一種陣列基板、顯示面板、顯示裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型提供一種陣列基板、顯示面板、顯示裝置，屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，其可解決現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的驅(qū)動(dòng)區(qū)域的薄膜晶體管的柵極和源、漏極之間的絕緣層容易被擊穿的問(wèn)題。本實(shí)用新型的陣列基板、顯示面板和顯示裝置包括顯示區(qū)域和驅(qū)動(dòng)區(qū)域；位于該顯示區(qū)域和驅(qū)動(dòng)區(qū)域的薄膜晶體管在柵極和有源層之間設(shè)有絕緣層，且驅(qū)動(dòng)區(qū)域的薄膜晶體管的絕緣層厚度大于顯示區(qū)域的薄膜晶體管的絕緣層厚度。本實(shí)用新型的有益效果是驅(qū)動(dòng)區(qū)域的柵極和源、漏極產(chǎn)生靜電釋放時(shí)能夠防止絕緣層被擊穿，柵極和源、漏極短路■’同時(shí)，由于顯示區(qū)域的薄膜晶體管的絕緣層厚度較薄，不會(huì)造成顯示區(qū)域的薄膜晶體管的遷移率下降和閾值電壓值漂移等不良的特性。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種陣列基板、顯示面板、顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種陣列基板，和包括該陣列基板的顯示面板、顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]靜電在薄膜晶體管陣列基板的制造、封裝、測(cè)試和使用過(guò)程中無(wú)處不在，積累的靜電荷以幾安培或幾十安培的電流在納秒到微秒的時(shí)間里釋放，瞬間功率高達(dá)幾百千瓦，放電能量可達(dá)毫焦耳，對(duì)薄膜晶體管的摧毀強(qiáng)度極大。
[0003]所以薄膜晶體管設(shè)計(jì)中靜電保護(hù)模塊的設(shè)計(jì)直接關(guān)系到芯片的功能穩(wěn)定性，極為重要。隨著工藝的發(fā)展，器件特征尺寸逐漸變小，柵氧也成比例縮小。二氧化硅的介電強(qiáng)度近似為8X106V/cm，因此厚度為1nm的柵氧擊穿電壓約為8V左右，盡管該擊穿電壓比
3.3V的電源電壓要高一倍多，但是各種因素造成的靜電，一般其峰值電壓遠(yuǎn)超過(guò)8V;而且隨著多晶硅金屬化(Polyside)、擴(kuò)散區(qū)金屬化(Silicide)、多晶硅與擴(kuò)散區(qū)均金屬化等新工藝的使用，器件的寄生電阻減小防止靜電放電保護(hù)能力大大減弱。為適應(yīng)超大規(guī)模集成電路的集成密度和工作速度的不斷提高，需要提高防止靜電放電保護(hù)能力。
[0004]如圖1所示，陣列基板包括襯底基板1，襯底基板I包括用于進(jìn)行顯示的顯示區(qū)域和位于顯示區(qū)域周邊的驅(qū)動(dòng)區(qū)域，其中，顯示區(qū)域和驅(qū)動(dòng)區(qū)域包括薄膜晶體管，所述的薄膜晶體管在柵極2和有源層5之間設(shè)有絕緣層3，在有源層5上還設(shè)有刻蝕阻擋層4，在刻蝕阻擋層4上設(shè)有源、漏極6，該源、漏極6通過(guò)過(guò)孔7與有源層5電性連接。
[0005]陣列基板的驅(qū)動(dòng)區(qū)域設(shè)有靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)將靜電的電荷釋放，但當(dāng)累積電荷較大時(shí)，靜電放電流較大，依然驅(qū)動(dòng)區(qū)域的薄膜晶體管的在過(guò)孔7處產(chǎn)生靜電釋放，造成絕緣層3被擊穿，柵極和源、漏極短路。
[0006]因此，增加驅(qū)動(dòng)區(qū)域的薄膜晶體管的絕緣層3的厚度成為防止靜電放電的一個(gè)重要措施，但在陣列基板的顯示區(qū)域的薄膜晶體管的中增加絕緣層的厚度會(huì)造成遷移率下降和閾值電壓值漂移等不良的特性。
