一種薄膜晶體管、薄膜晶體管陣列基板以及液晶顯示器的制造方法
【專利摘要】本實用新型屬于液晶顯示領(lǐng)域，提供了一種薄膜晶體管、薄膜晶體管陣列基板以及液晶顯示器。在本實用新型中，所述像素電極和所述源極通過設(shè)置在第二絕緣層上的至少兩個跳孔進行電性連接，可以避免在蝕刻所述源極上絕緣層的時候?qū)⑺鲈礃O覆蓋造成像素電極與源極接觸不良影響顯示效果的問題。
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實用新型屬于液晶顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管、薄膜晶體管陣列基板 以及液晶顯示器。 一種薄膜晶體管、薄膜晶體管陣列基板以及液晶顯示器

【背景技術(shù)】
[0002] 薄膜晶體管（TFT，Thin Film Transistor)主要應(yīng)用于控制和驅(qū)動液晶顯示器、有 機發(fā)光二極管顯示器的子像素，是平板顯示領(lǐng)域中最重要的電子器件。
[0003] 目前，平板顯示領(lǐng)域的發(fā)展日新月異，現(xiàn)在已初步分化為兩個主要的產(chǎn)品應(yīng)用方 向：一個是小尺寸顯示屏，應(yīng)用于移動終端設(shè)備；另一個是大尺寸顯示屏應(yīng)用于電視機領(lǐng) 域。在上述兩種產(chǎn)品應(yīng)用中，顯示屏實現(xiàn)更高像素密度、更高刷新頻率以及更低功耗是行業(yè) 的發(fā)展趨勢，但是，目前的薄膜晶體管在形成源極上的絕緣層時容易將源極完全覆蓋，以致 薄膜晶體管上的像素電極無法與源極電性連接，造成不良品和次品出現(xiàn)，影響顯示效果或 者不顯示。 實用新型內(nèi)容
[0004] 本實用新型提供了一種薄膜晶體管，旨在解決現(xiàn)有薄膜晶體管中像素電極與源極 易接觸不良，影響顯示效果的問題。
[0005] 為了解決上述技術(shù)問題，本實用新型是這樣實現(xiàn)的：一種薄膜晶體管，包括柵極、 源極、漏極、第一絕緣層、有源層、第二絕緣層以及像素電極；
[0006] 所述第一絕緣層位于所述柵極上，所述有源層位于所述第一絕緣層上并位于所述 柵極的上方，所述源極和所述漏極分別位于所述有源層上，所述第二絕緣層位于所述源極 和所述漏極的中間以及所述源極和所述漏極上面，所述像素電極位于所述第二絕緣層上；
[0007] 所述第二絕緣層位于所述源極上面的部分蝕刻至少兩個跳孔，所述像素電極通過 所述跳孔與所述源極電性連接。
[0008] 進一步地，所述第二絕緣層位于所述源極上面的部分蝕刻的跳孔數(shù)量為兩個，分 別為第一跳孔和第二跳孔。
[0009] 進一步地，所述第一跳孔和所述第二跳孔的形狀為倒圓臺型。
[0010] 進一步地，所述第一跳孔的下底面邊沿與所述第二跳孔的下底面邊沿的最近距離 大于等于任一所述兩個跳孔的下底面直徑。
[0011] 進一步地，所述至少兩個跳孔中至少一個跳孔蝕刻至所述源極中。
[0012] 本實用新型還提供了一種薄膜晶體管陣列基板，包括基板和上述所述的薄膜晶體 管，所述薄膜晶體管位于所述基板上方。
[0013] 進一步地，本實用新型還提供了一種液晶顯示器，所述液晶顯示器包括上述所述 的薄膜晶體管陣列基板。
[0014] 在本實用新型中，所述像素電極和所述源極通過設(shè)置在第二絕緣層上的至少兩個 跳孔進行電性連接，可以避免在蝕刻所述源極上絕緣層的時候?qū)⑺鲈礃O覆蓋造成像素電 極與源極接觸不良影響顯示效果的問題。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015] 圖1為本實用新型提供的薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016] 圖2是本實用新型第一實施例提供的薄膜晶體管陣列基板沿A-A方向的剖面結(jié)構(gòu) 示意圖；
[0017] 圖3是本實用新型第二實施例提供的薄膜晶體管陣列基板沿A-A方向的剖面結(jié)構(gòu) 示意圖。

【具體實施方式】
[0018] 為了使本實用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施 例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應(yīng)當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋 本實用新型，并不用于限定本實用新型。
[0019] 圖1示出了本實用新型實施例提供的薄膜晶體管陣列基板的示意結(jié)構(gòu)，為了便于 說明，僅列出與本實用新型實施例相關(guān)的部分，詳述如下：
[0020] 本實用新型實施例提供的薄膜晶體管陣列基板包括基板和薄膜晶體管，薄膜晶體 管位于基板上方。
[0021] 如圖1-3所示，本實用新型實施例提供的薄膜晶體管1包括柵極11、源極12、漏極 13、第一絕緣層14、有源層15、第二絕緣層16以及像素電極17 ;
[0022] 第一絕緣層14位于柵極11上，有源層15位于第一絕緣層14上并位于柵極11的 上方，源極12和漏極13分別位于有源層15上，第二絕緣層16位于源極12和漏極13的中 間以及源極12和漏極13的上面，像素電極17位于所述第二絕緣層16上；
