本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池及其制造方法、半導(dǎo)體元件及其制造方法。

背景技術(shù)：
近年來(lái)，伴隨著有機(jī)電致發(fā)光(有機(jī)EL)元件等薄型輕量顯示元件的開(kāi)發(fā)，作為半導(dǎo)體元件，要求開(kāi)發(fā)出載流子的遷移率(下文中記為遷移率)高的材料。目前，正在開(kāi)發(fā)遷移率高的金屬氧化物、即銦·鎵·鋅氧化物等金屬氧化物(專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。另外，目前的半導(dǎo)體元件以硅為中心，工藝需要昂貴的真空裝置和高溫工藝。并且，目前的半導(dǎo)體元件在其制造中使用了照相平版印刷術(shù)，需要經(jīng)過(guò)多個(gè)工序，因而存在制造成本高的問(wèn)題。因此，作為形成由遷移率高的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體顆粒構(gòu)成的層的方法，也在積極進(jìn)行涂布法這樣的非真空體系工藝的研究。進(jìn)而，以通用樹(shù)脂基板可以使用的工藝溫度為目標(biāo)，還在積極地研究工藝的低溫化。另外，在太陽(yáng)能電池領(lǐng)域中，作為現(xiàn)有技術(shù)已知一種在硅基板上具備由金屬氧化物構(gòu)成的層的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池。作為太陽(yáng)能電池的制造方法，正在使用等離子體CVD法、濺射法、噴濺法等真空體系的工藝。例如，在專(zhuān)利文獻(xiàn)2中公開(kāi)了一種太陽(yáng)能電池，其利用噴濺法形成包含銦的金屬氧化物的膜，并具有該膜作為半導(dǎo)體層。與此相對(duì)，非真空體系的工藝的研究也在積極地進(jìn)行。關(guān)于通過(guò)作為非真空體系工藝的涂布法在硅基板上形成由金屬氧化物顆粒構(gòu)成的層的方法，由于作業(yè)性?xún)?yōu)異及容易降低成本，因而正在進(jìn)行積極的開(kāi)發(fā)。另外，在太陽(yáng)能電池領(lǐng)域中也以通用樹(shù)脂基板可以使用的工藝溫度為目標(biāo)，也在積極地研究工藝的低溫化?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)1：國(guó)際公開(kāi)第2005/088726號(hào)專(zhuān)利文獻(xiàn)2：日本特開(kāi)2011-86770號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
發(fā)明要解決的課題在無(wú)機(jī)半導(dǎo)體的情況下，作為薄膜的成膜溫度，需要約300度以上的高溫。因此，在無(wú)機(jī)半導(dǎo)體的成膜中，必須使用玻璃基板或硅晶片作為基板，極其難以應(yīng)用于要求耐沖擊性和柔性的樹(shù)脂基板等中。另外，在專(zhuān)利文獻(xiàn)2所示的太陽(yáng)能電池中，由于使用了作為真空工藝的噴濺法，因而成本高，這成為問(wèn)題。另一方面，涂布法之類(lèi)的非真空體系工藝雖然是成本比較低的方法，但在適用于太陽(yáng)能電池的情況下，目前光電轉(zhuǎn)換效率尚不充分。因此，本發(fā)明的目的之一在于提供一種能夠利用非真空體系工藝進(jìn)行制造、能夠表現(xiàn)出更優(yōu)異的光電轉(zhuǎn)換效率的太陽(yáng)能電池及其制造方法。另外，本發(fā)明的目的之一在于提供一種能夠利用非真空體系工藝進(jìn)行制造、能夠表現(xiàn)出更高的遷移率的半導(dǎo)體元件及其制造方法。用于解決課題的方案本發(fā)明人為了解決上述課題進(jìn)行了反復(fù)深入的研究，結(jié)果完成了本發(fā)明。本發(fā)明的一個(gè)方式的太陽(yáng)能電池的特征在于，其至少具有第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層，上述第一半導(dǎo)體層是包含平均粒徑為1nm以上500nm以下的金屬氧化物顆粒和相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物的層。另外，本發(fā)明的另一方式的太陽(yáng)能電池的特征在于，其至少具有第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層，上述第一半導(dǎo)體層是包含平均粒徑為1nm以上500nm以下的金屬氧化物顆粒和相對(duì)介電常數(shù)為2以上1000以下的有機(jī)化合物的層，上述第一半導(dǎo)體層中的上述有機(jī)化合物的含量為10質(zhì)量％以上90質(zhì)量％以下。另外，本發(fā)明的另一方式的太陽(yáng)能電池的特征在于，其至少具有第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層，上述第一半導(dǎo)體層是包含平均粒徑為1nm以上500nm以下的金屬氧化物顆粒和相對(duì)介電常數(shù)為10以上200以下的有機(jī)化合物的層，上述第一半導(dǎo)體層中的上述有機(jī)化合物的含量為20質(zhì)量％以上70質(zhì)量％以下。另外，本發(fā)明的另一方式的太陽(yáng)能電池的特征在于，其具備：包含銳鈦礦型或金紅石型的氧化鈦顆粒的第一半導(dǎo)體層；包含硅的第二半導(dǎo)體層；和位于上述第一半導(dǎo)體層與上述第二半導(dǎo)體層之間的結(jié)合界面層，上述結(jié)合界面層是包含相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物的層，由上述氧化鈦顆粒為銳鈦礦型的情況下衍射角2θ為24°以上26°以下時(shí)出現(xiàn)的衍射峰、上述氧化鈦顆粒為金紅石型的情況下衍射角2θ為26°以上28°以下時(shí)出現(xiàn)的衍射峰得到的半峰寬為0.2°以上5.0°以下。本發(fā)明的一個(gè)方式的半導(dǎo)體元件的特征在于，其具有至少1層半導(dǎo)體層，該半導(dǎo)體層包含無(wú)機(jī)顆粒和相對(duì)介電常數(shù)為3以上150以下的有機(jī)化合物，上述無(wú)機(jī)顆粒為金屬氧化物顆?；蚬桀w粒，上述半導(dǎo)體層中的上述無(wú)機(jī)顆粒的含量為10質(zhì)量％以上90質(zhì)量％以下，上述半導(dǎo)體層的載流子遷移率為0.0001cm2/Vs以上。本發(fā)明的一個(gè)方式的太陽(yáng)能電池的制造方法的特征在于，該制造方法包括下述工序：準(zhǔn)備涂布液，將所準(zhǔn)備的上述涂布液涂布至半導(dǎo)體層或具有電極的基板上的工序；和使所涂布的上述涂布液干燥，從該涂布液中除去下述分散劑中的至少一部分的工序，使上述涂布液干燥的溫度為20℃以上150℃以下，上述涂布液是包含無(wú)機(jī)顆粒、相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物、和1種以上的分散劑的涂布液，并且，上述無(wú)機(jī)顆粒為金屬氧化物顆?；蚬桀w粒，上述涂布液中的上述無(wú)機(jī)顆粒的含量為0.1質(zhì)量％以上49.9質(zhì)量％以下，上述涂布液中的上述相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物的含量為0.1質(zhì)量％以上49.9質(zhì)量％以下，上述涂布液中的上述分散劑的含量為0.2質(zhì)量％以上99.8質(zhì)量％以下。本發(fā)明的一個(gè)方式的半導(dǎo)體元件的制造方法的特征在于，該制造方法包括下述工序：準(zhǔn)備涂布液，將所準(zhǔn)備的上述涂布液涂布至半導(dǎo)體層或具有電極的基板上的工序；和使所涂布的上述涂布液干燥，從該涂布液中除去下述分散劑中的至少一部分的工序，使上述涂布液干燥的溫度為20℃以上150℃以下，上述涂布液是包含無(wú)機(jī)顆粒、相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物、和1種以上的分散劑的涂布液，并且，上述無(wú)機(jī)顆粒為金屬氧化物顆粒或硅顆粒，上述涂布液中的上述無(wú)機(jī)顆粒的含量為0.1質(zhì)量％以上49.9質(zhì)量％以下，上述涂布液中的上述相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物的含量為0.1質(zhì)量％以上49.9質(zhì)量％以下，上述涂布液中的上述分散劑的含量為0.2質(zhì)量％以上99.8質(zhì)量％以下。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種能夠利用非真空體系工藝進(jìn)行制造、能夠表現(xiàn)出更優(yōu)異的光電轉(zhuǎn)換效率的太陽(yáng)能電池及其制造方法。另外，根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種能夠利用非真空體系工藝進(jìn)行制造、能夠表現(xiàn)出更高的遷移率的半導(dǎo)體元件及其制造方法。附圖說(shuō)明圖1是示意性地示出由金屬氧化物顆粒和相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物構(gòu)成的半導(dǎo)體層的圖。圖2是示意性地示出僅由金屬氧化物顆粒構(gòu)成的半導(dǎo)體層的圖。圖3是示意性地示出第1實(shí)施方式的太陽(yáng)能電池100的構(gòu)成例的截面圖。圖4是示意性地示出第1實(shí)施方式的太陽(yáng)能電池200的構(gòu)成例的截面圖。圖5是示意性地示出比較例的太陽(yáng)能電池300的構(gòu)成例的截面圖。圖6是示意性地示出第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體元件400的構(gòu)成例的截面圖。圖7是示出實(shí)施例中的太陽(yáng)能電池評(píng)價(jià)用試樣的具體準(zhǔn)備方法的圖。圖8是TOF裝置的示意圖。圖9是示出實(shí)施例中的分光靈敏度的測(cè)定結(jié)果的圖。圖10是實(shí)施例28中的太陽(yáng)能電池的發(fā)電的評(píng)價(jià)結(jié)果和照片圖。圖11是示出實(shí)施例中的短路電流密度的經(jīng)時(shí)變化的測(cè)定結(jié)果的圖。圖12是對(duì)實(shí)施例中的電介質(zhì)的介電常數(shù)與太陽(yáng)能電池的開(kāi)路電壓的關(guān)系進(jìn)行作圖的圖。圖13是示出實(shí)施例21的含氧化鈦層的截面的SEM照片的圖。圖14是對(duì)實(shí)施例31和比較例7的各元件示出交流阻抗測(cè)定的結(jié)果的圖。圖15是使用實(shí)施例34的元件測(cè)定運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)間(Tr)的圖。圖16是使用實(shí)施例35的元件測(cè)定運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)間(Tr)的圖。圖17是使用實(shí)施例36的元件測(cè)定運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)間(Tr)的圖。圖18是使用實(shí)施例37的元件測(cè)定運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)間(Tr)的圖。圖19是使用實(shí)施例38的元件測(cè)定運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)間(Tr)的圖。圖20是使用實(shí)施例39的元件測(cè)定運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)間(Tr)的圖。圖21是使用比較例8的元件測(cè)定運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)間(Tr)的圖。圖22是示出實(shí)施例40中的太陽(yáng)能電池的發(fā)電的評(píng)價(jià)結(jié)果的圖。圖23是示出對(duì)氧化鈦的周邊具有相對(duì)介電常數(shù)為1的電介質(zhì)時(shí)的狀態(tài)密度進(jìn)行模擬的結(jié)果的圖。圖24是示出對(duì)氧化鈦的周邊具有相對(duì)介電常數(shù)為25.6的電介質(zhì)時(shí)的狀態(tài)密度進(jìn)行模擬的結(jié)果的圖。圖25是示出HOMO-LUMO的能級(jí)的相對(duì)介電常數(shù)依賴(lài)性的圖。圖26是示出樣品1、2的ESR測(cè)定結(jié)果的圖。圖27是示出樣品3、4的ESR測(cè)定結(jié)果的圖。圖28是示出電流-電壓特性的測(cè)定結(jié)果的圖。具體實(shí)施方式下面，詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。<第1實(shí)施方式>本發(fā)明的第1實(shí)施方式的太陽(yáng)能電池至少具有第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層。第一半導(dǎo)體層是包含平均粒徑為1nm以上500nm以下(下文中記為1nm～500nm)的金屬氧化物顆粒和相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物的層。首先，針對(duì)金屬氧化物顆粒、相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物、半導(dǎo)體層、結(jié)合界面層，對(duì)其材料和物性分別進(jìn)行說(shuō)明。接著，對(duì)太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。[金屬氧化物顆粒]作為金屬氧化物顆粒中使用的氧化物，可以舉出氧化銅(I)、氧化銅(II)、氧化鐵、氧化鋅、氧化銀、氧化鈦(金紅石、銳鈦礦)、摻雜鋁的氧化鋅(AZO)、摻雜鎵的氧化鋅(GZO)、氧化銦錫(ITO)、氧化錫、摻雜氟的氧化錫(FTO)、氧化銦、銦·鎵·鋅氧化物、氧化鎳、CuAlO2、CuGaO2、SrCu2O2、LaCuOS、LaCuOSe、CuInO2、ZnRh2O4、12CaO·7Al2O3(C12A7)、Ga2O3等金屬氧化物。從透明性、載流子的遷移率、低成本的方面出發(fā)，氧化物優(yōu)選為氧化鈦(金紅石、銳鈦礦)或氧化鋅、摻雜鋁的氧化鋅(AZO)、摻雜鎵的氧化鋅(GZO)。用于金屬氧化物顆粒的這些氧化物可以合用兩種以上。作為氧化鈦顆粒，例如可以使用由二氧化鈦、一氧化鈦、三氧化二鈦等組成的顆粒中的1種或組合使用2種以上。另外，其中，作為氧化鈦顆粒，優(yōu)選主要由二氧化鈦構(gòu)成。二氧化鈦對(duì)于光的敏感性高，可更容易且確實(shí)地激發(fā)電子。因此，作為氧化鈦顆粒，主要使用了二氧化鈦顆粒的氧化鈦層能夠更確實(shí)地產(chǎn)生電子(下文中，“氧化鈦”表示二氧化鈦)。作為可以使用的氧化鈦顆粒的種類(lèi)，可以舉出ST-01、ST-21、ST-31、ST-41、ST-30L、STS-01、STS-02、STS-21、STS-100、ST-K211、ST-K101、ST-K102a、ST-K102b、ST-K300、ST-K211、ST-K102、PT-301、PT-401M、PT-401L、CR-EL、PT-501R、PT501A、MC-50、MC-90、MC-150、FTL-100、FTL-110、FTL-200、FTL-300、R-820、R-830、R-930、R-980、CR-Super70、CR-80、CR-90、CR-90-2、CR-93、CR-95、CR-97、UT771、R-630、CR-50、CR-50-2、CR-57、CR-953、R-630、CR-58、R-780、CR-58-2、R-780-2、PF-736、CR-63、PF-742、CR-60-2、R-550、PF-690、PF-691、PF-737、PF-711、R-680、PF-739、PC-3、W-10、A-220、TTO-51(A)、TTO-51(C)、TTO-55(A)、TTO-55(B)、TTO-55(C)、TTO-55(D)、TTO-S-1、TTO-S-2、TTO-S-3、TTO-S-4、MPT-136、TTO-V-3、TTO-V-4、TTO-F-2、TTO-F-6和TTO-W-5(以上均為石原產(chǎn)業(yè)社制造)；P25、PF2、P90、T805和NKT90(以上均為NIPPONAEROSIL社制造)；以及JR-301、JR-403、JR-405、JR-600A、JR-605、JR-600E、JR-603、JR-701、JRNC、JR-800、JR-805、JR-806、JR、JA-1、JA-3、JA-C、MT-01、MT-10EX、MT-05、MT-100TV、MT-100Z、MT-150A、MT-150EX、MT-150W、MT-100AQ、MT-100WP、MT-100SA、MT-100HD、MT-500B、MT-500SA、MT-600B、MT-700B、MTY-02、MTY-110M3S、MT-500SAS、MTY-700BS、MT-300HD、MT-500HD、MT-600SA、MT-700HD、JMT-150IB、JMT-150AO、JMT-150FI、JMT-150ANO、AMT-100、AMT-400、AMT-600、TITANIXJA-1、TKP-101、TKP-102、TKS-201、TKS-202、TKS-203、TKD-701、TKD-702、TKD-801、TKD-802、TKC-303、TKC-304、TKC-305和JR-1000(以上均為T(mén)AYCA社制造)等。作為氧化鈦顆粒的代表性制法，包括氯法和硫酸法。關(guān)于氯法，使原料(鈦鐵礦礦石)與焦炭·氯反應(yīng)，暫時(shí)形成氣態(tài)的四氯化鈦。將氣態(tài)的四氯化鈦冷卻制成液態(tài)后，在高溫下與氧反應(yīng)，分離氯氣而得到氧化鈦顆粒。另一方面，關(guān)于硫酸法，將原料(鈦鐵礦礦石)溶解于濃硫酸中，將作為雜質(zhì)的鐵成分以硫酸鐵(FeSO4)的形式分離，暫時(shí)形成硫酸氧鈦(TiOSO4)。將其水解，則形成氫氧化氧鈦(TiO(OH)2)而沉淀。對(duì)該沉淀物進(jìn)行清洗·干燥，并進(jìn)行燒制，由此得到氧化鈦顆粒。氧化鈦的晶形包括銳鈦礦型、金紅石型、板鈦礦型。對(duì)于氧化鈦的晶形，根據(jù)銳鈦礦型、金紅石型、板鈦礦型的不同，晶格常數(shù)、強(qiáng)度和晶面指數(shù)不同，因此可以通過(guò)X射線衍射測(cè)定進(jìn)行鑒定。本發(fā)明的第1實(shí)施方式和后述的第2實(shí)施方式的氧化鈦顆粒優(yōu)選為銳鈦礦型，優(yōu)選包含銳鈦礦型氧化鈦顆粒。對(duì)于氧化鈦，可以將兩種以上晶形不同的氧化鈦進(jìn)行混合，從表現(xiàn)出光導(dǎo)電性的方面考慮，優(yōu)選包含30質(zhì)量％以上的銳鈦礦型氧化鈦顆粒，更優(yōu)選包含60質(zhì)量％以上，進(jìn)一步優(yōu)選包含80質(zhì)量％以上，極優(yōu)選包含90質(zhì)量％以上，最優(yōu)選包含100質(zhì)量％。在氧化鈦顆粒的X射線衍射光譜中，主要峰的半峰寬是表示氧化鈦的結(jié)晶性的基準(zhǔn)。在進(jìn)行氧化鈦顆粒的X射線衍射測(cè)定時(shí)，若使用銳鈦礦型氧化鈦顆粒，則在衍射角2θ＝24～26°出現(xiàn)作為銳鈦礦的主要峰的(101)面的衍射峰。另外，若使用金紅石型氧化鈦顆粒，則在衍射角2θ＝26～28°出現(xiàn)作為金紅石的主要峰的(110)面的衍射峰?？梢杂芍饕鍦y(cè)定半峰寬。從氧化鈦顆粒內(nèi)的載流子傳輸?shù)姆矫娉霭l(fā)，由表示氧化鈦的結(jié)晶性的X射線衍射得到的半峰寬優(yōu)選為5.0°以下、更優(yōu)選為3.0°以下、進(jìn)一步優(yōu)選為2.0°以下。另外，由于氧化鈦顆粒的結(jié)晶性過(guò)高時(shí)成膜性變差，所以該半峰寬優(yōu)選為0.2°以上、更優(yōu)選為0.3°以上、進(jìn)一步優(yōu)選為0.4°以上。作為可以使用的氧化鋅顆粒的種類(lèi)，可以舉出FZO-50(石原產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社制造)、MZ-300、MZY-303S、MZ-306X、MZ-500、MZY-505S、MZY-510M3S、MZ-506X、MZ-510HPSX(以上為T(mén)AYCA社制造)、氧化鋅分散液(產(chǎn)品號(hào)：721077、721093、721107、721085、633844、以上為Aldrich社制造)等。另外，可以利用濺射法等制作金屬氧化物，將所得到的物質(zhì)粉碎后使用。作為粉碎的方法，可以為干式粉碎也可以為濕式粉碎，也可以使用這兩種方法。干式粉碎中可以利用錘式破碎機(jī)等。濕式粉碎中可以利用球磨機(jī)、行星球磨機(jī)、珠磨機(jī)、均化器等。作為濕式粉碎時(shí)的溶劑，與后述的硅顆粒的制造方法同樣地可以舉出下述溶劑。作為金屬氧化物顆粒的制造方法，沒(méi)有特別限定，例如可以利用溶膠凝膠法等進(jìn)行制造。可以用有機(jī)官能團(tuán)對(duì)金屬氧化物顆粒的表面進(jìn)行修飾。通過(guò)用有機(jī)官能團(tuán)對(duì)表面進(jìn)行修飾，在有機(jī)溶劑中的分散性提高，可以制作均勻的膜。作為有機(jī)官能團(tuán)的修飾方法，例如可以舉出氰乙基化等。金屬氧化物顆粒的平均粒徑可使用透射型電子顯微鏡、或者掃描型電子顯微鏡進(jìn)行測(cè)定。金屬氧化物顆粒的平均粒徑為1nm以上500nm以下。從顆粒間的接觸電阻的降低和擴(kuò)散長(zhǎng)度的方面出發(fā)，作為金屬氧化物顆粒的平均粒徑，優(yōu)選為3nm以上、更優(yōu)選為5nm以上。另外，從同樣的方面出發(fā)，該平均粒徑優(yōu)選為100nm以下、更優(yōu)選為80nm以下、進(jìn)一步優(yōu)選為50nm以下。對(duì)于本發(fā)明的第1實(shí)施方式和后述的第2實(shí)施方式中使用的金屬氧化物顆粒，粒徑分布的相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差σ優(yōu)選為0.1nm以上5.0nm以下。需要說(shuō)明的是，從低電阻化的方面出發(fā)，該相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差σ更優(yōu)選為3.0nm以下、進(jìn)一步優(yōu)選為2.0nm以下。[相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物]相對(duì)介電常數(shù)是指使測(cè)定頻率為1kHz、測(cè)定溫度為23℃并利用阻抗法所測(cè)定的值。作為相對(duì)介電常數(shù)的優(yōu)選范圍，從提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率、提高半導(dǎo)體元件的載流子遷移率的方面出發(fā)為2以上、優(yōu)選為3以上、優(yōu)選為5以上、更優(yōu)選為10以上、進(jìn)一步優(yōu)選為15以上。另外，從同樣的方面出發(fā)，相對(duì)介電常數(shù)優(yōu)選為5000以下、更優(yōu)選為1500以下、優(yōu)選為200以下、進(jìn)一步優(yōu)選為100以下。需要說(shuō)明的是，光電轉(zhuǎn)換效率η可以通過(guò)下述式[1]、式[2]而求出。η＝(太陽(yáng)能電池的輸出功率)/100×100…[1]太陽(yáng)能電池的輸出功率＝短路電流密度×開(kāi)路電壓×FF＝Vmax·Imax…[2](Imax是指太陽(yáng)能電池的輸出功率達(dá)到最大時(shí)的電流。Vmax是指太陽(yáng)能電池的輸出功率達(dá)到最大時(shí)的電壓。)相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物可大致分為有機(jī)化合物和無(wú)機(jī)化合物。作為有機(jī)化合物，一般性的樹(shù)脂可以舉出聚偏二氯乙烯、丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂、乙酰纖維素、苯胺樹(shù)脂、ABS樹(shù)脂、硬橡膠、氯乙烯樹(shù)脂、丙烯腈樹(shù)脂、苯胺甲醛樹(shù)脂、氨基烷基樹(shù)脂、氨基甲酸酯、AS樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、乙烯基丁縮醛樹(shù)脂、硅樹(shù)脂、乙酸乙烯酯樹(shù)脂、苯乙烯丁二烯橡膠、硅橡膠、乙酸纖維素、苯乙烯樹(shù)脂、糊精、尼龍、軟質(zhì)乙烯基丁縮醛樹(shù)脂、氟樹(shù)脂、糠醛樹(shù)脂、聚酰胺、聚酯樹(shù)脂、聚碳酸酯樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂、呋喃樹(shù)脂、聚縮醛樹(shù)脂、三聚氰胺樹(shù)脂、脲樹(shù)脂、多硫化物聚合物、聚乙烯等。