[0007]現(xiàn)有技術(shù)中在采用構(gòu)圖工藝形成如圖1所示的陣列基板的絕緣層時(shí)，所用的掩膜板如圖2所示，掩膜板包括與顯示區(qū)域?qū)?yīng)的顯示區(qū)域掩膜板9和與四周的驅(qū)動(dòng)區(qū)域分別對(duì)應(yīng)的四個(gè)驅(qū)動(dòng)區(qū)域掩膜板8。在曝光時(shí)將上述的掩膜板拼接曝光、顯影、刻蝕即可獲得顯示區(qū)域和驅(qū)動(dòng)區(qū)域的圖形。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0008]本實(shí)用新型的目的是解決現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的驅(qū)動(dòng)區(qū)域的薄膜晶體管的柵極和源、漏極之間的絕緣層容易被擊穿的問(wèn)題，提供一種防止柵極和源、漏極之間的絕緣層容易被擊穿且能是顯示區(qū)域的薄膜晶體管能保持較好的特性的陣列基板，和包括該陣列基板的顯示面板、顯示裝置。
[0009]解決本實(shí)用新型技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板包括用于進(jìn)行顯示的顯示區(qū)域和位于顯示區(qū)域周邊的驅(qū)動(dòng)區(qū)域，其中，所述的顯示區(qū)域和驅(qū)動(dòng)區(qū)域包括薄膜晶體管，所述的薄膜晶體管在柵極和有源層之間設(shè)有絕緣層，驅(qū)動(dòng)區(qū)域的薄膜晶體管的絕緣層厚度大于顯示區(qū)域的薄膜晶體管的絕緣層厚度。
[0010]優(yōu)選的是，所述驅(qū)動(dòng)區(qū)域的薄膜晶體管的絕緣層包括第一絕緣層和第二絕緣層；所述顯示區(qū)域的薄膜晶體管的絕緣層包括第二絕緣層。
[0011]優(yōu)選的是，所述驅(qū)動(dòng)區(qū)域的薄膜晶體管的第二絕緣層相對(duì)第一絕緣層靠近有源層。
[0012]優(yōu)選的是，所述的第二絕緣層的厚度為1000-3000 A。
[0013]本實(shí)用新型的另一個(gè)目的還在于提供一種包括上述陣列基板的顯示面板和顯示
>J-U ρ?α裝直。
[0014]本實(shí)用新型的本實(shí)用新型的陣列基板、顯示面板、顯示裝置包括顯示區(qū)域和驅(qū)動(dòng)區(qū)域；位于該顯示區(qū)域和驅(qū)動(dòng)區(qū)域的薄膜晶體管在柵極和有源層之間設(shè)有絕緣層，且驅(qū)動(dòng)區(qū)域的薄膜晶體管的絕緣層厚度大于顯示區(qū)域的薄膜晶體管的絕緣層厚度，在驅(qū)動(dòng)區(qū)域的柵極和源、漏極產(chǎn)生靜電釋放時(shí)能夠防止絕緣層被擊穿，柵極和源、漏極短路；另外，因減薄存儲(chǔ)電容介質(zhì)層(絕緣層)的厚度，可以保持或增大存儲(chǔ)電容值(柵極和源、漏極金屬層間形成存儲(chǔ)電容)；同時(shí)，由于顯示區(qū)域的薄膜晶體管的絕緣層厚度較薄，不會(huì)造成顯示區(qū)域的薄膜晶體管的遷移率下降和閾值電壓值漂移等不良的特性。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中制備的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中制備陣列基板所用的掩膜板的示意圖。
[0017]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例1中陣列基板的驅(qū)動(dòng)區(qū)域的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例1中陣列基板的顯示區(qū)域的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例1中形成絕緣層所用的掩膜板的示意圖。
[0020]圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例1中構(gòu)成形成第一絕緣層圖形后的陣列基板俯視示意圖。
