬插塞；
在所述基底上形成銅金屬層；
在所述金屬插塞上的銅金屬層表面上形成硬掩膜層；
以所述硬掩膜層為掩膜，采用無鹵素的氣體團(tuán)簇離子束刻蝕工藝去除部分厚度的銅金屬層；
繼續(xù)以所述硬掩膜層為掩膜，采用含氫等離子刻蝕工藝去除剩余的銅金屬層，在硬掩膜層底部形成與金屬插塞連接的銅金屬線。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述無鹵素的氣體團(tuán)簇離子束刻蝕工藝采用的氣體包括氧氣和乙酸氣體。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述無鹵素的氣體團(tuán)簇離子束刻蝕工藝的腔室溫度小于60℃，乙酸氣體的壓力為5.0E-4Pa～1.0E-02Pa，電壓為1KV～10KV，團(tuán)簇離子束劑量為1E16～1E17ions/cm2。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，所述含氫等離子刻蝕工藝為脈沖式等離子刻蝕。
13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，含氫等離子刻蝕工藝采用的氣體包括氫氣，氫氣的流量為50～200sccm，脈沖式等離子刻蝕時(shí)的占空比為20％-90％，脈沖頻率為0.1KHz～10KHz，腔室溫度為0～15℃，腔室壓力為10～200mTorr，射頻源和偏置源功率為100～500W。
14.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述銅金屬層的厚度為500～1000埃。
15.如權(quán)利要求9或14所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述無鹵素的氣體團(tuán)簇離子束刻蝕時(shí)去除的銅金屬層的厚度為300～800埃。
16.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述基底包括半導(dǎo)體襯底和位于半導(dǎo)體襯底上的介質(zhì)層。
17.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，還包括在銅金屬線的側(cè)壁和相鄰銅金屬線之間的基底上形成粘附層；在粘附層上形成超 低K介質(zhì)層。
18.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述銅金屬線的寬度，從頂部向底部逐漸增大。