本發(fā)明涉及能夠在寬帶上使用的定向耦合器。

背景技術(shù)：
定向耦合器例如是為了在手機(jī)電話、無線LAN通訊設(shè)備等的無線電通訊設(shè)備收發(fā)信號(hào)電路中檢測收發(fā)信號(hào)的電平而被使用的。作為現(xiàn)有的定向耦合器眾所周知具有如以下所述那樣的結(jié)構(gòu)的定向耦合器。該定向耦合器具備輸入端口、輸出端口、耦合端口、終端端口、主線路、副線路。主線路的一端被連接于輸入端口，主線路的另一端被連接于輸出端口。副線路的一端被連接于耦合端口，副線路的另一端被連接于終端端口。主線路與副線路進(jìn)行電磁耦合。終端端口例如通過具有50Ω電阻值的終端電阻被地線。高頻信號(hào)被輸入到輸入端口，該高頻信號(hào)從輸出端口被輸出。從耦合端口輸出具有與被輸入到輸入端口的高頻信號(hào)電力對(duì)應(yīng)的電力的耦合信號(hào)。作為表示定向耦合器特性的主要參數(shù)有插入損耗、耦合度、隔離性、方向性以及耦合端口的反射損耗。以下就這些定義進(jìn)行說明。首先，在電力P1的高頻信號(hào)被輸入到輸入端口的情況下，將從輸出端口被輸出的信號(hào)電力設(shè)定為P2；將從耦合端口被輸出的信號(hào)電力設(shè)定為P3；將從終端端口被輸出的信號(hào)電力設(shè)定為P4。另外，在電力P5的高頻信號(hào)被輸入到耦合端口的情況下，將在耦合端口被反射的信號(hào)電力設(shè)定為P6。另外，分別用記號(hào)IL、C、I、D、RL來表示插入損耗、耦合度、隔離性、方向性以及耦合端口的反射損耗。這些信號(hào)是由以下所述式來進(jìn)行定義的。IL＝10log(P2/P1)[dB]C＝10log(P3/P1)[dB]I＝10log(P3/P2)[dB]D＝10log(P4/P3)[dB]RL＝10log(P6/P5)[dB]關(guān)于現(xiàn)有的定向耦合器，因?yàn)楸惠斎氲捷斎攵丝诘母哳l信號(hào)的頻率越高，則耦合度越大，所以耦合度的頻率特性不平坦，其結(jié)果就會(huì)有所謂在寬帶上不能夠使用的問題。所謂耦合度變大是指在將耦合度表示為-c(dB)的時(shí)候c值變小。在中國專利申請公開第102484305A號(hào)說明書以及中國專利申請公開第102832435A號(hào)說明書中記載有為了解決上述技術(shù)問題的定向耦合器。即，在中國專利申請公開第102484305A號(hào)說明書記載有具備第1～第4端子、連接第1端子和第2端子的主線路、設(shè)置于第3端子與第4端子之間的副線路、設(shè)置于第3端子與副線路之間的低通濾波器的定向耦合器。在中國專利申請公開第102832435A號(hào)說明書中記載有具備第1～第4端子、連接第1端子和第2端子的主線路、連接于第3端子的第1副線路、連接于第4端子的第2副線路、被設(shè)置于第1副線路與第2副線路之間的低通濾波器的定向耦合器。另外，在中國專利申請公開第102484305A號(hào)說明書以及中國專利申請公開第102832435A號(hào)說明書中記載有具備第1～第4端子、連接第1端子和第2端子的主線路、設(shè)置于第3端子與第4端子之間的副線路、設(shè)置于第3端子與副線路之間的第1低通濾波器、設(shè)置于第4端子與副線路之間的第2低通濾波器的定向耦合器。第1低通濾波器是由被設(shè)置于第3端子與副線路之間的第1電感器、在副線路和第1電感器的連接點(diǎn)與地線之間進(jìn)行設(shè)置的第1電容器所構(gòu)成的。第2低通濾波器是由被設(shè)置于第4端子與副線路之間的第2電感器、在副線路和第2電感器的連接點(diǎn)與地線之間進(jìn)行設(shè)置的第2電容器所構(gòu)成的。在中國專利申請公開第102484305A號(hào)說明書以及中國專利申請公開第102832435A號(hào)說明書中進(jìn)一步記載有將各個(gè)終端電阻設(shè)置于第1電容器與地線之間以及第2電容器與地線之間的定向耦合器。對(duì)于在無線電通訊設(shè)備中被使用的定向耦合器來說，被要求的是在具有與被連接于終端端口的終端電阻的電阻值(例如50Ω)相等的輸出阻抗的信號(hào)源被連接于耦合端口的時(shí)候的減少在耦合端口上信號(hào)反射的功能。具體地來說對(duì)于定向耦合器來說被要求的是在將耦合端口的反射損耗表示為-r(dB)的時(shí)候，在定向耦合器的使用頻帶上r值變得充分大。作為上述信號(hào)源被連接到耦合端口的情況的例子可以列舉2個(gè)定向耦合器被串聯(lián)連接進(jìn)行使用的情況。在該情況下，2個(gè)定向耦合器的耦合端口彼此被連接。在中國專利申請公開第102484305A號(hào)說明書以及中國專利申請公開第102832435A號(hào)說明書中并沒有闡述考慮去減少具有與被連接于終端端口的終端電阻的電阻值相等的輸出阻抗的信號(hào)源被連接于耦合端口的時(shí)候的在耦合端口上的信號(hào)反射。