[0021]圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例1中構(gòu)成形成第二絕緣層圖形后的陣列基板俯視示意圖。
[0022]其中:
[0023]1.襯底基板；2.柵極；3.絕緣層；31.第一絕緣層；32.第二絕緣層；4.刻蝕阻擋層；5.有源層；6.源、漏極；7.過(guò)孔；8.驅(qū)動(dòng)區(qū)域掩膜板；9.顯示區(qū)域掩膜板；91.空白部分；92.圖形部分。

【具體實(shí)施方式】
[0024]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本實(shí)用新型的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0025]需要說(shuō)明的是，本實(shí)用新型中所稱(chēng)的圖案、圖形指的是通過(guò)構(gòu)圖工藝形成的各種結(jié)構(gòu)；
[0026]本實(shí)用新型中所稱(chēng)的構(gòu)圖工藝包括光刻膠涂布、掩模、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等部分或全部工藝。
[0027]實(shí)施例1
[0028]如圖3和圖4所示，本實(shí)施例提供一種的陣列基板。
[0029]本實(shí)施例的陣列基板，包括襯底基板1，所述襯底基板I包括用于進(jìn)行顯示的顯示區(qū)域和位于顯示區(qū)域周邊的驅(qū)動(dòng)區(qū)域，其中，顯示區(qū)域和驅(qū)動(dòng)區(qū)域包括薄膜晶體管，薄膜晶體管在柵極2和有源層5之間設(shè)有絕緣層3，驅(qū)動(dòng)區(qū)域的薄膜晶體管的絕緣層3厚度大于顯示區(qū)域的薄膜晶體管的絕緣層3厚度。
[0030]由于驅(qū)動(dòng)區(qū)域的薄膜晶體管的絕緣層3厚度大于顯示區(qū)域的薄膜晶體管的絕緣層3厚度，在驅(qū)動(dòng)區(qū)域的柵極和源、漏極產(chǎn)生靜電釋放時(shí)能夠防止絕緣層3被擊穿，柵極和源、漏極短路；另外，因減薄存儲(chǔ)電容介質(zhì)層(絕緣層)的厚度，可以保持或增大存儲(chǔ)電容值(柵極和源、漏極金屬層間形成存儲(chǔ)電容)；同時(shí)，由于顯示區(qū)域的薄膜晶體管的絕緣層3厚度較薄，不會(huì)造成顯示區(qū)域的薄膜晶體管的遷移率下降和閾值電壓值漂移等不良的特性。
[0031]具體地，如圖3和圖4所示，以底柵型薄膜晶體管為例介紹，頂柵型薄膜晶體管也是適用的。
[0032]在襯底基板I上設(shè)有柵極2，在柵極2的上設(shè)有絕緣層3，在絕緣層3上設(shè)有有源層5，在有源層5上設(shè)有刻蝕阻擋層4，在刻蝕阻擋層4上同層間隔設(shè)置源、漏極6，源、漏極6通過(guò)設(shè)置在刻蝕阻擋層4中的過(guò)孔7與有源層5連接。需要重點(diǎn)說(shuō)明的是，其中，所以驅(qū)動(dòng)區(qū)域的薄膜晶體管絕緣層3整體厚度大于顯示區(qū)域的薄膜晶體管絕緣層3的厚度。
[0033]具體地，驅(qū)動(dòng)區(qū)域的薄膜晶體管的絕緣層3包括第一絕緣層31和第二絕緣層32 ；顯示區(qū)域的薄膜晶體管的絕緣層3包括第二絕緣層32。也就說(shuō)，同時(shí)在顯示區(qū)域和驅(qū)動(dòng)區(qū)域的的薄膜晶體管形成第二絕緣層32，而只在驅(qū)動(dòng)區(qū)域的薄膜晶體管上形成第一絕緣層31。這樣驅(qū)動(dòng)區(qū)域和顯示區(qū)域的薄膜晶體管的第二絕緣層32的厚度相等，而驅(qū)動(dòng)區(qū)域的薄膜晶體管還具有第一絕緣層31，所以驅(qū)動(dòng)區(qū)域的薄膜晶體管絕緣層3整體厚度大于顯示區(qū)域的薄膜晶體管絕緣層3的厚度。
[0034]如圖3所示，驅(qū)動(dòng)區(qū)域的薄膜晶體管的第二絕緣層32相對(duì)第一絕緣層31靠近有源層5。
[0035]單獨(dú)形成上述的第二絕緣層32能方便調(diào)節(jié)第二絕緣層厚度。
[0036]當(dāng)然，也可以通過(guò)階梯曝光將顯示區(qū)域的絕緣層3的厚度控制在影響薄膜晶體管特性的厚度?？筛鶕?jù)顯示區(qū)域的薄膜晶體管具體應(yīng)用情況確定其絕緣層的厚度。
