本發(fā)明涉及樹脂模塑型的半導(dǎo)體裝置,尤其涉及引線框與模塑樹脂的密接性的提高。
背景技術(shù):
半導(dǎo)體裝置中,將銅板或銅合金板用于搭載半導(dǎo)體元件的引線框,并在其表面施加金、銀、鎳、或錫等金屬鍍敷,目的在于改善耐腐蝕性、耐熱性。其中大多采用鍍鎳。
另一方面,由于在引線框表面覆蓋金屬鍍敷,因此有時(shí)會(huì)導(dǎo)致與用于傳遞模塑成型的環(huán)氧樹脂等模塑樹脂的密接性降低。因此,在傳遞模塑成型之后,在引線框與模塑樹脂之間會(huì)立刻發(fā)生初始剝離。并且,眾所周知由于使用環(huán)境下的反復(fù)的熱應(yīng)力,模塑樹脂容易從引線框剝離。
作為具有用于提高引線框表面的金屬鍍敷與模塑樹脂的密接性的結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有例,在專利文獻(xiàn)1中,采用下述結(jié)構(gòu):在至少表面的一部分具備被絕緣性樹脂密封的覆蓋面的封裝元器件中,利用導(dǎo)電性皮膜覆蓋引線框的表面,進(jìn)一步在上述覆蓋面具有對(duì)該導(dǎo)電性皮膜進(jìn)行粗糙化后得到的粗糙面鍍層。
此外,在專利文獻(xiàn)2中,通過利用金屬模具對(duì)引線框進(jìn)行沖壓即進(jìn)行所謂的填孔(dimple)加工,從而以大致相等的間隔著縱橫方向上配置多個(gè)方形凹部,由此利用錨固效果來抑制模塑樹脂的剝離(參照?qǐng)D14)。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本專利第5264939號(hào)
專利文獻(xiàn)2:日本專利第3748849號(hào)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
發(fā)明所要解決的問題
然而,專利文獻(xiàn)1所示的封裝元器件的粗糙面鍍層與平滑面鍍層相比,存在導(dǎo)線鍵合性較差的問題。因此,導(dǎo)線的接合強(qiáng)度下降、以及未接合的可能性提高。此外,還存在著對(duì)與導(dǎo)線的連接部局部地實(shí)施條紋鍍敷、掩模鍍敷的方法,但與全面鍍敷相比,存在成本增加的問題。
若考慮到填孔加工的加工性,則專利文獻(xiàn)2所示的半導(dǎo)體裝置的方形凹部需要具有200μm左右的寬度,從而在引線框中無法確保足夠的面積的情況下難以進(jìn)行加工。尤其是引線框的與導(dǎo)線連接的連接部附近多為面積狹窄的區(qū)域,因此存在填孔加工無法進(jìn)行的問題。此外,若要確保形成方形凹部的面積,則會(huì)阻礙半導(dǎo)體裝置的小型化。
此外,在引線框表面形成鍍鎳層的情況下,由于與銅相比,鍍鎳的硬度較高,用于形成方形凹部的金屬模具的突起的磨損變快,存在生產(chǎn)性下降的問題。
并且,引線框會(huì)因填孔加工而發(fā)生變形,從而存在難以確保引線框的平坦度的問題。尤其是在橋接安裝電子元器件的半導(dǎo)體裝置的情況下,由于引線框的變形會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)生應(yīng)力,給焊料、電子元器件造成損傷,因此必須要確保引線框的平坦度。
本發(fā)明的目的在于,鑒于上述問題點(diǎn),提供一種使表面施加了金屬鍍敷的引線框與模塑樹脂的密接性提高,能夠進(jìn)行小型化,且生產(chǎn)性和可靠性較高的半導(dǎo)體裝置。
解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案
本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置包括搭載半導(dǎo)體元件的引線框、以及對(duì)引線框的至少搭載有半導(dǎo)體元件的面進(jìn)行密封的模塑樹脂,引線框的表面的一部分或整體被金屬鍍敷覆蓋,并且在被模塑樹脂密封的區(qū)域內(nèi)具有使金屬鍍敷的表面形狀變形成鱗狀的鱗狀部。
發(fā)明效果
