一種無偏置端的小型規(guī)定時(shí)序混合延時(shí)繼電器的制造方法
【專利摘要】一種無偏置端的小型規(guī)定時(shí)序混合延時(shí)繼電器，其外殼封裝在底座的上方，底座上通過玻璃絕緣子燒結(jié)固定有兩個(gè)電源輸入引出端A、J，且兩個(gè)電源輸入引出端A、J上固定有底層線路板和頂層線路板，頂層線路板上設(shè)有延時(shí)電路，底層線路板上安裝有磁保持繼電器；電源輸入引出端A、J分別與延時(shí)電路的兩個(gè)輸入端連接，電源輸入引出端A與磁保持繼電器的前激勵(lì)線圈和后激勵(lì)線圈的一端連接；延時(shí)電路包括動(dòng)作延時(shí)電路和釋放延時(shí)電路，且動(dòng)作延時(shí)電路的控制端通過導(dǎo)線與磁保持繼電器前激勵(lì)線圈的另一端連接，釋放延時(shí)電路的控制端通過導(dǎo)線與磁保持繼電器后激勵(lì)線圈的另一端連接；本發(fā)明體積小、壽命長，生產(chǎn)調(diào)試方便，可靠性高。
【專利說明】一種無偏置端的小型規(guī)定時(shí)序混合延時(shí)繼電器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于延時(shí)繼電器【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種無偏置端的小型規(guī)定時(shí)序混合延時(shí)繼電器。

【背景技術(shù)】
[0002]延時(shí)繼電器主要分為5類延時(shí)方式，包括動(dòng)作延時(shí)、釋放延時(shí)、間隔定時(shí)、重復(fù)循環(huán)定時(shí)以及規(guī)定時(shí)序。在主機(jī)應(yīng)用中，為了避免電路在上電及斷電時(shí)電源產(chǎn)生的干擾，利用同一繼電器實(shí)現(xiàn)動(dòng)作延時(shí)和釋放延時(shí)就尤為重要。已有類似規(guī)定時(shí)序的時(shí)間繼電器通過軟件編程實(shí)現(xiàn)類似規(guī)定時(shí)序，這種以混合集成電路或單片機(jī)為核心的時(shí)間繼電器必須加入偏置電源，并且對(duì)偏置電源性能要求高，不適合無法提供偏置電源的主機(jī)使用。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明解決的技術(shù)問題:設(shè)計(jì)一種無偏置端的小型規(guī)定時(shí)序混合延時(shí)繼電器，以電子元器件替代單片機(jī)在同一繼電器實(shí)現(xiàn)動(dòng)作延時(shí)和釋放延時(shí)，無須偏置電源，且采用兩層結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，體積小、壽命長，環(huán)境適應(yīng)性能好、可靠性高，泄漏率為.,( IXlO-3Pa.cm3/s。
[0004]本發(fā)明的技術(shù)解決方案:一種無偏置端的小型規(guī)定時(shí)序混合延時(shí)繼電器，包括外殼和底座，外殼封裝在底座的上方，外殼的上端設(shè)有安裝螺釘；其特征是:所述底座上通過玻璃絕緣子燒結(jié)固定有兩個(gè)電源輸入引出端A、J，且兩個(gè)電源輸入引出端A、J上固定有底層線路板和頂層線路板，頂層線路板上設(shè)有延時(shí)電路，底層線路板上安裝有磁保持繼電器；所述電源輸入引出端A、J分別與延時(shí)電路的兩個(gè)輸入端連接，電源輸入引出端A與磁保持繼電器的前激勵(lì)線圈和后激勵(lì)線圈的一端連接；所述延時(shí)電路包括動(dòng)作延時(shí)電路和釋放延時(shí)電路，且動(dòng)作延時(shí)電路的控制端通過導(dǎo)線I與磁保持繼電器前激勵(lì)線圈的另一端連接，釋放延時(shí)電路的控制端通過導(dǎo)線II與磁保持繼電器后激勵(lì)線圈的另一端連接；所述底座上通過玻璃絕緣子燒結(jié)固定有磁保持繼電器觸點(diǎn)引出端B、C、D，1、H、G。