另外，可以舉出丙酮、甲醇、異丁醇、乙醇、苯胺、異丁基甲基酮、乙二醇、丙二醇、聚乙二醇、聚丙二醇、甘油、甲酚二醇、鄰苯二甲酸二烯丙酯、糊精、派蘭諾油、苯酚、電木漆、甲醛、硫代甘油、氯芘、琥珀酸、丁二腈、硝酸纖維素、乙基纖維素、羥乙基纖維素、淀粉、羥丙基淀粉、支鏈淀粉、縮水甘油支鏈淀粉、聚乙烯醇、蔗糖、山梨糖醇、含氰基的有機(jī)化合物等。需要說(shuō)明的是，含氰基的有機(jī)化合物是指包含1個(gè)以上氰基的化合物。含氰基的有機(jī)化合物更優(yōu)選為含氰乙基的有機(jī)化合物。作為含氰基的有機(jī)化合物的具體例，可以舉出氰乙基支鏈淀粉、氰乙基聚乙烯醇、氰乙基蔗糖(cyanoethylsucrose)、氰乙基纖維素、氰乙基羥乙基纖維素、氰乙基淀粉、氰乙基羥丙基淀粉、氰乙基縮水甘油支鏈淀粉、氰乙基山梨糖醇等。需要說(shuō)明的是，作為氟系樹(shù)脂的具體例，可以舉出以C2F4-nHn(n為0～3)為骨架的聚合物，具體地說(shuō)，可以舉出聚氟乙烯、聚偏二氟乙烯、聚四氟乙烯等。并且，可以使它們共聚，也可以將上述氟系樹(shù)脂作為基本并與其它樹(shù)脂共聚。另外，可以將上述化學(xué)式的一部分氫置換為氯。例如可以舉出聚三氟氯乙烯等。此外，作為氟系樹(shù)脂的具體例，可以舉出氟系離子交換樹(shù)脂。具體地說(shuō)，可以舉出由通式CF2＝CF-O(CF2CFX)nO-(CF2)m-W所表示的氟乙烯化合物與通式CF2＝CFZ所表示的氟化烯烴的至少二元共聚物構(gòu)成的物質(zhì)。此處，X是F或碳原子數(shù)為1～3的全氟烷基，n是0～3的整數(shù)，m是1～5的整數(shù)，Z是H、Cl、F或碳原子數(shù)為1～3的全氟烷基。另外，W為COOH、SO3H、SO2F、SO2Cl、SO2Br、COF、COCl、COBr、CO2CH3、CO2C2H5所表示的基團(tuán)中的任一種。特別是，在有機(jī)化合物的情況下，包含極性高的原子或官能團(tuán)的有機(jī)化合物的介電常數(shù)大，因而優(yōu)選。作為極性的指標(biāo)的偶極矩可以利用鍵矩之和進(jìn)行推測(cè)。作為相對(duì)介電常數(shù)為2以上的有機(jī)化合物，優(yōu)選具有鍵矩為1.4D(D＝3.33564×10-30Cm)以上的取代基的化合物。作為鍵矩為1.4D以上的取代基，有OH、CF、CCl、C＝O、N＝O、CN等。作為具有這些取代基的相對(duì)介電常數(shù)為2以上的有機(jī)化合物，可以舉出氟系樹(shù)脂、甘油、硫代甘油、含氰基的有機(jī)化合物等。作為無(wú)機(jī)化合物，可以舉出硅酸鈣、玻璃、氧化鋁、氧化鋅、氧化鈦、硒、鈦酸鋇、硅酸鉍、鈮酸鉛、二氧化鈦、脲、電木、PYREX(注冊(cè)商標(biāo))、凡士林、云母、氯化銅、氧化銅、硫酸銅、氧化鐵、氯酸鉀、氯化鉀、氯化鈉、氯化銀、溴化鉀、氟化鋰、氧化硅、氧化鎂、氟化鈣、硫化鋅、NaI、NaF、NaClO3、NaSO4等。作為無(wú)機(jī)化合物，除了上述物質(zhì)外，還可以使用鋯鈦酸鉛、鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鋇鍶等復(fù)合氧化物；或者以這些復(fù)合氧化物為主成分并進(jìn)一步在Ba位點(diǎn)取代鎂、在Ti位點(diǎn)取代錫和/或鋯而得到的鈣鈦礦型復(fù)合氧化物等。進(jìn)而還可以使用在鈣鈦礦型復(fù)合氧化物中加入了1種或2種以上微量添加物而得到的物質(zhì)。作為微量添加物，可以舉出鎢、鉭、鈮、鐵、銅、鎂、鉍、釔、鉬、釩、鈉、鉀、鋁、錳、鎳、鋅、鈣、鍶、硅、錫、硒、釹、鉺、銩、鉿、鐠、钷、釤、銪、釓、鋱、鏑、鋰、鈧、鋇、鑭、錒、鈰、釕、鋨、鈷、鈀、銀、鎘、硼、鎵、鍺、磷、砷、銻、氟、碲、镥、鐿等。作微量添加物為，除了上述物質(zhì)外，還有將咪唑鎓、吡啶鎓、吡咯烷鎓、鏻、銨、锍等作為陽(yáng)離子的離子性液體等。需要說(shuō)明的是，從使半導(dǎo)體層吸收光的方面考慮，相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物優(yōu)選在某種程度上是透明的。關(guān)于由相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物構(gòu)成的膜的透射率，對(duì)于550nm的波長(zhǎng)的光，優(yōu)選為35％以上、更優(yōu)選為50％以上、進(jìn)一步優(yōu)選為70％以上。透射率可以利用分光光度計(jì)進(jìn)行測(cè)定。對(duì)透射率的上限沒(méi)有特別限定，為100％以下。透射率可以利用分光光度計(jì)進(jìn)行測(cè)定。測(cè)定基材可以使用石英玻璃或樹(shù)脂基板。需要說(shuō)明的是，從膜的柔軟性、賦予成膜性的方面考慮，相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物優(yōu)選有機(jī)化合物。此外，通過(guò)覆蓋半導(dǎo)體顆粒的表面可屏蔽氧，從這方面考慮也優(yōu)選有機(jī)化合物。另外，為了簡(jiǎn)化制造方法，相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物優(yōu)選為一種。[半導(dǎo)體層]第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體層是指無(wú)機(jī)半導(dǎo)體的層、或有機(jī)半導(dǎo)體的層等含有半導(dǎo)體的半導(dǎo)體層；由金屬氧化物顆粒和相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物構(gòu)成的半導(dǎo)體層。(1)含有半導(dǎo)體的半導(dǎo)體層含有半導(dǎo)體的半導(dǎo)體層大致分為無(wú)機(jī)半導(dǎo)體的層和有機(jī)半導(dǎo)體的層。作為無(wú)機(jī)半導(dǎo)體的層，具體地說(shuō)，可以舉出通過(guò)將硅錠切片而得到的硅晶片、對(duì)該硅晶片進(jìn)行研磨而得到的硅晶片、在基板上利用蒸鍍法、CVD法、濺射法等真空裝置由無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料形成的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體的層、或者利用涂布法由無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料形成的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體的層等。從光電轉(zhuǎn)換特性的方面出發(fā)，這種無(wú)機(jī)半導(dǎo)體層的層厚優(yōu)選為0.1μm以上、更優(yōu)選為1μm以上。另外，從同樣的方面出發(fā)，該層厚優(yōu)選為1000μm以下、更優(yōu)選為700μm以下。半導(dǎo)體層的層厚可以通過(guò)截面SEM或截面TEM觀察進(jìn)行測(cè)定。作為有機(jī)半導(dǎo)體的層，是指利用涂布法或蒸鍍法等由有機(jī)半導(dǎo)體材料形成的有機(jī)半導(dǎo)體的層等。從光電轉(zhuǎn)換特性的方面出發(fā)，這種有機(jī)半導(dǎo)體層的層厚優(yōu)選為0.01μm以上、更優(yōu)選為0.05μm以上。另外，從同樣的方面出發(fā)，該層厚優(yōu)選為2μm以下、更優(yōu)1μm以下選。半導(dǎo)體層的層厚可以通過(guò)截面SEM或截面TEM觀察進(jìn)行測(cè)定。第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體層大致分為p型半導(dǎo)體層和n型半導(dǎo)體層。此處，p型是指半導(dǎo)體中的電荷遷移的搬運(yùn)體為空穴的情況。n型是指半導(dǎo)體中的電荷遷移的搬運(yùn)體為電子的情況。將這些空穴和電子一并稱(chēng)為載流子。具體地說(shuō)，p型半導(dǎo)體層例如可以舉出單晶或多晶的硅晶片、非晶硅膜、CIS系、CIGS系、CZTS系等化合物半導(dǎo)體層、氧化銅(I)、氧化鎳、CuAlO2、CuGaO2、SrCu2O2、LaCuOS、LaCuOSe、CuInO2、ZnRh2O4等金屬氧化物層、由硅顆粒構(gòu)成的層、由氧化銅(I)、氧化銀、一氧化錫、氧化鎳、CuAlO2、CuGaO2、SrCu2O2、LaCuOS、LaCuOSe、CuInO2、ZnRh2O4等金屬氧化物顆粒構(gòu)成的層、由CIS系、CIGS系、CZTS系等化合物半導(dǎo)體顆粒構(gòu)成的層、由p型有機(jī)半導(dǎo)體構(gòu)成的層。本發(fā)明的包含硅的層是指單晶硅晶片、多晶硅晶片、含有非晶硅、硅顆粒的層等。在p型硅晶片的情況下，例如使用作為添加物摻雜了硼、鎵等的硅晶片。在n型硅晶片的情況下，使用作為添加物摻雜了磷、氮、砷等的硅晶片。硅晶片中包含的這些添加物濃度優(yōu)選為1×1012atom/cm3以上、更優(yōu)選為1×1013atom/cm3以上。另外，該添加物濃度優(yōu)選為1×1021atom/cm3以下、更優(yōu)選為1×1020atom/cm3以下。從半導(dǎo)體中的電荷的遷移和耗盡層的擴(kuò)展的方面出發(fā)，硅晶片的電阻率優(yōu)選為0.0001Ωcm以上、更優(yōu)選為0.001Ωcm以上。另外，該電阻率優(yōu)選為1000Ωcm以下、更優(yōu)選為100Ωcm以下。接著，對(duì)非晶硅進(jìn)行說(shuō)明。非晶硅可以利用輝光放電法、反應(yīng)性濺射法、化學(xué)蒸鍍法(CVD法)等進(jìn)行制作。輝光放電法是指在輝光放電所產(chǎn)生的等離子體中將SiH4分解的方法。反應(yīng)性濺射法是指下述方法：在放置于低壓氬氣中的電極間施加電而引起放電，在一個(gè)電極上在晶體硅基板(靶材)進(jìn)行濺射，在放置于相反側(cè)的電極側(cè)的基板上成膜。化學(xué)蒸鍍法是指下述方法：在400℃～700℃對(duì)SiH4進(jìn)行熱分解，接著進(jìn)行氫等離子體處理，由此制作非晶硅。在p型的非晶硅的情況下，使用作為添加劑摻雜了硼、鎵等的非晶硅。在n型的非晶硅的情況下，使用作為添加劑摻雜了磷、氮、砷等的非晶硅。在非晶硅的情況下，將各摻雜劑在氫氣中稀釋而導(dǎo)入，從而可以控制導(dǎo)電類(lèi)型。接著，對(duì)含有硅顆粒的層進(jìn)行說(shuō)明。含有硅顆粒的層是指單獨(dú)包含硅顆粒的層、或者包含硅顆粒與溶劑、粘結(jié)劑成分、硅顆粒以外的半導(dǎo)體成分等其它化合物的層。需要說(shuō)明的是，含有硅顆粒的層中包含的硅顆粒的含量?jī)?yōu)選為10質(zhì)量％～100質(zhì)量％。通過(guò)使該含量至少為30質(zhì)量％以上，容易充分表現(xiàn)出作為半導(dǎo)體層的功能。作為上述溶劑，可以舉出水、戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、2-甲基己烷、十氫化萘、四氫化萘、甲醇、乙醇、正丙醇、2-丙醇、正丁醇、叔丁醇、乙二醇、二乙二醇、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚、乙二醇單丁醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇二丁醚、乙二醇單2-乙基己基醚、丙二醇正丁醚、二丙二醇正丁醚、三丙二醇正丁醚、二丙二醇甲醚、三丙二醇甲醚、甘油丙酮、甲基乙基酮等酮類(lèi)、苯、二甲苯、甲苯、苯酚、苯胺、二苯基醚等芳香族類(lèi)、二甲基亞砜、二甲基甲酰胺、乙腈、甲基乙酸酯、四氫呋喃、乳酸丁酯、N-甲基吡咯烷酮等。并且也可以將它們混合使用。另外，上述粘結(jié)劑成分可以舉出一般通用性樹(shù)脂、表面活性劑。一般通用性樹(shù)脂具體可以舉出環(huán)氧樹(shù)脂、丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂、三聚氰胺樹(shù)脂、脲樹(shù)脂、不飽和聚酯樹(shù)脂、醇酸樹(shù)脂、聚氨酯、聚酰亞胺、聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚乙酸乙烯酯、聚四氟乙烯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯樹(shù)脂(ABS樹(shù)脂)、聚酰胺、聚縮醛、聚碳酸酯、聚酯、環(huán)狀聚烯烴、聚砜。表面活性劑可以舉出陰離子型表面活性劑、陽(yáng)離子型表面活性劑、兩性表面活性劑、非離子型表面活性劑。具體地說(shuō)，作為陰離子型表面活性劑，可以舉出脂肪酸鈉、單烷基硫酸鹽、烷基苯磺酸鹽、單烷基磷酸鹽。作為陽(yáng)離子型表面活性劑，可以舉出烷基三甲基銨鹽、二烷基二甲基銨鹽、烷基芐基甲基銨鹽。作為兩性表面活性劑，可以舉出烷基二甲基氧化胺、烷基羧基甜菜堿。作為非離子型表面活性劑，可以舉出聚氧乙烯烷基醚、脂肪酸山梨聚糖酯、烷基聚苷、脂肪酸二乙醇酰胺、烷基單甘油基醚。需要說(shuō)明的是，作為硅顆粒的制造方法，沒(méi)有特別限定，例如可以通過(guò)使用了利用脈沖微孔噴射法(パルス圧力付加オリフィス噴射法)的高結(jié)晶性半導(dǎo)體微粒制造裝置的方法、將多晶或單晶的硅錠或晶片粉碎的方法等來(lái)進(jìn)行制造。另外，晶片制作時(shí)的切屑等也可以作為硅顆粒使用。作為將晶錠或晶片粉碎的方法，可以為干式粉碎，也可以為濕式粉碎，還可以使用兩者的方法。干式粉碎中可以利用錘式破碎機(jī)等。濕式粉碎中可以利用球磨機(jī)、行星球磨機(jī)、珠磨機(jī)、均化器等。作為濕式粉碎時(shí)的溶劑，可以舉出下述溶劑。具體地說(shuō)，作為溶劑，可以舉出水、戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、2-甲基己烷、十氫化萘、四氫化萘、甲醇、乙醇、正丙醇、2-丙醇、正丁醇、叔丁醇、乙二醇、二乙二醇、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚、乙二醇單丁醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇二丁醚、乙二醇單2-乙基己基醚、丙二醇正丁醚、二丙二醇正丁醚、三丙二醇正丁醚、二丙二醇甲醚、三丙二醇甲醚、甘油丙酮、甲基乙基酮等酮類(lèi)、苯、二甲苯、甲苯、苯酚、苯胺、二苯基醚等芳香族類(lèi)、二甲基亞砜、二甲基甲酰胺、乙腈、甲基乙酸酯、四氫呋喃、乳酸丁酯、N-甲基吡咯烷酮等。并且也可以將它們混合使用。除了上述溶劑以外，還可以添加表面活性劑等。作為p型硅顆粒，例如使用作為添加物摻雜了硼、鎵等的硅顆粒。作為n型硅顆粒，使用作為添加物摻雜了磷、氮、砷等的硅顆粒。硅顆粒中包含的這些添加物的濃度優(yōu)選為1×1012atom/cm3以上、更優(yōu)選為1×1013atom/cm3以上。另外，該添加物濃度優(yōu)選為1×1021atom/cm3以下、更優(yōu)選為1×1020atom/cm3以下。從半導(dǎo)體中的電荷的遷移和耗盡層的擴(kuò)展的方面出發(fā)，硅顆粒的電阻率優(yōu)選為0.0001Ωcm以上、更優(yōu)選為0.001Ωcm以上。另外，該電阻率優(yōu)選為1000Ωcm以下、更優(yōu)選為100Ωcm以下。從降低顆粒間的接觸電阻的方面出發(fā)，硅顆粒的平均粒徑優(yōu)選為400μm以下、更優(yōu)選為200μm以下、進(jìn)一步優(yōu)選為100μm以下、極其優(yōu)選為70μm以下。另外，從顆粒與電極的接觸電阻的降低和擴(kuò)散長(zhǎng)度的方面出發(fā)，優(yōu)選為0.001μm以上、更優(yōu)選為0.01μm以上、進(jìn)一步優(yōu)選為1μm以上。在第1實(shí)施方式和后述的第2實(shí)施方式中，硅顆粒等顆粒的平均粒徑可通過(guò)使用了顯微鏡的圖像處理方法進(jìn)行測(cè)定。需要說(shuō)明的是，作為由硅顆粒形成膜狀的半導(dǎo)體層的方法，可以舉出蒸鍍法、濺射法、CVD法等使用了真空體系的方法；絲網(wǎng)印刷、凹版印刷、凸版印刷等印刷法、刮板涂布、旋涂法等濕式涂布法之類(lèi)的非真空體系的方法等。另外，作為含有硅顆粒的層，也可以采用由包含硅顆粒的復(fù)數(shù)種無(wú)機(jī)半導(dǎo)體顆粒構(gòu)成的層。作為由這些復(fù)數(shù)種無(wú)機(jī)半導(dǎo)體顆粒形成膜狀的半導(dǎo)體層的方法，例如可以舉出下述方法：使復(fù)數(shù)個(gè)材料共蒸鍍，并堆積在帶電極的基板上的方法；準(zhǔn)備包含復(fù)數(shù)種材料的一種涂布液，利用該涂布液通過(guò)各種印刷法制作半導(dǎo)體層的方法；等等。在p型半導(dǎo)體層為化合物半導(dǎo)體的情況下，作為化合物半導(dǎo)體中使用的化合物，可以舉出硅鍺化合物、CIS系化合物、CIGS系化合物、CZTS系化合物、CGS系化合物、CdTe化合物、InP化合物、GaAs化合物、GaSb化合物、GaP化合物、InSb化合物、InAs化合物、ZnTe化合物、ZnSe化合物、FeS化合物、CuS化合物、硫化錫、硫化銻等。CIS系化合物是指由Cu、In和S；或Cu、In、S和Se；或Cu、In、Se構(gòu)成的化合物，還包括合用兩化合物的方式。CIGS系化合物是指由Cu、In、Ga和S；或Cu、In、Ga、S和Se；或Cu、In、Ga、Se構(gòu)成的化合物，還包括合用兩化合物的方式。CZTS系化合物是指由Cu、Zn、Sn和S；或Cu、Zn、Sn、S和Se；或Cu、Zn、Sn、Se構(gòu)成的化合物，還包括合用兩化合物的方式。CGS系化合物是指由Cu、Ga和S；或Cu、Ga、S和Se構(gòu)成的化合物，還包括合用兩化合物的方式。需要說(shuō)明的是，化合物半導(dǎo)體顆粒中使用的這些化合物可以合用兩種以上。作為p型有機(jī)半導(dǎo)體，可以舉出并五苯、6,13-雙(三異丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯等并五苯衍生物；并四苯、2-己基并四苯等并四苯衍生物；N,N’-二苯基-N,N’-雙(1-萘基)-1,1’-聯(lián)苯-4,4’-二胺(NPD)、N,N’-二苯基-N,N’-雙(3-甲基苯基)-1,1’-聯(lián)苯-4,4’-二胺(TPD)、1,3,5-三(3-甲基二苯基氨基)苯(m-MTDATA)等芳香族胺系材料。另外，除此以外，作為p型有機(jī)半導(dǎo)體，可以舉出酞菁銅(CuPc)、酞菁鋅(ZnPc)等酞菁系絡(luò)合物、卟啉系化合物、二萘嵌苯系衍生物、咪唑衍生物、三唑衍生物、吡唑啉衍生物、噁唑衍生物、噁二唑衍生物、均二苯代乙烯衍生物、聚芳基鏈烷烴衍生物、氧化石墨烯等。此外，作為p型有機(jī)半導(dǎo)體，可以舉出噻吩的衍生物、聚亞苯基亞乙烯基(PPV)的衍生物等。作為噻吩的衍生物，具體來(lái)說(shuō)，可以舉出P3HT(聚(3-己基噻吩-2,5-二基))、P3OT(聚(3-辛基噻吩-2,5-二基))、P3DDT(聚(3-十二烷基噻吩-2,5-二基))、以及PEDOT系的高分子。對(duì)PEDOT系高分子的摻雜劑沒(méi)有特別限定，例如可以舉出PSS(聚(苯乙烯磺酸鹽))或PVS(聚乙烯基磺酸)、十二烷基苯磺酸或其鹽。它們可以作為PEDOT:PSS、PEDOT:PVS使用。作為PEDOT:PSS的商品，可以舉出clevios(Heraeus社制造)。另外，可以將兩種以上的上述p型半導(dǎo)體進(jìn)行混合。作為p型半導(dǎo)體層，從載流子遷移和成本的方面出發(fā)，優(yōu)選單晶或多晶的硅晶片。另外，從制作透明太陽(yáng)能電池的方面出發(fā)，優(yōu)選p型的金屬氧化物。通過(guò)將p型和n型制成透明的金屬氧化物，能夠制作可見(jiàn)光透射率高的太陽(yáng)能電池(即透明太陽(yáng)能電池)，可以用于窗玻璃等中。關(guān)于n型半導(dǎo)體層，例如可以舉出單晶或多晶的硅晶片、非晶硅膜、由氧化鋅、氧化鈦(金紅石、銳鈦礦)、摻雜鋁的氧化鋅(AZO)、摻雜鎵的氧化鋅(GZO)、氧化銦錫(ITO)、氧化錫、摻雜氟的氧化錫(FTO)、氧化銦、銦·鎵·鋅氧化物、CuInO2、12CaO·7Al2O3(C12A7)、Ga2O3等金屬氧化物構(gòu)成的層、由硅顆粒構(gòu)成的層、由氧化鋅、氧化鈦(金紅石、銳鈦礦)、摻雜鋁的氧化鋅(AZO)、摻雜鎵的氧化鋅(GZO)、氧化銦錫(ITO)、氧化錫、摻雜氟的氧化錫(FTO)、氧化銦、銦·鎵·鋅氧化物、CuInO2、12CaO·7Al2O3(C12A7)、Ga2O3等金屬氧化物顆粒構(gòu)成的層、由n型有機(jī)半導(dǎo)體構(gòu)成的層。作為n型有機(jī)半導(dǎo)體，可以舉出氟化并苯系化合物、富勒烯、60PCBM([6,6]-苯基C61丁酸甲酯)、70PCBM([6,6]-苯基C71丁酸甲酯)等富勒烯系化合物、萘衍生物、蒽衍生物、菲衍生物、芘衍生物、二萘嵌苯衍生物、二萘嵌苯四羧酸二酰亞胺衍生物、噁二唑衍生物、三唑衍生物、三嗪衍生物、喹啉衍生物等。作為n型半導(dǎo)體層，從載流子遷移和成本的方面出發(fā)，優(yōu)選單晶或多晶的硅晶片、或由金屬氧化物、金屬氧化物顆粒構(gòu)成的層。第1實(shí)施方式的太陽(yáng)能電池優(yōu)選具有由硅構(gòu)成的層、或者由金屬氧化物構(gòu)成的層。硅為n型半導(dǎo)體的情況下，例如使用作為添加物摻雜了磷、氮、砷等的硅。在第1實(shí)施方式的太陽(yáng)能電池中，在由硅構(gòu)成的層的背面?zhèn)取⒓措姌O側(cè)制作硅氧化膜，從而使開(kāi)路電壓升高。從發(fā)電效率的方面出發(fā)，硅氧化膜的厚度優(yōu)選為1nm以上、更優(yōu)選為2nm以上。另外，從電流取出的方面出發(fā)，優(yōu)選小于15nm、更優(yōu)選為10nm以下。需要說(shuō)明的是，硅氧化膜可以為全面覆蓋由硅構(gòu)成的層的整個(gè)電極側(cè)表面的形式，也可以為以島狀覆蓋的形式。作為硅氧化膜的制作方法，可以舉出下述方法：將硅基板浸漬到氧化性的液體中進(jìn)行氧化處理，由此在基板的表面形成極薄的氧化膜。作為上述氧化性的液體，優(yōu)選為選自硝酸、雙氧水、鹽酸、臭氧溶解水、高氯酸、氨和雙氧水的混合液、鹽酸和雙氧水的混合液、硫酸和雙氧水的混合液中的至少一種。另外，在氧化膜的形成方法中，優(yōu)選在利用氧化性的液體進(jìn)行處理后，在惰性氣體中進(jìn)行熱處理。作為加熱溫度，優(yōu)選為300℃以上、更優(yōu)選為500℃以上。作為測(cè)定硅氧化膜的厚度的方法，可以舉出截面TEM解析。在異質(zhì)結(jié)的情況下，由硅構(gòu)成的層的入光側(cè)的表面、即與另一個(gè)半導(dǎo)體層接觸的面會(huì)降低光的反射率，因此，可以使用堿或酸等液體對(duì)表面進(jìn)行蝕刻。由此，能夠在由硅構(gòu)成的層的表面形成金字塔結(jié)構(gòu)。作為蝕刻中所用的液體，可以舉出氫氧化鈉水溶液、氫氧化鉀水溶液、氫氧化銫水溶液、氫氧化鉀與2-丙醇等醇的混合液、氫氧化鈉與2-丙醇等醇的混合液、氫氧化銫與2-丙醇等醇的混合液、硝酸與氫氟酸的混合液、氟化銨水溶液、氟化銨水溶液與氫氟酸的混合液、四甲基銨水溶液、SUN-X系列(和光純藥工業(yè)(株)社制造)等。(2)由金屬氧化物顆粒和相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物構(gòu)成的半導(dǎo)體層接著，對(duì)“由金屬氧化物顆粒和相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物構(gòu)成的半導(dǎo)體層”進(jìn)行說(shuō)明。如圖1所示，該半導(dǎo)體層是僅由金屬氧化物顆粒51和相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物52構(gòu)成的層?；蛘?，該半導(dǎo)體層是由金屬氧化物顆粒51和相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物52與其它成分(未圖示)構(gòu)成的層。作為其它成分，例如可以舉出溶劑、粘結(jié)劑成分、或者無(wú)機(jī)成分等中的任意一種以上。作為金屬氧化物顆粒，可以舉出上述的p型金屬氧化物顆粒、或者n型金屬氧化物顆粒。另外，可以舉出在該半導(dǎo)體層中單獨(dú)包含p型的金屬氧化物顆粒的構(gòu)成、單獨(dú)包含n型的金屬氧化物顆粒的構(gòu)成、或者包含p型和n型的金屬氧化物顆粒兩者的構(gòu)成。通過(guò)混合金屬氧化物顆粒和相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物，可以解決使用顆粒方面的課題。該課題是指，存在于顆粒表面的缺陷成為陷阱能級(jí)，顆粒的作為半導(dǎo)體的特性發(fā)生劣化。例如如圖2所示，若金屬氧化物顆粒56單獨(dú)構(gòu)成半導(dǎo)體層，則存在于金屬氧化物顆粒56的表面的缺陷成為陷阱能級(jí)，載流子(例如電子(e))被捕獲。需要說(shuō)明的是，雖然通過(guò)高溫?zé)Y(jié)可解決一部分該課題，但是由于高溫?zé)Y(jié)會(huì)使顆粒特有的物性(即，量子尺寸效應(yīng)、大表面積)的表現(xiàn)變得困難、以及高溫工藝的原因，成本會(huì)升高。