根據(jù)本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置,利用鱗狀部的錨固效果,引線框與模塑樹脂的密接力提高,從而能夠抑制模塑樹脂從引線框剝離。鱗狀部由于是通過使金屬鍍敷的表面形狀變形而得到的,因此,能夠容易地配置于任意的部位,在加工時(shí)不會(huì)損壞引線框的平坦度,因此,能夠得到可進(jìn)行小型化且生產(chǎn)性和可靠性較高的半導(dǎo)體裝置。
本發(fā)明的上述以外的目的、特征、觀點(diǎn)和效果可根據(jù)參照附圖下述本發(fā)明的詳細(xì)說明來得以進(jìn)一步明確。
附圖說明
圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。
圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的半導(dǎo)體裝置的傳遞模塑成型工序的剖視圖。
圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的半導(dǎo)體裝置的鱗狀部的俯視圖。
圖4是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的半導(dǎo)體裝置的鱗狀部的剖視圖。
圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的半導(dǎo)體裝置的鱗狀部的剖視圖。
圖6是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的半導(dǎo)體裝置的鱗狀部的形態(tài)的掃描電子顯微鏡照片的圖。
圖7是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的半導(dǎo)體裝置的鱗狀部的形態(tài)的掃描電子顯微鏡照片的圖。
圖8是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的半導(dǎo)體裝置的鱗狀部的配置例的圖。
圖9是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的半導(dǎo)體裝置的鱗狀部的配置例的圖。
圖10是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的半導(dǎo)體裝置的鱗狀部的配置例的圖。
圖11是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的半導(dǎo)體裝置的鱗狀部的配置例的圖。
圖12是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的半導(dǎo)體裝置的鱗狀部的配置例的圖。
圖13是表示現(xiàn)有半導(dǎo)體裝置中用于提高引線框與模塑樹脂的密接性的結(jié)構(gòu)的圖。
圖14是表示現(xiàn)有的其他半導(dǎo)體裝置中用于提高引線框與模塑樹脂的密接性的結(jié)構(gòu)的圖。
圖15是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的半導(dǎo)體裝置的鱗狀部的俯視圖。
圖16是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的半導(dǎo)體裝置的鱗狀部的剖視圖。
圖17是表示本發(fā)明的實(shí)施方式3所涉及的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。
圖18是表示本發(fā)明的實(shí)施方式3所涉及的其他半導(dǎo)體裝置的剖視圖。
具體實(shí)施方式
實(shí)施方式1.
下面,基于附圖說明本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的半導(dǎo)體裝置。圖1示出了本實(shí)施方式1所涉及的樹脂模塑型的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的一個(gè)示例。本實(shí)施方式1所涉及的半導(dǎo)體裝置100構(gòu)成為包括半導(dǎo)體元件1、引線框2、導(dǎo)線5、內(nèi)引線6以及外部端子7等。另外,在下述所有圖中,對(duì)圖中相同、相當(dāng)部分標(biāo)注相同標(biāo)號(hào)。