[0023] 第二絕緣層16位于源極12上面的部分蝕刻至少兩個跳孔，像素電極17通過該跳 孔與源極12電性連接；
[0024] 薄膜晶體管1中柵極11位于基板21上方。
[0025] 作為本實用新型一實施例，蝕刻的跳孔數(shù)量為兩個，分別為第一跳孔K1和第二跳 孔K2。
[0026] 在本實用新型實施例中，像素電極17通過跳孔K1和K2與源極12進行電性連接， 跳孔K1和K2中的電性填充材料是與形成像素電極17的電極材料一起濺射上去的，在本實 用新型實施例中，跳孔的數(shù)量僅列舉了兩個，還可以是三個、四個等多個。
[0027] 如圖2所示，作為本實用新型一實施例，第一跳孔K1和第二跳孔K2的形狀為倒圓 臺型。
[0028] 在本實用新型實施例中，圓臺型為上底面圓直徑小于下底面圓直徑，本實用新型 實施例提供中跳孔蝕刻成倒圓臺型，即下底面在上，上底面在下，形成倒圓臺的跳孔，電性 連接材料填充在該倒圓臺型的跳孔中，由于是下底面在上，直徑較大，電性連接材料更容易 濺射到跳孔中。
[0029] 在本實用新型實施例中，倒圓臺型便于電性填充材料。
[0030] 作為本實用新型一實施例，第一跳孔K1的下底面邊沿與第二跳孔K2的下底面邊 沿的最近距離大于等于任一跳孔的下底面直徑。
[0031] 如圖2所示，在本實用新型實施例中，第一跳孔K1的下底面和第二跳孔K2的下底 面位于同一平面，第一跳孔Κ1下底面的邊沿與第二跳孔Κ2下底面的邊沿有一定的距離，該 距離大于等于跳孔直徑最大的一個跳孔直徑。
[0032] 如圖3所示，作為本實用新型一實施例，蝕刻的跳孔中至少有一個跳孔蝕刻至源 極12中，本實用新型實施例以第一跳孔Κ1蝕刻至源極12中進行舉例，但并不限于只有第 一跳孔Κ1或只是第一跳孔Κ1蝕刻至源極12中。
[0033] 在本實用新型實施例中，將跳孔蝕刻至源極12中，可以增加像素電極17與源極12 的電性接觸面積，從而增加連接的可靠性。
[0034] 如圖3所示，第一跳孔Κ1下陰影部分表示的是跳孔Κ1蝕刻到源極12里面去的部 分，在本實用新型實施例中，并不限于只是Κ1蝕刻至源極12中，Κ2也可以蝕刻至源極12 中，也可以Κ1和Κ2同時都蝕刻至源極12中，當跳孔的數(shù)量為多個時，其中的至少1個或全 部都可以蝕刻到源極12中。
[0035] 進一步地，本實用新型實施例還提供了一種液晶顯示器，該液晶顯示器包括上述 薄膜晶體管陣列基板2。
[0036] 在本實用新型實施例中，所述像素電極和所述源極通過設(shè)置在第二絕緣層上的至 少兩個跳孔進行電性連接，可以避免在蝕刻所述源極上絕緣層的時候?qū)⑺鲈礃O覆蓋造成 像素電極與源極接觸不良影響顯示效果的問題。
[0037] 以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本 實用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應(yīng)包含在本實用新型 的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管包括柵極、源極、漏極、第一絕緣層、 有源層、第二絕緣層以及像素電極； 所述第一絕緣層位于所述柵極上，所述有源層位于所述第一絕緣層上并位于所述柵極 的上方，所述源極和所述漏極分別位于所述有源層上，所述第二絕緣層位于所述源極和所 述漏極的中間以及所述源極和所述漏極上面，所述像素電極位于所述第二絕緣層上； 所述第二絕緣層位于所述源極上面的部分蝕刻至少兩個跳孔，所述像素電極通過所述 跳孔與所述源極電性連接。
2. 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二絕緣層位于所述源極上面 的部分蝕刻的跳孔數(shù)量為兩個，分別為第一跳孔和第二跳孔。
3. 如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一跳孔和所述第二跳孔的形 狀為倒圓臺型。
4. 如權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一跳孔的下底面邊沿與所述 第二跳孔的下底面邊沿的最近距離大于等于任一所述兩個跳孔的下底面直徑。
5. 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述至少兩個跳孔中至少一個跳孔 蝕刻至所述源極中。
6. -種薄膜晶體管陣列基板，包括基板，其特征在于，所述基板還包括如權(quán)利要求1-5 任一項所述的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管位于所述基板上方。
7. -種液晶顯示器，其特征在于，所述液晶顯示器包括如權(quán)利要求5所述的薄膜晶體 管陣列基板。
【文檔編號】H01L27/02GK203895467SQ201420254477
【公開日】2014年10月22日 申請日期:2014年5月16日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月16日
【發(fā)明者】王士敏, 趙約瑟, 張超, 李紹宗 申請人:深圳萊寶高科技股份有限公司