另外，由利用低溫工藝制作的顆粒構(gòu)成的膜中，顆粒間的接觸不均勻，未被燒結(jié)，因而載流子的遷移變慢。由此需要下述技術(shù)：在低溫工藝條件下對(duì)顆粒表面的缺陷進(jìn)行控制、對(duì)傳導(dǎo)路徑進(jìn)行控制、對(duì)電子狀態(tài)等進(jìn)行控制。本發(fā)明人為了解決該課題，發(fā)現(xiàn)了將無(wú)機(jī)顆粒(金屬氧化物顆粒和硅顆粒中的至少一種)和相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物進(jìn)行混合。即，通過(guò)將無(wú)機(jī)顆粒和相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物進(jìn)行混合，可以降低無(wú)機(jī)顆粒表面的缺陷量，其結(jié)果，可以防止缺陷能級(jí)對(duì)載流子遷移所造成的阻礙及載流子的再結(jié)合。由此，與由無(wú)機(jī)顆粒單獨(dú)構(gòu)成半導(dǎo)體層的情況相比，可以降低半導(dǎo)體層的電阻，或者可以提高載流子的密度或遷移率。半導(dǎo)體層中的載流子的遷移率提高對(duì)晶體管元件來(lái)說(shuō)是有利的。另外，通過(guò)半導(dǎo)體層的電阻降低，太陽(yáng)能電池的填充因子提高，光電轉(zhuǎn)換效率提高。進(jìn)而，通過(guò)防止載流子的再結(jié)合，太陽(yáng)能電池的開(kāi)路電壓提高。另外，通過(guò)將無(wú)機(jī)顆粒和相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物進(jìn)行混合，具有載流子的傳導(dǎo)路徑增加的效果。若僅用無(wú)機(jī)顆粒形成半導(dǎo)體層，則會(huì)產(chǎn)生許多無(wú)機(jī)顆粒彼此未連接的部分。通過(guò)混合相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物，無(wú)機(jī)顆粒間的接觸疑似增加。另外，據(jù)推測(cè)，即便實(shí)際上無(wú)機(jī)顆粒彼此未緊密地連接，由于相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物以幾nm的間隔進(jìn)入半導(dǎo)體層中，載流子也可以穿過(guò)半導(dǎo)體層內(nèi)。由此，在半導(dǎo)體層內(nèi)流動(dòng)的載流子量增加，進(jìn)而載流子在半導(dǎo)體層內(nèi)流動(dòng)的時(shí)間也縮短。另外，通過(guò)將無(wú)機(jī)顆粒和相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物進(jìn)行混合，可以屏蔽周?chē)难?即，存在于顆粒界面的中空壁的空氣)。其結(jié)果，能夠減小因氧而失活的載流子，所以有助于載流子密度的提高及遷移率的提高。另外，通過(guò)將無(wú)機(jī)顆粒和相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物進(jìn)行混合，有可能能夠控制半導(dǎo)體的電子狀態(tài)。特別是，在無(wú)機(jī)顆粒的介電常數(shù)與位于無(wú)機(jī)顆粒周邊的相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物的介電常數(shù)為接近的值的情況下，或者位于無(wú)機(jī)顆粒周邊的相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物的介電常數(shù)高于無(wú)機(jī)顆粒的介電常數(shù)的情況下，通過(guò)提高傳導(dǎo)能級(jí)的電子密度，會(huì)對(duì)載流子的遷移帶來(lái)好的影響。當(dāng)無(wú)機(jī)顆粒的介電常數(shù)與位于無(wú)機(jī)顆粒周邊的相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物的介電常數(shù)為相同值時(shí)，該效果變得更顯著。如圖2所示，即便在陽(yáng)極層與陰極層之間的半導(dǎo)體層僅由無(wú)機(jī)顆粒(例如，金屬氧化物顆粒56)構(gòu)成而不包含相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物的情況下，電子也會(huì)如箭頭所示從陰極層側(cè)向陽(yáng)極層側(cè)流動(dòng)，但電子的通道(傳導(dǎo)路徑)少，進(jìn)而容易產(chǎn)生載流子陷阱或再結(jié)合。另外，即便在僅用無(wú)機(jī)顆粒填充陽(yáng)極層與陰極層之間的情況下，由于具有龐大表面積的無(wú)機(jī)顆粒表面的缺陷，也容易產(chǎn)生載流子陷阱、或再結(jié)合等。與此相對(duì)，本發(fā)明中，如圖1所示，將無(wú)機(jī)顆粒(例如，金屬氧化物顆粒51)和相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物(即，電介質(zhì))混合，作為半導(dǎo)體層形成無(wú)機(jī)顆粒與電介質(zhì)的復(fù)合膜。該復(fù)合膜中，電子的傳導(dǎo)路徑多，進(jìn)而降低了缺陷，由此可抑制載流子陷阱或再結(jié)合。另外，該復(fù)合膜中可以屏蔽半導(dǎo)體顆粒的氧。其結(jié)果，電子流動(dòng)的量增加，電子的遷移速度也變快。需要說(shuō)明的是，通過(guò)后述的實(shí)驗(yàn)結(jié)果(參見(jiàn)圖9、圖11)也確認(rèn)到了相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物對(duì)氧化鈦顆粒(金屬氧化物顆粒的一例)表面的電子狀態(tài)進(jìn)行控制。關(guān)于上述的“由金屬氧化物顆粒和相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物構(gòu)成的半導(dǎo)體層”中的金屬氧化物顆粒的含量，從將該半導(dǎo)體層用于太陽(yáng)能電池時(shí)的光電轉(zhuǎn)換特性的方面出發(fā)，優(yōu)選為10質(zhì)量％以上、更優(yōu)選為20質(zhì)量％以上、更優(yōu)選為35質(zhì)量％以上、更優(yōu)選為40質(zhì)量％以上。另外，從同樣的方面出發(fā)，該含量?jī)?yōu)選為99.5質(zhì)量％以下、更優(yōu)選為99質(zhì)量％以下、進(jìn)一步優(yōu)選為90質(zhì)量％以下、進(jìn)一步優(yōu)選為80質(zhì)量％以下、極其優(yōu)選為70質(zhì)量％以下。從光電轉(zhuǎn)換特性的方面出發(fā)，上述半導(dǎo)體層中的相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物的含量?jī)?yōu)選為0.5質(zhì)量％以上、更優(yōu)選為1質(zhì)量％以上、進(jìn)一步優(yōu)選為10質(zhì)量％以上、極其優(yōu)選為20質(zhì)量％以上、進(jìn)一步優(yōu)選為30質(zhì)量％以上、極其優(yōu)選為40質(zhì)量％以上。另外，從同樣的方面出發(fā)，該含量?jī)?yōu)選為90質(zhì)量％以下、更優(yōu)選為80質(zhì)量％以下、進(jìn)一步優(yōu)選為70質(zhì)量％以下、進(jìn)一步優(yōu)選為65質(zhì)量％以下、最優(yōu)選為60質(zhì)量％以下。另外，從光電轉(zhuǎn)換特性的方面出發(fā)，該半導(dǎo)體層的層厚優(yōu)選為0.1μm以上、優(yōu)選為0.2μm以上、更優(yōu)選為0.5μm以上。另外，從同樣的方面出發(fā)，該層厚優(yōu)選為1000μm以下、更優(yōu)選為500μm以下。從作為金屬氧化物顆粒的粘結(jié)劑發(fā)揮作用的方面考慮，半導(dǎo)體層中的相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物優(yōu)選為有機(jī)化合物。根據(jù)金屬氧化物的密度的不同，“由金屬氧化物顆粒和相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物構(gòu)成的半導(dǎo)體層”中所混合的相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物的質(zhì)量％會(huì)發(fā)生變化。由此，膜中的相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物的體積％也很重要。為了表現(xiàn)出膜的柔性和電介質(zhì)的效果，膜中的相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物的含量?jī)?yōu)選為10體積％以上、更優(yōu)選為20體積％以上。另外，從同樣的方面出發(fā)，該化合物的含量?jī)?yōu)選為90體積％以下、極其優(yōu)選為80體積％以下。另外，膜中的金屬氧化物顆粒的含量?jī)?yōu)選為10體積％以上、更優(yōu)選為20體積％以上。另外，從同樣的方面出發(fā)，金屬氧化物顆粒的含量?jī)?yōu)選為90體積％以下、極其優(yōu)選為80體積％以下。在上述的“由金屬氧化物顆粒和相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物構(gòu)成的半導(dǎo)體層”中，相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物和金屬氧化物顆粒優(yōu)選均勻地分布。通過(guò)使其均勻，電學(xué)特性的各向異性消失，太陽(yáng)能電池的穩(wěn)定性提高。即，半導(dǎo)體層優(yōu)選為均勻分散膜。對(duì)本發(fā)明中的均勻分散膜進(jìn)行具體說(shuō)明。均勻分散膜是指膜中的無(wú)機(jī)顆粒和相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物均勻分散的膜。在均勻分散膜中，無(wú)機(jī)顆粒與相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物的比例在膜的膜厚方向的下半部分和上半部分大致相同，下半部分的無(wú)機(jī)顆粒的比例(％)與上半部分的無(wú)機(jī)顆粒的比例(％)之差、即上半部分的無(wú)機(jī)顆粒的比例―下半部分的無(wú)機(jī)顆粒的比例優(yōu)選為10以下。關(guān)于膜厚方向的均勻性，可以切斷截面，利用掃描型電子顯微鏡的對(duì)比度差進(jìn)行測(cè)定。半導(dǎo)體層中包含的金屬氧化物顆粒的平均粒徑為1nm以上500nm以下。作為金屬氧化物顆粒的平均粒徑，從顆粒間的接觸電阻的降低和擴(kuò)散長(zhǎng)度的方面出發(fā)，優(yōu)選為3nm以上、更優(yōu)選為5nm以上。另外，從同樣的方面出發(fā)，該平均粒徑優(yōu)選為100nm以下、更優(yōu)選為80nm以下、進(jìn)一步優(yōu)選為50nm以下。另外，該金屬氧化物顆粒的粒徑分布的相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差σ優(yōu)選為0.1nm以上5.0nm以下。需要說(shuō)明的是，從低電阻化的方面出發(fā)，該相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差σ更優(yōu)選為3.0nm以下、進(jìn)一步優(yōu)選為2.0nm以下。上述的“由金屬氧化物顆粒和相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物構(gòu)成的半導(dǎo)體層”例如是通過(guò)下述方法得到的。即，作為示例可以舉出包括下述工序的半導(dǎo)體層的制造方法：將金屬氧化物顆粒和相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物進(jìn)行混合，得到半導(dǎo)體層形成用的涂布液的工序；和將該涂布液涂布至形成有電極的基板上而得到涂布膜的工序(或者，在半導(dǎo)體層上涂布半導(dǎo)體層形成用的涂布液而得到涂布膜的工序)。另外，上述的半導(dǎo)體層形成用的涂布液可以包含1種以上的分散劑。該分散劑是用于涂布液粘度的控制、及溶解或分散相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物的液體(即，溶劑或分散介質(zhì))。半導(dǎo)體形成用的涂布液包含分散劑的情況下，在得到涂布膜的工序后，優(yōu)選進(jìn)一步包括下述工序：使涂布膜干燥，從該涂布膜中除去分散劑的至少一部分。干燥該涂布膜的溫度的范圍為20℃以上500℃以下。另外，干燥該涂布膜的溫度的范圍優(yōu)選為20℃以上400℃以下、進(jìn)一步優(yōu)選為20℃以上300℃以下、進(jìn)一步優(yōu)選為20℃以上200℃以下、最優(yōu)選為20℃以上150℃以下。通過(guò)在半導(dǎo)體形成用的涂布液中混合相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物，不需要迄今為止在形成金屬氧化物層時(shí)所必需的高溫?zé)?，能夠利用低溫工藝制作半?dǎo)體層。不需要高溫?zé)频睦碛墒且驗(yàn)橄鄬?duì)介電常數(shù)為2以上的化合物可抑制載流子陷阱等。此處，如下所述，分散劑與相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物是不同的。作為分散劑的例子，可以舉出甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、己醇等醇類(lèi)；乙二醇、丙二醇等二醇類(lèi)；溶纖劑、甲基溶纖劑(2-甲氧基乙醇)、乙基溶纖劑、丁基溶纖劑等溶纖劑類(lèi)；丙酮、甲基乙基酮等酮類(lèi)；乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯類(lèi)；二氧六環(huán)、四氫呋喃等醚類(lèi)；N,N-二甲基甲酰胺等酰胺類(lèi)；苯、甲苯、二甲苯、三甲苯、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、環(huán)己烷、十氫化萘(十氫萘)、四氫化萘等烴類(lèi)；水等。作為半導(dǎo)體層形成用的涂布液中包含的分散劑的含量，從粘度的控制、及對(duì)相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物的溶解性或分散性進(jìn)行調(diào)整、使涂布液易于處理的方面考慮，優(yōu)選為0.2質(zhì)量％以上、優(yōu)選為5質(zhì)量％以上。另外，優(yōu)選為99.8質(zhì)量％以下、優(yōu)選為98.5質(zhì)量％以下。作為半導(dǎo)體層形成用的涂布液中包含的相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物的含量，優(yōu)選為0.1質(zhì)量％以上、更優(yōu)選為0.5質(zhì)量％以上。另外，優(yōu)選為49.9質(zhì)量％以下、優(yōu)選為40質(zhì)量％以下。半導(dǎo)體層形成用的涂布液中所包含的金屬氧化物顆粒的含量?jī)?yōu)選為0.1質(zhì)量％以上、更優(yōu)選為0.5質(zhì)量％以上。另外，優(yōu)選為49.9質(zhì)量％以下、優(yōu)選為40質(zhì)量％以下。相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物為液體的情況下，其自身也作為分散劑發(fā)揮作用。這種情況下，即便不進(jìn)一步加入分散劑，也能夠調(diào)整粘度。需要說(shuō)明的是，對(duì)于“由金屬氧化物顆粒和相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物構(gòu)成的半導(dǎo)體層”來(lái)說(shuō)，從使半導(dǎo)體層吸收光的方面考慮，優(yōu)選在某種程度上是透明的。另外，相對(duì)于550nm的波長(zhǎng)的光，該半導(dǎo)體層的透射率優(yōu)選為35％以上、更優(yōu)選為50％以上、進(jìn)一步優(yōu)選為70％以上。透射率可以利用分光光度計(jì)進(jìn)行測(cè)定。對(duì)透射率的上限沒(méi)有特別限定，但為100％以下。透射率可以利用分光光度計(jì)進(jìn)行測(cè)定。測(cè)定基材可以使用石英玻璃或樹(shù)脂基板。相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物自身優(yōu)選為對(duì)可見(jiàn)光沒(méi)有吸收的材料。具體地說(shuō)，在實(shí)際作為太陽(yáng)能電池使用的厚度條件下，對(duì)于550nm的光的波長(zhǎng)，光的透射率優(yōu)選為30％以上、更優(yōu)選為50％以上。另外，對(duì)于上述的“由金屬氧化物顆粒和相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物構(gòu)成的半導(dǎo)體層”來(lái)說(shuō)，除了涂布法以外，還可以利用作為非真空體系方法的絲網(wǎng)印刷、凹版印刷、凸版印刷等印刷法來(lái)進(jìn)行。[結(jié)合界面層]通過(guò)在兩個(gè)半導(dǎo)體層之間設(shè)置含有相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物的結(jié)合界面層，可以簡(jiǎn)便地制作發(fā)電效率更優(yōu)異的太陽(yáng)能電池。特別是，優(yōu)選在由硅構(gòu)成的層與“由金屬氧化物顆粒和相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物構(gòu)成的半導(dǎo)體層”的結(jié)合界面設(shè)置含有相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物的結(jié)合界面層。作為相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物，可以舉出上述物質(zhì)。此外，從柔軟性、成膜性等方面出發(fā)，結(jié)合界面層優(yōu)選含有有機(jī)化合物。上述有機(jī)化合物優(yōu)選具有OH、CF、CCl、C＝O、N＝O、CN等作為取代基。具體的上述有機(jī)化合物優(yōu)選為氟系樹(shù)脂、甘油、硫代甘油、含氰基的有機(jī)化合物。含氰基的有機(jī)化合物是指含有1個(gè)以上氰基的化合物。含氰基的有機(jī)化合物更優(yōu)選為含氰乙基的有機(jī)化合物。作為含氰基的有機(jī)化合物的具體例，可以舉出氰乙基支鏈淀粉、氰乙基聚乙烯醇、氰乙基蔗糖(cyanoethylsucrose)、氰乙基纖維素、氰乙基羥乙基纖維素、氰乙基淀粉、氰乙基羥丙基淀粉、氰乙基縮水甘油支鏈淀粉、氰乙基山梨糖醇等。需要說(shuō)明的是，作為氟系樹(shù)脂的具體例，可以舉出以C2F4-nHn(n為0～3)為骨架的聚合物，具體地說(shuō)，可以舉出聚氟乙烯、聚偏二氟乙烯、聚四氟乙烯等。并且，可以使它們共聚，也可以將上述氟系樹(shù)脂作為基本并與其它樹(shù)脂共聚。另外，可以將上述化學(xué)式的一部分氫置換為氯。例如可以舉出聚三氟氯乙烯等。作為結(jié)合界面層的相對(duì)介電常數(shù)的優(yōu)選范圍，從光電轉(zhuǎn)換效率的方面出發(fā)，為2以上、優(yōu)選為5以上、更優(yōu)選為10以上。另外，從同樣的方面出發(fā)，上述相對(duì)介電常數(shù)優(yōu)選為5000以下、更優(yōu)選為1500以下、進(jìn)一步優(yōu)選為200以下。從光電轉(zhuǎn)換效率的方面出發(fā)，結(jié)合界面層中的相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物的含量?jī)?yōu)選為50質(zhì)量％以上、更優(yōu)選為80質(zhì)量％以上、進(jìn)一步優(yōu)選為90質(zhì)量％以上、極其優(yōu)選為95質(zhì)量％以上。另一方面，從提高太陽(yáng)能電池特性的方面考慮，該含量的上限為100質(zhì)量％，即結(jié)合界面層優(yōu)選為由相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物構(gòu)成的層。從太陽(yáng)能電池的性能的方面出發(fā)，上述結(jié)合界面層優(yōu)選不含空氣而進(jìn)行填充。上述結(jié)合界面層可以在不損害特性的范圍內(nèi)包含作為粘結(jié)劑成分的一般通用性樹(shù)脂、以及表面活性劑、分散劑等。作為分散劑的例子，可以舉出甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、己醇等醇類(lèi)；乙二醇、丙二醇等二醇類(lèi)；溶纖劑、乙基溶纖劑、丁基溶纖劑等溶纖劑類(lèi)；丙酮、甲基乙基酮等酮類(lèi)；乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯類(lèi)；二氧六環(huán)、四氫呋喃等醚類(lèi)；N,N-二甲基甲酰胺等酰胺類(lèi)；苯、甲苯、二甲苯、三甲苯、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、環(huán)己烷、十氫化萘(十氫萘)、四氫化萘等烴類(lèi)；水等。作為用于形成結(jié)合界面層的涂布液中包含的分散劑的含量，從調(diào)整粘度而使涂布液易于處理的方面考慮，優(yōu)選為1質(zhì)量％以上，并且優(yōu)選為98.5質(zhì)量％以下。從分散穩(wěn)定性的方面出發(fā)，出于提高用于形成結(jié)合界面層的涂布液的分散穩(wěn)定性的目的而加入的表面活性劑的添加量?jī)?yōu)選為0.0001質(zhì)量％以上，并且優(yōu)選為10質(zhì)量％以下。作為表面活性劑，沒(méi)有特別限定，例如可以使用陰離子型表面活性劑、非離子型表面活性劑、陽(yáng)離子型表面活性劑、兩性表面活性劑、高分子表面活性劑等。作為上述表面活性劑，例如可以舉出：月桂基硫酸鈉等脂肪酸鹽、高級(jí)醇硫酸酯鹽、十二烷基苯磺酸鈉等烷基苯磺酸鹽、聚氧乙烯烷基醚硫酸鹽、聚氧乙烯多環(huán)苯基醚硫酸鹽、聚氧壬基苯基醚磺酸鹽、聚氧乙烯聚氧丙烯二醇醚硫酸鹽、分子中具有磺酸基或硫酸酯基與聚合性的不飽和雙鍵的所謂反應(yīng)性表面活性劑等陰離子型表面活性劑；聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯烷基苯基醚、山梨聚糖脂肪酸酯、聚氧乙烯脂肪酸酯、聚氧乙烯-聚氧丙烯嵌段共聚物、在這些“聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯烷基苯基醚、山梨聚糖脂肪酸酯或聚氧乙烯脂肪酸酯”的分子中具有聚合性的不飽和雙鍵的反應(yīng)性非離子型表面活性劑等非離子型表面活性劑；烷基胺鹽、季銨鹽等陽(yáng)離子型表面活性劑；(改性)聚乙烯醇；直鏈烷基硫醇類(lèi)；等等。結(jié)合界面層也可以不在p型半導(dǎo)體層與n型半導(dǎo)體層的整個(gè)結(jié)合界面(即，結(jié)合界面的全部區(qū)域)導(dǎo)入。從發(fā)電效率的方面出發(fā)，結(jié)合界面層優(yōu)選被覆全部結(jié)合界面的30％以上、更優(yōu)選被覆50％以上、進(jìn)一步優(yōu)選被覆100％。另外，結(jié)合界面層也可以以島狀散布。需要說(shuō)明的是，從發(fā)電效率和載流子遷移的方面出發(fā)，結(jié)合界面層的平均厚度優(yōu)選為1nm以上、更優(yōu)選為20nm以上、進(jìn)一步優(yōu)選為30nm以上、極其優(yōu)選為50nm以上。另外，從同樣的方面出發(fā)，該厚度優(yōu)選為500μm以下、更優(yōu)選為100μm以下、進(jìn)一步優(yōu)選為50μm以下、極其優(yōu)選為10μm以下、最優(yōu)選為5μm以下。本結(jié)合界面層的特征在于，即使在隧道效應(yīng)引起的電流難以流動(dòng)的30nm以上的厚度的情況下，也具有高光電轉(zhuǎn)換特性。結(jié)合界面層的層厚通過(guò)vertscan2.0(RyokaSystemsInc.制造)或截面TEM觀察進(jìn)行測(cè)定。需要說(shuō)明的是，從使半導(dǎo)體層吸收光的方面考慮，結(jié)合界面層優(yōu)選在某種程度上是透明的。對(duì)于550nm的波長(zhǎng)的光，結(jié)合界面層的透射率優(yōu)選為35％以上、更優(yōu)選為50％以上、進(jìn)一步優(yōu)選為70％以上。透射率可以利用分光光度計(jì)進(jìn)行測(cè)定。