半導(dǎo)體元件1例如是IGBT、MOSFET、IC芯片、LSI芯片等,經(jīng)由焊料、銀等接合構(gòu)件4安裝于引線框2的上表面。搭載半導(dǎo)體元件1或其他電子元器件的引線框2由銅板或銅合金板構(gòu)成,其表面被金、銀、鎳、錫等金屬鍍敷(省略圖示)覆膜。并且,引線框2具有使金屬鍍敷的表面形狀變形成鱗狀的鱗狀部3。該鱗狀部3將在后文中詳細(xì)說明。
半導(dǎo)體元件1的電極焊盤經(jīng)由通過導(dǎo)線鍵合連接的導(dǎo)線5、或者由銅板或銅合金板的材料制成的內(nèi)引線6與外部端子7連接。導(dǎo)線5與內(nèi)引線6彼此可替換。導(dǎo)線5由金、銀、鋁、銅等形成,線徑為20μm到500μm左右。
引線框2的至少搭載有半導(dǎo)體元件1的面由環(huán)氧樹脂等模塑樹脂8通過傳遞模塑成型來進(jìn)行密封。圖1的示例中,利用模塑樹脂8對(duì)引線框2的兩面進(jìn)行密封。模塑樹脂8的規(guī)定部位存在澆口切斷痕跡8a。
圖2示出了半導(dǎo)體裝置100的制造工序中的傳遞模塑成型工序。如圖2所示,在成型金屬模具20的內(nèi)部設(shè)置有安裝了半導(dǎo)體元件1和其他構(gòu)件的引線框2。熔融后的模塑樹脂被注入到成型金屬模具20的空洞21。
殘留在成型金屬模具20中模塑樹脂的通道即澆口22內(nèi)的模塑樹脂被稱為澆道(runner)8b。在傳遞模塑成型后,從成型金屬模具20取出半導(dǎo)體裝置100之后,實(shí)施分離澆道8b與半導(dǎo)體裝置100的澆口切斷。澆口切斷后的半導(dǎo)體裝置100中殘留有澆口切斷痕跡8a。
在該傳遞模塑成型工序中,在從成型金屬模具20排出半導(dǎo)體裝置100時(shí),從引線框2剝下模塑樹脂8的應(yīng)力發(fā)生作用,從而發(fā)生初始剝離。該應(yīng)力是由于下述原因而產(chǎn)生的,例如模塑樹脂8雖然只有一點(diǎn)但仍與成型金屬模具20密接、以及為了不使模塑樹脂8大量從成型金屬模具20漏出而將外部端子7與成型金屬模具20的間隙設(shè)得非常狹窄等。
此外,在半導(dǎo)體裝置100的澆口切斷痕跡8a附近也容易發(fā)生初始剝離。這是主要是由于下述原因?qū)е碌模矗涸跐部谇袛鄷r(shí)對(duì)引線框2施加力,以及澆口切斷痕跡8a附近是流過粘度較高的模塑樹脂8的部位,與引線框2的密接性較差。
在半導(dǎo)體裝置100中距澆口切斷痕跡8a直線距離最長(zhǎng)的部位,即模塑樹脂的最終填充部位容易發(fā)生初始剝離。這主要是因?yàn)闊峁绦阅K軜渲?在粘度變高浸潤(rùn)性變差的狀態(tài)下最后會(huì)流入距澆口切斷痕跡8a距離最長(zhǎng)的部位,從而與引線框2的密接性較差。
并且,在未發(fā)生初始剝離的情況下,由于使用環(huán)境下的反復(fù)的熱應(yīng)力,從而會(huì)在引線框2與模塑樹脂8之間產(chǎn)生剝離。尤其是在使用焊料作為接合構(gòu)件4的情況下,焊料與模塑樹脂8的密接性相比于其他部分低,因此,模塑樹脂8容易從引線框2的附著有焊料的部分剝離。
作為抑制這種模塑樹脂8從引線框2剝離的手段,半導(dǎo)體裝置100具有使覆蓋引線框2的表面的金屬鍍敷的表面狀態(tài)變形成鱗狀而得到的鱗狀部3。利用該鱗狀部3的錨固效果,提高金屬鍍敷與模塑樹脂8的密接性,抑制模塑樹脂8從引線框2剝離。
圖3是表示半導(dǎo)體裝置100的鱗狀部3的俯視圖,圖4是指圖3所示的A-A部分切斷后得到的剖視圖,圖5是指圖3所示的B-B部分切斷后得到的剖視圖。圖6和圖7是表示鱗狀部3的形態(tài)的掃描電子顯微鏡照片的圖。
鱗狀部3是通過對(duì)引線框2連續(xù)地利用激光進(jìn)行點(diǎn)照射,從而使金屬鍍層30變形成鱗狀而得到的,如圖3所示,在任意的直線上或曲線上以規(guī)定的寬度W進(jìn)行配置。
