一種納米銀線透明導(dǎo)電膜的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種納米銀線透明導(dǎo)電膜,包括透明的薄膜基材,通過涂布工藝直接涂布在薄膜基材表面固化后形成一膠水粘結(jié)層和一納米銀線層,納米銀線層牢固粘結(jié)在膠水粘結(jié)層的表面,納米銀線層中的納米銀線的直徑小于等于60nm,納米銀線的長度為5~100μm,納米銀線層中的各個納米銀線層相互搭接而電性導(dǎo)通。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單,易于生產(chǎn),透光率達(dá)到85~92%,霧度小于等于2%,表面電阻率為50~500ohm/sq。
【專利說明】-種納米銀線透明導(dǎo)電膜
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及導(dǎo)電膜【技術(shù)領(lǐng)域】,尤其是涉及一種納米銀線透明導(dǎo)電膜。
【背景技術(shù)】
[0002] 現(xiàn)有技術(shù)中,納米銀線透明導(dǎo)電膜用于導(dǎo)電,納米銀線透明導(dǎo)電膜生產(chǎn)方法 比較復(fù)雜,如中國發(fā)明專利申請?zhí)枮? 201110394764. X"、專利名稱為" 一種納米銀透 明電極材料及其制備方法"的中國發(fā)明專利申請所示,還有中國發(fā)明專利申請?zhí)枮?"201210190604.8"、專利名稱為"柔性透明導(dǎo)電膜及其制造方法〃的中國發(fā)明專利申請所 示。上述兩個專利所揭示的納米銀線透明導(dǎo)電膜的工藝要求非常高,它要先分別配制透明 油墨和納米銀線分散液,再將納米銀線分散液等附著于離型膜或中間轉(zhuǎn)印膜形成一納米銀 線層,還需要在透明膜基材上涂布增粘層或透明油墨層,還需要分別干燥后再進(jìn)行熱壓轉(zhuǎn) 印。
[0003] 現(xiàn)有技術(shù)生產(chǎn)的納米銀線透明導(dǎo)電膜的納米銀線層和透明膜基材之間易分層,納 米銀線層易分離和剝落,再加上選材不當(dāng)?shù)膯栴},納米銀線大部分被掩埋在透明油墨層內(nèi), 納米銀線透明導(dǎo)電膜的導(dǎo)電率較差,透光率較低,因此有必要給予改進(jìn)。 實(shí)用新型內(nèi)容
[0004] 針對現(xiàn)有技術(shù)存在的不足,本實(shí)用新型的目的是提供一種納米銀線透明導(dǎo)電膜, 它結(jié)構(gòu)簡單,易于生產(chǎn),透光率達(dá)到85?92%,霧度小于等于2%,表面電阻率為50? 500ohm/sq〇
[0005] 為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是。
[0006] 一種納米銀線透明導(dǎo)電膜,包括透明的薄膜基材,其特征在于:通過涂布工藝直接 涂布在薄膜基材表面的混合有膠水和納米銀線的納米銀線涂布液在其溶液揮發(fā)和膠水固 化后形成一膠水粘結(jié)層和一納米銀線層,在固化過程中表面下降而處于底層并露出納米銀 線的膠水粘結(jié)層牢固粘結(jié)在薄膜基材的表面,納米銀線層牢固粘結(jié)在膠水粘結(jié)層的表面, 納米銀線層中的納米銀線的直徑小于等于60nm,納米銀線的長度為5?100 μ m,納米銀線 層中的各個納米銀線層相互搭接而電性導(dǎo)通。
[0007] 進(jìn)一步的技術(shù)方案中,所述膠水粘結(jié)層和納米銀線層的總厚度為10nm?50μπι。
[0008] 進(jìn)一步的技術(shù)方案中,所述薄膜基材選用PC膜或表面經(jīng)過硬化處理的PET膜,薄 膜基材的總厚度為81?500 μ m。
[0009] 進(jìn)一步的技術(shù)方案中,所述薄膜基材選用由三層共擠工藝制成的PMMA-PC-PMMA 三層復(fù)合膜,PMMA-PC-PMMA三層復(fù)合膜的上層和下層均為PMMA層,中間層為PC層,PC層 與兩個PMMA層通過三層共擠工藝成型為一體,PMMA-PC-PMMA三層復(fù)合膜的總厚度為81? 500 μ m〇
[0010] 采用上述結(jié)構(gòu)后,本實(shí)用新型和現(xiàn)有技術(shù)相比所具有的優(yōu)點(diǎn)是:本實(shí)用新型結(jié)構(gòu) 簡單,易于生產(chǎn),透光率達(dá)到85?92 %,霧度小于等于2 %,表面電阻率為50?500ohm/sq。
【專利附圖】
【附圖說明】 toon] 下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。
[0012] 圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013] 圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014] 圖中:1、薄膜基材11、PMMA層12、PC層2、膠水粘結(jié)層3納米銀線層。
【具體實(shí)施方式】
[0015] 以下所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例,并不因此而限定本實(shí)用新型的保護(hù)范 圍。
