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一種中小功率的led散熱結(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號(hào):7080444閱讀:193來源:國(guó)知局
一種中小功率的led散熱結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開一種中小功率的LED散熱結(jié)構(gòu),一種中小功率的LED散熱結(jié)構(gòu),包括支架,支架上在位于金屬的固晶位置和焊線的位置處設(shè)有熱沉,熱沉之上設(shè)有用于固定LED芯片位置的金屬反射層,熱沉被EMC隔層分隔為放置芯片的大焊盤和非放置芯片的小焊盤,LED芯片設(shè)于金屬反射層上;EMC隔層貫穿支架而設(shè)置,金屬反射層和熱沉的結(jié)構(gòu)相配合。EMC隔層為配合支架中間的塑膠料,用以將大焊盤和小焊盤隔開,具有與所述LED芯片底部相結(jié)合的固定部分。熱沉位于金屬的固晶位置和焊線的位置,具有與所述LED芯片底部對(duì)應(yīng)的所述金屬反射層相配合的下底面。
【專利說明】-種中小功率的LED散熱結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及LED照明領(lǐng)域,具體涉及一種中小功率LED燈具的的散熱結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002] 貼片LED光源在照明領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用,考慮到生產(chǎn)工藝、成本、光學(xué)性能等技 術(shù)要求,越來越多的設(shè)計(jì)采用貼片封裝方式的LED光源,EMC封裝結(jié)構(gòu)是近年來為了降低成 本和提高光通量,而采取的一種封裝方式。
[0003] EMC封裝同其他所有封裝方式的LED光源同樣,都需要解決光效、可靠性和成本 三者的問題:光效是光通量與其消耗特定電能功率的比值;可靠性往往由光源散熱性能決 定;而成本主要體現(xiàn)在原材料選擇方面,此三者發(fā)生相互制衡。在不同的需求下可能需要突 出某方面的優(yōu)化效果。增加鍍銀層的厚度(傳統(tǒng)的鍍銀層厚度為60-100mil),可以有效的提 高LED芯片的取光效率。比如,在成本和可靠性保持的情況下,實(shí)現(xiàn)高光通量,這樣的議題 在大量LED光源生產(chǎn)中顯得尤其重要。作為商品,實(shí)現(xiàn)其成本下的性能控制,是一種必然的 訴求。所以,如何在維持較好的成本和可靠性的同時(shí),采用LED光源實(shí)現(xiàn)高光通量,是這類 貼片LED封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的一個(gè)必然需求。
[0004] 目前市場(chǎng)上EMC的封裝方式都在大功率方面的散熱有所欠缺,要么成本過高,要 么散熱性能不夠好,本實(shí)用新型正是針對(duì)該問題進(jìn)行探討,提出一種較低的成本即可實(shí)現(xiàn) 較好的散熱性能的散熱模塊。 實(shí)用新型內(nèi)容
[0005] 因此,針對(duì)上述的問題,本實(shí)用新型提出一種中小功率的LED散熱結(jié)構(gòu),采用減薄 熱沉厚度,提高支架散熱能力,并通過增加 U型金屬反射層,提高出光效率,從而提高貼片 LED的可靠性,進(jìn)而達(dá)到降低成本的目的,并有效的提高芯片的使用電流,提高光通量。
[0006] 為了解決上述技術(shù)問題,本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是,一種中小功率的LED 散熱結(jié)構(gòu),包括支架,支架上在位于金屬的固晶位置和焊線的位置處設(shè)有熱沉,熱沉之上設(shè) 有用于固定LED芯片位置的金屬反射層,熱沉被EMC隔層分隔為放置芯片的大焊盤和非放 置芯片的小焊盤,LED芯片設(shè)于金屬反射層上;EMC隔層貫穿支架而設(shè)置,金屬反射層和熱 沉的結(jié)構(gòu)相配合。EMC隔層為配合支架中間的塑膠料,用以將大焊盤和小焊盤隔開,具有與 所述LED芯片底部相結(jié)合的固定部分。熱沉位于金屬的固晶位置和焊線的位置,具有與所 述LED芯片底部對(duì)應(yīng)的所述金屬反射層相配合的下底面。