對(duì)透射率的上限沒(méi)有特別限定，但為100％以下。透射率可以利用分光光度計(jì)進(jìn)行測(cè)定。測(cè)定基材可以使用石英玻璃或樹(shù)脂基板。結(jié)合界面層的電阻率優(yōu)選較高。推測(cè)由此能夠有助于防止泄漏電流。需要說(shuō)明的是，從這種方面考慮，結(jié)合界面層的電阻率優(yōu)選為10Ωcm以上、更優(yōu)選為100Ωcm以上、進(jìn)一步優(yōu)選為1000Ωcm以上、極其優(yōu)選為10000Ωcm以上、最優(yōu)選為1000000Ωcm以上。對(duì)電阻率的上限沒(méi)有特別限定，優(yōu)選為1×1019Ωcm以下。第1實(shí)施方式和后述的第2實(shí)施方式中的電阻率是電的流通容易性的尺度，是單位體積的電阻率。該值為物質(zhì)固有的值，通過(guò)使恒定電流I流至物質(zhì)的截面積W并測(cè)定間隔距離L的電極間的電位差V而求出。即，由下述式[3]求出。電阻率＝(V/I)×(W/L)…[3]由于結(jié)合界面層可實(shí)現(xiàn)低成本化，因而利用印刷法進(jìn)行制作是有效的。此時(shí)，對(duì)于形成有結(jié)合界面層的基板，優(yōu)選使用具有柔軟性的柔性電極基板。由此，能夠?qū)⒕邆浣Y(jié)合界面層的電極基板纏繞成卷狀，能夠可以提高制造速度。[太陽(yáng)能電池]第1實(shí)施方式的太陽(yáng)能電池至少具備第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層、電極、和基板，利用光進(jìn)行發(fā)電。構(gòu)成太陽(yáng)能電池的半導(dǎo)體可以為p-p結(jié)型和n-n結(jié)型，優(yōu)選為p-n結(jié)型。第一半導(dǎo)體層是上述的“由金屬氧化物顆粒和相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物構(gòu)成的半導(dǎo)體層”。該半導(dǎo)體層中包含的金屬氧化物顆粒的種類(lèi)可以舉出上述種類(lèi)，從透明性和載流子遷移率的方面出發(fā)，優(yōu)選為氧化鈦或氧化鋅。另外，從柔軟性的方面出發(fā)，相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物優(yōu)選為有機(jī)化合物。特別是，從載流子遷移的方面出發(fā)，第一半導(dǎo)體層優(yōu)選為僅由單一的金屬氧化物顆粒和相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物構(gòu)成的層。第二半導(dǎo)體層優(yōu)選為在第一半導(dǎo)體層中未使用的材料，也可以為由與第一半導(dǎo)體層不同的金屬氧化物顆粒和相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物構(gòu)成的半導(dǎo)體層。通過(guò)在第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層使用相互不同的金屬氧化物，可以制作光電轉(zhuǎn)換效率高、且對(duì)可見(jiàn)光透明的太陽(yáng)能電池。從載流子的遷移、光吸收能力的方面出發(fā)，本發(fā)明的第二半導(dǎo)體層優(yōu)選為含有半導(dǎo)體的半導(dǎo)體層，更優(yōu)選為由硅構(gòu)成的層。由硅構(gòu)成的層優(yōu)選為上述的單晶硅晶片、多晶硅晶片、由非晶硅、硅顆粒構(gòu)成的層。太陽(yáng)能電池優(yōu)選為柔性。通過(guò)為柔性，在制造時(shí)能夠進(jìn)行卷對(duì)卷(roll-to-roll)，可以有助于制造成本的降低，同時(shí)能夠在可彎曲使用的用途中開(kāi)展。柔性太陽(yáng)能電池是指能夠在水平臺(tái)上彎曲30度以上的元件。接著，示出太陽(yáng)能電池的具體例。(1)第1例圖3是示意性地示出第1實(shí)施方式的太陽(yáng)能電池100的構(gòu)成例的截面圖。如圖3所示，該太陽(yáng)能電池100具備基板110、形成于基板110上的陽(yáng)極層120、形成于陽(yáng)極層120上的第二半導(dǎo)體層130、形成于第二半導(dǎo)體層130上的第一半導(dǎo)體層140、和形成于第一半導(dǎo)體層140上的陰極層150。第一半導(dǎo)體層140是上述的“由金屬氧化物顆粒和相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物構(gòu)成的半導(dǎo)體層”。另外，第二半導(dǎo)體層130是上述的“含有半導(dǎo)體的半導(dǎo)體層”。圖3所示的太陽(yáng)能電池100為p-p結(jié)型的情況下，第一半導(dǎo)體層140和第二半導(dǎo)體層130均為p型半導(dǎo)體層，與第一半導(dǎo)體層140相比，第二半導(dǎo)體層130的p型的濃度高。另外，太陽(yáng)能電池100為n-n結(jié)型的情況下，第一半導(dǎo)體層140和第二半導(dǎo)體層130均為n型半導(dǎo)體層，與第二半導(dǎo)體層130相比，第一半導(dǎo)體層140的n型的濃度高。此外，太陽(yáng)能電池100為p-n結(jié)型的情況下，第一半導(dǎo)體層140為n型半導(dǎo)體層，第二半導(dǎo)體層130為p型半導(dǎo)體層。需要說(shuō)明的是，該太陽(yáng)能電池100中，第一半導(dǎo)體層140和第二半導(dǎo)體層130可以相反地進(jìn)行配置。即，可以在陽(yáng)極層120上形成第一半導(dǎo)體層140，在第一半導(dǎo)體層140上形成第二半導(dǎo)體層130。該情況下，在p-p結(jié)型的情況下，第一半導(dǎo)體層140與第二半導(dǎo)體層130相比p型的濃度升高；在n-n結(jié)型的情況下，第二半導(dǎo)體層130與第一半導(dǎo)體層140相比n型的濃度升高；在p-n結(jié)型的情況下，第一半導(dǎo)體層140為p型半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層130為n型半導(dǎo)體層。另外，該太陽(yáng)能電池100中，還可以將各層進(jìn)一步細(xì)分而設(shè)置成兩個(gè)以上的層。例如，也可以在第一半導(dǎo)體層140與陰極層150之間設(shè)置電子取出層(未圖示)。另外，也可以在第二半導(dǎo)體層130與陽(yáng)極層120之間設(shè)置空穴取出層(未圖示)。另外，也可以在第二半導(dǎo)體層130與第一半導(dǎo)體層140之間設(shè)置光吸收層(未圖示)。另外，第二半導(dǎo)體層130和第一半導(dǎo)體層140可以形成相互混雜的本體異質(zhì)結(jié)構(gòu)。優(yōu)選陽(yáng)極層120或陰極層150的任一者為透明。另外，基板110可以不位于陽(yáng)極層120側(cè)而位于陰極層150側(cè)，或者可以位于陽(yáng)極層120側(cè)和陰極層150側(cè)這兩側(cè)。(2)第2例圖4是示意性地示出本發(fā)明的第1實(shí)施方式的太陽(yáng)能電池200的構(gòu)成例的截面圖。圖4所示的太陽(yáng)能電池200具備基板210、形成于基板210上的陽(yáng)極層220、形成于陽(yáng)極層220上的第二半導(dǎo)體層230、形成于第二半導(dǎo)體層230上的結(jié)合界面層260、形成于結(jié)合界面層260上的第一半導(dǎo)體層240、和形成于第一半導(dǎo)體層240上的陰極層250。結(jié)合界面層260包含相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物。另外，第一半導(dǎo)體層240是上述的“由金屬氧化物顆粒和相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物構(gòu)成的半導(dǎo)體層”。第二半導(dǎo)體層230是上述的“含有半導(dǎo)體的半導(dǎo)體層”。圖4所示的太陽(yáng)能電池200為p-p結(jié)型的情況下，第一半導(dǎo)體層240和第二半導(dǎo)體層230均為p型半導(dǎo)體層，第二半導(dǎo)體層230與第一半導(dǎo)體層240相比p型的濃度更高。另外，太陽(yáng)能電池200為n-n結(jié)型的情況下，第一半導(dǎo)體層240和第二半導(dǎo)體層230均為n型半導(dǎo)體層，第一半導(dǎo)體層240與第二半導(dǎo)體層230相比n型的濃度更高。此外，太陽(yáng)能電池200為p-n結(jié)型的情況下，第一半導(dǎo)體層240為n型半導(dǎo)體層，第二半導(dǎo)體層230為p型半導(dǎo)體層。需要說(shuō)明的是，該太陽(yáng)能電池200中，第一半導(dǎo)體層240和第二半導(dǎo)體層230可以相反地進(jìn)行配置。即，可以在陽(yáng)極層220上形成第一半導(dǎo)體層240，在第一半導(dǎo)體層240上形成結(jié)合界面層260，在結(jié)合界面層260上形成第二半導(dǎo)體層230。該情況下，在p-p結(jié)型的情況下，第一半導(dǎo)體層240與第二半導(dǎo)體層230相比p型的濃度升高；在n-n結(jié)型的情況下，第二半導(dǎo)體層230與第一半導(dǎo)體層240相比n型的濃度升高；在p-n結(jié)型的情況下，第一半導(dǎo)體層240為p型半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層230為n型半導(dǎo)體層。另外，該太陽(yáng)能電池100中，還可以將各層進(jìn)一步細(xì)分而設(shè)置成兩個(gè)以上的層。例如，也可以在第一半導(dǎo)體層240與陰極層250之間設(shè)置電子取出層(未圖示)。另外，也可以在第二半導(dǎo)體層230與陽(yáng)極層220之間設(shè)置空穴取出層(未圖示)。另外，基板210可以不位于陽(yáng)極層220側(cè)而位于陰極層250側(cè)，或者位于陽(yáng)極層220側(cè)和陰極層250側(cè)這兩側(cè)。陽(yáng)極層220或陰極層250中的任一者優(yōu)選為透明。(3)串聯(lián)結(jié)構(gòu)另外，雖未圖示，但第1實(shí)施方式的太陽(yáng)能電池可以是將2個(gè)以上的上述圖3、圖4所示的結(jié)構(gòu)串聯(lián)堆積而成的串聯(lián)結(jié)構(gòu)。例如，將圖3所示的陽(yáng)極層120、形成于陽(yáng)極層120上的第二半導(dǎo)體層130、形成于第二半導(dǎo)體層130上的第一半導(dǎo)體層140、和形成于第一半導(dǎo)體層140上的陰極層150作為第1單位單元。另外，將圖4所示的陽(yáng)極層220、形成于陽(yáng)極層220上的第二半導(dǎo)體層230、形成于第二半導(dǎo)體層230上的結(jié)合界面層260、形成于結(jié)合界面層260上的第一半導(dǎo)體層240、和形成于第一半導(dǎo)體層240上的陰極層250作為第2單位單元。第1實(shí)施方式的太陽(yáng)能電池可以為將2個(gè)以上的第1單位單元串聯(lián)堆積而成的結(jié)構(gòu)，也可以為將2個(gè)以上的第2單位單元串聯(lián)堆積而成的結(jié)構(gòu)?；蛘?，還可以為將分別1個(gè)以上的第1單位單元、第2單位單元串聯(lián)堆積而成的結(jié)構(gòu)。(4)各部的材質(zhì)、物性等作為基板110、210，可以使用玻璃基板、PET(聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)、PC(聚碳酸酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、PP(聚丙烯)、聚醚砜、聚酰亞胺、環(huán)烯烴聚合物、丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂、氟系樹(shù)脂、三聚氰胺樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂等塑料基板、鋁基板、不銹鋼(SUS)基板、由粘土構(gòu)成的基板、紙基板等通常使用的所有基板。作為陰極層150、250，可以使用鋁、SUS、金、銀、銦與鎵的合金、ITO(氧化銦錫)、FTO(氟摻雜氧化錫)、IZO(銦鋅氧化物)、氧化鋅、鋁摻雜氧化鋅等通常使用的金屬或金屬氧化物。另外，也可以使用導(dǎo)電性高分子、石墨烯等。作為陽(yáng)極層120、220，可以使用鋁、SUS、金、銀、銦與鎵的合金、ITO(氧化銦錫)、FTO(氟摻雜氧化錫)、IZO(銦鋅氧化物)、氧化鋅、鋁摻雜氧化鋅等通常使用的金屬或金屬氧化物。另外，也可以使用導(dǎo)電性高分子、石墨烯等。作為基板110、210，在使用帶ITO的PET膜的情況下，從進(jìn)一步提高光電轉(zhuǎn)換效率的方面考慮，表面電阻優(yōu)選為0.1～100Ω/□、更優(yōu)選為1～50Ω/□。需要說(shuō)明的是，對(duì)基板110、210、陰極層150、250和陽(yáng)極層120、220的各厚度沒(méi)有特別限制，分別可以為0.1mm～100mm、0.01μm～1000μm和0.01μm～1000μm左右。(5)比較例圖5是示意性地示出比較例的太陽(yáng)能電池300的截面圖。圖5所示的太陽(yáng)能電池300是通常的pn結(jié)的太陽(yáng)能電池。在基板310上具備陽(yáng)極層320、p型半導(dǎo)體層330、n型半導(dǎo)體層340以及陰極層350。p型半導(dǎo)體層330和n型半導(dǎo)體層340均不是“由金屬氧化物顆粒和相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物構(gòu)成的半導(dǎo)體層”。從這點(diǎn)出發(fā)，太陽(yáng)能電池300與太陽(yáng)能電池100、200是不同的。[第1實(shí)施方式的效果]本發(fā)明的第1實(shí)施方式可起到以下的效果(1)～(5)。(1)構(gòu)成太陽(yáng)能電池的第一半導(dǎo)體層包含平均粒徑為1nm以上500nm以下的金屬氧化物顆粒和相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物。由此，與由金屬氧化物顆粒單獨(dú)構(gòu)成第一半導(dǎo)體層的情況相比，可以防止金屬氧化物顆粒表面的缺陷能級(jí)或顆粒間的空隙對(duì)載流子遷移造成的阻礙、以及防止載流子的再結(jié)合。其結(jié)果，能夠降低第一半導(dǎo)體層的電阻，能夠提高太陽(yáng)能電池的填充因子，提高光電轉(zhuǎn)換效率。此外，通過(guò)防止載流子的再結(jié)合，能夠提高太陽(yáng)能電池的開(kāi)路電壓。(2)另外，通過(guò)在金屬氧化物顆粒中混合相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物，具有載流子的傳導(dǎo)路徑增加的效果。由此，在第一半導(dǎo)體層內(nèi)流動(dòng)的載流子量增加，進(jìn)而載流子在第一半導(dǎo)體層內(nèi)流動(dòng)的時(shí)間也縮短。(3)另外，通過(guò)在金屬氧化物顆粒中混合相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物，可以屏蔽周?chē)难?。由此，能夠減小因氧而失活的載流子，所以有助于第一半導(dǎo)體層內(nèi)的載流子密度的提高及遷移率的提高。(4)另外，第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層不需要真空體系工藝等，能夠以低成本且低溫工藝進(jìn)行制造，可以如涂布法或印刷法那樣利用非真空體系工藝形成。由此，能夠利用非真空體系工藝進(jìn)行制造，可以提供能夠表現(xiàn)出更優(yōu)異的光電轉(zhuǎn)換效率的太陽(yáng)能電池及其制造方法。(5)另外，第二半導(dǎo)體層包含無(wú)機(jī)顆粒(金屬氧化物顆粒和硅顆粒中的至少一種)的情況下，第二半導(dǎo)體層優(yōu)選進(jìn)一步包含相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物，該化合物更優(yōu)選為相對(duì)介電常數(shù)為3以上150以下的有機(jī)化合物。另外，第二半導(dǎo)體層除了無(wú)機(jī)顆粒外還包含上述化合物的情況下，第二半導(dǎo)體層中的無(wú)機(jī)顆粒的含量?jī)?yōu)選為10質(zhì)量％以上90質(zhì)量％以下。通過(guò)使第二半導(dǎo)體層包含無(wú)機(jī)顆粒和相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物，與用無(wú)機(jī)顆粒單獨(dú)構(gòu)成第二半導(dǎo)體層的情況相比，可以得到第二半導(dǎo)體層中的無(wú)機(jī)顆粒表面的載流子陷阱·再結(jié)合的抑制效果，第二半導(dǎo)體層的遷移率也提高，因而可以有助于太陽(yáng)能電池的性能提高。<第2實(shí)施方式>接著，對(duì)半導(dǎo)體元件進(jìn)行說(shuō)明。本發(fā)明的第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體元件具有至少1層的半導(dǎo)體層，該半導(dǎo)體層包含無(wú)機(jī)顆粒和相對(duì)介電常數(shù)為3以上150以下的化合物(下文中稱(chēng)為有機(jī)化合物)。無(wú)機(jī)顆粒為金屬氧化物顆?；蚬桀w粒。另外，半導(dǎo)體層中的無(wú)機(jī)顆粒的含量為10質(zhì)量％以上90質(zhì)量％以下，半導(dǎo)體層的載流子遷移率為0.0001cm2/Vs以上。[半導(dǎo)體元件]作為第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體元件，可以舉出二極管、晶體管、薄膜晶體管、存儲(chǔ)器、光電二極管、發(fā)光二極管、發(fā)光晶體管、傳感器等。晶體管和薄膜晶體管能夠用于有源矩陣驅(qū)動(dòng)方式顯示屏、液晶顯示屏、分散型液晶顯示屏、電泳型顯示屏、顆粒旋轉(zhuǎn)型顯示元件、電致變色顯示屏、有機(jī)發(fā)光顯示屏、電子紙等各種顯示裝置中。晶體管和薄膜晶體管在這些顯示裝置中用于顯示像素的開(kāi)關(guān)用晶體管、信號(hào)驅(qū)動(dòng)器電路元件、存儲(chǔ)器電路元件、信號(hào)處理電路元件等。顯示裝置的開(kāi)關(guān)用晶體管配置于顯示裝置的各像素，對(duì)各像素的顯示進(jìn)行開(kāi)關(guān)。這種主動(dòng)驅(qū)動(dòng)元件不需要對(duì)置的導(dǎo)電性基板的圖案化，因而，通過(guò)電路構(gòu)成，與不具有開(kāi)關(guān)像素的晶體管的被動(dòng)驅(qū)動(dòng)元件相比，能夠使像素配線簡(jiǎn)化。通常，每1像素配置1個(gè)～幾個(gè)開(kāi)關(guān)用晶體管。這樣的顯示裝置具有在基板面二維地形成的數(shù)據(jù)線和柵極線交叉而成的結(jié)構(gòu)，數(shù)據(jù)線、柵極線分別與晶體管的柵極、源極、漏極接合。需要說(shuō)明的是，也可以將數(shù)據(jù)線和柵極線分割、或追加電流供給線、信號(hào)線。另外，對(duì)于顯示裝置的像素，除了像素配線、晶體管外還可以同時(shí)設(shè)置電容器，賦予記錄信號(hào)的功能。此外，在形成有顯示裝置的基板上也可以搭載數(shù)據(jù)線和柵極線的驅(qū)動(dòng)器、像素信號(hào)的存儲(chǔ)器、脈沖發(fā)生器、信號(hào)分配器、控制器等。半導(dǎo)體元件為薄膜晶體管的情況下，作為其元件結(jié)構(gòu)，例如可以舉出基板/柵極/絕緣體層(電介質(zhì)層)/源極·漏極/半導(dǎo)體層的結(jié)構(gòu)(底部接觸結(jié)構(gòu))、基板/半導(dǎo)體層/源極·漏極/絕緣體層(電介質(zhì)層)/柵極的結(jié)構(gòu)(頂部柵極結(jié)構(gòu))、基板/柵極/絕緣體層(電介質(zhì)層)/半導(dǎo)體層/源極·漏極的結(jié)構(gòu)(頂部接觸結(jié)構(gòu))等。此時(shí)，源極、漏極、柵極分別可以設(shè)置兩個(gè)以上。并且，兩個(gè)以上的半導(dǎo)體層可以設(shè)置于同一平面內(nèi)，也可以層積設(shè)置。該薄膜晶體管的半導(dǎo)體層使用“由無(wú)機(jī)顆粒和有機(jī)化合物構(gòu)成的半導(dǎo)體層”。即，半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體層是僅由金屬氧化物顆粒和有機(jī)化合物構(gòu)成的層、或者由金屬氧化物顆粒和有機(jī)化合物與其它成分構(gòu)成的層。作為其它成分，例如可以舉出溶劑、粘結(jié)劑成分、或者無(wú)機(jī)成分等中任意一種以上?？墒褂玫臒o(wú)機(jī)顆粒(金屬氧化物顆粒、硅顆粒)和有機(jī)化合物與在第1實(shí)施方式中所例示的相同。另外，該半導(dǎo)體層的遷移率為0.0001cm2/Vs以上、優(yōu)選為0.001cm2/Vs以上、進(jìn)一步優(yōu)選為0.01cm2/Vs以上。由此，可以將半導(dǎo)體元件適當(dāng)?shù)赜糜陲@示圖像的顯示裝置中。另外，半導(dǎo)體元件為晶體管的情況下，作為其構(gòu)成，可以采用MOS(金屬-氧化物(絕緣體層)-半導(dǎo)體)型晶體管和雙極型晶體管中的任一種。作為雙極型晶體管的元件結(jié)構(gòu)，例如可以舉出n型半導(dǎo)體層/p型半導(dǎo)體層/n型半導(dǎo)體層的結(jié)構(gòu)、p型半導(dǎo)體層/n型半導(dǎo)體層/p型半導(dǎo)體層的結(jié)構(gòu)，在各半導(dǎo)體層連接有電極。并且，p型半導(dǎo)體層或n型半導(dǎo)體層中的至少一者使用上述的“由無(wú)機(jī)顆粒和有機(jī)化合物構(gòu)成的半導(dǎo)體層”。另外，半導(dǎo)體元件為二極管的情況下，作為其元件結(jié)構(gòu)，例如可以舉出電極/n型半導(dǎo)體層/p型半導(dǎo)體層/電極的結(jié)構(gòu)。并且，p型半導(dǎo)體層或n型半導(dǎo)體層中的至少一者使用上述的“由無(wú)機(jī)顆粒和有機(jī)化合物構(gòu)成的半導(dǎo)體層”。由無(wú)機(jī)顆粒和有機(jī)化合物構(gòu)成的半導(dǎo)體層與電極的結(jié)合面的至少一部分可以為肖特基結(jié)和/或隧道結(jié)。作為這種結(jié)合結(jié)構(gòu)的例子，例如可以舉出電極/肖特基結(jié)(隧道結(jié))/半導(dǎo)體層/電極的結(jié)構(gòu)、電極/半導(dǎo)體層/隧道結(jié)/半導(dǎo)體層/電極的結(jié)構(gòu)、電極/肖特基結(jié)(隧道結(jié))/半導(dǎo)體層/隧道結(jié)/半導(dǎo)體層/電極的結(jié)構(gòu)等。僅將肖特基結(jié)和/或隧道結(jié)應(yīng)用于本發(fā)明的由金屬氧化物顆?；蚬桀w粒和有機(jī)化合物構(gòu)成的半導(dǎo)體，即可形成二極管。具有這種結(jié)合結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件能夠以單純的構(gòu)成形成二極管或晶體管，因而是優(yōu)選的。此外，也可以將具有這種結(jié)合結(jié)構(gòu)的復(fù)數(shù)個(gè)半導(dǎo)體元件結(jié)合，形成逆變器、振蕩器、存儲(chǔ)器、傳感器等半導(dǎo)體元件。另外，這些肖特基結(jié)、隧道結(jié)不僅僅可以用于二極管特性的調(diào)整或隧道結(jié)元件中。若在肖特基結(jié)部、隧道結(jié)部使用磁性材料、光敏性材料，則可以制造功能更高的半導(dǎo)體元件。接著，示出半導(dǎo)體元件的具體例。圖6是示意性地示出第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體元件400的構(gòu)成例的截面圖。如圖6所示，該半導(dǎo)體元件400是底部接觸結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，具有基板410、形成于基板410上的柵極420、形成于基板410上而覆蓋柵極420的絕緣層430、源極440、漏極450、和半導(dǎo)體層460。源極440形成于基板410上，隔著絕緣層430覆蓋在柵極420的一個(gè)端部上。另外，漏極450形成于基板410上，隔著絕緣層430覆蓋在柵極420的另一個(gè)端部上。半導(dǎo)體層460隔著絕緣層430形成于柵極420上，將源極440與柵極420之間(即間隙)填埋。作為基板410的材料，可以舉出玻璃或樹(shù)脂。另外，作為柵極420、源極440、漏極450的各材料，可以舉出金屬、導(dǎo)電性陶瓷材料、碳、導(dǎo)電性有機(jī)材料等。