[0037]優(yōu)選的，第二絕緣層的厚度為1000-3000 A。這樣的厚度范圍能夠有效的放置防止絕緣層被擊穿。
[0038]上述陣列基板的制備方法，包括在陣列基板的驅(qū)動(dòng)區(qū)域和顯示區(qū)域形成絕緣層的步驟，其中，驅(qū)動(dòng)區(qū)域的薄膜晶體管的絕緣層厚度大于顯示區(qū)域的薄膜晶體管的絕緣層厚度。
[0039]優(yōu)選地，包括通過(guò)構(gòu)圖工藝在驅(qū)動(dòng)區(qū)域的薄膜晶體管形成第一絕緣層31的步驟；
[0040]通過(guò)構(gòu)圖工藝在所述的驅(qū)動(dòng)區(qū)域和顯示區(qū)域的薄膜晶體管形成第二絕緣層32的步驟。
[0041]優(yōu)選地，所述通過(guò)構(gòu)圖工藝在驅(qū)動(dòng)區(qū)域的薄膜晶體管形成第一絕緣層31的步驟中采用包括空白部分和圖形部分的顯示區(qū)域掩膜板，所述的空白部分與顯示區(qū)域的部分區(qū)域相對(duì)應(yīng)；所述圖形部分與顯示區(qū)域的圖形區(qū)域相對(duì)應(yīng)。
[0042]優(yōu)選地，所述的顯示區(qū)域掩膜板的空白部分的面積為顯示區(qū)域的面積的二分之
O
[0043]具體地，采用以下步驟制備如圖3和圖4所示的陣列基板:
[0044]1.在襯底基板上形成柵極
[0045]可以采用濺射或熱蒸發(fā)的方法在襯底基板I上沉積一層?xùn)沤饘賹印沤饘賹拥牟牧峡梢允荂r、W、Ta、Mo、Al、Cu等金屬及其合金。通過(guò)構(gòu)圖工藝形成柵極2的圖形。
[0046]2.在襯底基板上形成第一絕緣層
[0047]可以采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)方法，在經(jīng)過(guò)步驟2的襯底基板I上沉積第一絕緣層31材料，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成第一絕緣層31。其中，第一絕緣層31材料可以選用氧化物或者氮化物或者氮氧化物。
[0048]采用構(gòu)圖工藝形成如圖3所示的陣列基板的第一絕緣層31時(shí)，所用的掩膜板如圖5所示，掩膜板包括與顯示區(qū)域?qū)?yīng)的顯示區(qū)域掩膜板9和與四周的驅(qū)動(dòng)區(qū)域分別對(duì)應(yīng)的四個(gè)驅(qū)動(dòng)區(qū)域掩膜板8。
[0049]其中，顯示區(qū)域掩膜板9包括空白部分91和圖形部分92，所述的空白部分91與顯示區(qū)域的部分區(qū)域相對(duì)應(yīng)；所述圖形部分92與顯示區(qū)域的圖形區(qū)域相對(duì)應(yīng)。
[0050]上述顯示區(qū)域掩膜板9的圖形設(shè)計(jì)沒(méi)有增加掩板的成本，與現(xiàn)有技術(shù)中相同只使用一張顯示區(qū)域掩膜板9，不同的是對(duì)顯示區(qū)域掩膜板劃分為空白部分和圖形部分，以在顯示區(qū)域需要形成圖形時(shí)用圖形部分進(jìn)行曝光，若不需要形成圖形時(shí)使用空白部分曝光。
[0051]優(yōu)選的，所述的顯示區(qū)域掩膜板9的空白部分91的面積為顯示區(qū)域的面積的二分之一；圖形部分92面積為顯示區(qū)域的面積的二分之一。
[0052]具體地，在沉積第一絕緣層31的陣列基板上涂覆光刻膠，例如，可以是正性光刻膠(市售商品號(hào)為PR1-2000A)，然后將顯示區(qū)域掩膜板9的空白部分91，在陣列基板的顯示區(qū)域兩次曝光，使顯示區(qū)域全部面積都曝光。
[0053]而其它區(qū)域，例如，驅(qū)動(dòng)區(qū)域則采用四個(gè)驅(qū)動(dòng)區(qū)域掩膜板8進(jìn)行曝光。顯影、刻蝕后在顯示區(qū)域沒(méi)有形成第一絕緣層31，在其它區(qū)域，例如，驅(qū)動(dòng)區(qū)域則形成第一絕緣層31的圖形。
[0054]如圖6所示，陣列基板完成第一絕緣層31構(gòu)圖工藝后，陣列基板上位于中心的顯示區(qū)域沒(méi)有圖形(刻蝕掉第一絕緣層31的材料)，位于四周的驅(qū)動(dòng)區(qū)域形成第一絕緣層31的圖形。