另外，在如中國專利申請公開第102484305A號(hào)說明書以及中國專利申請公開第102832435A號(hào)說明書所記載的那樣的具備低通濾波器的定向耦合器中，僅以構(gòu)成低通濾波器的電感器的電感、構(gòu)成低通濾波器的電容器的電容的調(diào)整難以減少上述在耦合端口上的信號(hào)反射。還有，如以上所述在中國專利申請公開第102484305A號(hào)說明書以及中國專利申請公開第102832435A號(hào)說明書中，記載有具備第1以及第2低通濾波器并且將各個(gè)終端電阻設(shè)置于第1低通濾波器中的第1電容器與地線之間、第2低通濾波器中的第2電容器與地線之間的定向耦合器。但是，該定向耦合器會(huì)有一個(gè)所謂2個(gè)低通濾波器和2個(gè)終端電阻成為必要因而定向耦合器會(huì)發(fā)生大型化的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于提供一種如以下所述那樣的電向耦合器，即，不會(huì)發(fā)生大型化，能夠在寬帶上使用并且能夠以減少在具有與被連接于終端端口的終端電阻的電阻值相等的輸出阻抗的信號(hào)源被連接于耦合端口的時(shí)候的在耦合端口上的信號(hào)反射的形式進(jìn)行工作。本發(fā)明的定向耦合器具備輸入端口、輸出端口、耦合端口、終端端口、連接輸入端口和輸出端口的主線路、連接耦合端口和終端端口的副線路。副線路具備相對(duì)于主線路電磁耦合的第1耦合線路部和低通濾波器。第1耦合線路部具有彼此位于相反側(cè)的第1端部以及第2端部。第1端部連接于終端端口。低通濾波器具有被設(shè)置于第1耦合線路部的第2端部與耦合端口之間的第1路徑、被連接于第1路徑的第2路徑。第1路徑具有連接于第1耦合線路部的第2端部的第3端部、其相反側(cè)的第4端部、和設(shè)置于第3端部與第4端部之間的至少1個(gè)電感器。第2路徑具有一端被連接于第1路徑的第4端部的第1電容器、連接第1電容器的另一端和地線的電阻器。在本發(fā)明的定向耦合器中，低通濾波器也可以進(jìn)一步具有連接第1路徑的第3端部和地線的第2電容器。另外，在本發(fā)明的定向耦合器中，副線路也可以進(jìn)一步具備相對(duì)于主線路電磁耦合的第2耦合線路部。第2耦合線路部具有彼此位于相反側(cè)的第5端部以及第6端部。第5端部連接于耦合端口。第6端部連接于第1路徑的第4端部。另外，在本發(fā)明的定向耦合器中，第1路徑也可以具有作為至少1個(gè)電感器的串聯(lián)連接的第1電感器和第2電感器。另外，低通濾波器也可以進(jìn)一步具備連接第1電感器與第2電感器的連接點(diǎn)和地線的第3電容器。另外，在本發(fā)明的定向耦合器中，電阻器可以具有20～90Ω范圍內(nèi)的電阻值。在本發(fā)明的定向耦合器中，如果將與第1耦合線路部相電磁耦合的主線路的部分和第1耦合線路部合并起來稱作為第1耦合部，則在輸入端口與耦合端口之間形成有經(jīng)由第1耦合部以及低通濾波器的信號(hào)路徑。通過低通濾波器的時(shí)候的信號(hào)的衰減量根據(jù)信號(hào)的頻率而發(fā)生變化。由此，就變得能夠抑制伴隨于被輸入到輸入端口的高頻信號(hào)頻率變化的定向耦合器的耦合度的變化。另外，本發(fā)明的定向耦合器通過低通濾波器包含連接第1電容器的另一端和地線的電阻器，從而變得能夠以簡單的結(jié)構(gòu)減少在具有與被連接于終端端口的終端電阻的電阻值相等的輸出阻抗的信號(hào)源被連接于耦合端口的時(shí)候的在耦合端口上的信號(hào)反射。由此，根據(jù)本發(fā)明，能夠?qū)崿F(xiàn)以下所述的定向耦合器，即，不發(fā)生大型化，能夠在寬帶上使用并且能夠減少在具有與被連接于終端端口的終端電阻的電阻值相等的輸出阻抗的信號(hào)源被連接于耦合端口的時(shí)候的在耦合端口上的信號(hào)反射。本發(fā)明的其他目的和特征以及得益由以下說明就將變得十分明了。附圖說明圖1是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式所涉及的定向耦合器的電路結(jié)構(gòu)的電路圖。圖2是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式所涉及的定向耦合器外觀的立體圖。圖3A～圖3C是為了說明圖2所表示的定向耦合器結(jié)構(gòu)的說明圖。圖4A～圖4C是為了說明圖2所表示的定向耦合器結(jié)構(gòu)的說明圖。圖5A～圖5C是為了說明圖2所表示的定向耦合器結(jié)構(gòu)的說明圖。圖6A及圖6B是為了說明圖2所表示的定向耦合器結(jié)構(gòu)的說明圖。圖7是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式所涉及的定向耦合器中的耦合度的頻率特性的特性圖。圖8是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式所涉及的定向耦合器中的插入損耗的頻率特性的特性圖。