鱗狀部3具有連續(xù)配置有鱗片狀的突起的鱗片部31、以及在鱗片部31的兩側(cè)凸起至高于鱗片部31的隆起部32。鱗狀部3的寬度W和高度可通過激光的輸出、掃描速度等來進(jìn)行調(diào)整。
另外,鱗狀部3的寬度W例如為60μm左右,但也可以根據(jù)所配置的部位的面積設(shè)定得較大。通過增大鱗狀部3的寬度W,由此與模塑樹脂8的密接性進(jìn)一步提高。
使用圖18~圖12說明鱗狀部3的配置例及其效果。圖8所示的示例中,鱗狀部3被配置在引線框2的澆口切斷痕跡8a附近,即靠近成型金屬模具20的澆口22(參照?qǐng)D2)的部位。由此,能夠提高容易發(fā)生初始剝離的澆口切斷痕跡8a附近的金屬鍍層30與模塑樹脂8的密接力。
在圖9的示例中,鱗狀部3被配置在引線框2的距澆口切斷痕跡8a直線距離最長(zhǎng)的部位附近。由此,能夠提高容易發(fā)生初始剝離的最終填充部位附近的金屬鍍層30與模塑樹脂8的密接力。
在圖10所示的示例中,鱗狀部3被配置在引線框2的被模塑樹脂8密封的區(qū)域內(nèi)的外周部。由此,能夠抑制因從成型金屬模具20排出半導(dǎo)體裝置100時(shí)的應(yīng)力而引起的初始剝離、因其他的來自外部的應(yīng)力而引起的剝離,并具有防止水分和污染物質(zhì)侵入模塑樹脂8內(nèi)部的效果。
在圖11所示的示例中,鱗狀部3被配置在引線框2的搭載有半導(dǎo)體元件1的部位的周圍。由此,能夠抑制住接合構(gòu)件4附近容易發(fā)生的因使用環(huán)境下的反復(fù)的熱應(yīng)力而引起的剝離,從而實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置100的長(zhǎng)壽命化。并且,在接合構(gòu)件4為焊料的情況下,通過將鱗狀部配置為包括接合構(gòu)件4附近,從而焊料的浸潤(rùn)角變大,能夠防止焊料的流出。
在圖12所示的示例中,鱗狀部3被廣泛配置在引線框2的除導(dǎo)線連接部2a之外的區(qū)域。由此,通過避開引線框2的導(dǎo)線連接部2a來配置鱗狀部3,從而導(dǎo)線鍵合性不會(huì)下降,可實(shí)現(xiàn)導(dǎo)線5與引線框2的良好的接合。
由于鱗狀部3按此方式通過激光進(jìn)行點(diǎn)照射來形成,因此,能夠形成在引線框2上的任意部位。從而僅對(duì)想要配置鱗狀部3的部位選擇性地進(jìn)行處理,且避開未配置鱗狀部3的部位例如導(dǎo)線連接部2a等進(jìn)行處理也較為容易。此外,通過圖8~圖12所示那樣一筆畫出鱗狀部3的處理圖案,能夠縮短生產(chǎn)周期,生產(chǎn)性提高。
接著,圖13和圖14示出現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置中用于提高引線框與模塑樹脂的密接性的結(jié)構(gòu),來作為本實(shí)施方式1所涉及的半導(dǎo)體裝置100的比較例。圖13所示的現(xiàn)有例中,在引線框2的模塑樹脂8一側(cè)的面,按規(guī)定的膜厚形成具有表面輪廓的粗糙面鍍層33,該表面輪廓通過在鍍鎳層的覆蓋面進(jìn)行粗糙化而得到。
形成有這種粗糙面鍍層33的封裝元器件提高了引線框2與模塑樹脂8的密接性,而且其密接性不會(huì)變差。然而,由于粗糙面鍍層33與平滑面鍍層34相比導(dǎo)線鍵合性較差,因此存在導(dǎo)線的接合強(qiáng)度下降、未接合的可能性較高的問題。
與此相對(duì)地,本實(shí)施方式1所涉及的半導(dǎo)體裝置100的鱗狀部3能夠選擇性地形成在引線框2上的任意部位,能夠避開引線框2的導(dǎo)線連接部2a來進(jìn)行處理,因此在不會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)線鍵合性下降這一點(diǎn)上十分有利。