從與金屬氧化物或硅獲得良好的結(jié)合或密合性的方面考慮，柵極420、源極440、漏極450的各材料更優(yōu)選為金、銀、鋁、銅、氧化銦錫(ITO)、或者銦-鎵合金。[半導(dǎo)體元件的制造方法]作為半導(dǎo)體元件的制造方法，例如可以舉出下述方法：在基板上預(yù)先形成有圖案的電極、半導(dǎo)體、絕緣體層的各規(guī)定區(qū)域上，以規(guī)定的圖案涂布半導(dǎo)體層形成用的涂布液，形成半導(dǎo)體薄膜。另外，作為半導(dǎo)體元件的其它制造方法，可以舉出下述方法：在基板上形成半導(dǎo)體薄膜，之后進(jìn)行該半導(dǎo)體薄膜的圖案化、電極形成、絕緣體層的形成。作為此時(shí)的半導(dǎo)體薄膜的圖案化方法，例如可以采用利用絲網(wǎng)印刷、凹版印刷、膠版印刷、噴墨印刷、噴霧法等方法形成圖案的方法。本發(fā)明的半導(dǎo)體元件可以通過(guò)在玻璃、樹(shù)脂等基板上形成半導(dǎo)體薄膜來(lái)制造。而且，半導(dǎo)體薄膜可以利用溶液的印刷、涂布等簡(jiǎn)便的方法來(lái)成膜。因此，可以在大面積的基板上一次性容易地形成大量的半導(dǎo)體元件。由此，能夠以低成本制造半導(dǎo)體元件、及使用該半導(dǎo)體元件的裝置(上述的顯示裝置、運(yùn)算元件、存儲(chǔ)元件等)。另外，使用半導(dǎo)體薄膜制造半導(dǎo)體元件對(duì)于使用半導(dǎo)體元件的裝置的薄型化、輕量化也有效。[電子設(shè)備]另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體元件也可以用作IC卡、智能卡以及電子標(biāo)簽等電子設(shè)備中的運(yùn)算元件、存儲(chǔ)元件。該情況下，它們無(wú)論是接觸型還是非接觸型，均可毫無(wú)問(wèn)題地應(yīng)用。這些IC卡、智能卡以及電子標(biāo)簽由存儲(chǔ)器、脈沖發(fā)生器、信號(hào)分配器、控制器、電容器等構(gòu)成，進(jìn)而具備天線、電池。此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體元件可以用作傳感器，可以應(yīng)用于氣體傳感器、生物傳感器、血液傳感器、免疫傳感器、人工視網(wǎng)膜、味覺(jué)傳感器等各種傳感器中。[第2實(shí)施方式的效果]根據(jù)本發(fā)明的第2實(shí)施方式，能夠提供一種遷移率高、在空氣中穩(wěn)定的半導(dǎo)體元件。另外，半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體層不需要真空體系工藝等，能夠以低成本且低溫工藝進(jìn)行制造，能夠如涂布法或印刷法這樣利用非真空體系工藝形成。這樣，根據(jù)本發(fā)明的第2實(shí)施方式，可以提供一種能夠利用非真空體系工藝制造、能夠表現(xiàn)出更高的遷移率的半導(dǎo)體元件。另外，干燥該半導(dǎo)體層的溫度的范圍優(yōu)選為20℃以上400℃以下、進(jìn)一步優(yōu)選為20℃以上300℃以下、進(jìn)一步優(yōu)選為20℃以上200℃以下、最優(yōu)選為20℃以上150℃以下。通過(guò)在半導(dǎo)體形成用的涂布液中混合相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物，不需要迄今為止在形成半導(dǎo)體層時(shí)所必需的高溫?zé)?，能夠利用低溫工藝制作半?dǎo)體層。不需要高溫?zé)频睦碛墒且驗(yàn)橄鄬?duì)介電常數(shù)為2以上的化合物可抑制載流子陷阱等。此處，如下所述，分散劑與相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物是不同的。作為分散劑的例子，可以舉出甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、己醇等醇類(lèi)；乙二醇、丙二醇等二醇類(lèi)；溶纖劑、甲基溶纖劑(2-甲氧基乙醇)、乙基溶纖劑、丁基溶纖劑等溶纖劑類(lèi)；丙酮、甲基乙基酮等酮類(lèi)；乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯類(lèi)；二氧六環(huán)、四氫呋喃等醚類(lèi)；N,N-二甲基甲酰胺等酰胺類(lèi)；苯、甲苯、二甲苯、三甲苯、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、環(huán)己烷、十氫化萘(十氫萘)、四氫化萘等烴類(lèi)；水等。作為半導(dǎo)體層形成用的涂布液中包含的分散劑的含量，從粘度的控制、及對(duì)相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物的溶解性或分散性進(jìn)行調(diào)整、使涂布液易于處理的方面考慮，優(yōu)選為0.2質(zhì)量％以上、優(yōu)選為5質(zhì)量％以上。另外，該含量?jī)?yōu)選為99.8質(zhì)量％以下、優(yōu)選為98.5質(zhì)量％以下。作為半導(dǎo)體層形成用的涂布液中包含的相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物的含量，優(yōu)選為0.1質(zhì)量％以上、進(jìn)一步優(yōu)選為0.5質(zhì)量％以上。另外，該含量?jī)?yōu)選為49.9質(zhì)量％以下、進(jìn)一步優(yōu)選為40質(zhì)量％以下。作為半導(dǎo)體層形成用的涂布液中包含的金屬氧化物顆粒的含量，優(yōu)選為0.1質(zhì)量％以上、進(jìn)一步優(yōu)選為0.5質(zhì)量％。另外，該含量?jī)?yōu)選為49.9質(zhì)量％以下、進(jìn)一步優(yōu)選為40質(zhì)量％以下。實(shí)施例下面，通過(guò)具體的實(shí)施例來(lái)更詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明。<評(píng)價(jià)方法>以下，只要不特別聲明，則在25℃、濕度45％的條件下進(jìn)行評(píng)價(jià)。(1)平均粒徑關(guān)于平均粒徑，在粒徑為1μm以上的情況下，使用臺(tái)式掃描顯微鏡CarryScopeJCM5100(JEOL社制造)進(jìn)行測(cè)定。測(cè)定合計(jì)10點(diǎn)的粒徑，將其平均值作為平均粒徑。另外，在粒徑小于1μm的情況下，使用透射型電子顯微鏡(TEM)HF-2000(株式會(huì)社HitachiHigh-Technologies社制造)進(jìn)行測(cè)定。作為具體的測(cè)定方法，以氧化鈦分散液TKS201(銳鈦礦型、TAYCA社制造、固體成分33質(zhì)量％)為例進(jìn)行說(shuō)明。首先，將氧化鈦分散液稀釋至2000倍，對(duì)該稀分散液進(jìn)行超聲波分散，對(duì)浸漬到網(wǎng)孔中的物質(zhì)進(jìn)行冷凍干燥，作為T(mén)EM測(cè)定用試樣。將該氧化鈦的TEM測(cè)定用試樣用TEM放大至570000倍，進(jìn)行觀察。計(jì)算出所得到的顆粒圖像的像素?cái)?shù)，根據(jù)以下的式[4]、式[5]，由該像素?cái)?shù)計(jì)算出將各顆粒換算成正圓的直徑。正圓換算半徑＝(像素?cái)?shù)/π)2…[4]正圓換算直徑＝正圓換算半徑×0.22×2…[5]利用上述方法測(cè)定合計(jì)100點(diǎn)(現(xiàn)狀的點(diǎn)數(shù))顆粒的正圓換算直徑，將其平均值作為平均粒徑。(2)X射線半峰寬基于X射線衍射的半峰寬使用將CuKα射線作為X射線源的X射線衍射裝置(XRD)RINT-2500(株式會(huì)社Rigaku社制造)來(lái)進(jìn)行測(cè)定。關(guān)于測(cè)定用的氧化鈦顆粒，在石英基板上在與元件制作時(shí)相同的條件下涂布至基板上，從而進(jìn)行制作。半峰寬通過(guò)對(duì)氧化鈦顆粒進(jìn)行X射線衍射測(cè)定而得到，在晶形為銳鈦礦型的情況下，由作為銳鈦礦型的氧化鈦顆粒的(101)面的峰(即，在2θ＝24～26°(25°附近)出現(xiàn)的峰)進(jìn)行測(cè)定。另外，在晶形為金紅石型的情況下，由作為金紅石型的氧化鈦顆粒的(110)面的峰(即，在2θ＝26～28°(27°附近)出現(xiàn)的峰)測(cè)定半峰寬。關(guān)于實(shí)施例中使用的氧化鈦顆粒的半峰寬，在銳鈦礦型的情況下，AMT400為0.48°，AMT600為0.29°，TKS201為1.04°，P90為0.60°，在金紅石型的情況下，MT150A為0.50°。(3)I-V特性(太陽(yáng)能電池特性)的評(píng)價(jià)使用通過(guò)計(jì)算機(jī)(ADCMT社制造I-V測(cè)定系統(tǒng))控制的直流電壓·電流源(6241A、ADCMT社制造)、以及簡(jiǎn)易型太陽(yáng)模擬器(AbetTechnologies,Inc社制造)測(cè)定光電動(dòng)勢(shì)特性，并進(jìn)行了I-V特性的評(píng)價(jià)。在光量(AM1.5G、100mW/cm2)的檢驗(yàn)中使用了BS-500Si系光電二極管檢測(cè)器(晶體Si太陽(yáng)能電池用、分光計(jì)器(株)社制造、二次基準(zhǔn)太陽(yáng)能電池)。在固定了太陽(yáng)能電池的狀態(tài)下進(jìn)行測(cè)定。使用圖7對(duì)測(cè)定試樣的具體準(zhǔn)備方法進(jìn)行說(shuō)明。首先，將太陽(yáng)能電池4放置于包覆有絕緣處理材料的金屬制夾具5上。在其上依次層疊厚度2mm的硅酮橡膠片3、厚度3mm的石英板2、包覆有絕緣處理材料的金屬制夾具1(中心設(shè)有為了使光10透過(guò)的光透過(guò)孔)，金屬制夾具1、5的相互對(duì)置的四角彼此用螺釘9進(jìn)行了固定。太陽(yáng)能電池的I-V特性的評(píng)價(jià)中，按照以光量1sun對(duì)太陽(yáng)能電池進(jìn)行照射的方式進(jìn)行調(diào)整并測(cè)定。在硅晶片側(cè)使用銦和鎵合金糊料，將導(dǎo)電膠帶或銅帶與硅晶片接合。另外，在由氧化鈦顆粒構(gòu)成的層側(cè)使用ITO電極和銀糊料，將導(dǎo)電膠帶與由氧化鈦顆粒構(gòu)成的層接合。從導(dǎo)電膠帶取下I-V測(cè)定時(shí)的端子。本評(píng)價(jià)中，求出I-V特性以及Imax和Vmax。需要說(shuō)明的是，Imax是指太陽(yáng)能電池的輸出功率達(dá)到最大時(shí)的電流，Vmax是指太陽(yáng)能電池的輸出功率達(dá)到最大時(shí)的電壓。并且，由I-V特性的曲線圖計(jì)算出短路電流密度、開(kāi)路電壓、填充因子(FF)和光電轉(zhuǎn)換效率。需要說(shuō)明的是，短路電流密度(Isc)是電壓為0時(shí)的電流密度，開(kāi)路電壓(Voc)是電流為0時(shí)的電壓。FF可以由下述式[6]求出。FF＝(Vmax·Imax)/(Voc·Isc)…[6]光電轉(zhuǎn)換效率η可以由下述式[7]求出。η＝(太陽(yáng)能電池的輸出功率)/100×100…[7]太陽(yáng)能電池的輸出功率可以由下述式[8]求出。太陽(yáng)能電池的輸出功率＝短路電流密度×開(kāi)路電壓×FF＝Vmax·Imax…[8](4)相對(duì)介電常數(shù)相對(duì)介電常數(shù)是指使測(cè)定頻率為1kHz、測(cè)定溫度為23℃并利用阻抗法所測(cè)定的值。具體地說(shuō)，使用LCR測(cè)量?jī)x(Agilent制4284A的PRESISIONLCR測(cè)量?jī)x)，根據(jù)下述式[9]求出。樣品的介電常數(shù)＝(電極間距離×靜電電容)/(電極的面積×真空的介電常數(shù))…[9](其中，真空的介電常數(shù)為8.854×10-12(F/m)。)在樣品為液體的情況下，介電常數(shù)如下測(cè)定：使用液體測(cè)定用的夾具(Agilent制造16452ALIQUIDTESTFIXTURE)，將電極插入液體中進(jìn)行測(cè)定。在樣品為固體的情況下，介電常數(shù)如下測(cè)定：使用膜測(cè)定用的夾具(Agilent制造16451BDIELECTRICTESTFIXTURE)，在電極板上制作膜，用一個(gè)電極夾住，進(jìn)行測(cè)定。(5)層厚半導(dǎo)體層與結(jié)合界面層的層厚利用vertscan2.0(RyokaSystemsInc.制造)進(jìn)行測(cè)定。關(guān)于測(cè)定用的半導(dǎo)體層或結(jié)合界面層，在與元件制作時(shí)同樣的條件下涂布至基板上，由此制作。對(duì)于這些層，任意測(cè)定5處的層厚，計(jì)算其平均值，作為平均層厚。關(guān)于制作太陽(yáng)能電池后的半導(dǎo)體層和結(jié)合界面層的層厚，通過(guò)截面TEM觀察或截面SEM觀察進(jìn)行了測(cè)定。測(cè)定中，利用聚焦離子束(FIB：FocusedIonBeam)法，將太陽(yáng)能電池的截面切斷后進(jìn)行測(cè)定。截面SEM觀察方法記載于下述(10)中。FIB法中，將以30kV～40kV加速的Ga離子聚焦為0.01μm～0.1μm，一邊掃描太陽(yáng)能電池截面一邊進(jìn)行噴濺。作為上述噴濺最外表面的保護(hù)膜，蒸鍍了碳膜或鎢膜。另外，截面TEM觀察進(jìn)行2處，每1處以等間隔測(cè)定了5點(diǎn)層厚。計(jì)算合計(jì)10點(diǎn)層厚的平均值，作為平均層厚。確認(rèn)到，由上述截面TEM觀察得到的平均層厚與上述層厚測(cè)定的結(jié)果為大致同等的值。(6)分光靈敏度測(cè)定關(guān)于分光靈敏度測(cè)定，將利用分光器由光源按波長(zhǎng)所取出的光照射至太陽(yáng)能電池，計(jì)測(cè)由太陽(yáng)能電池的輸出功率。根據(jù)入射光強(qiáng)度和輸出電流計(jì)算出外部量子效率。光源使用氙燈光源(氙燈：HamamatsuPhotonics社制造L2274、燈罩：HamamatsuPhotonics社制造E7536、電源：HamamatsuPhotonics社制造C4263)，分光器使用ORIEL社制造GRATINGMONOCHROMATORMODEL77250。作為分光器驅(qū)動(dòng)源，使用SIGMAKOKI社制造的SHOT-204-MS、SGSP-60YAW，作為控制PC，使用富士通社制造的FMV-C8240進(jìn)行控制。電流使用ADVANTEST社制造的數(shù)字靜電計(jì)TR8652進(jìn)行測(cè)定。需要說(shuō)明的是，該評(píng)價(jià)僅對(duì)后述實(shí)施例5進(jìn)行。(7)硅氧化膜的膜厚測(cè)定方法分析中，通過(guò)聚焦離子束加工(FIB加工)將硅薄片化，使用透射電子顯微鏡(TEM)對(duì)截面結(jié)構(gòu)進(jìn)行直接觀察。本次使用的顯微鏡為FEI社制造的TITAN80-300。(8)簡(jiǎn)易太陽(yáng)能電池評(píng)價(jià)(短路電流密度、開(kāi)路電壓測(cè)定)作為氙光源燈，在XEF152S(KenkoTokinaCorporation制造)上安裝石英光波導(dǎo)，將其用作模擬太陽(yáng)光的光源。另外，作為直流電壓電源裝置，利用6241A(ADCMT社制造)計(jì)測(cè)電壓和電流，使其顯示于個(gè)人電腦上(ADCMT社制造I-V測(cè)定系統(tǒng))。通過(guò)本裝置進(jìn)行短路電流的經(jīng)時(shí)變化的測(cè)定、各介電常數(shù)下的開(kāi)路電壓的測(cè)定，取得了透明太陽(yáng)能電池的發(fā)電數(shù)據(jù)、柔性太陽(yáng)能電池的發(fā)電數(shù)據(jù)。在固定了太陽(yáng)能電池的狀態(tài)下進(jìn)行測(cè)定。利用圖7對(duì)測(cè)定試樣的具體準(zhǔn)備方法進(jìn)行說(shuō)明。首先，將太陽(yáng)能電池4放置于包覆有絕緣處理材料的金屬制夾具5上。在其上依次層疊厚度為2mm的硅酮橡膠片3、厚度為3mm的石英板2、包覆有絕緣處理材料的金屬制夾具1(中心設(shè)有為了使光10透過(guò)的光透過(guò)孔)，金屬制夾具1、5的相互對(duì)置的四角彼此用螺釘9進(jìn)行了固定。(9)遷移率遷移率通過(guò)TOF(Timeofflight，飛行時(shí)間)測(cè)定求出。圖8中示出TOF裝置的示意圖。TOF裝置是用YAG激光器(355nm、脈沖寬度4～6ns、HOYA-Continuum社制造型號(hào)MiniliteI)照射光，并測(cè)定所激發(fā)的電子流動(dòng)的時(shí)間的裝置。遷移率通過(guò)下述式[10]求出。μ＝L2/V·Tr(cm2/Vs)…[10]運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)間：以Tr表示、電極間距離(膜厚)：以L表示、對(duì)薄膜施加的電場(chǎng)：以V/L(施加電壓/膜厚)表示、遷移率(單位電場(chǎng)、每1秒的電荷的遷移速度)：以μ表示。更具體地進(jìn)行說(shuō)明。如圖8所示，將測(cè)定單元和負(fù)荷電阻RL與直流電源11串聯(lián)連接。接著，對(duì)測(cè)定單元照射脈沖激光，利用數(shù)字示波器(Tektronix社制造、型號(hào)TDS3032)12記錄了與載流子遷移相伴的瞬態(tài)電流流過(guò)負(fù)荷電阻RL所導(dǎo)致的電壓的時(shí)間變化。將數(shù)字示波器12的數(shù)據(jù)導(dǎo)入個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)中，由瞬態(tài)電流與時(shí)間的log-log圖求出運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)間Tr。在載流子遷移率高的情況下，觀測(cè)到幾百ns至幾μs的時(shí)間區(qū)域的瞬態(tài)電流變化。此時(shí)若將負(fù)荷電阻RL設(shè)定得過(guò)大，則有可能被CR時(shí)間常數(shù)影響而使瞬態(tài)電流信號(hào)產(chǎn)生變形。因此，在載流子遷移率高的情況下，將負(fù)荷電阻RL設(shè)為51Ω進(jìn)行測(cè)定。此時(shí)數(shù)字示波器12上的信號(hào)水平弱的情況下，利用電壓放大器13將來(lái)自負(fù)荷電阻RL的信號(hào)放大，從而進(jìn)行測(cè)定。載流子的遷移率低的情況下，觀測(cè)到幾百ms至幾秒的時(shí)間區(qū)域的瞬態(tài)電流變化。由于在寬頻帶產(chǎn)生載流子遷移，因而與載流子的遷移率高的情況相比，瞬態(tài)電流信號(hào)的水平變得非常小(認(rèn)為光激發(fā)所產(chǎn)生的電荷量恒定的情況下，單位時(shí)間流動(dòng)的電荷量為電流，因而為小幾位數(shù)的信號(hào)水平)。在這種情況下，確認(rèn)瞬態(tài)電流信號(hào)未產(chǎn)生變形，同時(shí)慢慢地增大負(fù)荷電阻RL，設(shè)定運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)間Tr的解析不會(huì)因噪音的影響而變得困難的條件，由此進(jìn)行了測(cè)定。測(cè)定在固定了元件的狀態(tài)下進(jìn)行。利用圖7對(duì)測(cè)定試樣的具體準(zhǔn)備方法進(jìn)行說(shuō)明。首先，代替太陽(yáng)能電池4而將半導(dǎo)體元件放置于包覆有絕緣處理材料的金屬制夾具5上。在其上依次層積厚度為2mm的硅酮橡膠片3、厚度為3mm的石英板2、包覆有絕緣處理材料的金屬制夾具1(中心設(shè)有為了使光10透過(guò)的光透過(guò)孔)，金屬制夾具1、5的相互對(duì)置的四角彼此用螺釘9進(jìn)行了固定。(10)截面SEM(掃描型電子顯微鏡)圖像將試樣切割成適當(dāng)?shù)某叽?，裝載于試樣臺(tái)上后，通過(guò)冷卻BIB(BroadIonBeam，寬離子束)加工制作出觀察截面。對(duì)其進(jìn)行導(dǎo)電處理，涂布1nm左右的OsO4，作為顯微鏡檢查用試樣。BIB加工使用E-3500(HitachiHigh-Technologies)以加速電壓4kV來(lái)實(shí)施。另外，SEM觀察使用S-4800(HitachiHigh-Technologies株式會(huì)社)以加速電壓1.0kV來(lái)實(shí)施。(11)交流阻抗測(cè)定利用LCR測(cè)量?jī)x6510P(Waynekerr社制造)和TOYOCorporation制造的計(jì)測(cè)·控制軟件進(jìn)行了阻抗測(cè)定。以測(cè)定頻率20～1MHz進(jìn)行。[實(shí)施例1]在包含平均粒徑為6nm的氧化鈦顆粒的水分散液(銳鈦礦型、TAYCA社制造、TKS201、固體成分33質(zhì)量％)1.0g中添加氰乙基蔗糖(相對(duì)介電常數(shù)：25)溶液(用2-甲氧基乙醇溶劑將固體成分調(diào)整為20質(zhì)量％)1.05g，進(jìn)行攪拌而制作出混合溶液A。另一方面，將帶ITO的PET膜(Aldrich社制造、表面電阻60Ω/□)用甲醇清洗后，實(shí)施10分鐘UV臭氧處理。接著，在該帶ITO的PET膜的ITO面?zhèn)龋褂没旌先芤篈通過(guò)旋涂法(2000rpm、30秒)制作了由氧化鈦顆粒和氰乙基蔗糖構(gòu)成的層(含氧化鈦層)。之后，將含氧化鈦層在120℃干燥10分鐘。干燥后的含氧化鈦層的厚度為1μm。含氧化鈦層中的氧化鈦的質(zhì)量％為(1.0×0.33)/(1.0×0.33+1.05×0.2)×100＝61質(zhì)量％。另外，將厚度為500μm、電阻率為3Ωcm的p型硅晶片用甲醇超聲波清洗5分鐘。使清洗后干燥的硅晶片與含氧化鈦層貼合。貼合時(shí)夾入開(kāi)有的孔的厚9μm的聚酯膜(寺岡制作所社制造)，僅僅在開(kāi)有孔的部分使含氧化鈦層與硅晶片接觸。進(jìn)而，在帶ITO的PET膜的PET面?zhèn)?即，ITO面的相反側(cè)的面)粘貼開(kāi)有的孔的鋁蒸鍍膜，從而制成掩模。由此，制作出太陽(yáng)能電池4。[實(shí)施例2]在包含平均粒徑為6nm的氧化鈦顆粒的水分散液(銳鈦礦型、TAYCA社制造、TKS201、固體成分33質(zhì)量％)1.0g中添加氰乙基蔗糖溶液(用2-甲氧基乙醇溶劑將固體成分調(diào)整為20質(zhì)量％)1.05g，進(jìn)行攪拌而制作出混合溶液A。另一方面，將帶ITO的PET膜(Aldrich社制造、表面電阻60Ω/□)用甲醇清洗后，實(shí)施10分鐘UV臭氧處理。接著，在該帶ITO的PET膜的ITO面?zhèn)龋褂没旌先芤篈通過(guò)旋涂法(2000rpm、30秒)制作了含氧化鈦層。之后，將含氧化鈦層在120℃干燥10分鐘。干燥后的含氧化鈦層的厚度為1μm。含氧化鈦層中的氧化鈦的質(zhì)量％為61質(zhì)量％。進(jìn)而，在該含氧化鈦層上，通過(guò)旋涂法(2000rpm、30秒)將用2-甲氧基乙醇稀釋氰乙基蔗糖而將氰乙基蔗糖的含量調(diào)整為1質(zhì)量％的溶液制膜，將其在120℃干燥1分鐘。干燥后的氰乙基蔗糖的層的厚度為20nm。另外，將厚度為500μm、電阻率為3Ωcm的p型硅晶片用甲醇超聲波清洗5分鐘。使清洗后干燥的硅晶片與包覆有氰乙基蔗糖的含氧化鈦層貼合。貼合時(shí)夾入開(kāi)有的孔的厚9μm的聚酯膜(寺岡制作所社制造)，僅僅在開(kāi)有孔的部分使氰乙基蔗糖的層與硅晶片接觸。進(jìn)而，在帶ITO的PET膜的PET面?zhèn)日迟N開(kāi)有的孔的鋁蒸鍍膜，從而制成掩模。由此，制作出太陽(yáng)能電池4。該實(shí)施例2中，在硅晶片與含氧化鈦層之間存在作為結(jié)合界面層的氰乙基蔗糖的層。[實(shí)施例3]在包含平均粒徑為14nm的氧化鈦顆粒(銳鈦礦型、日本AEROSIL社制造、VPTiO2P90)和鹽酸的水分散液(固體成分33質(zhì)量％)1.0g中添加氰乙基蔗糖溶液(用2-甲氧基乙醇溶劑將固體成分調(diào)整為20質(zhì)量％)1.05g，進(jìn)行攪拌而制作出混合溶液B。另一方面，將帶ITO的PET膜(Aldrich社制造、表面電阻60Ω/□)用甲醇清洗后，實(shí)施10分鐘UV臭氧處理。接著，在該帶ITO的PET膜的ITO面?zhèn)?，使用混合溶液B通過(guò)旋涂法(2000rpm、30秒)制作了含氧化鈦層。之后，將含氧化鈦層在120℃干燥10分鐘。干燥后的含氧化鈦層的厚度為1.1μm。含氧化鈦層中的氧化鈦的質(zhì)量％為61質(zhì)量％。另外，將厚度為500μm、電阻率為3Ωcm的p型硅晶片用甲醇超聲波清洗5分鐘。使清洗后干燥的硅晶片與含氧化鈦層貼合。貼合時(shí)夾入開(kāi)有的孔的厚9μm的聚酯膜(寺岡制作所社制造)，僅僅在開(kāi)有孔的部分使含氧化鈦層與硅晶片接觸。進(jìn)而，在帶ITO的PET膜的PET面?zhèn)日迟N開(kāi)有的孔的鋁蒸鍍膜，從而制成掩模。由此，制作出太陽(yáng)能電池4。