[0005]所述動(dòng)作延時(shí)電路由單結(jié)晶體管V1、電容Cl、三極管Ul組成，電容Cl并聯(lián)在單結(jié)晶體管Vl的A極和K極上，磁保持繼電器的前激勵(lì)線圈通過三極管Ul串聯(lián)在延時(shí)電路的兩個(gè)輸入端之間；電源輸入引出端A通過電阻Rl、電阻R2為電容Cl充電，使單結(jié)晶體管Vl的A極電壓由零逐漸升高；電源輸入引出端A通過電阻R3、電阻R4、電阻R5為單結(jié)晶體管Vl的G極提供基準(zhǔn)電壓，當(dāng)單結(jié)晶體管Vl的A極電壓高于G極電壓時(shí)，單結(jié)晶體管Vl的A、K兩極導(dǎo)通，通過電阻R6驅(qū)動(dòng)三極管Ul的基極使三極管Ul導(dǎo)通，磁保持繼電器的前激勵(lì)線圈通電，觸點(diǎn)轉(zhuǎn)換B、C，1、H接通，B、D，1、G斷開，繼電器實(shí)現(xiàn)動(dòng)作延時(shí)；
[0006]所述釋放延時(shí)電路由單結(jié)晶體管V2、電容C2、C3、C4、可控硅U2組成，電容C3并聯(lián)在單結(jié)晶體管V2的G、K兩極，電容C4并聯(lián)在單結(jié)晶體管V2的A、K兩極，磁保持繼電器6的后激勵(lì)線圈通過可控硅U2串聯(lián)在延時(shí)電路的兩個(gè)輸入端之間，且磁保持繼電器的后激勵(lì)線圈與可控硅U2串聯(lián)后與電容C2并聯(lián)；電源輸入引出端A通過電阻Rll為電容C2、C3、C4快速充電至規(guī)定電壓，使單結(jié)晶體管V2的G極電壓高于A極電壓，單結(jié)晶體管V2及可控硅U2處于關(guān)斷狀態(tài)；當(dāng)電源輸入引出端A斷電時(shí)，磁保持繼電器保持前激勵(lì)狀態(tài)，電容C3通過電阻R8與R8’放電，使單結(jié)晶體管V2的A極電壓高于G極電壓，單結(jié)晶體管V2的A極與K極導(dǎo)通，電容C4形成泄放回路，通過電阻RlO觸發(fā)可控硅U2導(dǎo)通，電容C2通過磁保持繼電器的后激勵(lì)線圈及可控硅U2快速放電，磁保持繼電器的后激勵(lì)線圈得電，觸點(diǎn)轉(zhuǎn)換B、C，1、H斷開，B、D，1、G接通，磁保持繼電器實(shí)現(xiàn)釋放延時(shí)。
[0007]所述電阻R5上并聯(lián)有熱敏電阻RTC。
[0008]所述電阻Rl、R2為動(dòng)作延時(shí)調(diào)節(jié)電阻；電阻R8、R8’為釋放延時(shí)調(diào)節(jié)電阻。
[0009]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有的優(yōu)點(diǎn)和效果:
[0010]1、本發(fā)明以電子元器件替代單片機(jī)在同一繼電器實(shí)現(xiàn)動(dòng)作延時(shí)和釋放延時(shí)，無須偏置電源，且采用兩層結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，體積小、壽命長，生產(chǎn)調(diào)試方便，環(huán)境適應(yīng)性能好、可靠性高，泄漏率為I X 1-3Pa.cm3/so