圖9是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式所涉及的定向耦合器中的耦合端口的反射損耗的頻率特性的特性圖。圖10是關(guān)于本發(fā)明的第1實(shí)施方式所涉及的定向耦合器表示在將電阻器的電阻值控制在上限值的時(shí)候的耦合端口的反射損耗的頻率特性的特性圖。圖11是關(guān)于本發(fā)明的第1實(shí)施方式所涉及的定向耦合器表示在將電阻器的電阻值控制在下限值的時(shí)候的耦合端口的反射損耗的頻率特性的特性圖。圖12是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式所涉及的定向耦合器的電路結(jié)構(gòu)的電路圖。圖13是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式所涉及的定向耦合器中的耦合度的頻率特性的特性圖。圖14是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式所涉及的定向耦合器中的插入損耗的頻率特性的特性圖。圖15是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式所涉及的定向耦合器中的耦合端口的反射損耗的頻率特性的特性圖。圖16是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式所涉及的定向耦合器的電路結(jié)構(gòu)的電路圖。圖17是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式所涉及的定向耦合器中的耦合度的頻率特性的特性圖。圖18是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式所涉及的定向耦合器中的插入損耗的頻率特性的特性圖。圖19是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式所涉及的定向耦合器中的耦合端口的反射損耗的頻率特性的特性圖。圖20是表示比較例的定向耦合器的電路結(jié)構(gòu)的電路圖。圖21是表示比較例的定向耦合器中的耦合度的頻率特性的特性圖。圖22是表示比較例的定向耦合器中的插入損耗的頻率特性的特性圖。圖23是表示比較例的定向耦合器中的耦合端口的反射損耗的頻率特性的特性圖。具體實(shí)施方式[第1實(shí)施方式]以下是參照附圖并就本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。首先，參照圖1并就本發(fā)明的第1實(shí)施方式所涉及的定向耦合器的電路結(jié)構(gòu)作如下說明。如圖1所示，本實(shí)施方式所涉及的定向耦合器1具備輸入端口11、輸出端口12、耦合端口13、終端端口14。定向耦合器1進(jìn)一步具備連接輸入端口11和輸出端口12的主線路10、連接耦合端口13和終端端口14的副線路20。終端端口14通過終端電阻15被接地。即，終端電阻15的一端被連接于終端端口14，終端電阻15的另一端被連接于地線。在本實(shí)施方式中，終端電阻15的電阻值為50Ω。副線路20具備分別相對(duì)于主線路10進(jìn)行電磁耦合的第1耦合線路部20A以及第2耦合線路部20B和低通濾波器30。第1耦合線路部20A具有彼此位于相反側(cè)的第1端部20A1以及第2端部20A2。第1端部20A1被連接于終端端口14。低通濾波器30具有被設(shè)置于第1耦合線路部20A的第2端部20A2與耦合端口13之間的第1路徑31、被連接于第1路徑31的第2路徑32。第1路徑31具有被連接于第1耦合線路部20A的第2端部20A2的第3端部31A、其相反側(cè)的第4端部31B、和被設(shè)置于第3端部31A與第4端部31B之間的至少1個(gè)電感器。在本實(shí)施方式中，第1路徑31具有作為至少1個(gè)電感器的1個(gè)電感器L1。第2路徑32具有一端被連接于第1路徑31的第4端部31B的第1電容器C1、連接第1電容器C1的另一端和地線的電阻器R1。電阻器R1優(yōu)選具有20～90Ω范圍內(nèi)的電阻值。低通濾波器30進(jìn)一步具有連接第1路徑31的第3端部31A和地線的第2電容器C2。第2耦合線路部20B具有彼此位于相反側(cè)的第5端部20B1以及第6端部20B2。第5端部20B1被連接于耦合端口13。第6端部20B2被連接于第1路徑31的第4端部31B。主線路10具有與第1耦合線路部20A相電磁耦合的部分、與第2耦合線路部20B相電磁耦合的部分。這些部分既可以是主線路10中的相同部分，又可以是主線路10中的互相不同的部分。在此，將與第1耦合線路部20A相電磁耦合的主線路10的部分稱之為第1部分10A，將與第2耦合線路部20B相電磁耦合的主線路10的部分稱之為第2部分10B。另外，將第1部分10A和第1耦合線路部20A合并起來稱之為第1耦合部40A，將第2部分10B和第2耦合線路部20B合并起來稱之為第2耦合部40B。