[實(shí)施例4]在包含平均粒徑為6nm的氧化鈦顆粒的水分散液(銳鈦礦型、TAYCA社制造、TKS201、固體成分33質(zhì)量％)1.0g中添加氰乙基蔗糖溶液(用2-甲氧基乙醇溶劑將固體成分調(diào)整為20質(zhì)量％)1.58g，進(jìn)行攪拌而制作出混合溶液C。另一方面，將帶ITO的PET膜(表面電阻30Ω/□、GEOMATEC社制造)用甲醇清洗后，實(shí)施10分鐘UV臭氧處理。接著，在該帶ITO的PET膜的ITO面?zhèn)?，使用混合溶液C通過(guò)旋涂法(2000rpm、30秒)制作了含氧化鈦層。含氧化鈦層的厚度為0.7μm。含氧化鈦層中的氧化鈦的質(zhì)量％為51質(zhì)量％。另外，將厚度為500μm、電阻率為3Ωcm的p型硅晶片用丙酮清洗5分鐘，進(jìn)而在5％氫氟酸溶液中浸漬5分鐘，用超純水進(jìn)行清洗。將硅晶片清洗后使其干燥。干燥后立即將該硅晶片和帶ITO的PET膜貼合，使含氧化鈦層與硅晶片接觸。貼合時(shí)夾入開(kāi)有的孔的厚9μm的聚酯膜(寺岡制作所社制造)，僅僅在開(kāi)有孔的部分使含氧化鈦層與硅晶片接觸。進(jìn)而，在帶ITO的PET膜的PET面?zhèn)日迟N開(kāi)有的孔的鋁蒸鍍膜，從而制成掩模。由此，制作出太陽(yáng)能電池4。[實(shí)施例5]使平均粒徑為15nm的氧化鈦顆粒(AMT400、銳鈦礦型、TAYCA社制造)分散于2-甲氧基乙醇中，制作出固體成分為33質(zhì)量％的分散液。在該氧化鈦分散液1.0g中添加氰乙基蔗糖溶液(用2-甲氧基乙醇溶劑將固體成分調(diào)整為20質(zhì)量％)1.58g，進(jìn)行攪拌而制作出混合溶液D。將該混合溶液D放置1天后，在即將旋涂前攪拌10秒。另一方面，將厚度為500μm、電阻率為3Ωcm的p型硅晶片用丙酮清洗5分鐘，進(jìn)而在5％氫氟酸溶液中浸漬5分鐘，用超純水進(jìn)行清洗。清洗后，立即利用混合溶液D通過(guò)旋涂法(2000rpm、30秒)在該硅晶片的表面制作了含氧化鈦層。含氧化鈦層的厚度為1.7μm。含氧化鈦層中的氧化鈦的質(zhì)量％為51質(zhì)量％。接著，將帶ITO的PET膜(表面電阻30Ω/□、GEOMATEC社制造)用甲醇清洗后，將該清洗后的PET膜與硅晶片貼合，使ITO面接觸含氧化鈦層側(cè)。貼合時(shí)夾入開(kāi)有的孔的厚9μm的聚酯膜(寺岡制作所社制造)，僅僅在開(kāi)有孔的部分使ITO與含氧化鈦層接觸。進(jìn)而，在帶ITO的PET膜的PET面?zhèn)日迟N開(kāi)有的孔的鋁蒸鍍膜，從而制成掩模。由此，制作出太陽(yáng)能電池4。[實(shí)施例6]使平均粒徑為30nm的氧化鈦顆粒(AMT600、銳鈦礦型、TAYCA社制造)分散于2-甲氧基乙醇中，制作出固體成分為33質(zhì)量％的分散液。在該氧化鈦分散液1.0g中添加氰乙基蔗糖溶液(用2-甲氧基乙醇溶劑將固體成分調(diào)整為20質(zhì)量％)1.58g，進(jìn)行攪拌而制作出混合溶液E。將該混合溶液E放置1天后，在即將旋涂前攪拌10秒。另一方面，將厚度為500μm、電阻率為3Ωcm的p型硅晶片用丙酮清洗5分鐘，進(jìn)而在5％氫氟酸溶液中浸漬5分鐘，用超純水進(jìn)行清洗。清洗后，立即利用混合溶液E通過(guò)旋涂法(2000rpm、30秒)在該硅晶片的表面制作了含氧化鈦層。含氧化鈦層的厚度為1.8μm。含氧化鈦層中的氧化鈦的質(zhì)量％為51質(zhì)量％。接著，將帶ITO的PET膜(表面電阻30Ω/□、GEOMATEC社制造)用甲醇清洗后，將該清洗后的帶ITO的PET膜與硅晶片貼合，使ITO面接觸含氧化鈦層側(cè)。貼合時(shí)夾入開(kāi)有的孔的厚9μm的聚酯膜(寺岡制作所社制造)，僅僅在開(kāi)有孔的部分使ITO與含氧化鈦層接觸。進(jìn)而，在帶ITO的PET膜的PET面?zhèn)日迟N開(kāi)有的孔的鋁蒸鍍膜，從而制成掩模。由此，制作出太陽(yáng)能電池4。[實(shí)施例7]使平均粒徑為15nm的氧化鈦顆粒(MT150A、金紅石型、TAYCA社制造)分散于2-甲氧基乙醇中，制作出固體成分為33質(zhì)量％的分散液。在該氧化鈦分散液1.0g中添加氰乙基蔗糖溶液(用2-甲氧基乙醇溶劑將固體成分調(diào)整為20質(zhì)量％)1.58g，進(jìn)行攪拌而制作出混合溶液F。將該混合溶液F放置1天后，在即將旋涂前攪拌10秒。另一方面，將厚度為500μm、電阻率為3Ωcm的p型硅晶片用丙酮清洗5分鐘，進(jìn)而在5％氫氟酸溶液中浸漬5分鐘，用超純水進(jìn)行清洗。清洗后，立即利用混合溶液F通過(guò)旋涂法(2000rpm、30秒)在該硅晶片的表面制作了含氧化鈦層。含氧化鈦層的厚度為1.7μm。含氧化鈦層中的氧化鈦的質(zhì)量％為51質(zhì)量％。接著，將帶ITO的PET膜(表面電阻30Ω/□、GEOMATEC社制造)用甲醇清洗后，將該清洗后的帶ITO的PET膜與硅晶片貼合，使ITO面接觸含氧化鈦層側(cè)。貼合時(shí)夾入開(kāi)有的孔的厚9μm的聚酯膜(寺岡制作所社制造)，僅僅在開(kāi)有孔的部分使ITO與含氧化鈦層接觸。進(jìn)而，在帶ITO的PET膜的PET面?zhèn)日迟N開(kāi)有的孔的鋁蒸鍍膜，從而制成掩模。由此，制作出太陽(yáng)能電池4。[實(shí)施例8]使平均粒徑為15nm的氧化鈦顆粒(AMT400、銳鈦礦型、TAYCA社制造)分散于2-甲氧基乙醇中，制作出固體成分為33質(zhì)量％的分散液。在該氧化鈦分散液1.0g中添加氰乙基蔗糖溶液(用2-甲氧基乙醇溶劑將固體成分調(diào)整為6.59質(zhì)量％)1.58g，進(jìn)行攪拌而制作出混合溶液G。將該混合溶液G放置1天后，在即將旋涂前攪拌10秒。另一方面，將厚度為500μm、電阻率為3Ωcm的p型硅晶片用丙酮清洗5分鐘，進(jìn)而在5％氫氟酸溶液中浸漬5分鐘，用超純水進(jìn)行清洗。清洗后，立即利用混合溶液G通過(guò)旋涂法(2000rpm、30秒)在該硅晶片的表面制作了含氧化鈦層。含氧化鈦層的厚度為1.5μm。含氧化鈦層中的氧化鈦的質(zhì)量％為76質(zhì)量％。接著，將帶ITO的PET膜(表面電阻30Ω/□、GEOMATEC社制造)用甲醇清洗后，將該清洗后的帶ITO的PET膜與硅晶片貼合，使ITO面接觸含氧化鈦的薄膜側(cè)。貼合時(shí)夾入開(kāi)有的孔的厚9μm的聚酯膜(寺岡制作所社制造)，僅僅在開(kāi)有孔的部分使ITO與含氧化鈦的薄膜接觸。進(jìn)而，在帶ITO的PET膜的PET面?zhèn)日迟N開(kāi)有的孔的鋁蒸鍍膜，從而制成掩模。由此，制作出太陽(yáng)能電池4。[實(shí)施例9]使平均粒徑為15nm的氧化鈦顆粒(AMT400、銳鈦礦型、TAYCA社制造)分散于2-甲氧基乙醇中，制作出固體成分為33質(zhì)量％的分散液。在該氧化鈦分散液1.0g中添加氰乙基蔗糖溶液(用2-甲氧基乙醇溶劑將固體成分調(diào)整為20質(zhì)量％)1.58g，進(jìn)行攪拌而制作出混合溶液H。將該混合溶液H放置1天后，在即將旋涂前攪拌10秒。另一方面，將帶ITO的PET膜(表面電阻30Ω/□、GEOMATEC社制造)用甲醇清洗后，實(shí)施10分鐘UV臭氧處理。接著，在該帶ITO的PET膜的ITO面?zhèn)?，使用混合溶液H通過(guò)旋涂法(2000rpm、30秒)制作了含氧化鈦層。含氧化鈦層的厚度為1.8μm。含氧化鈦層中的氧化鈦的質(zhì)量％為51質(zhì)量％。另外，將厚度為500μm、電阻率為3Ωcm的p型硅晶片用丙酮清洗5分鐘，進(jìn)而在5％氫氟酸溶液中浸漬5分鐘，用超純水進(jìn)行清洗。清洗后使其干燥，干燥后立即將該硅晶片與帶ITO的PET膜貼合，使含氧化鈦層與硅晶片接觸。貼合時(shí)夾入開(kāi)有的孔的厚9μm的聚酯膜(寺岡制作所社制造)，僅僅在開(kāi)有孔的部分使含氧化鈦層與硅晶片接觸。進(jìn)而，在帶ITO的PET膜的PET面?zhèn)日迟N開(kāi)有的孔的鋁蒸鍍膜，從而制成掩模。由此，制作出太陽(yáng)能電池4。[實(shí)施例10]：使用硅晶片制作異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池使平均粒徑為15nm的氧化鈦顆粒(MT150A、金紅石型、TAYCA社制造)分散于2-甲氧基乙醇中，制作出固體成分為33質(zhì)量％的分散液。在該氧化鈦分散液1.0g中添加甘油(相對(duì)介電常數(shù)：48)溶液(用2-甲氧基乙醇溶劑將甘油的含有比例調(diào)整為20質(zhì)量％)1.58g，進(jìn)行攪拌而制作出混合溶液I。將該混合溶液I放置1天后，在即將旋涂前攪拌10秒。另一方面，將厚度為500μm、電阻率為3Ωcm的p型硅晶片用丙酮清洗5分鐘，進(jìn)而在5％氫氟酸溶液中浸漬5分鐘，用超純水進(jìn)行清洗。清洗后立即利用混合溶液I通過(guò)旋涂法(2000rpm、30秒)在該硅晶片的表面制作了含氧化鈦層。含氧化鈦層的厚度為1.7μm。含氧化鈦層中的氧化鈦的質(zhì)量％為51質(zhì)量％。接著，將帶ITO的PET膜(表面電阻30Ω/□、GEOMATEC社制造)用甲醇清洗后，將該清洗后的帶ITO的PET膜與硅晶片貼合，使ITO面與含氧化鈦層側(cè)接觸。貼合時(shí)夾入開(kāi)有的孔的厚9μm的聚酯膜(寺岡制作所社制造)，僅僅在開(kāi)有孔的部分使ITO與含氧化鈦層接觸。進(jìn)而，在PET面?zhèn)日迟N開(kāi)有的孔的鋁蒸鍍膜，從而制成掩模。由此，制作出太陽(yáng)能電池4。[實(shí)施例11]：使用硅晶片制作太陽(yáng)能電池將相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物由氰乙基蔗糖變更為氰乙基聚乙烯醇(相對(duì)介電常數(shù)：15)，除此以外與實(shí)施例6同樣地制作出太陽(yáng)能電池4。含氧化鈦層的厚度為1.9μm。含氧化鈦層中的氧化鈦的質(zhì)量％為51質(zhì)量％。[實(shí)施例12]：使用硅晶片制作太陽(yáng)能電池將相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物由氰乙基蔗糖變更為甘油(相對(duì)介電常數(shù)：15)，除此以外與實(shí)施例6同樣地制作出太陽(yáng)能電池4。但是，由于甘油為液體，因而對(duì)于甘油溶液，用2-甲氧基乙醇溶劑將甘油的含有比例調(diào)整為20質(zhì)量％后使用。含氧化鈦層的厚度為1.6μm。含氧化鈦層中的氧化鈦的質(zhì)量％為51質(zhì)量％。[實(shí)施例13]：使用硅晶片制作太陽(yáng)能電池將相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物由氰乙基蔗糖變更為硫代甘油(相對(duì)介電常數(shù)：132)，除此以外與實(shí)施例6同樣地制作出太陽(yáng)能電池4。但是，由于甘油為液體，因而對(duì)于甘油溶液，用2-甲氧基乙醇溶劑將甘油的含有比例調(diào)整為20質(zhì)量％后使用。含氧化鈦層的厚度為1.5μm。含氧化鈦層中的氧化鈦的質(zhì)量％為51質(zhì)量％。[實(shí)施例14]合成氰乙基化氧化鈦。下面，對(duì)合成方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。向四口燒瓶中加入乙腈250g、氧化鈦(AMT600、TAYCA社制造)25g，在室溫進(jìn)行攪拌。之后，向該四口燒瓶中投入40質(zhì)量％氫氧化鉀水溶液1.3g。將該四口燒瓶的內(nèi)溫控制為50℃，攪拌18小時(shí)。將該四口燒瓶?jī)?nèi)的分散液自然冷卻，進(jìn)行過(guò)濾，將過(guò)濾物用丙酮、氯仿、庚烷進(jìn)行清洗。對(duì)清洗后的過(guò)濾物進(jìn)行減壓干燥，得到氰乙基化氧化鈦。對(duì)于該氰乙基化氧化鈦進(jìn)行TgDTA測(cè)定，結(jié)果可知，僅相對(duì)于氧化鈦，結(jié)合了6質(zhì)量％的有機(jī)物。使上述氰乙基化氧化鈦顆粒分散于2-甲氧基乙醇中，制作出固體成分為33質(zhì)量％的分散液。在該氧化鈦分散液1.0g中添加氰乙基蔗糖溶液(用2-甲氧基乙醇溶劑將固體成分調(diào)整為20質(zhì)量％)1.58g，進(jìn)行攪拌而制作出混合溶液Y。將該混合溶液Y放置1天后，在即將旋涂前攪拌10秒。另一方面，將厚度為500μm、電阻率為3Ωcm的p型硅晶片用丙酮清洗5分鐘，進(jìn)而在20％氟化銨溶液中浸漬20分鐘，用超純水進(jìn)行清洗。清洗后立即利用混合溶液Y通過(guò)旋涂法(2000rpm、30秒)在該硅晶片的表面制作了含氧化鈦層。含氧化鈦層的厚度為1.2μm。含氧化鈦層中的氧化鈦的質(zhì)量％為51質(zhì)量％。接著，將帶ITO的PET膜(表面電阻30Ω/□、GEOMATEC社制造)用甲醇清洗后，將該清洗后的PET膜與硅晶片貼合，使ITO面接觸含氧化鈦層側(cè)。貼合時(shí)夾入開(kāi)有的孔的厚9μm的聚酯膜(寺岡制作所社制造)，僅僅在開(kāi)有孔的部分使ITO與含氧化鈦層接觸。進(jìn)而，在帶ITO的PET膜的PET面?zhèn)日迟N開(kāi)有的孔的鋁蒸鍍膜，從而制成掩模。由此，制作出太陽(yáng)能電池4。[實(shí)施例15]：使用硅晶片制作異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池使平均粒徑為15nm的氧化鈦顆粒(AMT400、銳鈦礦型、TAYCA社制造)分散于2-甲氧基乙醇中，制作出固體成分為33質(zhì)量％的分散液。在該氧化鈦分散液1.0g中添加氰乙基蔗糖溶液(用2-甲氧基乙醇溶劑將固體成分調(diào)整為20質(zhì)量％)3.16g，進(jìn)行攪拌而制作出混合溶液Z。將該混合溶液Z放置1天后，在即將旋涂前攪拌10秒。另一方面，將厚度為500μm、電阻率為3Ωcm的p型硅晶片用丙酮清洗5分鐘，進(jìn)而在5％氫氟酸溶液中浸漬5分鐘，用超純水進(jìn)行清洗。清洗后立即使用混合溶液Z通過(guò)旋涂法(2000rpm、30秒)在該硅晶片的表面制作了含氧化鈦層。含氧化鈦層的厚度為1.3μm。含氧化鈦層中的氧化鈦的質(zhì)量％為34質(zhì)量％。接著，將帶ITO的PET膜(表面電阻30Ω/□、GEOMATEC社制造)用甲醇清洗后，將該清洗后的帶ITO的PET膜與硅晶片貼合，使ITO面接觸含氧化鈦的薄膜側(cè)。貼合時(shí)夾入開(kāi)有的孔的厚9μm的聚酯膜(寺岡制作所社制造)，僅僅在開(kāi)有孔的部分使ITO與含氧化鈦的薄膜接觸。進(jìn)而，在帶ITO的PET膜的PET面?zhèn)日迟N開(kāi)有的孔的鋁蒸鍍膜，從而制成掩模。由此，制作出太陽(yáng)能電池4。[實(shí)施例16]：使用硅晶片制作異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池在帶ITO的PET膜(Aldrich社制造、表面電阻60Ω/□)的ITO面?zhèn)?，通過(guò)旋涂法制作了包含平均粒徑為6nm的氧化鈦顆粒(銳鈦礦型、TAYCA社制造、TKS201、固體成分33質(zhì)量％)的涂膜。旋涂后將該涂膜在120℃干燥10分鐘。進(jìn)而，在由該氧化鈦顆粒構(gòu)成的層上，通過(guò)旋涂涂布將氰乙基蔗糖用2-甲氧基乙醇稀釋而調(diào)整為18質(zhì)量％的液體，使其在80℃干燥30秒。另一方面，對(duì)于厚度為500μm、電阻率為3Ωcm的p型硅晶片進(jìn)行了后述的氫氟酸處理。使硅晶片與包覆有由氰乙基蔗糖和氧化鈦顆粒構(gòu)成的層的帶ITO的PET膜貼合，制作出層積體。使用該層積體制作出太陽(yáng)能電池。制作太陽(yáng)能電池后的由氧化鈦顆粒構(gòu)成的層的厚度為1200nm，由氰乙基蔗糖構(gòu)成的層的厚度為150nm，硅層的厚度為500μm。貼合時(shí)夾入開(kāi)有的孔的厚9μm的聚酯膜(寺岡制作所社制造)，僅僅在開(kāi)有孔的部分使結(jié)合界面層與硅晶片接觸。進(jìn)而，在帶ITO的PET膜的PET面?zhèn)日迟N開(kāi)有的孔的鋁蒸鍍膜，從而制成掩模。由此，制作出太陽(yáng)能電池4。“氫氟酸處理”：對(duì)上述p型硅晶片進(jìn)行丙酮清洗而除去晶片表面的污垢，之后在5％氫氟酸溶液中浸漬5分鐘，用超純水進(jìn)行清洗。之后用甲醇進(jìn)行清洗。清洗后，將該硅晶片在室溫、真空下干燥1小時(shí)。[實(shí)施例17]：使用硅晶片制作異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池變更成平均粒徑為14nm的氧化鈦顆粒(銳鈦礦型、NIPPONAEROSIL社制造、VPTiO2P90、固體成分20質(zhì)量％)，除此以外與實(shí)施例1同樣地制作出太陽(yáng)能電池。制作太陽(yáng)能電池后的由氧化鈦顆粒構(gòu)成的層的厚度為900nm，由氰乙基蔗糖構(gòu)成的層的厚度為150nm，硅層的厚度為500μm。[實(shí)施例18]：使用硅晶片制作太陽(yáng)能電池對(duì)于帶ITO的PET膜(Aldrich社制造、表面電阻60Ω/□)，使用平均粒徑為6nm的氧化鈦顆粒分散液(銳鈦礦型、TAYCA社制造、TKS201、固體成分33質(zhì)量％)，通過(guò)旋涂法制作出涂膜。旋涂后將該涂膜在120℃干燥10分鐘。進(jìn)而，在由該氧化鈦顆粒構(gòu)成的層上，通過(guò)旋涂法(轉(zhuǎn)速為2500rpm)涂布將氰乙基蔗糖用2-甲氧基乙醇稀釋而將氰乙基蔗糖(相對(duì)介電常數(shù)25)的含量調(diào)整為18質(zhì)量％的液體，將其在120℃干燥1分鐘。另一方面，對(duì)于厚度為500μm、電阻率為3Ωcm的p型硅晶片進(jìn)行了后述的硝酸處理。進(jìn)而，僅對(duì)成為pn結(jié)合面的面進(jìn)行后述的氫氟酸處理。將硅晶片的進(jìn)行了氫氟酸處理的面與氰乙基蔗糖的層貼合，制作出太陽(yáng)能電池。使用圖7所示的夾具固定太陽(yáng)能電池。硅晶片的與電極對(duì)置的面?zhèn)鹊难趸枘さ暮穸葹?.9nm。另外，氧化鈦層的厚度為1500nm，氰乙基蔗糖層的厚度為150nm。貼合時(shí)夾入開(kāi)有的孔的厚9μm的聚酯膜(寺岡制作所社制造)，僅僅在開(kāi)有孔的部分使結(jié)合界面層與硅晶片接觸。進(jìn)而，在帶ITO的PET膜的PET面?zhèn)日迟N開(kāi)有的孔的鋁蒸鍍膜，從而制成掩模。由此，制作出太陽(yáng)能電池4?！跋跛崽幚怼保簩?duì)硅晶片進(jìn)行丙酮清洗而除去晶片表面的污垢，之后在5％氫氟酸溶液中浸漬5分鐘，用超純水進(jìn)行清洗。之后，在113℃的熱濃硝酸中浸漬10分鐘。之后用超純水進(jìn)行清洗?！皻浞崽幚怼保涸诠杈膯蝹?cè)粘貼保護(hù)膜，在5％氫氟酸溶液中浸漬5分鐘，用超純水進(jìn)行清洗。之后用甲醇進(jìn)行清洗。[實(shí)施例19]：使用硅晶片制作太陽(yáng)能電池在包含平均粒徑為6nm的氧化鈦顆粒的水分散液(銳鈦礦型、TAYCA社制造、TKS201、固體成分33質(zhì)量％)1.0g中添加氰乙基蔗糖(相對(duì)介電常數(shù)：25)溶液(用2-甲氧基乙醇溶劑將固體成分調(diào)整為20質(zhì)量％)0.25g，進(jìn)行攪拌而制作出混合溶液J。另一方面，將帶ITO的PET膜(Aldrich社制造、表面電阻60Ω/□)用甲醇清洗后，實(shí)施10分鐘UV臭氧處理。接著，在該帶ITO的PET膜的ITO面?zhèn)龋褂没旌先芤篔通過(guò)旋涂法(2000rpm、30秒)制作了由氧化鈦顆粒和氰乙基蔗糖構(gòu)成的層(含氧化鈦層)。之后，將含氧化鈦層在120℃干燥10分鐘。干燥后的含氧化鈦層的厚度為0.8μm。另外，將厚度為500μm、電阻率為3Ωcm的p型硅晶片用丙酮清洗5分鐘，進(jìn)而在5％氫氟酸溶液中浸漬5分鐘，用超純水進(jìn)行清洗。清洗后，在真空干燥器中保存該硅晶片。將從真空干燥器中取出的硅晶片與含氧化鈦層貼合。貼合時(shí)夾入開(kāi)有的孔的厚9μm的聚酯膜(寺岡制作所社制造)，僅僅在開(kāi)有孔的部分使含氧化鈦層與硅晶片接觸。進(jìn)而，在帶ITO的PET膜的PET面?zhèn)日迟N開(kāi)有的孔的鋁蒸鍍膜，從而制成掩模。由此，制作出太陽(yáng)能電池4。[實(shí)施例20]：使用硅晶片制作太陽(yáng)能電池在包含平均粒徑為6m的氧化鈦顆粒的水分散液(銳鈦礦型、TAYCA社制造、TKS201、固體成分33質(zhì)量％)1.0g中添加氰乙基蔗糖(相對(duì)介電常數(shù)：25)溶液(用2-甲氧基乙醇溶劑將固體成分調(diào)整為20質(zhì)量％)0.53g，進(jìn)行攪拌而制作出混合溶液K。另一方面，將帶ITO的PET膜(Aldrich社制造、表面電阻60Ω/□)用甲醇清洗后，實(shí)施10分鐘UV臭氧處理。接著，在該帶ITO的PET膜的ITO面?zhèn)?，使用混合溶液K通過(guò)旋涂法(2000rpm、30秒)制作了由氧化鈦顆粒和氰乙基蔗糖構(gòu)成的層(含氧化鈦層)。之后，將含氧化鈦層在120℃干燥10分鐘。干燥后的含氧化鈦層的厚度為0.8μm。另外，將厚度為500μm、電阻率為3Ωcm的p型硅晶片用丙酮清洗5分鐘，進(jìn)而在5％氫氟酸溶液中浸漬5分鐘，用超純水進(jìn)行清洗。清洗后，在真空干燥器中保存該硅晶片。將從真空干燥器中取出的硅晶片與含氧化鈦層貼合。貼合時(shí)夾入開(kāi)有的孔的厚9μm的聚酯膜(寺岡制作所社制造)，僅僅在開(kāi)有孔的部分使含氧化鈦層與硅晶片接觸。進(jìn)而，在帶ITO的PET膜的PET面?zhèn)日迟N開(kāi)有的孔的鋁蒸鍍膜，從而制成掩模。由此，制作出太陽(yáng)能電池4。[實(shí)施例21]：使用硅晶片制作太陽(yáng)能電池在包含平均粒徑為6nm的氧化鈦顆粒的水分散液(銳鈦礦型、TAYCA社制造、TKS201、固體成分33質(zhì)量％)1.0g中添加氰乙基蔗糖(相對(duì)介電常數(shù)：25)溶液(用2-甲氧基乙醇溶劑將固體成分調(diào)整為20質(zhì)量％)1.58g，進(jìn)行攪拌而制作出混合溶液L。另一方面，將帶ITO的PET膜(Aldrich社制造、表面電阻60Ω/□)用甲醇清洗后，實(shí)施10分鐘UV臭氧處理。接著，在該帶ITO的PET膜的ITO面?zhèn)?，使用混合溶液L通過(guò)旋涂法(2000rpm、30秒)制作了由氧化鈦顆粒和氰乙基蔗糖構(gòu)成的層(含氧化鈦層)。之后，將含氧化鈦層在120℃干燥10分鐘。干燥后的含氧化鈦層的厚度為0.7μm。另外，將厚度為500μm、電阻率為3Ωcm的p型硅晶片用丙酮清洗5分鐘，進(jìn)而在5％氫氟酸溶液中浸漬5分鐘，用超純水進(jìn)行清洗。清洗后，在真空干燥器中保存該硅晶片。將從真空干燥器中取出的硅晶片與含氧化鈦層貼合。貼合時(shí)夾入開(kāi)有的孔的厚9μm的聚酯膜(寺岡制作所社制造)，僅僅在開(kāi)有孔的部分使含氧化鈦層與硅晶片接觸。進(jìn)而，在帶ITO的PET膜的PET面?zhèn)日迟N開(kāi)有的孔的鋁蒸鍍膜，從而制成掩模。由此，制作出太陽(yáng)能電池4。[實(shí)施例22]：使用硅晶片制作太陽(yáng)能電池在包含平均粒徑為6nm的氧化鈦顆粒的水分散液(銳鈦礦型、TAYCA社制造、TKS201、固體成分33質(zhì)量％)1.0g中添加氰乙基蔗糖(相對(duì)介電常數(shù)：25)溶液(用2-甲氧基乙醇溶劑將固體成分調(diào)整為20質(zhì)量％)1.58g，進(jìn)行攪拌而制作出混合溶液M。另一方面，將帶ITO的PET膜(GEOMATEC社制造、表面電阻30Ω/□)用甲醇清洗后，實(shí)施10分鐘UV臭氧處理。接著，在該帶ITO的PET膜的ITO面?zhèn)龋褂没旌先芤篗通過(guò)旋涂法(2000rpm、30秒)制作了由氧化鈦顆粒和氰乙基蔗糖構(gòu)成的層(含氧化鈦層)。之后，將含氧化鈦層在120℃干燥10分鐘。干燥后的含氧化鈦層的厚度為0.7μm。另外，將厚度為500μm、電阻率為3Ωcm的p型硅晶片用丙酮清洗5分鐘，進(jìn)而在5％氫氟酸溶液中浸漬5分鐘，用超純水進(jìn)行清洗。清洗后在真空干燥器中保存該硅晶片。將從真空干燥器中取出的硅晶片與含氧化鈦層貼合。貼合時(shí)夾入開(kāi)有的孔的厚9μm的聚酯膜(寺岡制作所社制造)，僅僅在開(kāi)有孔的部分使含氧化鈦層與硅晶片接觸。進(jìn)而，在帶ITO的PET膜的PET面?zhèn)日迟N開(kāi)有的孔的鋁蒸鍍膜，從而制成掩模。由此，制作出太陽(yáng)能電池4。[實(shí)施例23]：使用硅晶片制作太陽(yáng)能電池在包含平均粒徑為6nm的氧化鈦顆粒的水分散液(銳鈦礦型、TAYCA社制造、TKS201、固體成分33質(zhì)量％)1.0g中添加氰乙基蔗糖(相對(duì)介電常數(shù)：25)溶液(用2-甲氧基乙醇溶劑將固體成分調(diào)整為20質(zhì)量％)2.02g，進(jìn)行攪拌而制作出混合溶液N。另一方面，將帶ITO的PET膜(GEOMATEC社制造、表面電阻30Ω/□)用甲醇清洗后，實(shí)施10分鐘UV臭氧處理。接著，在該帶ITO的PET膜的ITO面?zhèn)?，使用混合溶液N通過(guò)旋涂法(2000rpm、30秒)制作了由氧化鈦顆粒和氰乙基蔗糖構(gòu)成的層(含氧化鈦層)。之后，將含氧化鈦層在120℃干燥10分鐘。干燥后的含氧化鈦層的厚度為0.6μm。另外，將厚度為500μm、電阻率為3Ωcm的p型硅晶片用丙酮清洗5分鐘，進(jìn)而在5％氫氟酸溶液中浸漬5分鐘，用超純水進(jìn)行清洗。清洗后，在真空干燥器中保存該硅晶片。將從真空干燥器中取出的硅晶片與含氧化鈦層貼合。貼合時(shí)夾入開(kāi)有的孔的厚9μm的聚酯膜(寺岡制作所社制造)，僅僅在開(kāi)有孔的部分使含氧化鈦層與硅晶片接觸。