技術特征：
1.用于晶圓切片的等離子體刻蝕裝置，其中，待切片的晶圓隨薄膜框架結構一同進入所述刻蝕裝置，所述薄膜框架結構包括呈環(huán)形的框架以及安裝在所述框架下方并覆蓋所述框架中心處開口的薄膜，所述晶圓安裝在所述開口內所述薄膜的上表面，所述刻蝕裝置包括：由頂壁、側壁與底壁圍成的反應腔室；設置在所述反應腔室內、用于支撐晶圓的基座；設置在所述基座外周、可升降的升降環(huán)，所述升降環(huán)在升降的過程中接觸并抬升或沉降位于晶圓外周的框架；用于帶動所述升降環(huán)作升降運動的升降桿，所述升降桿的一端用于連接所述升降環(huán)，另一端穿過反應腔室底壁上的孔洞而延伸至所述反應腔室外；位于所述反應腔室外的驅動部件，用于驅動所述升降桿。2.如權利要求1所述的等離子體刻蝕裝置，另包括：覆蓋環(huán)，位于所述薄膜框架結構的上方，用于遮蓋所述框架與所述薄膜；設置在所述覆蓋環(huán)與所述升降環(huán)之間的覆蓋環(huán)升舉件，所述覆蓋環(huán)升舉件的上端用于支撐所述覆蓋環(huán)，所述覆蓋環(huán)升舉件的下端安裝在所述升降環(huán)上。3.如權利要求2所述的等離子體刻蝕裝置，其中，所述覆蓋環(huán)升舉件為呈桿狀的頂針，所述頂針的數目為三個或更多。4.如權利要求3所述的等離子體刻蝕裝置，其中，所述頂針的上端支撐所述覆蓋環(huán)的下表面，所述頂針的下端安裝在所述升降環(huán)的上表面；所述頂針的高度決定了晶圓卸載過程中晶圓脫離所述基座后晶圓與覆蓋環(huán)之間的高度差，這個高度差足以使得機械手在抓取晶圓的過程中不干擾到所述覆蓋環(huán)。5.如權利要求1所述的等離子體刻蝕裝置，其中，所述升降環(huán)的上表面設有預調整部件，用于調整與升降環(huán)接觸時的框架的水平度。6.如權利要求5所述的等離子體刻蝕裝置，其中，所述預調整部件包括墊片、限位螺絲、偏心銷或偏心軸。7.如權利要求1所述的...