第1部分10A和第1耦合線路部20A的耦合強(qiáng)度既可以與第2部分10B和第2耦合線路部20B的耦合強(qiáng)度相同也可以不相同。第1部分10A和第1耦合線路部20A的耦合優(yōu)選強(qiáng)于第2部分10B和第2耦合線路部分20B的耦合。低通濾波器30被設(shè)計(jì)為，在定向耦合器1的使用頻帶上通過低通濾波器30的時(shí)候的信號(hào)衰減量根據(jù)信號(hào)的頻率進(jìn)行變化。具體地來說低通濾波器30被設(shè)計(jì)為，在定向耦合器1的使用頻帶的至少一部分頻帶上通過低通濾波器30的時(shí)候的信號(hào)衰減量跟隨信號(hào)的頻率變高而變大。低通濾波器30的截止頻率既可以存在于定向耦合器1的使用頻帶內(nèi)，也可以存在于定向耦合器1的使用頻帶外。本實(shí)施方式所涉及的定向耦合器1的使用頻帶例如是0.7～2.7GHz。另外，低通濾波器30是以在定向耦合器1的使用頻帶上從第2耦合線路部20B側(cè)看到的阻抗成為50Ω或者成為接近于50Ω的值的形式被設(shè)置的。由此，在終端端口14通過電阻值50Ω的終端電阻15被接地并且具有與終端電阻15的電阻值(50Ω)相等的輸出阻抗的信號(hào)源被連接于耦合端口13的情況下，在定向耦合器1的使用頻帶上從耦合端口13看終端端口14側(cè)的時(shí)候的反射系數(shù)的絕對(duì)值成為0或者成為0附近的值，在耦合端口13上的信號(hào)的反射變少。接著，就本實(shí)施方式所涉及的定向耦合器1的作用以及效果作如下說明。高頻信號(hào)被輸入到輸入端口11，該高頻信號(hào)從輸出端口12被輸出。從耦合端口13輸出具有與被輸入到輸入端口11的高頻信號(hào)電力的對(duì)應(yīng)的電力的耦合信號(hào)。在輸入端口11與耦合端口13之間形成有經(jīng)由第1耦合部40A以及低通濾波器30的第1信號(hào)路徑、經(jīng)由第2耦合部40B的第2信號(hào)路徑。在高頻信號(hào)被輸入到輸入端口11的時(shí)候，從耦合端口13輸出的耦合信號(hào)為通過第1信號(hào)路徑的信號(hào)和通過第2信號(hào)路徑的信號(hào)被合成獲得的合成信號(hào)。在通過第1信號(hào)路徑的信號(hào)與通過第2信號(hào)路徑的信號(hào)之間會(huì)產(chǎn)生相位差。定向耦合器1的耦合度依賴于第1耦合部40A和第2耦合部40B的各自單獨(dú)的耦合度、通過第1信號(hào)路徑的信號(hào)與通過第2信號(hào)路徑的信號(hào)的相位差、通過低通濾波器30的時(shí)候的信號(hào)的衰減量。在本實(shí)施方式中，第1耦合部40A、第2耦合部40B以及低通濾波器30具有抑制伴隨于高頻信號(hào)的頻率變化的定向耦合器1的耦合度變化的功能。以下就該情況作詳細(xì)說明。第1耦合部40A和第2耦合部40B的各自單獨(dú)的耦合度的任一個(gè)都在定向耦合器1的使用頻帶上，高頻信號(hào)頻率變得越高就變得越大。這是以高頻信號(hào)頻率變得越高越使通過第1信號(hào)路徑的信號(hào)和通過第2信號(hào)路徑的信號(hào)的電力增加的形式進(jìn)行作用的。另外，通過低通濾波器30的時(shí)候的信號(hào)的衰減量是根據(jù)信號(hào)頻率發(fā)生變化的。具體地來說在定向耦合器1的使用頻帶的至少一部分頻帶上通過低通濾波器30的時(shí)候的信號(hào)的衰減量是跟隨信號(hào)頻率變高而變大的。因此，低通濾波器30是以在定向耦合器1的使用頻帶的至少一部分頻帶上，高頻信號(hào)的頻率變得越高，越是減少通過第1信號(hào)路徑的信號(hào)的電力的形式進(jìn)行作用的。至少由該低通濾波器30的作用而能夠抑制伴隨于高頻信號(hào)頻率增加的耦合信號(hào)的電力的變化，即定向耦合器1的耦合度的變化。另外，可以以在定向耦合器1的使用頻帶上伴隨于高頻信號(hào)頻率增加而通過第1信號(hào)路徑的信號(hào)與通過第2信號(hào)路徑的信號(hào)的相位差以從0°到180°的范圍進(jìn)行增加的形式設(shè)計(jì)低通濾波器30。據(jù)此也就能夠抑制伴隨于高頻信號(hào)頻率增加的耦合信號(hào)的電力的變化，即定向耦合器1的耦合度的變化。另外，在本實(shí)施方式中，低通濾波器30包含連接第1電容器C1的另一端和地線的電阻器R1。由此，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠以僅僅將電阻器R1附加于不包含電阻器R1的低通濾波器的簡單結(jié)構(gòu)，來減少具有與被連接于終端端口14的終端電阻15的電阻值(50Ω)相等的輸出阻抗的信號(hào)源被連接于耦合端口13的時(shí)候的定向耦合器1的使用頻帶上的在耦合端口13上的信號(hào)反射。