[0011]2、本發(fā)明利用磁保持繼電器銜鐵在線圈斷電后仍能保持在激勵(lì)位置上的特點(diǎn)，通過延時(shí)電路，在不同時(shí)刻控制磁保持繼電器的前激勵(lì)線圈和后激勵(lì)線圈分別實(shí)現(xiàn)動(dòng)作延時(shí)和釋放延時(shí)功能。在系統(tǒng)上電時(shí)，通過阻容元件的充放電過程實(shí)現(xiàn)動(dòng)作延時(shí)，動(dòng)作延時(shí)時(shí)間到達(dá)時(shí)驅(qū)動(dòng)磁保持繼電器前激勵(lì)線圈；在系統(tǒng)斷電時(shí)，利用磁保持繼電器繼續(xù)維持激勵(lì)狀態(tài)，通過儲(chǔ)能元器件上儲(chǔ)存的電能放電過程實(shí)現(xiàn)釋放延時(shí)，在不需要偏置電源的情況下，通過電容的放電給磁保持繼電器后激勵(lì)線圈供電，實(shí)現(xiàn)釋放延時(shí)功能。
[0012]3、本發(fā)明在延時(shí)電路中加入溫度補(bǔ)償電路，提高延時(shí)精度。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1為本發(fā)明的外形圖，
[0014]圖2為圖1的仰視圖，
[0015]圖3為本發(fā)明的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖，
[0016]圖4為本發(fā)明的電路原理框圖，
[0017]圖5為本發(fā)明的電原理圖。

【具體實(shí)施方式】
[0018]結(jié)合附圖1、2、3、4、5描述本發(fā)明的一種實(shí)施例。
[0019]一種無偏置端的小型規(guī)定時(shí)序混合延時(shí)繼電器，包括外殼I和底座2，外殼I封裝在底座2的上方，外殼I的上端設(shè)有安裝螺釘4 ;所述底座2上通過玻璃絕緣子燒結(jié)固定有兩個(gè)電源輸入引出端A、J，且兩個(gè)電源輸入引出端A、J上固定有底層線路板5和頂層線路板6，頂層線路板5上設(shè)有延時(shí)電路3，底層線路板4上安裝有磁保持繼電器6 ;所述電源輸入引出端A、J分別與延時(shí)電路3的兩個(gè)輸入端連接，電源輸入引出端A與磁保持繼電器6的前激勵(lì)線圈和后激勵(lì)線圈的一端連接；所述延時(shí)電路3包括動(dòng)作延時(shí)電路和釋放延時(shí)電路，且動(dòng)作延時(shí)電路的控制端通過導(dǎo)線I 7與磁保持繼電器6前激勵(lì)線圈的另一端連接，釋放延時(shí)電路的控制端通過導(dǎo)線II 8與磁保持繼電器6后激勵(lì)線圈的另一端連接；所述底座2上通過玻璃絕緣子燒結(jié)固定有磁保持繼電器6觸點(diǎn)引出端B、C、D，1、H、G。
[0020]所述動(dòng)作延時(shí)電路由單結(jié)晶體管V1、電容Cl、三極管Ul組成，電容Cl并聯(lián)在單結(jié)晶體管Vl的A極和K極上，磁保持繼電器7的前激勵(lì)線圈通過三極管Ul串聯(lián)在延時(shí)電路的兩個(gè)輸入端之間；電源輸入引出端A通過電阻R1、電阻R2為電容Cl充電，使單結(jié)晶體管Vl的A極電壓由零逐漸升高；電源輸入引出端A通過電阻R3、電阻R4、電阻R5為單結(jié)晶體管Vl的G極提供基準(zhǔn)電壓，當(dāng)單結(jié)晶體管Vl的A極電壓高于G極電壓時(shí)，單結(jié)晶體管Vl的A、K兩極導(dǎo)通，通過電阻R6驅(qū)動(dòng)三極管Ul的基極使三極管Ul導(dǎo)通，磁保持繼電器6的前激勵(lì)線圈通電，觸點(diǎn)轉(zhuǎn)換B、C，1、H接通，B、D，1、G斷開，繼電器6實(shí)現(xiàn)動(dòng)作延時(shí)。所述電阻R5上并聯(lián)有熱敏電阻RTC。所述電阻Rl、R2為動(dòng)作延時(shí)調(diào)節(jié)電阻。