[0007] 進(jìn)一步的,所述熱沉設(shè)計(jì)為U型結(jié)構(gòu),金屬反射層設(shè)于熱沉之上,該金屬反射層也 設(shè)計(jì)為U型金屬反射層。這樣,熱沉設(shè)計(jì)為U型結(jié)構(gòu)以及金屬反射層也設(shè)計(jì)為U型結(jié)構(gòu),使 得支架上的兩個(gè)側(cè)面均設(shè)有金屬反射層,充分將LED芯片的光反射出去,提高了整個(gè)封裝 的出光效率,比傳統(tǒng)的PPA、PCT耐溫更高。
[0008] 進(jìn)一步的,所述金屬反射層的厚度范圍為120 mil-150 mil,用于固定LED芯片位置 的確定,具有與LED芯片底部相結(jié)合的固定部分。
[0009] 進(jìn)一步的,所述金屬反射層選用鏡面亮銀制成的金屬反射層,使LED芯片光線充 分反射,提高了整個(gè)封裝的光效。
[0010] 進(jìn)一步的,所述EMC隔層的高度為0. 08-0. 10MM。
[0011] 進(jìn)一步的,所述熱沉為金屬熱沉,該金屬熱沉厚度為〇. 04-0. 06MM。
[0012] 另外,熱沉的減薄,以及增加的U型金屬反射層,有效的提高LED芯片的散熱能力, 進(jìn)而提升了 LED封裝的可靠性。本實(shí)用新型的上述封裝結(jié)構(gòu)可以將LED的直通電流提高到 90ma,從而達(dá)到了低成本,小尺寸,高光通量,高穩(wěn)定性的LED封裝效果。
[0013] 本實(shí)用新型采用上述結(jié)構(gòu),具有如下優(yōu)點(diǎn):1、通過鏡面金屬反射層,將源自LED芯 片光線充分反射,增大鍍層厚度,提高了整個(gè)封裝的取光效,增加了鍍層的穩(wěn)定性;2、U型 的金屬反射層能夠更好的增加芯片側(cè)面的取光效率。實(shí)現(xiàn)了高光通量、高可靠性LED封裝 的技術(shù)優(yōu)化;3、U型的熱沉結(jié)構(gòu)將有效的增加了支架的穩(wěn)定性。進(jìn)一步提升可靠性;4、EMC 塑料隔層將LED芯片出光效率;5、熱沉的減薄可以提高LED芯片散熱性,提高取光效率,進(jìn) 而達(dá)到降低成本的目的。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0014] 圖1為本實(shí)用新型的LED散熱結(jié)構(gòu)的俯視圖;
[0015] 圖2為本實(shí)用新型的LED散熱結(jié)構(gòu)的剖視圖;
[0016] 圖3為本實(shí)用新型的LED散熱結(jié)構(gòu)的支架示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0017] 現(xiàn)結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。
[0018] 作為一個(gè)具體的實(shí)例,參加圖1-圖3, 一種中小功率的LED散熱結(jié)構(gòu),支架1,支架 1上在位于金屬的固晶位置和焊線的位置處設(shè)有熱沉2,熱沉2之上設(shè)有用于固定LED芯片 4位置的金屬反射層3,熱沉2被EMC隔層5分隔為放置芯片的大焊盤22和非放置芯片的 小焊盤21,LED芯片4設(shè)于金屬反射層3上;EMC隔層5貫穿支架1而設(shè)置;金屬反射層3 與熱沉2的結(jié)構(gòu)相配合。EMC隔層5為配合支架1中間的塑膠料,用以將大焊盤22和小焊 盤21隔開,具有與所述的大小焊盤結(jié)合的固定部分。
[0019] 配合支架1中間的塑膠料為EMC隔層5,且EMC隔層5貫穿支架1內(nèi)部,除了支架 內(nèi)部的熱沉2和金屬反射層3材料外,支架1內(nèi)部所有材料均用EMC高耐溫塑料。EMC隔層 5 的高度為 0· 08-0. 10MM。