接著，參照圖2以及圖3A～圖6B并就定向耦合器1結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子作如下說明。圖2是表示定向耦合器1外觀的立體圖。如圖2所示的定向耦合器1包含被層疊的5層電介質(zhì)層。以下是從上往下按順序分別將5層電介質(zhì)層稱作為第1電介質(zhì)層51、第2電介質(zhì)層52、第3電介質(zhì)層53、第4電介質(zhì)層54、第5電介質(zhì)層55。在第1電介質(zhì)層51的上面配置有構(gòu)成電阻器R1的電阻膜51R1。在第5電介質(zhì)層55的下面配置有輸入端子T1、輸出端子T2、耦合端子T3、終端端子T4、接地端子T5、沒有被使用的端子T6。輸入端子T1、輸出端子T2、耦合端子T3、終端端子T4分別是對(duì)應(yīng)圖1所示的輸入端口11、輸出端口12、耦合端口13、終端端口14。接地端子T5被連接于地線。接著，參照圖3A～圖6B并就圖2所表示的定向耦合器1的結(jié)構(gòu)作如下詳細(xì)說明。圖3A是表示第1電介質(zhì)層51上表面上的要素。如以上所述在第1電介質(zhì)層51的上表面配置有所述電阻膜51R1。電阻膜51R1是用由NiCr等金屬形成的薄膜來進(jìn)行構(gòu)成的。圖3B是表示第1電介質(zhì)層51和貫通第1電介質(zhì)層51的要素。在第1電介質(zhì)層51上形成有貫通第1電介質(zhì)層51的導(dǎo)體部51V1,51V2。導(dǎo)體部51V1,51V2被連接于圖3A所表示的電阻膜51R1。圖3C是表示第2電介質(zhì)層52上表面上的要素。在第2電介質(zhì)層52的上表面配置有導(dǎo)體層52T1,52T2,52T3,52T4,52T5,52T6。在從第2電介質(zhì)層52的上方看的時(shí)候，導(dǎo)體層52T1,52T2,52T3,52T4,52T5,52T6分別被配置于與端子T1,T2,T3,T4,T5,T6相重疊的位置。導(dǎo)體層52T5被連接于圖3B所表示的導(dǎo)體部51V1。在第2電介質(zhì)層52的上表面進(jìn)一步配置有導(dǎo)體層52M。導(dǎo)體層52M構(gòu)成主線路10。導(dǎo)體層52M的一端被連接于導(dǎo)體層52T1，導(dǎo)體層52M的另一端被連接于導(dǎo)體層52T2。導(dǎo)體層52M包含直線延伸的部分52Ma。該部分52Ma構(gòu)成第1部分10A以及第2部分10B。在第2電介質(zhì)層52的上表面進(jìn)一步配置有導(dǎo)體層52C1R,52C1L,52C2G。導(dǎo)體層52C1R被連接于圖3B所表示的導(dǎo)體部51V2。在第2電介質(zhì)層52的上表面進(jìn)一步配置有導(dǎo)體層52SB,52L1。導(dǎo)體層52SB的一端被連接于導(dǎo)體層52T3，導(dǎo)體層52SB的另一端被連接于導(dǎo)體層52C1L。導(dǎo)體層52SB包含與導(dǎo)體層52M的部分52Ma相并行且進(jìn)行延伸的部分52SBa。該部分52SBa構(gòu)成第2耦合線路部20B。導(dǎo)體層52L1具有漩渦形狀。導(dǎo)體層52L1的一端在導(dǎo)體層52C1的近旁被連接于導(dǎo)體層52SB。導(dǎo)體層52L1構(gòu)成電感器L1的一部分。圖4A是表示第2電介質(zhì)層52和貫通第2電介質(zhì)層52的要素。在第2電介質(zhì)層52上形成有貫通第2電介質(zhì)層52的導(dǎo)體部52V1,52V2,52V3,52V4,52V5,52V6,52V7,52V8,52V9。導(dǎo)體部52V1,52V2,52V3,52V4,52V5,52V6分別被連接于圖3所表示的導(dǎo)體層52T1,52T2,52T3,52T4,52T5,52T6。導(dǎo)體部52V7被連接于圖3C所表示的導(dǎo)體層52C1R。導(dǎo)體部52V8被連接于圖3C所表示的導(dǎo)體層52L1上的另一端的近旁部分。導(dǎo)體部52V9被連接于圖3C所表示的導(dǎo)體層52C2G。圖4B是表示第3電介質(zhì)層53上表面上的要素。在第3電介質(zhì)層53的上表面配置有導(dǎo)體層53C1R,53C2L。導(dǎo)體層53C1R通過第2電介質(zhì)層52而與圖3C所表示的導(dǎo)體層52C1L相對(duì)。導(dǎo)體層52C1L,53C1R、和它們之間的第2電介質(zhì)層52構(gòu)成第1電容器C1。導(dǎo)體層53C2L通過第2電介質(zhì)層52而與圖3C所表示的導(dǎo)體層52C2G相對(duì)。導(dǎo)體層52C2G,53C2L、和它們之間的第2電介質(zhì)層52構(gòu)成第2電容器C2。圖4C是表示第3電介質(zhì)層53和貫通第3電介質(zhì)層53的要素。在第3電介質(zhì)層53上形成有貫通第3電介質(zhì)層53的導(dǎo)體部53V1,53V2,53V3,53V4,53V5,53V6,53V7,53V8,53V9,53V10,53V11。