[0021]所述釋放延時(shí)電路由單結(jié)晶體管V2、電容C2、C3、C4、可控硅U2組成，電容C3并聯(lián)在單結(jié)晶體管V2的G、K兩極，電容C4并聯(lián)在單結(jié)晶體管V2的A、K兩極，磁保持繼電器6的后激勵(lì)線圈通過可控硅U2串聯(lián)在延時(shí)電路3的兩個(gè)輸入端之間，且磁保持繼電器6的后激勵(lì)線圈與可控硅U2串聯(lián)后與電容C2并聯(lián)；電源輸入引出端A通過電阻Rll為電容C2、C3、C4快速充電至規(guī)定電壓，使單結(jié)晶體管V2的G極電壓高于A極電壓，單結(jié)晶體管V2及可控硅U2處于關(guān)斷狀態(tài)；當(dāng)電源輸入引出端A斷電時(shí)，磁保持繼電器6保持前激勵(lì)狀態(tài)，電容C3通過電阻R8與R8’放電，使單結(jié)晶體管V2的A極電壓高于G極電壓，單結(jié)晶體管V2的A極與K極導(dǎo)通，電容C4形成泄放回路，通過電阻RlO觸發(fā)可控硅U2導(dǎo)通，電容C2通過磁保持繼電器6的后激勵(lì)線圈及可控硅U2快速放電，磁保持繼電器6的后激勵(lì)線圈得電，觸點(diǎn)轉(zhuǎn)換B、C，1、H斷開，B、D，1、G接通，磁保持繼電器6實(shí)現(xiàn)釋放延時(shí)。所述電阻R8、R8’為釋放延時(shí)調(diào)節(jié)電阻。
[0022]本發(fā)明由于動(dòng)作延時(shí)時(shí)間較長，釋放延時(shí)時(shí)間較短，因此動(dòng)作延時(shí)電路中基準(zhǔn)電壓選取采用電阻網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)，電阻的阻值易受環(huán)境溫度的影響，會(huì)導(dǎo)致動(dòng)作延時(shí)時(shí)間受環(huán)境溫度影響較大，精度不高。為此，在動(dòng)作延時(shí)電路的基準(zhǔn)電壓的電阻網(wǎng)絡(luò)中加入熱敏電阻，通過參數(shù)匹配，使繼電器在一定的動(dòng)作延時(shí)時(shí)間內(nèi)延時(shí)精度可達(dá)到10%的要求。此外，繼電器的延時(shí)時(shí)間調(diào)節(jié)簡單，僅需更換合適的電阻即可，其中Rl，R2為動(dòng)作延時(shí)調(diào)節(jié)電阻；R8，R8’為釋放延時(shí)調(diào)節(jié)電阻。
[0023]本發(fā)明為機(jī)械觸點(diǎn)輸出的規(guī)定時(shí)序混合延時(shí)繼電器，負(fù)載電流大(5A)、體積小(26 X 26 X 26mm3)、壽命長(28V/5A，50000次)、環(huán)境適應(yīng)性優(yōu)良、可靠性高。
[0024]上述實(shí)施例，只是本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并非用來限制本發(fā)明實(shí)施范圍，故凡以本發(fā)明權(quán)利要求所述內(nèi)容所做的等同變化，均應(yīng)包括在本發(fā)明權(quán)利要求范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種無偏置端的小型規(guī)定時(shí)序混合延時(shí)繼電器，包括外殼(I)和底座(2)，外殼(I)封裝在底座(2)的上方，外殼(I)的上端設(shè)有安裝螺釘(9);其特征是:所述底座(2)上通過玻璃絕緣子燒結(jié)固定有兩個(gè)電源輸入引出端A、J，且兩個(gè)電源輸入引出端A、J上固定有底層線路板(5)和頂層線路板(6)，頂層線路板(5)上設(shè)有延時(shí)電路(3)，底層線路板(4)上安裝有磁保持繼電器(6);所述電源輸入引出端A、J分別與延時(shí)電路(3)的兩個(gè)輸入端連接，電源輸入引出端A與磁保持繼電器(6)的前激勵(lì)線圈和后激勵(lì)線圈的一端連接；所述延時(shí)電路(3)包括動(dòng)作延時(shí)電路和釋放延時(shí)電路，且動(dòng)作延時(shí)電路的控制端通過導(dǎo)線I (7)與磁保持繼電器(6)前激勵(lì)線圈的另一端連接，釋放延時(shí)電路的控制端通過導(dǎo)線II (8)與磁保持繼電器(6)后激勵(lì)線圈的另一端連接；所述底座(2)上通過玻璃絕緣子燒結(jié)固定有磁保持繼電器(6)觸點(diǎn)引出端B、C、D，1、H、G。