進(jìn)而，在帶ITO的PET膜的PET面?zhèn)日迟N開(kāi)有的孔的鋁蒸鍍膜，從而制成掩模。由此，制作出太陽(yáng)能電池4。[實(shí)施例24]：使用硅晶片制作太陽(yáng)能電池在包含平均粒徑為6nm的氧化鈦顆粒的水分散液(銳鈦礦型、TAYCA社制造、TKS201、固體成分33質(zhì)量％)1.0g中添加氰乙基蔗糖(相對(duì)介電常數(shù)：25)溶液(用2-甲氧基乙醇溶劑將固體成分調(diào)整為20質(zhì)量％)3.16g，進(jìn)行攪拌而制作出混合溶液O。另一方面，將帶ITO的PET膜(Aldrich社制造、表面電阻60Ω/□)用甲醇清洗后，實(shí)施10分鐘UV臭氧處理。接著，在該帶ITO的PET膜的ITO面?zhèn)?，使用混合溶液O通過(guò)旋涂法(2000rpm、30秒)制作了由氧化鈦顆粒和氰乙基蔗糖構(gòu)成的層(含氧化鈦層)。之后，將含氧化鈦層在120℃干燥10分鐘。干燥后的含氧化鈦層的厚度為0.6μm。另外，將厚度為500μm、電阻率為3Ωcm的p型硅晶片用丙酮清洗5分鐘，進(jìn)而在5％氫氟酸溶液中浸漬5分鐘，用超純水進(jìn)行清洗。清洗后，在真空干燥器中保存該硅晶片。將從真空干燥器中取出的硅晶片與含氧化鈦層貼合。貼合時(shí)夾入開(kāi)有的孔的厚9μm的聚酯膜(寺岡制作所社制造)，僅僅在開(kāi)有孔的部分使含氧化鈦層與硅晶片接觸。進(jìn)而，在帶ITO的PET膜的PET面?zhèn)日迟N開(kāi)有的孔的鋁蒸鍍膜，從而制成掩模。由此，制作出太陽(yáng)能電池4。[實(shí)施例25]：使用硅晶片制作太陽(yáng)能電池在包含平均粒徑為100nm以下的氧化鋅顆粒的水分散液(Aldrich社制造、產(chǎn)品號(hào)：721077、固體成分50質(zhì)量％)1.0g中添加氰乙基蔗糖(相對(duì)介電常數(shù)：25)溶液(用2-甲氧基乙醇溶劑將固體成分調(diào)整為40質(zhì)量％)0.27g，進(jìn)行攪拌而制作出混合溶液P。另一方面，將帶ITO的PET膜(Aldrich社制造、表面電阻60Ω/□)用甲醇清洗后，實(shí)施10分鐘UV臭氧處理。接著，在該帶ITO的PET膜的ITO面?zhèn)?，使用混合溶液P通過(guò)旋涂法(2000rpm、30秒)制作了由氧化鋅顆粒和氰乙基蔗糖構(gòu)成的層(含氧化鋅層)。之后，將含氧化鋅層在120℃干燥10分鐘。干燥后的含氧化鋅層的厚度為0.5μm。另外，將厚度為500μm、電阻率為3Ωcm的p型硅晶片用丙酮清洗5分鐘，進(jìn)而在20％氟化銨溶液中浸漬20分鐘，用超純水進(jìn)行清洗。將清洗后干燥的硅晶片與含氧化鋅層貼合。貼合時(shí)夾入開(kāi)有的孔的厚9μm的聚酯膜(寺岡制作所社制造)，僅僅在開(kāi)有孔的部分使含氧化鋅層與硅晶片接觸。進(jìn)而，在帶ITO的PET膜的PET面?zhèn)日迟N開(kāi)有的孔的鋁蒸鍍膜，從而制成掩模。由此，制作出太陽(yáng)能電池4。[實(shí)施例26]：使用硅晶片制作太陽(yáng)能電池在包含平均粒徑為100nm以下的氧化鋅顆粒的水分散液(Aldrich社制造、產(chǎn)品號(hào)：721077、固體成分50質(zhì)量％)1.0g中添加氰乙基蔗糖(相對(duì)介電常數(shù)：25)溶液(用2-甲氧基乙醇溶劑將固體成分調(diào)整為40質(zhì)量％)0.82g，進(jìn)行攪拌而制作出混合溶液Q。另一方面，將帶ITO的PET膜(Aldrich社制造、表面電阻60Ω/□)用甲醇清洗后，實(shí)施10分鐘UV臭氧處理。接著，在該帶ITO的PET膜的ITO面?zhèn)?，使用混合溶液Q通過(guò)旋涂法(2000rpm、30秒)制作了由氧化鋅顆粒和氰乙基蔗糖構(gòu)成的層(含氧化鋅層)。之后，將含氧化鋅層在120℃干燥10分鐘。干燥后的含氧化鋅層的厚度為0.4μm。另外，將厚度為500μm、電阻率為3Ωcm的p型硅晶片用丙酮清洗5分鐘，進(jìn)而在20％氟化銨溶液中浸漬20分鐘，用超純水進(jìn)行清洗。將清洗后干燥的硅晶片與含氧化鋅層貼合。貼合時(shí)夾入開(kāi)有的孔的厚9μm的聚酯膜(寺岡制作所社制造)，僅僅在開(kāi)有孔的部分使含氧化鋅層與硅晶片接觸。進(jìn)而，在帶ITO的PET膜的PET面?zhèn)日迟N開(kāi)有的孔的鋁蒸鍍膜，從而制成掩模。由此，制作出太陽(yáng)能電池4。[實(shí)施例27]：使用硅晶片制作太陽(yáng)能電池在包含平均粒徑為100nm以下的氧化鋅顆粒的水分散液(Aldrich社制造、產(chǎn)品號(hào)：721077、固體成分50質(zhì)量％)1.0g中添加氰乙基蔗糖(相對(duì)介電常數(shù)：25)溶液(用2-甲氧基乙醇溶劑將固體成分調(diào)整為40質(zhì)量％)1.37g，進(jìn)行攪拌而制作出混合溶液R。另一方面，將帶ITO的PET膜(Aldrich社制造、表面電阻60Ω/□)用甲醇清洗后，實(shí)施10分鐘UV臭氧處理。接著，在該帶ITO的PET膜的ITO面?zhèn)龋褂没旌先芤篟通過(guò)旋涂法(2000rpm、30秒)制作了由氧化鋅顆粒和氰乙基蔗糖構(gòu)成的層(含氧化鋅層)。之后，將含氧化鋅層在120℃干燥10分鐘。干燥后的含氧化鋅層的厚度為0.4μm。另外，將厚度為500μm、電阻率為3Ωcm的p型硅晶片用丙酮清洗5分鐘，進(jìn)而在20％氟化銨溶液中浸漬20分鐘，用超純水進(jìn)行清洗。將清洗后干燥的硅晶片與含氧化鋅層貼合。貼合時(shí)夾入開(kāi)有的孔的厚9μm的聚酯膜(寺岡制作所社制造)，僅僅在開(kāi)有孔的部分使含氧化鋅層與硅晶片接觸。進(jìn)而，在帶ITO的PET膜的PET面?zhèn)日迟N開(kāi)有的孔的鋁蒸鍍膜，從而制成掩模。由此，制作出太陽(yáng)能電池4。[實(shí)施例28]：使用氧化鎳制作透明太陽(yáng)能電池在包含平均粒徑為6nm的氧化鈦顆粒的水分散液(銳鈦礦型、TAYCA社制造、TKS201、固體成分33質(zhì)量％)1.0g中添加氰乙基蔗糖(相對(duì)介電常數(shù)：25)溶液(用2-甲氧基乙醇溶劑將固體成分調(diào)整為20質(zhì)量％)1.58g，進(jìn)行攪拌而制作出混合溶液S。另一方面，將帶ITO的PET膜(GEOMATEC社制造、表面電阻30Ω/□)用甲醇清洗后，實(shí)施10分鐘UV臭氧處理。接著，在該帶ITO的PET膜的ITO面?zhèn)龋褂没旌先芤篠通過(guò)旋涂法(2000rpm、30秒)制作了由氧化鈦顆粒和氰乙基蔗糖構(gòu)成的層(含氧化鈦層)。之后，將含氧化鈦層在120℃干燥10分鐘。干燥后的含氧化鈦層的厚度為0.7μm。另一方面，在帶ITO的PET膜(GEOMATEC社制造、表面電阻30Ω/□)的ITO面?zhèn)?，利用濺射法(RF磁控濺射、成膜溫度為無(wú)加熱、成膜壓力為5mmTorr)將氧化鎳成膜為100nm。并且，使制作了含氧化鈦層的帶ITO的PET膜與成膜有氧化鎳的帶ITO的PET膜貼合，使氧化鎳與含氧化鈦層接觸。貼合后，將兩側(cè)用聚酰亞胺(KAPTON)膠帶固定。將電極直接用鱷魚(yú)夾夾在ITO上，對(duì)由氧化鎳和含氧化鈦層構(gòu)成的太陽(yáng)能電池進(jìn)行了簡(jiǎn)易太陽(yáng)能電池評(píng)價(jià)。[實(shí)施例29]使平均粒徑為15nm的氧化鈦顆粒(AMT400、銳鈦礦型、TAYCA社制造)分散于2-甲氧基乙醇中，制作出固體成分為4.6質(zhì)量％的分散液。在該氧化鈦分散液1.0g中添加PVDF溶液(用NMP溶劑將固體成分調(diào)整為4質(zhì)量％)1.58g，進(jìn)行攪拌而制作出混合溶液T。將該混合溶液T放置1天后，在即將旋涂前攪拌10秒。另一方面，將厚度為500μm、電阻率為3Ωcm的p型硅晶片用丙酮清洗5分鐘，進(jìn)而在20％氟化銨溶液中浸漬20分鐘，用超純水進(jìn)行清洗。清洗后立即使用混合溶液T通過(guò)旋涂法(2000rpm、30秒)在該硅晶片的表面制作了含氧化鈦層。含氧化鈦層的厚度為0.2μm。接著，將帶ITO的PET膜(表面電阻30Ω/□、GEOMATEC社制造)用甲醇清洗后，將帶ITO的PET膜與硅晶片貼合，使ITO面與含氧化鈦層側(cè)接觸。貼合時(shí)夾入開(kāi)有的孔的厚9μm的聚酯膜(寺岡制作所社制造)，僅僅在開(kāi)有孔的部分使ITO與含氧化鈦層接觸。進(jìn)而，在帶ITO的PET膜的PET面?zhèn)日迟N開(kāi)有的孔的鋁蒸鍍膜，從而制成掩模。由此，制作出太陽(yáng)能電池4。[實(shí)施例30]使平均粒徑為15nm的氧化鈦顆粒(AMT400、銳鈦礦型、TAYCA社制造)分散于2-甲氧基乙醇中，制作出固體成分為33質(zhì)量％的分散液。在該氧化鈦分散液1.0g中添加氰乙基聚乙烯醇溶液(用2-甲氧基乙醇溶劑將固體成分調(diào)整為20質(zhì)量％)1.58g，進(jìn)行攪拌而制作出混合溶液U。將該混合溶液U放置1天后，在即將旋涂前攪拌10秒。另一方面，將厚度為500μm、電阻率為3Ωcm的p型硅晶片用丙酮清洗5分鐘，進(jìn)而在20％氟化銨溶液中浸漬20分鐘，用超純水進(jìn)行清洗。清洗后立即使用混合溶液U通過(guò)旋涂法(2000rpm、30秒)在該硅晶片的表面制作了含氧化鈦層。含氧化鈦層的厚度為1.5μm。接著，將帶ITO的PET膜(表面電阻30Ω/□、GEOMATEC社制造)用甲醇清洗后，將帶ITO的PET膜與硅晶片貼合，使ITO面與含氧化鈦層側(cè)接觸。貼合時(shí)夾入開(kāi)有的孔的厚9μm的聚酯膜(寺岡制作所社制造)，僅僅在開(kāi)有孔的部分使ITO與含氧化鈦層接觸。進(jìn)而，在帶ITO的PET膜的PET面?zhèn)日迟N開(kāi)有的孔的鋁蒸鍍膜，從而制成掩模。由此，制作出太陽(yáng)能電池4。[實(shí)施例31]使平均粒徑為15nm的氧化鈦顆粒(AMT400、銳鈦礦型、TAYCA社制造)分散于2-甲氧基乙醇中，制作出固體成分為33質(zhì)量％的分散液。在該氧化鈦分散液1.0g中添加氰乙基蔗糖溶液(用2-甲氧基乙醇溶劑將固體成分調(diào)整為20質(zhì)量％)1.58g，進(jìn)行攪拌而制作出混合溶液V。將該混合溶液V放置1天后，在即將旋涂前攪拌10秒。另一方面，將厚度為500μm、電阻率為3Ωcm的p型硅晶片用丙酮清洗5分鐘，進(jìn)而在20％氟化銨溶液中浸漬20分鐘，用超純水進(jìn)行清洗。清洗后立即使用混合溶液V通過(guò)旋涂法(2000rpm、30秒)在該硅晶片的表面制作了含氧化鈦層。含氧化鈦層的厚度為1.6μm。接著，將帶ITO的PET膜(表面電阻30Ω/□、GEOMATEC社制造)用甲醇清洗后，將帶ITO的PET膜與硅晶片貼合，使ITO面與含氧化鈦層側(cè)接觸。貼合時(shí)夾入開(kāi)有的孔的厚9μm的聚酯膜(寺岡制作所社制造)，僅僅在開(kāi)有孔的部分使ITO與含氧化鈦層接觸。進(jìn)而，在帶ITO的PET膜的PET面?zhèn)日迟N開(kāi)有的孔的鋁蒸鍍膜，從而制成掩模。由此，制作出太陽(yáng)能電池4。[實(shí)施例32]使平均粒徑為15nm的氧化鈦顆粒(AMT400、銳鈦礦型、TAYCA社制造)分散于2-甲氧基乙醇中，制作出固體成分為33質(zhì)量％的分散液。在該氧化鈦分散液1.0g中添加甘油溶液(用2-甲氧基乙醇溶劑將甘油含量調(diào)整為20質(zhì)量％)1.58g，進(jìn)行攪拌而制作出混合溶液W。將該混合溶液W放置1天后，在即將旋涂前攪拌10秒。另一方面，將厚度為500μm、電阻率為3Ωcm的p型硅晶片用丙酮清洗5分鐘，進(jìn)而在20％氟化銨溶液中浸漬20分鐘，用超純水進(jìn)行清洗。清洗后立即使用混合溶液W通過(guò)旋涂法(2000rpm、30秒)在該硅晶片的表面制作了含氧化鈦層。含氧化鈦層的厚度為1.5μm。接著，將帶ITO的PET膜(表面電阻30Ω/□、GEOMATEC社制造)用甲醇清洗后，將帶ITO的PET膜與硅晶片貼合，使ITO面與含氧化鈦層側(cè)接觸。貼合時(shí)夾入開(kāi)有的孔的厚9μm的聚酯膜(寺岡制作所社制造)，僅僅在開(kāi)有孔的部分使ITO與含氧化鈦層接觸。進(jìn)而，在帶ITO的PET膜的PET面?zhèn)日迟N開(kāi)有的孔的鋁蒸鍍膜，從而制成掩模。由此，制作出太陽(yáng)能電池4。[實(shí)施例33]使平均粒徑為15nm的氧化鈦顆粒(AMT400、銳鈦礦型、TAYCA社制造)分散于2-甲氧基乙醇中，制作出固體成分為33質(zhì)量％的分散液。在該氧化鈦分散液1.0g中添加硫代甘油溶液(用2-甲氧基乙醇溶劑將硫代甘油含量調(diào)整為20質(zhì)量％)1.58g，進(jìn)行攪拌而制作出混合溶液X。將該混合溶液X放置1天后，在即將旋涂前攪拌10秒。另一方面，將厚度為500μm、電阻率為3Ωcm的p型硅晶片用丙酮清洗5分鐘，進(jìn)而在20％氟化銨溶液中浸漬20分鐘，用超純水進(jìn)行清洗。清洗后立即使用混合溶液X通過(guò)旋涂法(2000rpm、30秒)在該硅晶片的表面制作了含氧化鈦層。含氧化鈦層的厚度為1.5μm。接著，將帶ITO的PET膜(表面電阻30Ω/□、GEOMATEC社制造)用甲醇清洗后，將帶ITO的PET膜與硅晶片貼合，使ITO面與含氧化鈦層側(cè)接觸。貼合時(shí)夾入開(kāi)有的孔的厚9μm的聚酯膜(寺岡制作所社制造)，僅僅在開(kāi)有孔的部分使ITO與含氧化鈦層接觸。進(jìn)而，在帶ITO的PET膜的PET面?zhèn)日迟N開(kāi)有的孔的鋁蒸鍍膜，從而制成掩模。由此，制作出太陽(yáng)能電池4。[比較例1]在帶ITO的PET膜(Aldrich社制造、表面電阻60Ω/□)的ITO面上，使用包含平均粒徑為14nm的氧化鈦顆粒(銳鈦礦型、日本AEROSIL社制造、VPTiO2P90)和鹽酸的水分散液，通過(guò)旋涂法制作了包含氧化鈦顆粒的涂膜。旋涂后將該涂膜在120℃干燥10分鐘。干燥后的由氧化鈦顆粒構(gòu)成的層的厚度為1.1μm。進(jìn)而，在由該氧化鈦顆粒構(gòu)成的層上，通過(guò)旋涂法將用2-甲氧基乙醇稀釋氰乙基蔗糖而將氰乙基蔗糖的含量調(diào)整為0.1質(zhì)量％的液體成膜，將其在120℃干燥1分鐘。氰乙基蔗糖的層的厚度為20nm。另一方面，將厚度為500μm、電阻率為3Ωcm的p型硅晶片用甲醇進(jìn)行清洗。將清洗后干燥的硅晶片與由包覆有氰乙基蔗糖的氧化鈦顆粒構(gòu)成的層貼合，制作出太陽(yáng)能電池。貼合時(shí)夾入開(kāi)有的孔的厚9μm的聚酯膜(寺岡制作所社制造)，僅僅在開(kāi)有孔的部分使含氧化鈦層與硅晶片接觸。進(jìn)而，在帶ITO的PET膜的PET面?zhèn)日迟N開(kāi)有的孔的鋁蒸鍍膜，從而制成掩模。由此，制作出太陽(yáng)能電池4。[比較例2]在帶ITO的PET膜(Aldrich社制造、表面電阻60Ω/□)的ITO面上，使用包含平均粒徑為14nm的氧化鈦顆粒(銳鈦礦型、日本AEROSIL社制造、VPTiO2P90)和鹽酸的水分散液，通過(guò)旋涂法制作了包含氧化鈦顆粒的涂膜。需要說(shuō)明的是，旋涂后將該涂膜在120℃干燥10分鐘。干燥后的由氧化鈦顆粒構(gòu)成的層的厚度為1.1μm。另一方面，將厚度為500μm、電阻率為3Ωcm的p型硅晶片用甲醇進(jìn)行清洗。將清洗后干燥的硅晶片與由氧化鈦顆粒構(gòu)成的層貼合，制作出太陽(yáng)能電池。貼合時(shí)夾入開(kāi)有的孔的厚9μm的聚酯膜(寺岡制作所社制造)，僅僅在開(kāi)有孔的部分使含氧化鈦層與硅晶片接觸。進(jìn)而，在帶ITO的PET膜的PET面?zhèn)日迟N開(kāi)有的孔的鋁蒸鍍膜，從而制成掩模。由此，制作出太陽(yáng)能電池4。[比較例3]：使用硅晶片制作異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池在厚度為500μm、電阻率為3Ωcm的實(shí)施了上述氫氟酸處理的p型硅晶片上，通過(guò)旋涂涂布用丙酮稀釋氰乙基蔗糖而調(diào)整為2質(zhì)量％的液體，將其在80℃干燥30秒。進(jìn)而，在該氰乙基蔗糖層上通過(guò)濺射成膜(基板溫度100℃)制作了氧化鈦。在濺射成膜的氧化鈦層上將ITO濺射制膜(基板溫度100℃)，由此制作了層積體。使用該層積體制作出太陽(yáng)能電池。制作太陽(yáng)能電池后的氧化鈦層的厚度為200nm，由氰乙基蔗糖構(gòu)成的層的厚度為20nm，硅層的厚度為500μm。[比較例4]：使用硅晶片制作異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池在帶ITO的PET膜(Aldrich社制造、表面電阻60Ω/□)的ITO面上，使用平均粒徑為6nm的氧化鈦顆粒分散液(銳鈦礦型、TAYCA社制造、TKS201、固體成分33質(zhì)量％)，通過(guò)旋涂法制作了涂膜。旋涂后將該涂膜在120℃干燥10分鐘。進(jìn)而，在由該氧化鈦顆粒構(gòu)成的層上，通過(guò)旋涂法(轉(zhuǎn)速2500rpm)涂布用2-甲氧基乙醇稀釋氰乙基蔗糖而將氰乙基蔗糖的含量調(diào)整為18質(zhì)量％的液體，將其在120℃干燥1分鐘。并且，使厚度為500μm、電阻率為3Ωcm的p型硅晶片與氰乙基蔗糖的層貼合，制作出太陽(yáng)能電池。使用圖7所示的夾具固定太陽(yáng)能電池。硅晶片的與電極對(duì)置的面?zhèn)鹊墓柩趸さ暮穸葹?.8nm。另外，氧化鈦層的厚度為1500nm，氰乙基蔗糖層的厚度為150nm。貼合時(shí)夾入開(kāi)有的孔的厚9μm的聚酯膜(寺岡制作所社制造)，僅僅在開(kāi)有孔的部分使含氧化鈦層與硅晶片接觸。進(jìn)而，在帶ITO的PET膜的PET面?zhèn)日迟N開(kāi)有的孔的鋁蒸鍍膜，從而制成掩模。由此，制作出太陽(yáng)能電池4。[比較例5]：使用硅晶片制作異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池將帶ITO的PET膜(GEOMATEC社制造、表面電阻30Ω/□)用甲醇清洗后，實(shí)施10分鐘UV臭氧處理。接著，在該帶ITO的PET膜的ITO面?zhèn)?，使用包含平均粒徑?nm的氧化鈦顆粒的水分散液(銳鈦礦型、TAYCA社制造、TKS201、固體成分33質(zhì)量％)通過(guò)旋涂法(2000rpm、30秒)制作了由氧化鈦顆粒構(gòu)成的層。之后，將該制作的層在120℃干燥10分鐘。干燥后的氧化鈦層的厚度為0.9μm。另外，將厚度為500μm、電阻率為3Ωcm的p型硅晶片用丙酮清洗5分鐘，進(jìn)而在5％氫氟酸溶液中浸漬5分鐘，用超純水進(jìn)行清洗。清洗后，在真空干燥器中保存該硅晶片。將從真空干燥器中取出的硅晶片與含氧化鈦層貼合。貼合時(shí)夾入開(kāi)有的孔的厚9μm的聚酯膜(寺岡制作所社制造)，僅僅在開(kāi)有孔的部分使含氧化鈦層與硅晶片接觸。進(jìn)而，在帶ITO的PET膜的PET面?zhèn)日迟N開(kāi)有的孔的鋁蒸鍍膜，從而制成掩模。由此，制作出太陽(yáng)能電池4。[比較例6]：使用硅晶片制作異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池將帶ITO的PET膜(Aldrich社制造、表面電阻60Ω/□)用甲醇清洗后，實(shí)施10分鐘UV臭氧處理。接著，在該帶ITO的PET膜的ITO面?zhèn)龋褂冒骄綖?00nm以下的氧化鋅顆粒的水分散液(Aldrich社制造、產(chǎn)品號(hào)：721077、固體成分50質(zhì)量％)通過(guò)旋涂法(2000rpm、30秒)制作了由氧化鋅顆粒構(gòu)成的層。之后，將該制作的層在120℃干燥10分鐘。干燥后的氧化鋅層的厚度為0.5μm。另外，將厚度為500μm、電阻率為3Ωcm的p型硅晶片用丙酮清洗5分鐘，進(jìn)而在20％氟化銨溶液中浸漬20分鐘，用超純水進(jìn)行清洗。將清洗后干燥的硅晶片與含氧化鋅層貼合。貼合時(shí)夾入開(kāi)有的孔的厚9μm的聚酯膜(寺岡制作所社制造)，僅僅在開(kāi)有孔的部分使含氧化鋅層與硅晶片接觸。進(jìn)而，在帶ITO的PET膜的PET面?zhèn)日迟N開(kāi)有的孔的鋁蒸鍍膜，從而制成掩模。由此，制作出太陽(yáng)能電池4。[比較例7]使平均粒徑為15nm的氧化鈦顆粒(AMT400、銳鈦礦型、TAYCA社制造)分散于2-甲氧基乙醇中，制作出固體成分為33質(zhì)量％的氧化鈦分散液。將該氧化鈦分散液放置1天后，在即將旋涂前攪拌10秒。另一方面，將厚度為500μm、電阻率為3Ωcm的p型硅晶片用丙酮清洗5分鐘，進(jìn)而在20％氟化銨溶液中浸漬20分鐘，用超純水進(jìn)行清洗。清洗后，立即使用氧化鈦分散液通過(guò)旋涂法(2000rpm、30秒)在該硅晶片的表面制作出氧化鈦層。氧化鈦層的厚度為1.5μm。接著，將帶ITO的PET膜(表面電阻30Ω/□、GEOMATEC社制造)用甲醇清洗后，將帶ITO的PET膜與硅晶片貼合，使ITO面與氧化鈦層側(cè)接觸。貼合時(shí)夾入開(kāi)有的孔的厚9μm的聚酯膜(寺岡制作所社制造)，僅僅在開(kāi)有孔的部分使ITO與含氧化鈦層接觸。進(jìn)而，在帶ITO的PET膜的PET面?zhèn)日迟N開(kāi)有的孔的鋁蒸鍍膜，從而制成掩模。由此，制作出太陽(yáng)能電池4。[比較例8]使平均粒徑為15nm的氧化鈦顆粒(AMT400、銳鈦礦型、TAYCA社制造)分散于2-甲氧基乙醇中，制作出固體成分為33質(zhì)量％的氧化鈦分散液。將該氧化鈦分散液放置1天后，在即將旋涂前攪拌10秒。另一方面，將厚度為500μm、電阻率為3Ωcm的p型硅晶片用丙酮清洗5分鐘，進(jìn)而在5％氫氟酸溶液中浸漬5分鐘，用超純水進(jìn)行清洗。清洗后，立即使用氧化鈦分散液通過(guò)旋涂法(2000rpm、30秒)在該硅晶片的表面制作出氧化鈦層。氧化鈦層的厚度為1.5μm。接著，將帶ITO的PET膜(表面電阻60Ω/□、GEOMATEC社制造)用甲醇清洗后，將帶ITO的PET膜與硅晶片貼合，使ITO面與氧化鈦層側(cè)接觸。貼合時(shí)夾入開(kāi)有的孔的厚9μm的聚酯膜(寺岡制作所社制造)，僅僅在開(kāi)有孔的部分使ITO與含氧化鈦層接觸。進(jìn)而，在帶ITO的PET膜的PET面?zhèn)日迟N開(kāi)有的孔的鋁蒸鍍膜，從而制成掩模。由此，制作出太陽(yáng)能電池4。<太陽(yáng)能電池特性評(píng)價(jià)>將實(shí)施例1～15和比較例1、2、5、8的評(píng)價(jià)結(jié)果示于表1。由該評(píng)價(jià)結(jié)果可知，通過(guò)使用相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物與金屬氧化物顆粒的混合層，確認(rèn)到太陽(yáng)能電池的電池特性(性能)大幅提高。另外，將分光靈敏度的測(cè)定結(jié)果示于圖9。圖9的橫軸表示入射至太陽(yáng)能電池的入射光的波長(zhǎng)，圖9的縱軸表示量子效率(Q.E.)。在圖9中，對(duì)實(shí)施例5中制作的太陽(yáng)能電池進(jìn)行了評(píng)價(jià)的情況為2)p-Si/TiO2+電介質(zhì)。另外，為了進(jìn)行比較，使混合溶液D為下述混合溶液AA，除此以外與實(shí)施例5同樣地進(jìn)行制作，對(duì)所制作的太陽(yáng)能電池進(jìn)行了評(píng)價(jià)的情況為1)p-Si/TiO2。如圖9所示，在2)p-Si/TiO2+電介質(zhì)的情況下，對(duì)于1100nm以下的光發(fā)電；與此相對(duì)，在1)p-Si/TiO2的情況下，僅對(duì)紫外光發(fā)電，在可見(jiàn)光的區(qū)域不發(fā)電。對(duì)于氧化鈦，在照射紫外線時(shí)表現(xiàn)出光導(dǎo)電性，而運(yùn)送載流子；但不照射紫外線時(shí)，則不運(yùn)送載流子。因此，在1)p-Si/TiO2的情況下，在可見(jiàn)光區(qū)域無(wú)法將光電轉(zhuǎn)換的電流取出。另一方面，在2)p-Si/TiO2+電介質(zhì)的情況下，即使在未照射紫外線的區(qū)域，氧化鈦也運(yùn)送載流子。由該結(jié)果可以確認(rèn)：相對(duì)介電常數(shù)為2以上的電介質(zhì)控制氧化鈦顆粒表面的電子狀態(tài)，即使在可見(jiàn)光區(qū)域也可表現(xiàn)出良好的靈敏度?；旌先芤篈A：使平均粒徑為15nm的氧化鈦顆粒(AMT400、銳鈦礦型、TAYCA社制造)分散于2-甲氧基乙醇中，制作出固體成分為33質(zhì)量％的分散液。在該氧化鈦分散液1.0g中添加2-甲氧基乙醇溶劑1.58g，進(jìn)行攪拌而制作出混合溶液AA。接著，將實(shí)施例16、17和比較例3的各太陽(yáng)能電池的評(píng)價(jià)結(jié)果示于表2。這些各太陽(yáng)能電池的單元結(jié)構(gòu)與圖4所示的結(jié)構(gòu)大致相同。關(guān)于各太陽(yáng)能電池的I-V特性，按照以光量1sun對(duì)各太陽(yáng)能電池進(jìn)行照射的方式進(jìn)行調(diào)整并測(cè)定。另外，實(shí)施例16、17、比較例3均是在硅晶片側(cè)使用銦和鎵合金糊料，使導(dǎo)電膠帶和硅晶片接合。另外，在由氧化鈦顆粒構(gòu)成的層(氧化鈦層)側(cè)使用ITO電極和銀糊料，使導(dǎo)電膠帶與由氧化鈦顆粒構(gòu)成的層(氧化鈦層)接合。從導(dǎo)電膠帶取下I-V測(cè)定時(shí)的端子。[表2]如表2所示，可知：氧化鈦顆粒的結(jié)晶性在本發(fā)明所規(guī)定的范圍內(nèi)的體系(即，銳鈦礦、金紅石)的短路電流密度提高，光電轉(zhuǎn)換效率提高。