導(dǎo)體部53V1,53V2,53V3,53V4,53V5,53V6,53V7,53V8,53V9分別被連接于圖4A所表示的導(dǎo)體部52V1,52V2,52V3,52V4,52V5,52V6,52V7,52V8,52V9。導(dǎo)體部53V10被連接于圖4B所表示的導(dǎo)體層53C1R。導(dǎo)體部53V11被連接于圖4B所表示的導(dǎo)體層53C2L。圖5A是表示第4電介質(zhì)層54上表面上的要素。在第4電介質(zhì)層54的上表面配置有導(dǎo)體層54T1,54T2,54T3,54T4,54T5,54T6。導(dǎo)體層54T1,54T2,54T3,54T4,54T5,54T6分別被連接于圖4C所表示的導(dǎo)體部53V1,53V2,53V3,53V4,53V5,53V6。在第4電介質(zhì)層54的上表面進(jìn)一步配置有導(dǎo)體層54C1R,54C2L,54C2G。導(dǎo)體層54C1R被連接于圖4C所表示的導(dǎo)體部53V7,53V10。導(dǎo)體層54C2L被連接于圖4所表示的導(dǎo)體部53V11。導(dǎo)體層54C2G被連接于圖4C所表示的導(dǎo)體部53V9。在第4導(dǎo)體層54的上表面進(jìn)一步配置有導(dǎo)體層54SA，54L1。導(dǎo)體層54SA的一端被連接于導(dǎo)體層54T4，導(dǎo)體層54SA的另一端被連接于導(dǎo)體層54C2L。導(dǎo)體層54SA包含通過第2電介質(zhì)層52以及第3電介質(zhì)層53與圖3C所表示的導(dǎo)體層52M的部分52Ma相對(duì)的部分54SAa。該部分54SAa構(gòu)成第1耦合線路部20A。導(dǎo)體層54L1具有漩渦形狀。導(dǎo)體層54L1的一端被連接于導(dǎo)體層54SA的另一端。圖4C所表示的導(dǎo)體部53V8被連接于導(dǎo)體層54L1上的另一端的近旁部分。導(dǎo)體層54L1構(gòu)成電感器L1的另一部分。圖5B是表示第4電介質(zhì)層54、貫通第4電介質(zhì)層54的要素。在第4電介質(zhì)層54上形成有貫通第4電介質(zhì)層54的導(dǎo)體部54V1,54V2,54V3,54V4,54V5,54V6,54V7。導(dǎo)體部54V1,54V2,54V3,54V4,54V5,54V6,54V7分別被連接于圖5A所表示的導(dǎo)體層54T1,54T2,54T3,54T4,54T5,54T5,54T6,54C2G。圖5C是表示第5電介質(zhì)層55上表面上的要素。在第5電介質(zhì)層55的上表面配置有地線用導(dǎo)體層55G、導(dǎo)體層55T1,55T2,55T3,55T4,55T6。接地用導(dǎo)體層55G被連接于圖5B所表示的導(dǎo)體部54V5,54V7。導(dǎo)體層55T1,55T2,55T3,55T4,55T6分別被連接于圖5B所表示的導(dǎo)體部54V1,54V2,54V3,54V4,54V6。圖6A是表示第5電介質(zhì)層55、貫通第5電介質(zhì)層55的要素。在第5電介質(zhì)層55上形成有貫通第5電介質(zhì)層55的導(dǎo)體部55V1,55V2,55V3,55V4,55V5,55V6。導(dǎo)體部55V1,55V2,55V3,55V4,55V5,55V6分別被連接于圖5C所表示的導(dǎo)體層55T1,55T2,55T3,55T4,55G,55T6。圖6B是表示第5電介質(zhì)層55下表面下的要素。在第5電介質(zhì)層55的下面配置有圖2所表示的端子T1,T2,T3,T4,T5,T6。端子T1,T2,T3,T4,T5,T6分別被連接于圖6A所表示的導(dǎo)體部55V1,55V2,55V3,55V4,55V5,55V6。接著，參照圖7～圖9并就本實(shí)施方式所涉及的定向耦合器1的特性的一個(gè)例子作如下說明。在該例子中，將電阻器R1的電阻值設(shè)定為43Ω。圖7是表示定向耦合器1中的耦合度的頻率特性的特性圖。圖8是表示定向耦合器1中的插入損耗的頻率特性的特性圖。圖9是表示定向耦合器1中的耦合端口13的反射損耗的頻率特性的特性圖。圖7～圖9中的橫軸是表示頻率。圖7中的縱軸是表示耦合度。圖8中的縱軸是表示插入損耗。圖9中的縱軸是表示耦合端口13的反射損耗。在圖7所表示的耦合度的頻率特性中，定向耦合器1的使用頻帶0.7～2.7GHz中的耦合度最小值與最大值之差大約為2dB，耦合度的變化被充分抑制。在圖8所表示的插入損耗的頻率特性中，如果將插入損耗表示為-x(dB)，則在0.7～2.7GHz中x的值為0.2以下，即充分小。在圖9所表示的耦合端口13的反射損耗的頻率特性中，如果將反射損耗表示為-r(dB)，則在0.7～2.7GHz中r值為15以上，即充分大。接著，參照圖10以及圖11并就電阻器R1的電阻值優(yōu)選范圍作如下說明。圖10是表示在將電阻器R1的電阻值控制在90Ω的情況下的耦合端口13的反射損耗的頻率特性。