[0055]應(yīng)當(dāng)理解的是，空白部分91的面積也可以更小，可通過(guò)更多次的曝光使顯示區(qū)域全部曝光，例如，可以是四分之一，通過(guò)四次曝光使顯示區(qū)域全部曝光。
[0056]應(yīng)當(dāng)理解的是上述第一絕緣層31的厚度可以根據(jù)陣列基板的應(yīng)用情況不同進(jìn)行調(diào)整，一般厚度設(shè)置在2000-6000 A。
[0057]應(yīng)當(dāng)理解的是，上述的曝光過(guò)程可以采用各區(qū)域?qū)?yīng)的掩膜板拼接后一次曝光，也可以采用部分區(qū)域?qū)?yīng)的掩膜板拼接后曝光或各區(qū)域的對(duì)應(yīng)掩膜板單獨(dú)曝光等方式。
[0058]3.在襯底基板上形成第二絕緣層
[0059]具體地，可以采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)方法，在經(jīng)過(guò)步驟I的襯底基板I上沉積第二絕緣層32材料，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成第二絕緣層32。其中，第二絕緣層32材料可以選用氧化物或者氮化物或者氮氧化物。
[0060]在沉積第二絕緣層32材料的陣列基板上涂覆光刻膠，例如，可以是正性光刻膠(市售商品號(hào)為PR1-2000A)，然后采用與顯示區(qū)域和驅(qū)動(dòng)區(qū)域相對(duì)應(yīng)的掩膜板曝光。顯影、刻蝕后在顯示區(qū)域和驅(qū)動(dòng)區(qū)域均形成第二絕緣層32的圖形。
[0061]具體地，在沉積第二絕緣層32的陣列基板上涂覆光刻膠，例如，可以是正性光刻膠(市售商品號(hào)為PR1-2000A)，然后將顯示區(qū)域掩膜板9的圖形部分92，在陣列基板的顯示區(qū)域兩次曝光，使顯示區(qū)域全部面積都曝光。
[0062]而其它區(qū)域，例如，驅(qū)動(dòng)區(qū)域則采用四個(gè)驅(qū)動(dòng)區(qū)域掩膜板8進(jìn)行曝光。顯影、刻蝕后在顯示區(qū)域和驅(qū)動(dòng)區(qū)域都形成第二絕緣層32的圖形。
[0063]如圖7所示，陣列基板完成第二絕緣層32的圖形構(gòu)圖工藝后，陣列基板上位于中心的顯示區(qū)域和位于四周的驅(qū)動(dòng)區(qū)域形成第二絕緣層32的圖形。
[0064]上述的曝光過(guò)程可以采用各區(qū)域?qū)?yīng)的掩膜板拼接后一次曝光，也可以部分區(qū)域?qū)?yīng)的掩膜板拼接后曝光或采用各區(qū)域的對(duì)應(yīng)掩膜板單獨(dú)曝光等方式。
[0065]應(yīng)當(dāng)理解的是，第二絕緣層32的厚度為1000-3000 A，這樣更能有效地防止靜電釋放擊穿絕緣層。
[0066]步驟3和4由于采用了包括空白部分91和圖形部分92的顯示區(qū)域掩膜板9，在不增加掩膜板成本的條件下獲得了驅(qū)動(dòng)區(qū)域的薄膜晶體管的絕緣層厚度大于顯示區(qū)域的薄膜晶體管的絕緣層厚度的絕緣層結(jié)構(gòu)。
[0067]4.在襯底基板上形成有源層
[0068]具體地，可以先在經(jīng)過(guò)步驟3的襯底基板I上采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法沉積一層有源層材料，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成有源層5的圖形。
[0069]5.在襯底基板上形成刻蝕阻擋層
[0070]具體地，可以先在經(jīng)過(guò)步驟4的襯底基板I上采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法沉積一層刻蝕阻擋層材料，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成刻蝕阻擋層4和過(guò)孔7的圖形。
[0071]6.在襯底基板上形成源、漏極