圖14所示的其他現(xiàn)有例中,在引線框2的下墊板2b以外的區(qū)域,通過利用引線框沖壓金屬模具的填孔加工,以大致相等的間隔形成多個(gè)方形凹部9。在具有這種結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置中,由于方形凹部9的錨固效果,引線框2與模塑樹脂的密接性也提高。
但是,若考慮到填孔加工的加工性,則方形凹部9需要具有200μm左右的寬度,由于引線框2的設(shè)計(jì)無法確保足夠的面積,從而較難進(jìn)行加工。與此相對(duì)地,在60μm左右的狹窄空間內(nèi)也能形成本實(shí)施方式1的鱗狀部3,從而能夠有助于半導(dǎo)體裝置的小型化。鱗狀部3由于是激光加工得到,因此不需要金屬模具,從而無需考慮金屬模具的突起的磨損等,在生產(chǎn)性較高這一點(diǎn)上十分有利。
若利用超聲波視頻裝置等檢查半導(dǎo)體裝置100,則可明確在預(yù)計(jì)以外的部位容易發(fā)生剝離。這種情況下,修改或者重新制作成型金屬模具20(參照?qǐng)D2)需要耗費(fèi)非常長(zhǎng)的工期和非常高的成本。本實(shí)施方式1的鱗狀部3對(duì)于這種情況是有效的。即,能夠選擇性地配置在明確了容易發(fā)生剝離的部位,從而能夠以低成本進(jìn)行應(yīng)對(duì)。
并且,由于方形凹部9與相鄰的方形凹部9之間具有間隙,因此,接合半導(dǎo)體元件的焊料容易從該間隙流出到周圍。對(duì)此,本實(shí)施方式1中,如圖11所示,通過配置鱗狀部3來包圍半導(dǎo)體元件1,從而鱗狀部3的隆起部32成為阻擋物,防止焊料流出的效果較大。由此,能夠抑制半導(dǎo)體元件1的位置偏移。
另外,本實(shí)施方式1中,對(duì)使用傳遞模塑法制造得到的半導(dǎo)體裝置100進(jìn)行了說明,但半導(dǎo)體裝置100的制造方法并不限于此。例如,也可以使用射出模塑法,在該情況下,由于樹脂的成本低廉,從而能夠有助于低成本化。
如上所述,本實(shí)施方式1所涉及的半導(dǎo)體裝置100中,由于鱗狀部3的錨固效果,引線框2與模塑樹脂8的密接力提高,因此,能夠抑制模塑樹脂8從引線框2剝離。
此外,鱗狀部3通過向引線框2照射激光而形成,因此能夠容易地配置于任意的部位,從而在加工時(shí)不會(huì)損害引線框2的平坦度。由此,根據(jù)本實(shí)施方式1,可得到能進(jìn)行小型化且生產(chǎn)性和可靠性較高的半導(dǎo)體裝置100。
實(shí)施方式2.
本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的半導(dǎo)體裝置的整體結(jié)構(gòu)與上述實(shí)施方式1相同,因此,沿用圖1,并省略各部分的說明。圖15是表示本實(shí)施方式2所涉及的半導(dǎo)體裝置100的鱗狀部3a的俯視圖,圖16是在圖15所示的C-C部分切斷后得到的剖視圖。
本實(shí)施方式2的鱗狀部3a在規(guī)定寬度W的中央部附近具有金屬鍍層30下的引線框2、即銅或銅合金露出的露出部2c。其他結(jié)構(gòu)與上述實(shí)施方式1的鱗狀部3相同。與金屬鍍層30相比,露出的銅或銅合金與模塑樹脂8的密接性較高,因此,與上述實(shí)施方式1相比,能夠進(jìn)一步抑制模塑樹脂的剝離。
作為使鱗狀部3a的中央部的引線框2露出的方法,例如有相比于上述實(shí)施方式1提高了激光照射的輸出從而使中央部的金屬鍍敷完全熔融的方法、在激光處理后利用噴丸處理等物理加工來削除金屬鍍敷的方法等。
另外,雖然引線框2的材料即銅容易氧化,在露出的狀態(tài)下需要耗費(fèi)成本來進(jìn)行氧化度的管理,但在本實(shí)施方式2中,設(shè)為在緊接著傳遞模塑成型之前的工序中形成鱗狀部3a,通過盡可能縮短銅露出的時(shí)間,從而銅的氧化度的管理容易,能夠抑制因此而導(dǎo)致的成本上升。
根據(jù)本實(shí)施方式2,除了與上述實(shí)施方式1相同的效果之外,通過在鱗狀部3a的中央部設(shè)置使得與模塑樹脂8的密接性較高的銅或銅合金露出的露出部2c,從而與上述實(shí)施方式1相比,抑制模塑樹脂8從引線框2的剝離的效果進(jìn)一步變高。
實(shí)施方式3.