圖11是表示在將電阻器R1的電阻值控制在20Ω的情況下的耦合端口13的反射損耗的頻率特性。在這些附圖所表示的特性中，0.7～2.7GHz中的r最小值成為大約10。在電阻器R1的電阻值為20～90Ω的范圍內(nèi)，0.7～2.7GHz中的r最小值成為大約10以上。但是，如果電阻器R1的電阻值成為20～90Ω的范圍外，則0.7～2.7GHz中的r最小值成為小于10，即變得不夠充分大。因此，電阻器R1的電阻值優(yōu)選為20～90Ω的范圍內(nèi)。如以上所說明的那樣，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠?qū)崿F(xiàn)以下所述的定向耦合器1，即，不會(huì)發(fā)生大型化，能夠在寬帶上使用并且能夠減少在具有與被連接于終端端口14的終端電阻15的電阻值相等的輸出阻抗的信號(hào)源被連接于耦合端口13的時(shí)候的在耦合端口13上的信號(hào)反射。[第2實(shí)施方式]接著，參照圖12并就本發(fā)明的第2實(shí)施方式所涉及的定向耦合器1作如下說明。圖12是表示本實(shí)施方式所涉及的定向耦合器1的電路結(jié)構(gòu)的電路圖。在本實(shí)施方式所涉及的定向耦合器1中，低通濾波器30的結(jié)構(gòu)與第1實(shí)施方式不同。本實(shí)施方式所涉及的低通濾波器30與第1實(shí)施方式相同具有第1路徑31、第2路徑32、第2電容器C2。第1路徑31具有被連接于第1耦合線路部20A的第2端部20A2的第3端部31A、其相反側(cè)的第4端部31B、以及被設(shè)置于第3端部31A與第4端部31B之間的至少1個(gè)電感器。在本實(shí)施方式中，第1路徑31具有作為至少1個(gè)電感器的被串聯(lián)連接的第1電感器L11和第2電感器L12。本實(shí)施方式所涉及的第2路徑32的結(jié)構(gòu)與第1實(shí)施方式相同。本實(shí)施方式所涉及的低通濾波器30進(jìn)一步具有連接第1電感器L11與第2電感器L12的連接點(diǎn)和地線的第3電容器C3。接著，參照圖13～圖15并就本實(shí)施方式所涉及的定向耦合器1的特性的一個(gè)例子作如下說明。圖13是表示定向耦合器1中的耦合度的頻率特性的特性圖。圖14是表示定向耦合器1中的插入損耗的頻率特性的特性圖。圖15是表示定向耦合器1中的耦合端口13的反射損耗的頻率特性的特性圖。圖13～圖15中的橫軸是表示頻率。圖13中的縱軸是表示耦合度。圖14中的縱軸是表示插入損耗。圖15中的縱軸是表示耦合端口13的反射損耗。在圖13所表示的耦合度的頻率特性中，定向耦合器1的使用頻帶0.7～2.7GHz中的耦合度最小值與最大值之差大約為3dB，耦合度的變化被充分抑制。根據(jù)本實(shí)施方式所涉及的低通濾波器30的結(jié)構(gòu)，對(duì)于圖13所表示的耦合度的頻率特性來說能夠容易地調(diào)整在大約2GHz上被形成的衰減極點(diǎn)的深度。在圖14所表示的插入損耗的頻率特性中，如果將插入損耗表示為-x(dB)，則在0.7～2.7GHz中x的值為0.2以下，即充分小。在圖15所表示的耦合端口13的反射損耗的頻率特性中，如果將反射損耗表示為-r(dB)的話則在0.7～2.7GHz中r值為15以上，即充分大。本實(shí)施方式所涉及的其他結(jié)構(gòu)、作用以及效果與第1實(shí)施方式相同。[第3實(shí)施方式]接著，參照圖16并就本發(fā)明的第3實(shí)施方式所涉及的定向耦合器1作如下說明。圖16是表示本實(shí)施方式所涉及的定向耦合器1的電路結(jié)構(gòu)的電路圖。在本實(shí)施方式所涉及的定向耦合器1中，副線路20具備第1耦合線路部20A和低通濾波器30，但是不具備第2耦合線路部20B。另外，在本實(shí)施方式所涉及的定向耦合器1中，主線路10具備第1部分10A，但是不具備第2部分10B。另外，在本實(shí)施方式所涉及的定向耦合器1中存在第1耦合部40A，但是不存在第2耦合部40B。本實(shí)施方式所涉及的低通濾波器30的結(jié)構(gòu)既可以與第1實(shí)施方式相同又可以與第2實(shí)施方式相同。在圖16中是表示低通濾波器30的結(jié)構(gòu)與第1實(shí)施方式相同的情況的例子。在本實(shí)施方式中，第1路徑31的第4端部31B被直接連接于耦合端口13。接著，就本實(shí)施方式所涉及的定向耦合器1的作用以及效果作如下說明。在本實(shí)施方式中，在輸入端口11與耦合端口13之間僅形成有經(jīng)由第1耦合部40A以及低通濾波器30的第1信號(hào)路徑。如果高頻信號(hào)被輸入到輸入端口11，則通過第1信號(hào)路徑的信號(hào)從耦合端口13被輸出。定向耦合器1的耦合度依賴于第1耦合部40A的單獨(dú)的耦合度和通過低通濾波器30的時(shí)候的信號(hào)的衰減量。在本實(shí)施方式中，第1耦合部40A的單獨(dú)的耦合度在定向耦合器1的使用頻帶上，高頻信號(hào)的頻率變得越高則變得越大。