[0020] 熱沉2位于金屬的固晶位置和焊線的位置,具有與所述LED芯片4底部對(duì)應(yīng)的 所述金屬反射層3相配合的下底面。本實(shí)施例中,熱沉2為金屬熱沉,該金屬熱沉厚度為 0. 04-0. 06MM,位于金屬的固晶位置和焊線的位置,具有與所述LED芯片4底部對(duì)應(yīng)的所述 金屬反射層3相配合的下底面。所述熱沉2設(shè)計(jì)為U型結(jié)構(gòu),金屬反射層設(shè)于熱沉之上,該 金屬反射層3也設(shè)計(jì)為U型金屬反射層。這樣,熱沉設(shè)計(jì)為U型結(jié)構(gòu)以及金屬反射層也設(shè) 計(jì)為U型結(jié)構(gòu),使得支架上的兩個(gè)側(cè)面均設(shè)有金屬反射層,充分將LED芯片的光反射出去, 提高了整個(gè)封裝的出光效率,比傳統(tǒng)的PPA、PCT耐溫更高。同時(shí),該熱沉2的結(jié)構(gòu)被分為 用于放置LED芯片4的大焊盤22 (固晶位置)和非放置芯片的小焊盤21 (焊線位置),大焊 盤22的面積大于小焊盤21面積的3倍。
[0021] 其中,所述金屬反射層3為鏡面亮銀,金屬反射層3厚度為120-150 mil,用于固定 LED芯片4位置的確定。
[0022] 其中,LED芯片4的最大寬度為0.55mm。采用本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu),可將LED的直通 電流提高到90ma。
[0023] 盡管結(jié)合優(yōu)選實(shí)施方案具體展示和介紹了本實(shí)用新型,但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng) 該明白,在不脫離所附權(quán)利要求書所限定的本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi),在形式上和細(xì)節(jié) 上可以對(duì)本實(shí)用新型做出各種變化,均為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種中小功率的LED散熱結(jié)構(gòu),其特征在于:包括支架,支架上在位于金屬的固晶位 置和焊線的位置處設(shè)有熱沉,熱沉之上設(shè)有用于固定LED芯片位置的金屬反射層,熱沉被 EMC隔層分隔為放置芯片的大焊盤和非放置芯片的小焊盤,LED芯片設(shè)于金屬反射層上; EMC隔層貫穿支架而設(shè)置,金屬反射層和熱沉的結(jié)構(gòu)相配合。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED散熱結(jié)構(gòu),其特征在于:所述熱沉設(shè)計(jì)為U型結(jié)構(gòu),金屬 反射層設(shè)于熱沉之上,該金屬反射層也設(shè)計(jì)為U型結(jié)構(gòu)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED散熱結(jié)構(gòu),其特征在于:所述金屬反射層的厚度范圍為 120 mil -150 mil。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的LED散熱結(jié)構(gòu),其特征在于:所述金屬反射層選用 鏡面亮銀制成的金屬反射層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED散熱結(jié)構(gòu),其特征在于:所述EMC隔層的高度為 0·08-0. 10MM。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED散熱結(jié)構(gòu),其特征在于:所述熱沉為金屬熱沉,該金屬熱 沉厚度為〇. 04-0. 06MM。
【文檔編號(hào)】H01L33/60GK203910865SQ201420323376
【公開日】2014年10月29日 申請(qǐng)日期:2014年6月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月18日
【發(fā)明者】鄭劍飛, 高春瑞, 施高偉 申請(qǐng)人:廈門多彩光電子科技有限公司
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