本發(fā)明的實(shí)施方式3中,對(duì)將鱗狀部3應(yīng)用于結(jié)構(gòu)不同于實(shí)施方式1的半導(dǎo)體裝置100的半導(dǎo)體裝置的示例進(jìn)行說明。圖17示出了本實(shí)施方式3所涉及的半導(dǎo)體裝置101。半導(dǎo)體裝置101具備以跨過引線框2的相分離的兩個(gè)區(qū)域之間的方式橋接安裝的電子元器件10。電子元器件10是電容器、熱敏電阻等。
本實(shí)施方式3中,橋接安裝電子元器件10的引線框2的兩個(gè)區(qū)域可以是搭載有半導(dǎo)體元件1的區(qū)域和未搭載半導(dǎo)體元件1的區(qū)域、搭載有半導(dǎo)體元件1的兩個(gè)區(qū)域、未搭載半導(dǎo)體元件1的兩個(gè)區(qū)域中的任意一種。
在對(duì)電子元器件10進(jìn)行橋接安裝時(shí),若引線框2存在變形,則應(yīng)力會(huì)施加到電子元器件10、接合構(gòu)件4,從而造成損傷。在圖14所示的現(xiàn)有例中,由于通過使用了金屬模具的填孔加工來形成方形凹部9,因此,不能確保引線框的平坦度,橋接安裝在技術(shù)上較為困難。
與此相對(duì)地,本實(shí)施方式3所涉及的半導(dǎo)體裝置101中,通過激光進(jìn)行點(diǎn)照射來設(shè)置鱗狀部3,從而在加工時(shí)不會(huì)損害引線框2的平坦度。因此,引線框2的各區(qū)域間的高低差在幾十μm左右,平坦度得以確保。由此,施加于橋接安裝的電子元器件10、接合構(gòu)件4的應(yīng)力得到緩和,從而能夠防止電子元器件10、接合構(gòu)件4的損壞和破裂。
此外,在電子元器件10是起到噪聲濾波器的作用的電容器的情況下,利用橋接安裝將其配置到半導(dǎo)體裝置101的內(nèi)部變得容易,作為噪聲濾波器的效果變大。并且,通過在電子元器件10的周圍的引線框2配置鱗狀部3,能夠抑制容易在接合構(gòu)件4的附近發(fā)生的因使用環(huán)境下的反復(fù)的熱應(yīng)力而引起的剝離。
圖18示出了本實(shí)施方式3所涉及的其他半導(dǎo)體裝置102。半導(dǎo)體裝置102中,在引線框2的下部經(jīng)由粘接構(gòu)件11安裝有片材12。粘接構(gòu)件11是油脂、粘接劑、樹脂類粘接材料等。使用具有電絕緣性且熱傳導(dǎo)率較高的陶瓷、硅樹脂來作為片材12。
此外,在粘接構(gòu)件11具有電絕緣性的情況下,使用熱傳導(dǎo)較高的銅作為片材12。并且,在安裝散熱器的情況下,可以將片材12安裝在散熱器一側(cè)。由此,在引線框2的下部沒有被模塑樹脂8覆蓋的情況下也能夠應(yīng)用鱗狀部3,從而得到散熱性優(yōu)異的半導(dǎo)體裝置12。
另外,圖17、圖18中,在半導(dǎo)體裝置101、102設(shè)置了鱗狀部3,也可以設(shè)置中央部的引線框2露出的鱗狀部3a。此外,鱗狀部3、3a例如如圖8~圖12的配置例那樣,能夠配置于任意的部位。
根據(jù)本實(shí)施方式3,能夠獲得上述實(shí)施方式1和實(shí)施方式2相同的效果,即提高金屬鍍層30與模塑樹脂8的密接力,抑制模塑樹脂8從引線框2剝離,并且可得到功能性和可靠性較高、且能夠?qū)崿F(xiàn)長(zhǎng)壽命、小型化的半導(dǎo)體裝置。
另外,可適用本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)和制造方法不僅限于上述實(shí)施方式1~實(shí)施方式3。本發(fā)明在其發(fā)明的范圍內(nèi)能夠自由地組合各實(shí)施方式,能適當(dāng)?shù)貙?duì)各實(shí)施方式進(jìn)行變形和省略。
工業(yè)上的實(shí)用性
本發(fā)明能夠利用于樹脂模塑型的半導(dǎo)體裝置。