這是以高頻信號(hào)頻率變得越高越使通過第1信號(hào)路徑的信號(hào)的電力增加的形式進(jìn)行作用的。另外，通過低通濾波器30的時(shí)候的信號(hào)衰減量是根據(jù)信號(hào)的頻率進(jìn)行變化的。具體地來說在定向耦合器1的使用頻帶的至少一部分頻帶上，通過低通濾波器30的時(shí)候的信號(hào)的衰減量是跟隨信號(hào)頻率變高而變大的。因此，低通濾波器30是以在定向耦合器1的使用頻帶的至少一部分頻帶上高頻信號(hào)的頻率變得越高越是減少通過第1信號(hào)路徑的信號(hào)的電力的形式進(jìn)行作用的。根據(jù)本實(shí)施方式，由該低通濾波器30的作用而能夠抑制伴隨于高頻信號(hào)頻率增加的定向耦合器1的耦合度的變化。接著，參照圖17～圖19并就本實(shí)施方式所涉及的定向耦合器1的特性的一個(gè)例子作如下說明。圖17是表示定向耦合器1中的耦合度的頻率特性的特性圖。圖18是表示定向耦合器1中的插入損耗的頻率特性的特性圖。圖19是表示定向耦合器1中的耦合端口13的反射損耗的頻率特性的特性圖。圖17～圖19中的橫軸是表示頻率。圖17中的縱軸是表示耦合度。圖18中的縱軸是表示插入損耗。圖19中的縱軸是表示耦合端口13的反射損耗。在圖17所表示的耦合度的頻率特性中，定向耦合器1的使用頻帶0.7～2.7GHz中的耦合度的最小值與最大值之差大約為3dB，耦合度的變化被充分抑制。在圖18所表示的插入損耗的頻率特性中，如果將插入損耗表示為-x(dB)，則在0.7～2.7GHz中x的值與第1以及第2實(shí)施方式相比相對(duì)較大。由此，根據(jù)第1以及第2實(shí)施方式，與第3實(shí)施方式相比較相對(duì)可以說能夠減小x的值。在圖19所表示的耦合端口13的反射損耗的頻率特性中，如果將反射損耗表示為-r(dB)，則在0.7～2.7GHz中r的值為15以上，即充分大。以下是一邊與比較例的定向耦合器相比較一邊就本實(shí)施方式所涉及的定向耦合器1的效果作如下進(jìn)一步說明。首先，參照圖20并就比較例的定向耦合器101的電路結(jié)構(gòu)作如下說明。比較例的定向耦合器101替代本實(shí)施方式所涉及的低通濾波器30而具備低通濾波器130。低通濾波器130具有被設(shè)置于第1耦合線路部20A與耦合端口13之間的電感器L21、連接電感器L21與耦合端口13的連接點(diǎn)和地線的電容器C21、連接電感器L21與第1耦合線路部20A的連接點(diǎn)和地線的電容器C22。低通濾波器130不具有電阻器R1。比較例的定向耦合器101的其他結(jié)構(gòu)與本實(shí)施方式所涉及的定向耦合器1相同。圖21是表示定向耦合器101中的耦合度的頻率特性的特性圖。圖22是表示定向耦合器101中的插入損耗的頻率特性的特性圖。圖23是表示定向耦合器101中的耦合端口13的反射損耗的頻率特性的特性圖。圖21～圖23中的橫軸是表示頻率。圖21中的縱軸是表示耦合度。圖22中的縱軸是表示插入損耗。圖23中的縱軸是表示耦合端口13的反射損耗。在圖21所表示的耦合度的頻率特性中，定向耦合器101的使用頻帶0.7～2.7GHz中的耦合度最小值與最大值之差大約為3.7dB，這與圖17所表示的本實(shí)施方式所涉及的定向耦合器1相比較相對(duì)較大。在圖22所表示的插入損耗的頻率特性中，如果將插入損耗表示為-x(dB)，則在0.7～2.7GHz中x的值與本實(shí)施方式所涉及的定向耦合器1相比較的話相對(duì)小一點(diǎn)點(diǎn)，但是與第1以及第2實(shí)施方式相比較的話相對(duì)較大。在圖23所表示的耦合端口13的反射損耗的頻率特性中，如果將反射損耗表示為-r(dB)，則在0.7～2.7GHz中r值小于10，不夠充分大。在本實(shí)施方式所涉及的定向耦合器1和比較例的定向耦合器101中，圖19和圖23所表示的耦合端口13的反射損耗的頻率特性有較大不同。與比較例的定向耦合器101相比較，根據(jù)本實(shí)施方式所涉及的定向耦合器1，則很明顯能夠減少在耦合端口13上的信號(hào)反射。這就是由本實(shí)施方式所涉及的定向耦合器1中的低通濾波器30包含電阻器R1所起到的效果。該效果對(duì)于第1以及第2實(shí)施方式來說也適合。本實(shí)施方式所涉及的其他結(jié)構(gòu)、作用以及效果與第1實(shí)施方式相同。還有，本發(fā)明并不限定于上述各個(gè)實(shí)施方式，只要是不脫離本發(fā)明的宗旨各種各樣的變更都是可能的。例如，本發(fā)明所涉及的低通濾波器的結(jié)構(gòu)并不限定于各個(gè)實(shí)施方式所表示的結(jié)構(gòu)，只要將滿足權(quán)利要求范圍內(nèi)所述的主要條件為前提就能夠?qū)嵤└鞣N各樣的變更。根據(jù)以上說明和明確能夠?qū)嵤┍景l(fā)明的各種各樣的方式或變形例。因此，在權(quán)利要求范圍的均等范圍內(nèi)即使以上述最佳方式以外的方式也能夠?qū)嵤┍景l(fā)明。