技術(shù)總結(jié)
說明了具有ω形鰭部的非平面半導(dǎo)體器件以及制造具有ω形鰭部的非平面半導(dǎo)體器件的方法，該ω形鰭部具有經(jīng)摻雜的子鰭部區(qū)域。例如，一種半導(dǎo)體器件，包括設(shè)置在半導(dǎo)體襯底之上的多個(gè)半導(dǎo)體鰭部，每個(gè)半導(dǎo)體鰭部具有在突出部分下方的子鰭部部分，該子鰭部部分比該突出部分窄。固態(tài)摻雜劑源層設(shè)置在半導(dǎo)體襯底之上，與多個(gè)半導(dǎo)體鰭部中的每一個(gè)半導(dǎo)體鰭部的子鰭部區(qū)域共形，但不與突出部分共形。隔離層設(shè)置在固態(tài)摻雜劑源層之上并且在多個(gè)半導(dǎo)體鰭部的子鰭部區(qū)域之間。柵極疊置體設(shè)置在隔離層之上并與多個(gè)半導(dǎo)體鰭部中的每一個(gè)半導(dǎo)體鰭部的突出部分共形。

技術(shù)研發(fā)人員：G·比馬拉塞蒂;W·M·哈菲茲;J·樸;韓衛(wèi)民;R·E·科特納;C-H·簡
受保護(hù)的技術(shù)使用者：英特爾公司
文檔號(hào)碼：201480079228
技術(shù)研發(fā)日：2014.06.26
技術(shù)公布日：2017.02.22