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種無偏置端的小型規(guī)定時(shí)序混合延時(shí)繼電器，其特征是:所述動(dòng)作延時(shí)電路由單結(jié)晶體管V1、電容Cl、三極管Ul組成，電容Cl并聯(lián)在單結(jié)晶體管Vl的A極和K極上，磁保持繼電器(7)的前激勵(lì)線圈通過三極管Ul串聯(lián)在延時(shí)電路的兩個(gè)輸入端之間；電源輸入引出端A通過電阻Rl、電阻R2為電容Cl充電，使單結(jié)晶體管Vl的A極電壓由零逐漸升高；電源輸入引出端A通過電阻R3、電阻R4、電阻R5為單結(jié)晶體管Vl的G極提供基準(zhǔn)電壓，當(dāng)單結(jié)晶體管Vl的A極電壓高于G極電壓時(shí)，單結(jié)晶體管Vl的A、K兩極導(dǎo)通，通過電阻R6驅(qū)動(dòng)三極管Ul的基極使三極管Ul導(dǎo)通，磁保持繼電器￠)的前激勵(lì)線圈通電，觸點(diǎn)轉(zhuǎn)換B、C，1、H接通，B、D，1、G斷開，繼電器(6)實(shí)現(xiàn)動(dòng)作延時(shí)； 所述釋放延時(shí)電路由單結(jié)晶體管V2、電容C2、C3、C4、可控硅U2組成，電容C3并聯(lián)在單結(jié)晶體管V2的G、K兩極，電容C4并聯(lián)在單結(jié)晶體管V2的A、K兩極，磁保持繼電器(6)的后激勵(lì)線圈通過可控硅U2串聯(lián)在延時(shí)電路(3)的兩個(gè)輸入端之間，且磁保持繼電器(6)的后激勵(lì)線圈與可控硅U2串聯(lián)后與電容C2并聯(lián)；電源輸入引出端A通過電阻Rll為電容C2、C3、C4快速充電至規(guī)定電壓，使單結(jié)晶體管V2的G極電壓高于A極電壓，單結(jié)晶體管V2及可控硅U2處于關(guān)斷狀態(tài)；當(dāng)電源輸入引出端A斷電時(shí)，磁保持繼電器(6)保持前激勵(lì)狀態(tài)，電容C3通過電阻R8與R8’放電，使單結(jié)晶體管V2的A極電壓高于G極電壓，單結(jié)晶體管V2的A極與K極導(dǎo)通，電容C4形成泄放回路，通過電阻RlO觸發(fā)可控硅U2導(dǎo)通，電容C2通過磁保持繼電器(6)的后激勵(lì)線圈及可控硅U2快速放電，磁保持繼電器(6)的后激勵(lì)線圈得電，觸點(diǎn)轉(zhuǎn)換B、C，1、H斷開，B、D，1、G接通，磁保持繼電器(6)實(shí)現(xiàn)釋放延時(shí)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種無偏置端的小型規(guī)定時(shí)序混合延時(shí)繼電器，其特征是:所述電阻R5上并聯(lián)有熱敏電阻RTC。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的一種無偏置端的小型規(guī)定時(shí)序混合延時(shí)繼電器，其特征是:所述電阻R1、R2為動(dòng)作延時(shí)調(diào)節(jié)電阻；電阻R8、R8’為釋放延時(shí)調(diào)節(jié)電阻。
【文檔編號(hào)】H01H47/18GK104485258SQ201410803257
【公開日】2015年4月1日 申請(qǐng)日期:2014年12月19日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月19日
【發(fā)明者】張儒光, 朱煜 申請(qǐng)人:陜西群力電工有限責(zé)任公司