[0072]具體地，可以先在經(jīng)過(guò)步驟5的襯底基板I上采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法沉積一層源、漏極材料，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成源、漏極6的圖形。
[0073]可選地，可以繼續(xù)形成其它必要的功能層，在此不再一一贅述。
[0074]本實(shí)用新型的陣列基板的制備方法中由于采用了包括空白部分和圖形部分的顯示區(qū)域掩膜板，在不增加掩膜板成本的條件下獲得了驅(qū)動(dòng)區(qū)域的薄膜晶體管的絕緣層厚度大于顯示區(qū)域的薄膜晶體管的絕緣層厚度的絕緣層結(jié)構(gòu)。
[0075]實(shí)施例2
[0076]本實(shí)施例提供一種顯示面板，該顯示面板包括上述的陣列基板。
[0077]實(shí)施例3
[0078]本實(shí)施例提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述的顯示面板。
[0079]本實(shí)用新型的顯示面板和顯示裝置中由于驅(qū)動(dòng)區(qū)域的薄膜晶體管的絕緣層厚度大于顯示區(qū)域的薄膜晶體管的絕緣層厚度，在驅(qū)動(dòng)區(qū)域的柵極和源、漏極產(chǎn)生靜電釋放時(shí)能夠防止絕緣層被擊穿，柵極和源、漏極短路；另外，因減薄存儲(chǔ)電容介質(zhì)層(絕緣層)的厚度，可以保持或增大存儲(chǔ)電容值(柵極和源、漏極金屬層間形成存儲(chǔ)電容)；同時(shí)，由于顯示區(qū)域的薄膜晶體管的絕緣層厚度較薄，不會(huì)造成顯示區(qū)域的薄膜晶體管的遷移率下降和閾值電壓值漂移等不良的特性。
[0080]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說(shuō)明本實(shí)用新型的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本實(shí)用新型并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本實(shí)用新型的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板包括用于進(jìn)行顯示的顯示區(qū)域和位于顯示區(qū)域周邊的驅(qū)動(dòng)區(qū)域，其中，所述的顯示區(qū)域和驅(qū)動(dòng)區(qū)域包括薄膜晶體管，所述的薄膜晶體管在柵極和有源層之間設(shè)有絕緣層，其特征在于，驅(qū)動(dòng)區(qū)域的薄膜晶體管的絕緣層厚度大于顯示區(qū)域的薄膜晶體管的絕緣層厚度。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)區(qū)域的薄膜晶體管的絕緣層包括第一絕緣層和第二絕緣層；所述顯示區(qū)域的薄膜晶體管的絕緣層包括第二絕緣層。
3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)區(qū)域的薄膜晶體管的第二絕緣層相對(duì)第一絕緣層靠近有源層。
4.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述的第二絕緣層的厚度為1000-3000 A。
5.一種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-4任一所述的陣列基板。
6.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求5所述的顯示面板。
【文檔編號(hào)】H01L27/12GK204029806SQ201420323265
【公開(kāi)日】2014年12月17日 申請(qǐng)日期:2014年6月17日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月17日
【發(fā)明者】蓋翠麗, 劉曉娣 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司