[0016] 實(shí)施例一
[0017] 一種納米銀線透明導(dǎo)電膜,見圖1所示,包括透明的薄膜基材1。
[0018] 本實(shí)用新型是通過涂布工藝在薄膜基材1的表面形成一膠水粘結(jié)層2和一納米銀 線層3,本實(shí)用新型將混合有膠水和納米銀線的納米銀線涂布液直接涂布在薄膜基材1的 表面,在其溶液揮發(fā)和膠水固化后在薄膜基材1的表面形成一膠水粘結(jié)層2和一納米銀線 層3,膠水粘結(jié)層2和納米銀線層3的總厚度為10nm?50 μ m。
[0019] 在納米銀線涂布液的固化過程中膠水表面下降而處于底層,同時露出納米銀線, 納米銀線凸則顯在膠水粘結(jié)層2的表面,膠水粘結(jié)層2牢固粘結(jié)在薄膜基材1的表面,納 米銀線層3牢固粘結(jié)在膠水粘結(jié)層2的表面,納米銀線層3中的納米銀線的直徑小于等于 60nm,納米銀線的長度為5?100 μ m,納米銀線層3中的各個納米銀線層3相互搭接而電性 導(dǎo)通。
[0020] 薄膜基材1選用PC膜或表面經(jīng)過硬化處理的PET膜,薄膜基材1的總厚度為81? 500 μ m。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單,易于生產(chǎn),透光率達(dá)到85?92%,霧度小于等于2%,表面 電阻率為50?500ohm/sq。
[0021] 實(shí)施例二
[0022] 一種納米銀線透明導(dǎo)電膜,見圖2所示,本實(shí)施例的主要結(jié)構(gòu)與實(shí)施例一相同,這 里不再贅述,其不同之處在于透明的薄膜基材1。
[0023] 薄膜基材1選用由三層共擠工藝制成的PMMA-PC-PMMA三層復(fù)合膜,PMMA-PC-PMMA 三層復(fù)合膜的上層和下層均為PMMA層11,中間層為PC層12, PC層12與兩個PMMA層 11通過三層共擠工藝成型為一體,PMMA-PC-PMMA三層復(fù)合膜的總厚度為81?500 μ m。 PMMA-PC-PMMA三層復(fù)合膜具有更好的透光率,與膠水粘結(jié)層2之間具有更好的結(jié)合性,粘 結(jié)力更強(qiáng),粘結(jié)更加牢固。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單,易于生產(chǎn),透光率達(dá)到85?92%,霧度小 于等于2%,表面電阻率為50?500ohm/sq。
[0024] 以上內(nèi)容僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例,對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員,依據(jù)本實(shí) 用新型的思想,在【具體實(shí)施方式】及應(yīng)用范圍上均會有改變之處,本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為 對本實(shí)用新型的限制。
【權(quán)利要求】
1. 一種納米銀線透明導(dǎo)電膜,包括透明的薄膜基材(1),其特征在于:通過涂布工藝直 接涂布在薄膜基材(1)表面的混合有膠水和納米銀線的納米銀線涂布液在其溶液揮發(fā)和 膠水固化后形成一膠水粘結(jié)層(2)和一納米銀線層(3),在固化過程中表面下降而處于底 層并露出納米銀線的膠水粘結(jié)層(2)牢固粘結(jié)在薄膜基材(1)的表面,納米銀線層(3)牢 固粘結(jié)在膠水粘結(jié)層(2)的表面,納米銀線層(3)中的納米銀線的直徑小于等于60nm,納 米銀線的長度為5?100 μ m,納米銀線層(3)中的各個納米銀線層(3)相互搭接而電性導(dǎo) 通。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米銀線透明導(dǎo)電膜,其特征在于:所述膠水粘結(jié)層(2) 和納米銀線層(3)的總厚度為10nm?50 μ m。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米銀線透明導(dǎo)電膜,其特征在于:所述薄膜基材(1) 選用PC膜或表面經(jīng)過硬化處理的PET膜,薄膜基材(1)的總厚度為81?500 μ m。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米銀線透明導(dǎo)電膜,其特征在于:所述薄膜基材(1) 選用由三層共擠工藝制成的PMMA-PC-PMMA三層復(fù)合膜,PMMA-PC-PMMA三層復(fù)合膜的上層 和下層均為PMMA層(11),中間層為PC層(12),PC層(12)與兩個PMMA層(11)通過三層 共擠工藝成型為一體,PMMA-PC-PMMA三層復(fù)合膜的總厚度為81?500 μ m。
【文檔編號】H01B5/14GK203910287SQ201420276529
【公開日】2014年10月29日 申請日期:2014年5月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月27日
【發(fā)明者】蔡文珍 申請人:東莞市鑫聚光電科技有限公司