接著，將實(shí)施例18和比較例4的各太陽(yáng)能電池的評(píng)價(jià)結(jié)果示于表3。這些各太陽(yáng)能電池的I-V特性的評(píng)價(jià)中，按照以光量1sun對(duì)各太陽(yáng)能電池進(jìn)行照射的方式進(jìn)行調(diào)整并測(cè)定。另外，實(shí)施例18、比較例4中，均在硅晶片側(cè)在晶片的端面涂布少量的銦和鎵合金糊料，使導(dǎo)電膠帶和硅晶片接合。導(dǎo)電膠帶安裝到邊緣側(cè)。另外，在由氧化鈦顆粒構(gòu)成的層側(cè)在ITO電極上粘貼導(dǎo)電膠帶，使用銀糊料使ITO電極與導(dǎo)電膠帶接合。從導(dǎo)電膠帶取下I-V測(cè)定時(shí)的端子。[表3]如表3所示，可知：在由硅構(gòu)成的層與電極之間存在厚度為1nm以上的硅氧化膜的情況下，短路電流密度、開(kāi)路電壓、FF提高，光電轉(zhuǎn)換效率提高。接著，將實(shí)施例19～24、比較例5的各太陽(yáng)能電池的評(píng)價(jià)結(jié)果示于表4。它們?cè)谕粭l件下進(jìn)行了元件制作、評(píng)價(jià)。各太陽(yáng)能電池的I-V特性的評(píng)價(jià)中，按照以光量1sun對(duì)各太陽(yáng)能電池進(jìn)行照射的方式進(jìn)行調(diào)整并測(cè)定。另外，實(shí)施例19～24、比較例5中，均在硅晶片側(cè)在晶片的端面涂布少量的銦和鎵合金糊料，使導(dǎo)電膠帶和硅晶片接合。導(dǎo)電膠帶安裝到邊緣側(cè)。另外，在由氧化鈦顆粒構(gòu)成的層側(cè)在ITO電極上粘貼導(dǎo)電膠帶，使用銀糊料使ITO電極與導(dǎo)電膠帶接合。從導(dǎo)電膠帶取下I-V測(cè)定時(shí)的端子?？芍核旌系南鄬?duì)介電常數(shù)為2以上的化合物多時(shí)，太陽(yáng)能電池特性良好。特別是，可知相對(duì)介電常數(shù)為2以上的有機(jī)化合物為10質(zhì)量％以上至70質(zhì)量％以下時(shí)良好。接著，將實(shí)施例25～27、比較例6的各太陽(yáng)能電池的評(píng)價(jià)結(jié)果示于表5。它們?cè)谕粭l件下進(jìn)行了元件制作、評(píng)價(jià)。各太陽(yáng)能電池的I-V特性的評(píng)價(jià)中，按照以光量1sun對(duì)各太陽(yáng)能電池進(jìn)行照射的方式進(jìn)行調(diào)整并測(cè)定。另外，實(shí)施例25～27、比較例6中，均在硅晶片側(cè)在晶片的端面涂布少量的銦和鎵合金糊料，使導(dǎo)電膠帶和硅晶片接合。導(dǎo)電膠帶安裝到邊緣側(cè)。另外，在由氧化鈦顆粒構(gòu)成的層側(cè)在ITO電極上粘貼導(dǎo)電膠帶，使用銀糊料使ITO電極與導(dǎo)電膠帶接合。從導(dǎo)電膠帶取下I-V測(cè)定時(shí)的端子。由本結(jié)果可以確認(rèn)：即使在使用氧化鋅作為半導(dǎo)體的情況下，作為復(fù)合物的性能也提高。由此可知，本技術(shù)不限定于特定的氧化物，是具有通用性的技術(shù)。可知：即便是氧化鋅體系，相對(duì)介電常數(shù)為2以上的有機(jī)化合物為10質(zhì)量％以上至60質(zhì)量％以下時(shí)，太陽(yáng)能電池特性良好。<簡(jiǎn)易太陽(yáng)能電池評(píng)價(jià)(透明太陽(yáng)能電池)>使用上述評(píng)價(jià)體系(即，將貼合的太陽(yáng)能電池用于上述的簡(jiǎn)易太陽(yáng)能電池評(píng)價(jià)裝置)，確認(rèn)到實(shí)施例28的透明太陽(yáng)能電池能作為電池而驅(qū)動(dòng)。圖10的(a)和(b)是實(shí)施例28中制成的太陽(yáng)能電池的發(fā)電的評(píng)價(jià)結(jié)果、和示出該太陽(yáng)能電池為透明太陽(yáng)能電池的照片圖。圖10的橫軸表示模擬太陽(yáng)光的照射時(shí)間，縱軸表示由太陽(yáng)能電池輸出的電流值，是每隔一定時(shí)間重復(fù)光照射的開(kāi)(ON)和關(guān)(OFF)的結(jié)果。如圖10的(a)所示，可知：實(shí)施例28的太陽(yáng)能電池雖然透明，但可發(fā)電。另外，圖10的(b)所示的照片圖是實(shí)際地拍攝了實(shí)施例28的太陽(yáng)能電池而得到的，可知透過(guò)太陽(yáng)能電池能夠明確地看到放在太陽(yáng)能電池下的紙上所寫(xiě)的文字(即，透明)。另外，本太陽(yáng)能電池是由膜制作的，成為柔性太陽(yáng)能電池。例如，確認(rèn)到即使以35°的角度彎曲5次，也可發(fā)電。<簡(jiǎn)易太陽(yáng)能電池評(píng)價(jià)(短路電流密度的經(jīng)時(shí)變化)>將短路電流密度的經(jīng)時(shí)變化的測(cè)定結(jié)果示于圖11。圖11的橫軸表示開(kāi)始模擬太陽(yáng)光的照射后的經(jīng)過(guò)時(shí)間，縱軸表示短路電流密度。在圖11中，對(duì)實(shí)施例5中制作的太陽(yáng)能電池進(jìn)行評(píng)價(jià)的是2)氰乙基蔗糖。另外，使用硫代甘油作為相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物，除此以外利用與實(shí)施例5相同的方法制作太陽(yáng)能電池，對(duì)該太陽(yáng)能電池進(jìn)行評(píng)價(jià)的是3)硫代甘油。另外，為了進(jìn)行比較，僅將氧化鈦分散于2-甲氧基乙醇中，將33質(zhì)量％的分散液涂布至硅晶片上，除此以外利用與實(shí)施例5相同的方法制作太陽(yáng)能電池，對(duì)該太陽(yáng)能電池進(jìn)行評(píng)價(jià)的是1)無(wú)電介質(zhì)。在1)無(wú)電介質(zhì)的情況下，確認(rèn)到：雖然剛開(kāi)始光照射后短路電流密度增加，但之后隨著時(shí)間經(jīng)過(guò)，短路電流密度減少，最終接近0。與此相對(duì)，在2)氰乙基蔗糖和3)硫代甘油的情況下，除了剛開(kāi)始光照射后以外，未確認(rèn)到短路電流密度的減少。即使將氰乙基蔗糖變化為甘油，也確認(rèn)到該現(xiàn)象。推測(cè)這是因?yàn)?，僅在氧化鈦的情況下，載流子會(huì)因缺陷或周?chē)难醯挠绊懚Щ睿c此相對(duì)，若使用相對(duì)介電常數(shù)為2以上的電介質(zhì)，則可以抑制這些影響。由該結(jié)果確認(rèn)到：如實(shí)施例5這樣導(dǎo)入了電介質(zhì)的體系(氰乙基蔗糖、硫代甘油)中，短路電流密度基本上沒(méi)有經(jīng)時(shí)變化，可以制作更穩(wěn)定的太陽(yáng)能電池。<簡(jiǎn)易太陽(yáng)能電池評(píng)價(jià)(短路電流密度和開(kāi)路電壓)>將實(shí)施例29～33和比較例7的短路電流密度和開(kāi)路電壓的值示于表6。[表6]另外，圖12是對(duì)表6所示的電介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù)與太陽(yáng)能電池的開(kāi)路電壓的關(guān)系進(jìn)行作圖的圖。圖12的橫軸表示相對(duì)介電常數(shù)，縱軸表示開(kāi)路電壓。如圖12所示，可知：相對(duì)介電常數(shù)為3以上200以下時(shí)，開(kāi)路電壓升高。此外，相對(duì)介電常數(shù)為10以上50以下時(shí)，開(kāi)路電壓達(dá)到最大。開(kāi)路電壓是起因于載流子的再結(jié)合的值，在相對(duì)介電常數(shù)為3～200時(shí)可以期待再結(jié)合抑制效果。<遷移率測(cè)定>[實(shí)施例34]首先，使氧化鈦AMT400(TAYCA社制造)分散于2-甲氧基乙醇中，制備出33質(zhì)量％的氧化鈦分散液。接著，將蔗糖與2-甲氧基乙醇混合，制作出20質(zhì)量％的溶液。相對(duì)于氧化鈦分散液1g加入上述溶液2.01g，攪拌10分鐘。攪拌后靜置1天，得到涂布液。將帶ITO的玻璃基板(10Ω/□)用丙酮清洗后，進(jìn)行UV臭氧處理。對(duì)該帶ITO的玻璃基板的兩側(cè)粘貼2層KAPTON膠帶(厚50μm)，作為護(hù)邊。將上述涂布液滴加至帶ITO的玻璃基板的ITO面?zhèn)?，用玻璃棒沿著護(hù)邊展開(kāi)而制膜，之后在室溫下使溶劑干燥。之后，以加熱板在120℃干燥2分鐘，得到具有半導(dǎo)體層的ITO基板。接著，對(duì)阻擋層的制作進(jìn)行說(shuō)明。計(jì)量50mg乙酸纖維素(Aldrich社制造含有38.8質(zhì)量％乙?；⑵骄鵐n＝30000)，向其中加入2-甲氧基乙醇使其為1g，制備出5質(zhì)量％的溶液。使用上述溶液，在帶ITO的PET基板(Aldrich社制造60Ω/□品)的ITO面?zhèn)韧ㄟ^(guò)旋涂法(2000rpm、30秒)進(jìn)行了制膜。旋涂后，將該帶ITO的PET基板放置于加熱板，在80℃進(jìn)行20秒的干燥。乙酸纖維素的膜厚為232nm。將具有半導(dǎo)體層的ITO基板與具有阻擋層的ITO基板貼合，用鋁板固定，得到元件。[實(shí)施例35～37]代替蔗糖而使用表7中記載的有機(jī)化合物，除此以外利用與實(shí)施例30相同的方法得到元件。[實(shí)施例38]首先，使氧化鈦AMT400(TAYCA社制造)分散于2-甲氧基乙醇中，制備出33質(zhì)量％的氧化鈦分散液。接著，將甘油與2-甲氧基乙醇混合，制作出20質(zhì)量％的溶液。相對(duì)于氧化鈦分散液1g加入上述溶液1.601g，攪拌10分鐘。攪拌后靜置1天，得到涂布液。將帶ITO的玻璃基板(10Ω/□)用丙酮清洗后，進(jìn)行UV臭氧處理。對(duì)該帶ITO的玻璃基板的兩側(cè)粘貼2層KAPTON膠帶(厚50μm)，作為護(hù)邊。將上述涂布液滴加至帶ITO的玻璃基板的ITO面?zhèn)?，用玻璃棒沿著護(hù)邊展開(kāi)而制膜，之后在室溫下使溶劑干燥。之后，將帶ITO的玻璃基板放置于加熱板，在120℃干燥2分鐘，得到具有半導(dǎo)體層的ITO基板。接著，對(duì)阻擋層的制作進(jìn)行說(shuō)明。計(jì)量30mg聚苯乙烯(ACROSORGANIC社制造)，向其中加入甲苯使其為1g，制備出3質(zhì)量％溶液。使用上述溶液，在帶ITO的PET基板(Aldrich社制造60Ω/□品)的ITO面?zhèn)韧ㄟ^(guò)旋涂法(2000rpm、30秒)進(jìn)行了制膜。旋涂后，將該帶ITO的PET基板放置于加熱板，在80℃進(jìn)行20秒的干燥。聚苯乙烯的膜厚為217nm。將具有半導(dǎo)體層的ITO基板與具有阻擋層的ITO基板貼合，用鋁板固定，得到元件。[實(shí)施例39]代替甘油而使用硫代甘油，除此以外利用與實(shí)施例38相同的方法得到元件。[比較例9]涂布液僅由氧化鈦分散液構(gòu)成，除此以外利用與實(shí)施例34相同的方法得到元件。阻擋層使用了乙酸纖維素。<遷移率的評(píng)價(jià)>使用實(shí)施例34～39、比較例9的各元件測(cè)定與實(shí)施例34～39對(duì)應(yīng)的運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)間(Tr)，測(cè)定的圖示于圖15～圖20，測(cè)定與比較例9對(duì)應(yīng)的Tr，測(cè)定的圖示于圖21。在圖15～21的各圖中，橫軸以經(jīng)過(guò)時(shí)間(時(shí)間、單位為秒(s))的對(duì)數(shù)表示，縱軸以光電流(光電流、單位為毫安(mA))的對(duì)數(shù)表示。由這些Tr進(jìn)行遷移率的評(píng)價(jià)。將其結(jié)果示于表7。由表7可知，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過(guò)在氧化鈦分散液中混合有機(jī)化合物會(huì)使遷移率提高。由本結(jié)果可知，通過(guò)混合相對(duì)介電常數(shù)為3以上200以下的有機(jī)化合物會(huì)使遷移率提高。進(jìn)而得到在相對(duì)介電常數(shù)為10以上50以下時(shí)遷移率最高的結(jié)果。根據(jù)本結(jié)果，本發(fā)明在半導(dǎo)體元件中也有效，適合于晶體管元件等。另外，在太陽(yáng)能電池中還與串聯(lián)電阻的減少等有關(guān)，因而是有效的。[實(shí)施例40]柔性太陽(yáng)能電池將p型硅晶片(3Ωcm)在研缽中于乙醇溶劑中粉碎。攪拌由此得到的液體，一邊除去初期沉降的大顆粒，一邊用網(wǎng)孔為37μm的尼龍網(wǎng)過(guò)濾該液體，得到37μm以上150μm以下的硅顆粒(過(guò)濾物)。相對(duì)于該硅顆粒加入3倍量的甘油/乙醇溶液(甘油為20質(zhì)量％)，攪拌5分鐘而得到涂布液。在SUS箔上滴加上述涂布液，使用玻璃棒涂布展開(kāi)。之后，將該涂布展開(kāi)的涂布液在150℃加熱3分鐘，將乙醇除去。接著，將氰乙基聚乙烯醇20質(zhì)量％(2-甲氧基乙醇)涂布至由硅顆粒和甘油構(gòu)成的膜上，在150℃加熱1分鐘，將2-甲氧基乙醇除去。除去該2-甲氧基乙醇后的膜的總膜厚為500μm。接著，在氧化鈦分散液(TAYCA社制造、TKS201、33質(zhì)量％)1g中加入氰乙基蔗糖溶液(用2-甲氧基乙醇溶劑將固體成分調(diào)整為20質(zhì)量％)1.58g，攪拌而制作出涂布液BB。將帶ITO的PET膜(Aldrich社制造、表面電阻60Ω/□)用甲醇清洗后，實(shí)施10分鐘UV臭氧處理。接著，在實(shí)施了該UV臭氧處理的PET膜的ITO面?zhèn)?，使用涂布液BB通過(guò)旋涂法(2000rpm、30秒)制作了由氧化鈦顆粒和電介質(zhì)構(gòu)成的層。之后，將該P(yáng)ET膜在120℃退火10分鐘，從所制作的層中除去2-甲氧基乙醇和水。接著，按照硅顆粒側(cè)的電介質(zhì)面與氧化鈦和電介質(zhì)的復(fù)合膜對(duì)置的方式貼合了PET膜。用KAPTON膠帶對(duì)貼合后的物質(zhì)進(jìn)行固定。重復(fù)5次以35度的角度彎曲該元件的試驗(yàn)，利用簡(jiǎn)易太陽(yáng)能電池評(píng)價(jià)對(duì)有無(wú)光照射時(shí)的電流值變化進(jìn)行了測(cè)定。光照射區(qū)域以進(jìn)行測(cè)定。將其測(cè)定結(jié)果示于圖22。圖22的橫軸表示模擬太陽(yáng)光的照射時(shí)間，縱軸表示由太陽(yáng)能電池輸出的電流值，是每隔一定時(shí)間重復(fù)光照射的開(kāi)(ON)和關(guān)(OFF)的結(jié)果。由圖22可知，即使進(jìn)行了彎曲試驗(yàn)也能發(fā)電。<SEM圖像>將實(shí)施例21的含氧化鈦層的截面SEM照片示于圖13。圖13的(b)是對(duì)圖13的(a)的一部分進(jìn)行放大的照片。如圖13的(a)和(b)所示，確認(rèn)到：在含氧化鈦層中，電介質(zhì)和氧化鈦顆粒整齊地(即，大致均勻地)分散。<交流阻抗測(cè)定>用圖9的夾具夾住實(shí)施例31的元件和比較例7的元件，在該狀態(tài)下以1V的電壓進(jìn)行光照射(1SUN)，同時(shí)進(jìn)行交流阻抗測(cè)定，將所得到的科爾-科爾圖示于圖14。圖14的(b)是對(duì)圖14的(a)的一部分(A的部分)進(jìn)行放大的圖。在圖14的(a)和(b)中，橫軸表示實(shí)數(shù)的阻抗(Z‘)，縱軸表示虛數(shù)的阻抗(Z“)。由圖14所示的結(jié)果可知，實(shí)施例31的元件(TiO2復(fù)合物)的電阻為8.9×102Ω，與此相對(duì)，比較例7的元件(TiO2)為8.2×104Ω。通過(guò)導(dǎo)入與電介質(zhì)的復(fù)合物層，與氧化鈦層相比電阻降低。<模擬>在半導(dǎo)體中使用氧化鈦，在其周邊使用模擬對(duì)變化電介質(zhì)的介電常數(shù)時(shí)的電子狀態(tài)進(jìn)行解析。解析方法如下：利用簇模型，使用Gaussian09，在具有各種介電常數(shù)的溶劑存在下進(jìn)行了分子軌道計(jì)算。在氧化鈦的簇模型的制作中，使用銳鈦礦晶體的CIF(CrystallographicInterchangeFILE，晶體交換文件)形式的數(shù)據(jù)，對(duì)于銳鈦礦的晶胞，將a軸方向3晶胞、b軸方向3晶胞、c軸方向1晶胞的大小的簇模型用于計(jì)算。對(duì)于具有各種介電常數(shù)的溶劑存在下的電子狀態(tài)的研究，利用指定了各種溶劑的PCM(極化連續(xù)模型：polarizablecontinuummodels)，通過(guò)使用RHF/3-21G法的單點(diǎn)能計(jì)算來(lái)進(jìn)行。對(duì)于這些計(jì)算結(jié)果，利用Mulliken密度解析進(jìn)行了狀態(tài)密度(Densityofstates，DOS)譜圖的計(jì)算。將其結(jié)果示于圖23、圖24。圖23的(a)是示出在氧化鈦的周邊存在相對(duì)介電常數(shù)為1的電介質(zhì)時(shí)的狀態(tài)密度的曲線圖，橫軸表示能量(eV)，縱軸表示狀態(tài)密度(DOS)。圖23的(b)示出相對(duì)介電常數(shù)為1的環(huán)境下的氧化鈦的晶體中的HOMO的狀態(tài)，圖23的(c)示出相對(duì)介電常數(shù)為1的環(huán)境下的氧化鈦的晶體中的LUMO的狀態(tài)。另外，圖24的(a)是示出在氧化鈦的周邊存在相對(duì)介電常數(shù)為25.6的電介質(zhì)時(shí)的狀態(tài)密度的曲線圖，橫軸表示能量(eV)，縱軸表示狀態(tài)密度。圖24的(b)示出相對(duì)介電常數(shù)為25.6的環(huán)境下的氧化鈦的晶體中的HOMO的狀態(tài)，圖24的(c)示出相對(duì)介電常數(shù)為25.6的環(huán)境下的氧化鈦的晶體中的LUMO的狀態(tài)。另外，圖25是示出各介電常數(shù)的HOMO-LUMO的能級(jí)的曲線圖。圖25的橫軸表示相對(duì)介電常數(shù)，縱軸表示能級(jí)。在圖23的(a)中LUMO的能級(jí)離散，與此相對(duì)，在圖24的(a)中LUMO的能級(jí)集中。這意味著，電介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù)為25.6時(shí)，電子易于遷移。另外，由圖25可知，相對(duì)介電常數(shù)為20～30時(shí)帶隙變寬，顯示出更接近氧化鈦的能級(jí)，處于穩(wěn)定化。<ESR測(cè)定>使用E-500(Buruker社制造)進(jìn)行了ESR測(cè)定。關(guān)于測(cè)定溫度，在硅系時(shí)以108K進(jìn)行，在氧化鈦系時(shí)以100K進(jìn)行。對(duì)硅系樣品進(jìn)行說(shuō)明。對(duì)于硅顆粒來(lái)說(shuō)，將p型硅晶片(3Ωcm)在研缽中于乙醇溶劑中粉碎。攪拌由此得到的液體，一邊除去初期沉降的大顆粒，一邊用網(wǎng)孔為37μm的尼龍網(wǎng)過(guò)濾該液體，得到37μm以上150μm以下的硅顆粒(過(guò)濾物)。將該硅顆粒在150℃加熱2分鐘，將乙醇除去。將其作為樣品1。接著將上述硅顆粒混合至甘油/乙醇混合液(重量比1/4)中。接著，將混合了該硅顆粒的液體在150℃干燥2分鐘，使乙醇揮發(fā)，制作出硅與甘油(電介質(zhì))的混合體。將其作為樣品2。將樣品1和樣品2的ESR的結(jié)果示于圖26。圖26的橫軸表示電磁波的強(qiáng)度(G)，縱軸表示信號(hào)強(qiáng)度。關(guān)于圖26的測(cè)定結(jié)果，用所測(cè)定的樣品量進(jìn)行換算，由圖26的峰的二重積分計(jì)算出硅的自由基量。由該計(jì)算結(jié)果可以確認(rèn)：在將樣品1的自由基量設(shè)為1的情況下，樣品2的自由基量為0.86，通過(guò)混合電介質(zhì)，缺陷量降低。對(duì)氧化鈦系樣品進(jìn)行說(shuō)明。使氧化鈦(AMT400、TAYCA社制造)分散于2-甲氧基乙醇中，利用澆鑄法在石英基板上成膜。將其作為樣品3。接著，將氰乙基蔗糖(電介質(zhì))溶解于2-甲氧基乙醇中，制作20質(zhì)量％的溶液，與氧化鈦的2-甲氧基乙醇進(jìn)行了混合(按照氰乙基蔗糖與氧化鈦的比例以重量比計(jì)為49：51進(jìn)行混合)。利用澆鑄法在石英基板上將該混合液成膜。將其作為樣品4。將樣品3和樣品4的ESR的結(jié)果示于圖27。圖27的橫軸表示電磁波的強(qiáng)度(G)，縱軸表示信號(hào)強(qiáng)度。關(guān)于圖27的測(cè)定結(jié)果，用所測(cè)定的樣品量進(jìn)行換算，由圖27的峰的二重積分計(jì)算出鈦和氧的自由基量。由該計(jì)算結(jié)果可以確認(rèn)：在將樣品3的自由基量設(shè)為1的情況下，樣品4的自由基量是Ti3+為0.35、氧為0.34，通過(guò)混合電介質(zhì)，缺陷量降低至3成左右。由本結(jié)果可知，本技術(shù)作為半導(dǎo)體顆粒的缺陷降低技術(shù)對(duì)半導(dǎo)體元件是有效的。缺陷降低是晶體管、太陽(yáng)能電池元件、二極管元件等所有共通的技術(shù)課題，證明了本技術(shù)為能夠降低該缺陷的技術(shù)。<暗處的電流-電壓特性>使用簡(jiǎn)易太陽(yáng)能電池評(píng)價(jià)裝置，對(duì)光照射前的電流電壓特性進(jìn)行了評(píng)價(jià)。將測(cè)定結(jié)果示于圖28。在圖28的(a)中，1)是由硅/氧化鈦構(gòu)成的元件的測(cè)定結(jié)果。在圖28的(b)中，2)是硅/氧化鈦+電介質(zhì)(實(shí)施例6)的測(cè)定結(jié)果。1)的元件如下制作：將實(shí)施例6的混合溶液E替換為氧化鈦分散液(AMT600、TAYCA社制造)，除此以外利用相同的方法進(jìn)行制作。以這些太陽(yáng)能電池為代表，(A)在無(wú)光照射條件下測(cè)定電流-電壓特性，接著，(B)在光照射下測(cè)定電流-電壓特性，之后，(C)在無(wú)光照射條件下測(cè)定電流-電壓特性。其結(jié)果，1)的元件在(A)和(C)的情況下電流不流動(dòng)，僅在(B)的情況下電流流動(dòng)；與此相對(duì)，2)的元件在(A)的情況下電流不流動(dòng)，但在(C)的情況下電流流動(dòng)。即，1)的元件僅在(B)的情況下電流流動(dòng)，2)的元件在(B)和(C)的情況下電流流動(dòng)。該結(jié)果暗示，通過(guò)與電介質(zhì)形成復(fù)合物，一旦照射光，則氧化鈦層的導(dǎo)電性就會(huì)得以表現(xiàn)。<FTIR(傅里葉變換紅外分光光度計(jì))的評(píng)價(jià)>利用FT/IR-4200(日本分光株式會(huì)社制造)測(cè)定氧化鈦與氰乙基蔗糖的復(fù)合膜，評(píng)價(jià)了是否存在有機(jī)物(氰乙基蔗糖)的分解。關(guān)于膜的制作方法，與實(shí)施例5同樣地進(jìn)行制作。關(guān)于測(cè)定，在照射模擬太陽(yáng)光前和照射30分鐘后、照射90分鐘后這3點(diǎn)進(jìn)行測(cè)定。其結(jié)果，在IR上，通過(guò)30分鐘、90分鐘的光照射，來(lái)自有機(jī)物的峰未發(fā)現(xiàn)變化。由此可以確認(rèn)，有機(jī)物未因光而發(fā)生分解。<其它>本發(fā)明不限定于以上記載的第1、第2實(shí)施方式及實(shí)施例1～40?？梢曰诒绢I(lǐng)域技術(shù)人員的知識(shí)對(duì)第1、第2實(shí)施方式及實(shí)施例1～40進(jìn)行設(shè)計(jì)的變更等，另外，也可以將第1、第2實(shí)施方式及實(shí)施例1～40任意地組合，進(jìn)行了這種變更等的方式也包括在本發(fā)明的范圍中。工業(yè)實(shí)用性根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種例如能夠利用印刷法進(jìn)行制作的低成本的半導(dǎo)體元件，并且可以提供遷移率提高的元件。另外，通過(guò)具備適合用于太陽(yáng)能電池的半導(dǎo)體層，可以提供發(fā)電效率優(yōu)異的太陽(yáng)能電池。此外，根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種發(fā)電效率優(yōu)異且低成本的太陽(yáng)能電池。符號(hào)的說(shuō)明5金屬制夾具2石英板3硅酮橡膠片9螺釘4、100、200、300太陽(yáng)能電池11直流電源12數(shù)字示波器13電壓增幅器51、56金屬氧化物顆粒52相對(duì)介電常數(shù)為2以上的化合物(電介質(zhì))110、210、310基板120、220、320陽(yáng)極層130、230第二半導(dǎo)體層140、240第一半導(dǎo)體層150、250、350陰極層260結(jié)合界面層330p型半導(dǎo)體層340n型半導(dǎo)體層400半導(dǎo)體元件410基板420柵極430絕緣層440源極450漏極460半導(dǎo)體層